【課題】 有機ＥＬ素子の長寿命化には基板を加熱してから正孔輸送層を蒸着することが有効であるが、発光層蒸着時まで基板が高温であると発光効率が低下してしまう。
そのため、正孔輸送層蒸着後、発光層蒸着開始までに基板を冷却する必要があるが、基板の反成膜面側から加熱すると基板全体が高温になるために冷却するのに時間を要したり強制冷却手段が必要となる。
【解決手段】 正孔輸送層蒸着直前に成膜面側基板近傍から基板を加熱し、成膜面が所定の温度に達したら基板加熱ヒーターを退避させると同時に成膜を開始することで基板を冷却する工程や時間を大幅に削減できる。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の劣化を防止し、蒸着材料を均一に蒸発させ、かつ蒸発量の制御も容易に行う。
【解決手段】蒸着材料Ｍを加熱する加熱手段を、蒸発容器１０内の蒸着材料Ｍを溶融温度から蒸発温度未満の範囲で加熱溶融する第１加熱源１３と、加熱用多孔板１６ｅを溶融蒸着材料Ｍの表面Ｍｓに接触させて加熱蒸発させる第２加熱源１６とで構成し、前記蒸発容器１０を昇降させて加熱用多孔板１６ｅを溶融蒸着材料Ｍの表面Ｍｓに接触させる容器昇降装置１５を具備した。 （もっと読む）

【課題】高感度であって高画質の放射線再生画像を与える放射線像変換パネルを製造する方法において有利に用いることのできる、るつぼ内部の温度の均一化に有効な加熱用るつぼおよび加熱用るつぼ組体を提供する。
【解決手段】通電により発熱する加熱用るつぼの周囲を覆う形状を有する絶縁性材料からなるリフレクタ、および該加熱用るつぼと該レフレクタとからなる加熱用るつぼ組体。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の劣化を防止し、蒸着材料を安定して蒸発させることができ、かつ蒸発量の制御も容易に行える。
【解決手段】蒸着材料Ｍを収容する蒸発容器１０と、この蒸発容器１０内の蒸発材料Ｍを溶融温度以上、蒸発温度未満で加熱溶融する第１加熱源１３と、蒸発容器１０内の溶融蒸着材料Ｍの表面Ｍｓに接触して加熱し蒸発させる第２加熱源１６と、蒸発容器１０を昇降させて第２加熱源１６を溶融蒸着材料Ｍの表面Ｍｓに接触させる容器昇降装置１５とを具備し、第２加熱源１６は、上部に加熱ヒータ１６ｃが設けられた熱伝導用胴部１６ａの底部に溶融蒸着材料Ｍの表面に接触または浸漬される加熱用多孔板１６ｅが設けられ、さらに加熱ヒータ１６ｃの熱を加熱用多孔板１６ｅの中央部に伝導して加熱用多孔板１６ｅの熱勾配を減少させる伝熱部材１７が設けられた。 （もっと読む）

【課題】コーティング対象の基板にあまり高い熱放射を与えないで、高沸騰物質を気相に変換する蒸発装置の供給問題を解決すること。
【解決手段】本発明は、基板をコーティングするための、特にＯＬＥＤのアルミニウム層を形成するための蒸発装置に関する。例えば、低い蒸気圧を有する材料を気化するために必要な温度のような高温に蒸発器チューブを加熱するために、加熱システムが蒸発器チューブ内に設置されている。それにより、熱損失が最小限度まで低減され、ほぼ同じ結合加熱電力で、チューブ温度がさらに高くなる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、真空中で蒸着原料を蒸発させ基板に被着させて有機単分子膜を成膜する有機単分子膜成膜装置及び該方法を提供する。
【解決手段】 本発明の係る、真空引きされる真空チャンバ１１内に蒸着原料Ａを収容し、蒸着原料Ａを加熱源１７により加熱して蒸発させ、真空チャンバ１１内に保持した基板Ｂ上に蒸発した蒸着原料Ａによる有機単分子膜を成膜する有機単分子膜成膜装置１は、基板Ｂを冷却する冷却源１２と、基板Ｂにおける有機単分子膜を形成すべき領域Ｃから蒸発源としての坩堝１６の開口部１６−１を見た場合に、蒸着中、蒸発源が見えないように隠す遮蔽板１５とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】その表面が地球の重力に対して平行なこのような平らな基板の熱負荷を低減すること。
【解決手段】本発明は、基板、特に、例えばＯＬＥＤＥのような感熱物質を含む基板を蒸着するための蒸着装置に関する。これらの基板から熱を遠ざけておくために、蒸着装置は、特殊なノズル棒を有する蒸発器チューブを含む。数個の直線状に配置されている開口部を有するこのノズル棒は、コーティング対象の基板の方向に蒸発器チューブに対して突き出ている。 （もっと読む）

【課題】スプラッシュが発生しても、長尺帯状基材に付着するのを防止でき、かつ、長尺帯状基材に蒸着されていない部分の発生をできるだけ少なくすることができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】長尺帯状基材を連続走行させる基材搬送装置3と、ルツボ4内の蒸発材料を加熱する加熱装置51,52と、蒸発材料をルツボ4に供給する蒸発材料供給装置7と、開閉シャッター6と、溶湯量検知装置81と、温度検知装置82と、制御手段9とを備える。開閉シャッター6は、長尺帯状基材とルツボ4との間に進退可能に配置され、進出位置においてルツボ4と長尺帯状基材との間を遮断して蒸発材料が長尺帯状基材に付着するのを阻止する。蒸発材料をルツボ4に供給する際には、長尺帯状基材の走行を停止し、かつ、長尺帯状基材とルツボ4との間を、開閉シャッター6で遮断する。成膜工程時は、蒸発材料のルツボ4への供給は行わない。 （もっと読む）

【課題】製品が77 K、ゼロ磁場で約10⁵ A/cm²より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度（J_c）を有する、基板上に沈着された0.8ミクロンより大きい厚さを有する酸化物超伝導体被膜を有する酸化物超伝導体製品を提供する。
【解決手段】酸化物超伝導体製品は、金属オキシフッ化物被膜が実質的に化学量論的比率で酸化物超伝導体の構成金属元素を含む、金属オキシフッ化物被膜を提供すること；および製品が77 K、ゼロ磁場で約10⁵ A/cm²より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度を有する酸化物超伝導体被膜が得られるように、温度、P_H2O、P_O2、及びその組み合わせからなる群より選択される反応パラメータを調節することによって選択される変換速度で、金属オキシフッ化物を酸化物超伝導体に変換すること、によって調製される。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着装置において、ヒータに供給する電力の大きさの変化に対するリザーバの温度変化の応答速度を高める。
【解決手段】本発明の真空蒸着用坩堝ＣＲは、蒸発材料を収容するリザーバＲＳＶと、前記リザーバＲＳＶの外側側面を被覆し且つ前記リザーバＲＳＶと比較して赤外線吸収率がより高い赤外線吸収層ＩＲＡＬとを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜材料加熱装置の温度を安定かつ容易に制御することを可能にするとともに、有機薄膜材料加熱装置に貯留された有機薄膜材料の温度を急速に上昇、下降、又は所定の温度に保持させることを可能にした蒸着源装置及び該蒸着源装置を備える真空蒸着装置を提供すること。
【解決手段】有機薄膜材料３を加熱するヒーター６を備えた有機薄膜材料加熱装置５と、有機薄膜材料加熱装置５の温度を制御するために所定の温度範囲に制御される恒温装置８と、有機薄膜材料加熱装置５と恒温装置８間の熱を交換するために設けられた熱交換器１２とを真空中に配設し、有機薄膜材料加熱装置５において、−５０℃から５００℃の温度範囲の昇華温度を有する有機薄膜材料３を昇華させるようにしたことを特徴とする蒸着源装置である。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＮは有害物質を含まず太陽電池、高速素子、センサ材料など将来に希望が持てる材料である。しかし良い結晶成長方法がなくよい試料ができないので物性の研究も進んでいない。分子線エピタキシャル成長法は唯一可能性ある方法であるが窒素抜けのため良質の結晶を成長させることができない。
【解決手段】 分子線エピタキシー装置のマニピュレータの基板加熱を抵抗加熱ではなく赤外光・石英ロッドを用いた光加熱機構とする。石英ロッドによって外部の赤外線ランプで発生した赤外光を成長室の内部へ導き基板を裏面から加熱する。基板と基板ホルダ−との熱容量は小さく赤外線ランプの出力パワーは迅速に変化させることができる。２０℃／秒〜１００℃／秒程度の基板温度変化を与え、低温（５００℃〜６００℃）と高温（８００℃〜９００℃）の間で基板温度を５秒〜２０秒といった短時間で変化させる。 （もっと読む）

【課題】 輝度と発光効率が高いだけでなく、素子の寿命が長い上、材料の毒性が小さい有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること。
【解決手段】 基体、基体の上に形成された陽極、陽極の上に形成された発光層、発光層の上に形成された電子注入層、及び電子注入層の上に形成された陰極とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子。特に、前記電子注入層がアルカリ金属窒化物を含有する層である点に特徴がある。 （もっと読む）

【課題】 球レンズの表面に，真空蒸着法等を用いてコーティングして無反射フィルタ膜等を形成する従来の方法では，全面に均一なフィルタ膜を成膜するのが困難である，微小外径の球レンズに適用することができない，球レンズに蒸着カス等が付着する等の課題がある。
【解決手段】 そこで本発明では，真空チャンバ１内におけるフィルタ膜材料２の供給源３の上方に球レンズ８の支持容器９を自転運動及び公転運動可能に支持し，自転運動の回転軸１３は鉛直方向に対して所定角度θ傾斜させると共に，この支持容器は少なくとも底面側に網状部１１を形成し，網状部に球状ガラスを載せて支持容器を回転させることにより，球状ガラスを網状部に対して転動させながら，供給源からフィルタ膜材料を供給して，球状ガラスの全面にフィルタ膜材料のコーティングを施し，成膜する全面フィルタ膜付き球レンズの製造方法を提案する。 （もっと読む）

【課題】 化学的に安定で、毒性がなく、導電性・透明性共に良好であり、容易かつ安価に膜形成が可能な透明導電性成形物を提供する。
【解決手段】 ＳｉＯ_x（Ｘは０．５以上２．０未満）と酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）を含有し、体積固有抵抗が０．０１Ωｃｍ未満である透明導電性成形物。 （もっと読む）

【課題】 マスクを使用し気相堆積法により原料膜をパターン化して堆積する際、マスクの歪み、伸縮等によるパターンズレを防止し、堆積膜面内品質不均一を防止した気相堆積装置及び気相堆積方法の提供。
【解決手段】 気相堆積法によって基材上に少なくとも１層の原料膜を堆積させる、減圧手段で減圧される蒸着室と、基材の基材配置手段と、原料を蒸発させる原料蒸発手段と、基材に対して堆積膜の形成領域を規制するマスクのマスク配置手段とを有する気相堆積装置において、少なくとも前記基材上に前記原料膜を堆積させる間、前記マスクを温度制御機構により前記基材の温度履歴に合わせて温度制御することが可能であることを特徴とする気相堆積装置。 （もっと読む）

【課題】偏光板等の光学部材の防汚性薄膜の形成において、優れた防汚性薄膜を安定的にムラがなく、連続的に形成でき、その薄膜形成の制御性および蒸発源の調整やセット等の作業性に優れた簡便な防汚性薄膜の形成方法の提供にある。
【解決手段】真空蒸着法による被処理基材１０の表面に防汚性薄膜１を形成する方法で、織物状含浸担体２０に浸したフルオロアルキルシラン等の防汚性材料をランプヒーター３０加熱又はヒートローラー接触加熱により蒸発させるもので、前記織物状の含浸担体がロール状含浸担体２０ａで、それを連続巻き取り式送り装置１１０により送り、連続的に蒸発させる方法である。またセラミックス多孔性形成体の含浸担体に浸した防汚性材料を、ランプヒーター加熱により蒸発させるもので、前記セラミックス多孔性形成体の含浸担体が、板状、ペレット状、粉状含浸担体で、それらの表面又は裏面から照射加熱してなる形成方法である。 （もっと読む）

本発明は、物理的蒸着を利用して基材を被覆する装置であって、コイル中で変動電流を用いて、ある量の導電性材料（１０）を空中浮揚状態に維持し、かつ該材料を加熱および蒸発させるためのコイル（１）が配置された真空チャンバを備えてなり、該コイルを空中浮揚された材料から隔離するための手段（３）が該コイル中に配置されている、装置に関する。本発明によれば、該装置は、該隔離手段が、非導電性材料製の容器（２）の一部であり、該容器が、蒸発した導電性材料を被覆されるべき該基材に導くための一個以上の開口部（５）を有することを特徴とする。本発明は、物理的蒸着を利用して基材を被覆する方法にも関する。
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【課題】 蒸着時の基板温度をある程度の高温で制御することを可能とし、さらに蒸着終了後迅速に基板を冷却して取り出すことを可能とする真空蒸着方法及び真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】 基板ホルダは通液可能な中空部を有しており、蒸着中は、所定温度の熱媒体を基板ホルダの中空部に通液し、蒸着終了後は、所定温度より低い温度の冷却媒体を基板ホルダの中空部に通液し基板を冷却する。 （もっと読む）

【課題】光学部品の各被成膜面に形成される防汚膜の性能を同等にすることを目的とする。
【解決手段】支持装置８０、カバー８２及び基板４０のいずれかの部材を物体Ａと物体Ｂとした場合に、その物体Ａと物体Ｂとの隙間（距離）ＬがイオンシースＩｄの２倍以内の場合は、正イオンＩｃは、物体Ａと物体Ｂとが負に帯電している吸引力に負けて、物体Ａ又は物体Ｂに引き寄せられて、物体Ａと物体Ｂとの間を通過することができない。したがって、物体Ａと物体Ｂとの隙間（距離）ＬがイオンシースＩｄの０．１倍以上、且つ２倍以内の場合は、正イオンは物体Ａ及び物体Ｂの裏面に到達することができない。このことは、物体Ａ及び物体Ｂの裏面は、正イオンにスパッタされることなく、物体Ａ及び物体Ｂの裏面にある防汚膜或いは他の処理膜はこの処理を施す以前の状態を維持することができる。 （もっと読む）