【課題】本発明は、安定したプルームを長時間均一に発生させ、長尺の基材に対し均一な膜質の酸化物超電導層を生成することを可能とする方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、レーザー光をターゲットに集光照射し、プルームを生成させ、該プルームからの粒子をテープ状の長尺基材上に堆積させて酸化物超電導層を形成する方法であって、減圧チャンバー内部の転向部材間に長尺基材が複数の隣接するレーンを構成するように巻き掛け、長尺基材のレーンに近接させてターゲットを配置し、ターゲットに対してレーザー光を集光照射する集光手段を設けたレーザー蒸着装置を用い、集光手段の焦点距離を１．０〜２．０ｍの範囲に、レーザー光のエネルギー密度を１．０〜４．０Ｊ／ｃｍ^２の範囲に設定し、ターゲットに対し斜め方向からレーザー光を集光照射しターゲット上で走査し、レーザー光の照射位置毎にプルームを発生させて成膜する方法である。 （もっと読む）

【課題】 Ｆｅ及びＲ，Ｏ（Ｒは、Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｙのうち少なくとも１つ以上である）を含む薄膜原料供給源と基板との間に、プラズマを発生させ、基板上にＲＦｅ₂Ｏ₄薄膜を形成する気相成膜方法であって、前記プラズマが、５４３５ｃｐｓより少ないＯ活性種の発光強度を有し、Ｆｅ活性種の発光強度に対するＯ活性種の発光強度が、Ｏ活性種の発光強度／Ｆｅ活性種の発光強度＜２
である気相成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば，ＲＦｅ₂Ｏ₄薄膜製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】低コストで低抵抗化を実現可能な透明導電体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に設けられた透明導電体の製造方法であって、透明導電体は、アナターゼ型ＴｉＯ_２の酸素をフッ素に置換して得られるアナターゼ型結晶構造を有するＦ：ＴｉＯ_２であり、パルスレーザ堆積法を用い、制御された酸素分圧の雰囲気下において、ＴｉとＦとからなる化合物にパルスレーザを照射し、３００℃以上６５０℃以下加熱された基板１１上に反応生成物をエピタキシャル成長させることにより行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い半導体層を有する半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体成長用基板、半導体成長用基板の製造方法、半導体素子、発光素子、表示パネル、電子素子、太陽電池素子及び電子機器を提供する。
【解決手段】芳香族系テトラカルボン酸と芳香族系テトラアミンを縮合して得られる複素環状高分子からなるグラファイト層２と、当該グラファイト層２の表面上に設けられ、当該グラファイト層２の表面を成長面とする半導体層４とを備えた半導体基板１。前記グラファイト層は結晶性に優れているため、グラファイト層の表面を成長面とする半導体層についても、結晶性に優れたものが得られる。これにより、結晶性に優れた半導体層を有する半導体基板１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱力学的平衡条件下では合成出来ない単相のＴ^*構造をもつＬａ₂ＣｕＯ₄を、薄膜合成手法をベースとする方法により製造する方法、及び同一組成式（Ｌａ₂ＣｕＯ₄）を有し、３種類の異なる結晶構造（Ｔ構造、Ｔ^*構造、Ｔ’構造）を持つ物質を、別々の基板上に一度の成膜過程で合成する方法を提供する。
【解決手段】超高真空中で構成元素を別々に供給し、適切に加熱した単結晶基板上に薄膜成長を行う（ＭＢＥ法）際に、ＬａＳｒＡｌＯ₄単結晶基板と、格子定数の異なる第１のＲＥＳｃＯ₃単結晶基板と、更に格子定数の異なる第２のＲＥＳｃＯ₃単結晶基板とを同一のＭＢＥ装置に装着し、基板温度５７５℃〜６００℃で、Ｌａ及びＣｕの原子線を供給してＬａ₂ＣｕＯ₄薄膜を成膜することにより、同一組成式Ｌａ₂ＣｕＯ₄を有しＴ、Ｔ^*、Ｔ’の３つの異なる結晶構造を持つ単結晶薄膜を、一度に成長させる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材上に、ディスプレイ作製の基礎となる赤色の発色が可能なペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜を形成する。
【解決手段】耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材２と、基材２上に形成された金薄膜３と、金薄膜３上に吸着されたナノシート４と、ナノシート４上に気相成長法によって、500℃以上700℃以下の温度でペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜５を成膜したことを特徴とするペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体１であり、ペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜５は、例えば、(Sr_xCa_1-x）_1-yPr_yTiO₃：0≦x≦0.8、0.001≦y≦0.01であり、ナノシート４は、例えば、［Ca₂Nb₃O₁₀］⁻（CNO） ナノシートと［N(C₁₈H₃₇)₂(CH₃)₂］^＋（DOA）ナノシート からなる複合LB膜であり、基材２は、例えば、クレーストである。 （もっと読む）

【課題】成長させた酸化亜鉛系半導体の不純物濃度を低減できる酸化亜鉛系基板を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系基板２は、ＩＶ族元素であるＳｉ、Ｃ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＰｂの不純物濃度が、１×１０^１７ｃｍ^−３以下の条件を満たす。より好ましくは、酸化亜鉛系基板２は、Ｉ族元素であるＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＦｒの不純物濃度が、１×１０^１６ｃｍ^−３以下の条件を満たす。 （もっと読む）

低抵抗率および高移動度を持つ安定したｐ型ＺｎＯ薄膜を成長させるための方法が、提供される。本方法は、ｎ型Ｌｉ−Ｎｉ共ドープＺｎＯターゲットをチャンバー中に提供することと、基板をチャンバー中に提供することと、ターゲットをアブレーションして薄膜を基板に形成することとを含む。
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【課題】帯電防止性の良好な層を形成できる光学物品の製造方法を提供する。
【解決手段】光学基材の上に、直にまたは他の層を介して透光性の第１の層を形成する工程と、チタン、ニオブ、チタンの酸化物およびニオブの酸化物からなる群から選ばれる少なくとも１つの組成をイオンアシスト蒸着することにより、第１の層の表層の少なくとも一部を低抵抗化する工程とを有する光学物品の製造方法を提供する。チタン−ニオブ系でありながら高温プロセスを用いずに表面の電気抵抗を下げることができ、また、高価なインジウムを用いずに表面の電気抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】高品質の薄膜を基板上に堆積させることを容易にする原料ガス分解機構を提供すること。
【解決手段】減圧下のチャンバ１７内で基板２１上に薄膜を気相堆積させる薄膜製造装置１に設けられ、薄膜の原料となる１種類または複数種類の原料ガスの分解種を分解して該原料ガスの分解種を生成する原料ガス分解機構に、反応室に連通される開口部を有し、該開口部を介して反応室に原料ガスを導入する１つまたは複数のガス導入管１３と、上記の開口部での反応室側の開口面よりも基板側に変位した状態で、かつ上記の開口部に近接した状態で接配置される原料ガス分解用の触媒体１０と、触媒体に導線１１ａ，１１ｂを介して通電することで該触媒体を昇温させる加熱電源１２とを設ける。 （もっと読む）

【課題】圧電性能に優れたペロブスカイト型酸化物を提供する。
【解決手段】
本発明のペロブスカイト型酸化物は、下記の第１成分、第２成分、及び第３成分を含むことを特徴とするものである。
第１成分：ＢｉＦｅＯ_３、第２成分：Ａサイトの平均イオン価数が２価であり、かつ結晶系が正方晶系である少なくとも１種のペロブスカイト型酸化物、第３成分：結晶系が、単斜晶系、三斜晶系、及び斜方晶系のうちいずれかである少なくとも１種のペロブスカイト型酸化物（ここで、各成分のペロブスカイト型酸化物においては、Ａサイト元素とＢサイト元素と酸素のモル比は１：１：３が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。）。 （もっと読む）

【課題】高温・高湿環境でガスバリア性に対して優れた耐久性を有するガスバリア積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】プラスチックフィルム基材１の両面または片面に酸化珪素膜２を積層するガスバリア積層体において、動的粘弾性測定（ＤＭＡ）よって算出される前記酸化珪素膜の弾性率が６０〜１５０ＧＰａの範囲内であること、酸素と珪素の比（Ｏ／Ｓｉ）が１．６〜２．０の範囲内であることにより、高温高湿環境下でガスバリア性の劣化を抑えることができるガスバリア積層体を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】界面を酸素原子終端にすると、価電子バンドオフセットが下がると予想されている（第一原理計算による）が、それを具体的に達成するものを実現することを目的とした。
【解決手段】上記課題を解決するために、電子素子基板において、酸化膜の金属基板との界面が酸素原子により終端されていることを特徴とする手段を採用した。 （もっと読む）

【課題】圧電素子において、発信能および受信能が共に優れ、圧電アクチュエータ、センサ、更に、超音波センサ、発電素子として好適なものとする。
【解決手段】圧電素子１は、圧電性を有する圧電体１３と、圧電体１３に対して所定方向に電界を印加する１対の電極１２、１４とを備え、圧電体１３の圧電歪定数ｄ_３３（ｐｍ／Ｖ）と比誘電率ε_３３とが下記式（１）及び（２）を満足するものである。
１００＜ε_３３＜１５００ ・・・（１）、
ｄ_３３（ｐｍ／Ｖ）＞１２√ε_３３ ・・・（２） （もっと読む）

【課題】検知感度の高い赤外線検出素子に適した強誘電体薄膜を形成可能な薄膜形成装置およびそれを用いた薄膜形成方法を提供することである。
【解決手段】薄膜形成装置１０００は、真空槽１０と、真空槽内を移動可能なように保持されるターゲット保持台１２と、成膜材料を含むターゲット２０と、このターゲット２０の表面に、高エネルギー放射線を放射するためのＡｒＦエキシマレーザ３０と、エキシマレーザからの放射線をターゲット２０の表面に集光させるための光学系と、基板４０を保持する基板保持台５０と、基板４０に堆積する物質を酸化させるための酸化性ガスを真空槽１０内に導入するための酸化性ガス導入部６０と、基板保持台５０の内部に設けられ基板を真空槽１０内において加熱するためのヒータ７０と、基板保持台５０に保持された基板４０に光線を照射するためのライト８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】ＺｎＯ粉末のＺｎＯ純度が９８％以上であり、ＣｅＯ₂粉末のＣｅＯ₂純度が９８％以上であり、蒸着材がＺｎＯ粒子とＣｅＯ₂粒子を含有するペレットからなり、蒸着材に含まれるＣｅＯ₂粒子の平均粒径が０．０５〜５μｍであり、蒸着材中のＣｅ元素の含有量が２０質量％を超え８０質量％以下であることを特徴とする。薄膜シートは、第１基材フィルム上にＺｎ元素とＣｅ元素を含む薄膜を形成してなり、薄膜中のＣｅ元素の含有量が２０質量％を超え８０質量％以下である。 （もっと読む）

本発明は、処理領域（２）を取り囲む成長室（１）、この成長室（１）の側壁（３）の内面を覆う側部部分（１０）を少なくとも有する主低温パネル、サンプルホルダー（６）、材料を蒸発させる少なくとも１つのエフュージョンセル（８）、気体状プレカーサーを前記成長室（１）に注入することのできるガスインジェクター（９）、前記成長室（１）に連結され、高い真空能力を提供することのできる排気手段（１１）を備えている、半導体材料のウエハを製造する分子線エピタキシー装置に関する。本発明によれば、本分子線エピタキシー装置は、少なくとも成長室壁（３，４，５）の内面を覆う断熱材囲い（１４）を備え、この断熱材囲い（１４）は、気体状プレカーサーの融点より低いか、これと同一である温度Ｔ_ｍｉｎを有する低温部と、高温部を備え、この高温部は、該高温部上の気体状プレカーサーの離脱速度が、気体状プレカーサーの吸着速度の少なくとも１０００倍以上であるような温度より高いか、これと同一である温度Ｔ_ｍａｘを有している。
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【課題】 真空チャンバの低温パネルの再生中に気体状プレカーサーの分圧が制御されることを特徴とする基板上に材料の薄膜を堆積させる装置、及び真空チャンバの低温パネル上に当初捕捉された気体状プレカーサーを、制御されかつ自動的な方式で前記真空チャンバから排気できるようにする再生方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は基板上に材料の薄膜を堆積させる装置及び再生方法に関する。装置はチャンバ（１）と、前記チャンバ内に設けられた低温パネル（１０）と、基板を支持可能なサンプルホルダ（６）と、前記チャンバ（１）に気体状プレカーサーを注入可能なガスインジェクター（９）と、前記真空チャンバ（１）に接続され、前記低温パネル（１０）により放出された前記気体状プレカーサーの一部を捕捉可能であり、不変の排気容量Ｓ_１を有する第１の捕捉手段（１１）とを備える。
発明によれば、基板上に材料の薄膜を堆積させる装置は気体状プレカーサーの分圧の関数として調節可能な可変排気容量Ｓ_２を有する第２の捕捉手段（１８）を備え、前記第１と第２の捕捉手段は前記真空チャンバ（１）内の前記気体状プレカーサーの分圧を所定の圧力Ｐ_Ｌに維持するのに十分な総合排気容量Ｓ＝Ｓ_１＋Ｓ_２をもたらす。 （もっと読む）

【課題】待機時においても蒸着装置内部の温度を下げないことで生産再開時の立ち上げ時間ロスを無くすとともに、搬送治具への不要な蒸着粒子付着を抑制し、信頼性の高い基板への薄膜形成を実現する。
【解決手段】ターゲットに電子ビームを照射して搬送治具に載置された基板に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、搬送治具に載置された基板に薄膜を形成する成膜時と、搬送治具への基板の載置がない待機時とで、電子ビームを発生させる電子ビーム源である電子銃への投入パワーを略同一とし、かつ、待機時のターゲットに照射する電子ビームの照射領域を異ならせることによって、蒸着装置内部の温度を保ったまま、成膜レートを抑制する。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の供給時に発生する飛沫を抑え、さらに液面の波紋の影響を低減し、蒸着材料のロスを少なくする蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空室１２内に、送りロール１３と巻取りロール１４を設けてベースフイルム１５を走行させ、中途の冷却キャン１６で定速回転させる。冷却キャン１６の幅方向の長さはルツボ１と略同じ円筒状で、内部の冷却水でベースフイルム１５の温度上昇による変形等を抑制する。ルツボ１を蒸着材料蒸発部分と、これに直角に設けた蒸着材料溶融部分で構成し、蒸着材料溶融部分で蒸着材料供給時に生じる波紋の影響を防ぎ安定な蒸着を行う。冷却キャン１６を軟磁性部分１６Ａと非磁性部分１６Ｂで構成し、１つの電子銃２１から照射される蒸発，溶解用電子ビーム２１Ａ，２１Ｂと、これを局部偏向することにより、蒸着材料を溶解，蒸発し、電子ビーム相互干渉による異常放電を抑え、ルツボ１を小さくし蒸着材料のロスを少なくする。 （もっと読む）