【課題】はんだ等の低融点金属を含有する合金膜を、含有金属組成のずれを生じることなく、かつ成膜レートを低下させることなく成膜できる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気とした空間内に、低融点金属を含有する合金ターゲットを設けたカソード電極と基板を設けたアノード電極とを対向して配置し、前記基板の一方の面に、前記低融点金属を含有する合金膜をスパッタ法により形成する成膜装置であって、前記カソード電極にＤＣパルス電圧Ｅｋを印加する電源手段を少なくとも備えたことを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】
磁性金属とセラミックと貴金属の粉末を均一に混合し、ターゲットの製造工程における貴金属粉末の損失を低減できる、貴金属を含む金属系セラミック複合体ターゲットを製造する方法を提供する。
【解決手段】
貴金属を含む金属系セラミック複合体ターゲットを製造する方法が提供される。この方法は、最初に湿式粉末混合工程により、セラミック粉末を磁性金属粉末の表面に均一に付ける工程と、セラミック−金属複合体粉末を得るためにこれを乾燥する工程と、次いで乾式粉末混合工程により、貴金属粉末をセラミックと金属の粉末と均一に混合する工程と、最後に、成形及び圧縮工程を使用してセラミック−金属複合体粉末を成形体ターゲットにする工程とを含む。本発明の製造方法は、磁性金属とセラミックと貴金属の粉末を均一に混合し、ターゲットの製造工程における貴金属粉末の損失を低減することができ、これにより、ターゲットの品質を改良し、その製造コストを削減する。 （もっと読む）

【課題】 無機ＥＬ素子のＥＬ発光層の形成において、反応性スパッタリング法に用いるバリウムアルミニウム系スパッタリングターゲットについて、大気中に長期間放置しても強度が低下することのない、高強度のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 ２４〜４３質量％のＡｌと、１〜１０質量％のＥｕと、残部のＢａとからなるホットプレス体からなるバリウムアルミニウム系スパッタリングターゲットについて、不可避不純物として含まれる水素の量を５０ｐｐｍ以下に制御する。このスパッタリングターゲットの製造は、原料粉末をホットプレスする際に、差圧０.１ＭＰａでの窒素ガスのガス透過率が１×１０^−３ｃｍ^２／ｓ以上のホットプレス型を用いて行う。 （もっと読む）

【課題】耐久性に優れながら貴金属使用量を低減した電気接点層を有し、電気接点層の形成後もプレス成形可能な電気接点層付金属材の製造方法を提供する。
【解決手段】金属基材１の表面に電気接点層３を形成する電気接点層付金属材１０の製造方法であって、金属基材１の表面に、チャンバーを用いた気相法により、Ｙ群（チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムのいずれか）を主成分とし、そのＹ群に対して０．０２ｍａｓｓ％以上５ｍａｓｓ％以下のＰｄを添加した合金からなる平均厚さｄ１が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の接着層２を成膜し、その接着層２の表面に、同一チャンバー内で気相法により、貴金属（Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ａｇのいずれか）からなる平均厚さｄ２が１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の電気接点層３を成膜するものである。 （もっと読む）

【課題】希土類元素、およびＡｌよりも高融点の高融点元素を含有するＡｌ基合金スパッタリングターゲット材を歩留良く製造できる方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、アトマイズ法によって製造した希土類元素を含有するＡｌ基合金の第１粉末を用意する工程と；第１粉末と、Ａｌよりも高融点の高融点元素Ｘから構成される１種以上の第２粉末とを混合する工程と；第１粉末と第２粉末の混合粉末を緻密化する工程とを含んでいる。上記の混合工程において、第１粉末の最大粒径（ａ）が１０〜２００μｍであり、前記第２粉末の最大粒径（ｂ）が１０〜１５０μｍであり、（ａ）と（ｂ）との比（（ａ）／（ｂ））が０．５〜５である。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｏ：１〜３０原子％、Ｃｒ:２〜２０原子％、Ｐｔ：５〜２５原子％、Ｍ金属（ただし、Ｍ金属はＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌの内のいずれか１種）：０．５〜１５原子％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、表面がＣｏおよびＣｒの酸化物層により被覆されたＣｏ−Ｃｒ二元系合金相、ＰｔとＢの合金相およびＭの酸化物相が均一分散している組織を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁性粒子間の磁気的な分離を十分に行うことができ、しかも垂直磁気記録媒体を容易に製造することができる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、磁性粒子１５ａとこの磁性粒子１５ａを取り囲むＭｏＣｕＯ１５ｂとからなるグラニュラー膜１５を形成する。このグラニュラー膜１５をアルカリ溶液または水を用いてウエットエッチングすることによりＭｏＣｕＯ１５ｂを除去し、空隙とする。こうしてＭｏＣｕＯ１５ｂを除去した膜を磁気記録層として用いる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の光吸収層を形成するためのカルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉末として、Ｃｕ−Ｓｅ二元系銅合金粉末、Ｃｕ−Ｉｎ二元系銅合金粉末、Ｃｕ−Ｇａ二元系銅合金粉末およびＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系銅合金粉末を用意し、前記Ｃｕ−Ｓｅ二元系銅合金粉末に前記Ｃｕ−Ｉｎ二元系銅合金粉末、Ｃｕ−Ｇａ二元系銅合金粉末またはＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系銅合金粉末をＣｕ_ａＩｎ_ｂＧａ_ｃＳｅ_ｄ（但し、単位は原子％、２５≦ａ≦６５、０≦ｂ≦５０、０≦ｃ≦３０、３０≦ｄ≦５０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００）からなる成分組成を有するように配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末をホットプレスしてホットプレス体を作製し、このホットプレス体の表面を切削することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属加工金型の寿命向上のため、高い塑性変形硬さ、高い剥離臨界荷重、被加工材との焼付き性を向上させる金型表面用保護膜を形成すること。気相薄膜形成法を用いて保護膜を形成する場合は、蒸発源の費用を抑えられること。
【解決手段】金属表面に形成される、遷移金属元素の窒化物とモリブデン窒化物との化合物からなる金型表面用保護膜。チタン含有窒化物とモリブデン窒化物との化合物。TiN、(Ti,Al)N、CrNのうち何れか一つのチタン含有窒化物と、MoNのモリブデン窒化物との化合物。（Ti_a,Mo_b）N_1-a-bであって、aおよびbは原子比を示し、Mo含有比率；Mo/（Mo+Ti）が20〜60％である。（（TiAl）_a,Mo_b）N_1-a-bであって、aおよびbは原子比を示し、Mo含有比率；Mo/（Mo+Ti+Al）が40〜80％である。５００℃以下で加工する金型に適用する。 （もっと読む）

【課題】低温での熱処理後も十分に低い電気抵抗率を示し、かつ直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減されると共に、耐食性および耐熱性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｎｉを０．０５〜０．５原子％、Ｇｅを０．４〜１．５原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．０５〜０．３原子％含有すると共に、ＮｉおよびＧｅの合計量が１．７原子％以下である。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】酸素含有量が均一なバリア膜を形成する。
【解決手段】本発明のターゲット１１１は酸素と銅とを含有している。当該ターゲット１１１をスパッタリングして形成されるバリア膜２５は、原子組成がターゲット１１１と略等しくなるので、バリア膜２５中の酸素含有量を厳密に制御することが可能であり、しかも、バリア膜２５中の酸素の面内分布が均一になる。酸素と銅を含有するバリア膜２５はシリコン層やガラス基板への密着性が高い上に、シリコン層へ銅が拡散しないから、薄膜トランジスタ２０の、ガラス基板やシリコン層に密着する電極に適している。 （もっと読む）

【課題】低温での熱処理を適用した場合でも十分に低い電気抵抗率を示すと共に、直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減され、かつ耐食性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｃｏを０．０５〜０．５原子％、およびＧｅを０．２〜１．０原子％含み、かつＡｌ合金膜中のＣｏ量とＧｅ量が下記式（１）を満たすことを特徴とする表示装置用Ａｌ合金膜。
［Ｇｅ］≧−０．２５×［Ｃｏ］＋０．２ …（１）
（式（１）中、［Ｇｅ］はＡｌ合金膜中のＧｅ量（原子％）、［Ｃｏ］はＡｌ合金膜中のＣｏ量（原子％）を示す） （もっと読む）

【課題】ＣＦＯ等のファインピッチ化に好適なエッチング性に優れ、特にエッチング残渣が残らない金属被覆ポリイミドフィルム基板を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムの表面に、スパッタリング法又は蒸着法により形成したＮｉ−Ｃｒ合金からなる第１金属層と、スパッタリング法又は蒸着法により形成した銅からなる第２金属層と、電気めっき法及び／又は無電解めっき法により形成した銅めっき被膜とを、この順に積層した構造を有する金属被覆ポリイミドフィルム基板であって、銅からなる第２金属層の結晶子径が４２０〜５５０Åに制御してある。 （もっと読む）

【課題】本発明は、非常に高い曲げ強度を有し、従って、成膜時の熱応力によりターゲットのつば部が破損することのないTi-Al系合金ターゲット材を得ることができるばかりではなく、加圧成形時に原料組成物を均一に変形し得、従って、後加工による寸法修正が不要であり、原料組成物の歩留まりを著しく高くし得るところのTi-Al系合金ターゲット材の製造法を提供する。
【解決手段】本発明は、Ti粉末とAl粉末とを含む原料組成物を加圧成形し、次いで、得られた成形体を焼結又は焼結鍛造してTi-Al系合金ターゲット材を製造する方法において、上記加圧成形が、80〜250℃の温度において金型内で原料組成物を圧縮することにより実行されることを特徴とする方法である。 （もっと読む）

【課題】装置の高いスループットを維持しつつ、バリアメタルの酸化工程の追加や異なる種類のシード層の積層、バリア層の積層等を行い配線の信頼性を向上させる。
【解決手段】薄膜の合金シード層を成長させるチャンバー、または、薄膜のバリアメタルを成長させるチャンバーのうち、最も短いタクト時間のチャンバー数を最も少なくして、あるいは、統一して１台の装置で専用に用い、タクト時間の長い工程のチャンバーを２または、３チャンバー以上にすることにより、薄膜工程のチャンバー間バラツキを無くして、装置のスループットを向上させる。 （もっと読む）

【課題】結晶組織が粗くコスト高となる溶湯金属の急冷によるバルク金属ガラスに替えて、焼結法による高密度の極微細で均一な組織を有するターゲットを提供する。
【解決手段】非晶質又は平均結晶子サイズが５０ｎｍ以下の組織を備えている焼結体パッタリングターゲット、特に３元系以上の合金からなり、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、希土類金属から選択した少なくとも１元素を主成分とする焼結体パッタリングターゲットに関し、該ターゲットを、アトマイズ粉を焼結することによって製造する。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜用合金および薄膜製造用スパッタリングターゲット材、およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、Ｐおよび／またはＺｒを合計０．１〜１０％を含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材。また、上記スパッタリングターゲット材はガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したもの、およびそれら上記スパッタリングターゲット材を用いて製造したＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系薄膜。 （もっと読む）

【課題】コスト高となる溶湯金属の急冷によるバルク金属ガラスに替えて、例えば粉末冶金法により、作製される超微細加工用コーティング膜が、パーティクル等の欠陥及び組成の不均一性の問題を生じない、結晶組織が極微細で均一な組織を有する高品質かつ実用的な大きさのターゲット材を提供する。
【解決手段】平均結晶子サイズが１ｎｍ〜５ｎｍの組織を備え、Ｃｏを主成分として原子比率で５０ａｔ％以上含有する３元系以上の合金からなり、主成分に対する他成分が１２％以上の原子半径差を有すると共に負の混合熱を満たす金属ガラスの要件を備え、当該３元系以上の合金はＴａ及びＢを含有し、かつ９６．４％以上の相対密度を有し、ガスアトマイズ粉を焼結することによって得られた非晶質体であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの使用初期段階でのスプラッシュの発生を軽減し、これにより配線膜等に生じる欠陥を防止し、ＦＰＤの歩留りや動作性能を向上させることが可能なＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）−（Ｌａ，Ｇｄ，Ｎｄ）系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ａ群（Ｎｉ，Ｃｏ）から選択される少なくとも１種と、Ｂ群（Ｃｕ，Ｇｅ）から選択される少なくとも１種と、Ｃ群（Ｌａ，Ｇｄ，Ｎｄ）から選択される少なくとも１種を各々含有するＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）−（Ｌａ，Ｇｄ，Ｎｄ）系合金スパッタリングターゲットを構成し、そのビッカース硬さ（ＨＶ）を３５以上にする。 （もっと読む）

（ａ） 大部分で存在するモリブデン； （ｂ） 合金量で存在するニオブ； および（ｃ） ニッケル、クロム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウムおよびそれらの混合物からなる群から選択される第三の金属を含み、第三の金属がドーピング量で存在する合金； さらに、それを用いて製造されるスパッタリングターゲット、かかるターゲットを使用してスパッタされた膜、およびかかる膜を含有する薄膜素子。
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