本発明は、可視域から近紫外域にかけてまで（すなわち、２２０ｎｍの波長まで）であるスペクトル領域において、高い屈折率並びに良好な光学特性（すなわち、低い吸収と散乱）及び低い内部応力を有する光学コーティング（３，３'）に関する。本発明によるコーティング（３，３'）は、１ａｔ％〜１０ａｔ％、殊に１．５ａｔ％〜３ａｔ％のケイ素割合（ｙ）を含有する、ハフニウム又はジルコニウムを含むＨｆ_xＳｉ_yＯ_zもしくはＺｒ_xＳｉ_yＯ_zから成る。
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【課題】アークイオンプレーティング等により形成した薄膜にターゲット成分からなるドロップレットが形成しにくいＴｉ−Ａｌ系合金ターゲット及びその粉末冶金法による製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔｉ粉末とＡｌ粉末の混合粉を含む成型体をアルミニウムの融点未満の温度で加熱し、上記成型体中のＡｌをＴｉと反応させ、Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物を形成させる熱処理工程と、アルミニウムの融点より高くチタンの融点より低い温度でＴｉと前記Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物を反応させて加圧焼結する加圧焼結工程を有するＴｉ−Ａｌ系合金ターゲットの製造方法。これにより得られたＴｉ−Ａｌ系合金ターゲットは、Ａｌを４５〜６５原子％含有し、Ｘ線回折で分析したときにＴｉ_３Ａｌ，ＴｉＡｌ，ＴｉＡｌ_２，ＴｉＡｌ_３の少なくとも２種以上の相を含み、ＥＰＭＡ分析をしたときに単体の金属Ｔｉ及び金属Ａｌが残存していない。 （もっと読む）

【課題】比較的価格の安いアルミを主成分としかつ希土類金属を使用しない、表面平滑性に優れた光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、及び、光メディア及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む光メディア用スパッタリングターゲットである。基板１０と、Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む組成を有し基板１０上に設けられた反射層２０Ａ，２０Ｂと、を備える光メディア１００である。 （もっと読む）

【課題】 強い漏洩磁束が得られる透磁率が低く使用効率が高いＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｃｏ_ａ−Ｆｅ_{１００−ａ}）_{１００−ｂ}−Ｎｉ_ｂ）_{１００−ｃ}−Ｍ１_ｃ、１０≦ａ≦９０、０＜ｂ≦２０、５≦ｃ≦２０で表され、前記組成式のＭ１元素が（Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｂ）から選ばれる２種以上の元素であるＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法であって、
原子比における組成式がＦｅ_{１００−Ｘ}−Ｍ１_Ｘ、５≦Ｘ≦３０で表され、Ｍ１元素が１種以上含まれるＦｅ合金粉末を粉末Ａ、
Ｃｏおよび／または１種以上のＭ１元素を含有するＣｏ合金粉末を粉末Ｂ、
Ｎｉ粉末を粉末Ｃ、
としたとき、粉末Ａ、粉末Ｂおよび粉末Ｃを前記組成式を満たすように混合した混合粉末を加圧焼結するＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】周期表ＩＢ族、ＩＩＩＢ族、ＶＩＢ族の元素を用いるスパッタリング法により、所望の組成のスパッタリング膜が効率よく形成可能なスパッタリング方法等を提供する。
【解決手段】不活性ガスＡｒの雰囲気下において、高周波電源ＩＩに接続したターゲット電極２１ａ，２２ａ，２３ａ上に載置した周期表ＩＢ族、ＩＩＩＢ族、ＶＩＢ族から選ばれる複数の元素から構成される複合ターゲット２１，２２，２３と被成膜体としての基板１１とを対向配置し、ターゲット電極２１ａ，２２ａ，２３ａに高電圧を印加し複合ターゲット２１，２２，２３の表面をスパッタリングすることにより基板１１上に薄膜を成膜することを特徴とするスパッタリング方法。基板１１を複数の複合ターゲット２１，２２，２３の前を移動させることにより基板１１上に薄膜の積層体が成膜される。 （もっと読む）

【課題】Ａｇ膜の凝集が生じ難い照明用、ミラー用またはディスプレイパネル用の反射体を提供する。
【解決手段】本発明に係る照明用、ミラー用またはディスプレイパネル用の反射体は、基板の一方の面に純ＡｇまたはＡｇ基合金の反射膜を有する反射体であって、上記基板は、ＪＩＳ Ｋ７２０９（Ａ法）に基づき、２３℃の純水に２４時間浸漬したときの吸水率が０．１％未満の樹脂で構成されている。 （もっと読む）

【課題】ルテニウムターゲットを代替することができ、かつ、安価なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｐｄ、Ｃｒ、Ｗを主要成分として含有するＰｄ−Ｃｒ−Ｗ系スパッタリングターゲットとし、該ターゲットの構造を、ＣｒおよびＷのうちの少なくとも１種を含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなる合金マトリックス中に、Ｃｒ相およびＷ相のうちの少なくとも１種の相が分散した構造とし、前記ターゲット全体に対するＣｒの含有量が５〜５０ａｔ％、Ｗの含有量が５〜４０ａｔ％となるようにする。 （もっと読む）

【課題】成膜方法、基板保持具及び成膜装置において、成膜装置内で発生した塵埃に起因するピンホール欠陥を抑制することを目的とする。
【解決手段】チャンバ内で、基板保持具に保持された基板に対して成膜処理を施す成膜方法において、チャンバ内で前記基板保持具により保持されている前記基板の被保持箇所の近傍で磁石により磁界を発生させてチャンバ内の塵埃を磁石により吸着するように構成する。 （もっと読む）

衝撃損傷を通常与える名目上丸形の粒子及び侵食損傷を通常与えるより侵食性の高い不規則な形状の粒子を含む粒子との衝突を受けやすい表面を保護するのに適する耐侵食衝撃性セラミック被膜。セラミック被膜は、約２５〜約１００μｍの厚さを有する窒化チタンアルミニウム（ＴｉＡｌＮ）の少なくとも１つの層；被膜総厚が少なくとも約３μｍになるように各層が約０．２〜約１．０μｍの厚さを有する窒化クロム（ＣｒＮ）及びＴｉＡｌＮの複数の層；及び約１５〜約１００μｍの厚さを有する炭化窒化チタンケイ素（ＴｉＳｉＣＮ）の少なくとも１つの層という３つの組成のうち１つを有するように形成される。セラミック被膜は約１００μｍまでの被膜総厚を有するのが好ましく且つ柱状及び／又は緻密微細構造を有するように物理気相成長処理により堆積される。 （もっと読む）

【課題】意匠面に対する金属薄膜の高い付着性と優れた耐薬品性とを十分に確保した上で、金属表面が、よりリアルに表現され得る加飾樹脂成形品を提供する。
【解決手段】基材１２の意匠面１８に、物理蒸着法又は化学蒸着法により金属薄膜２０を直接に形成して、金属調の加飾を実現すると共に、該金属薄膜２０に対して、樹脂と金属の両方に架橋する透明な塗料の塗膜からなる第一のトップコート層２２を直接に積層形成し、更に、該第一のトップコート層２２に対して、ガラス転移温度が５５〜１２０℃である透明な塗膜からなる第二のトップコート層２３を直接に積層形成して、構成した。 （もっと読む）

円形溝プレス加工によって金属ターゲットブランク(1)を製造する方法が、金属または合金ターゲットブランク(1)を第一の円形溝付きプレス加工ダイ・セット(20A、20B)内でプレスして第一の同心波形となるようにし、このときターゲットブランク(1)の元の直径が保たれるようにして、ターゲットブランク(1)内に同心円状のせん断変形部が形成されるようにすることを含む。次に、平坦ダイ・セット(30A、30B)によって当該同心波形ターゲット(1)ブランクに当該ターゲットブランクを実質的に平坦にするのに十分な力を加えて、当該ターゲットブランク(1)の元の直径を保ったまま、当該ターゲットブランク(1)を実質的に平坦な状態に戻す。当該ターゲットブランク(1)を第二の円形溝付きダイ・セット(40A、40B)内でプレスして第二の同心波形となるようにし、このとき当該ターゲットブランク(1)の元の直径が保たれるようにし、さらにこのとき、当該第二のダイ・セット(40A、40B)が当該第一のダイ・セット(20A、20B)の溝パターンからずれた溝パターンを有し、当該ターゲットブランクのそれ以前に変形されなかった領域に同心円状のせん断変形部が形成されるようにする。ふたたび、平坦ダイ・セット(30A、30B)によって当該同心波形ターゲットブランク(1)に当該ターゲットブランク(1)を実質的に平坦にするのに十分な力を加えて、当該ターゲットブランク(1)の元の直径を保ったまま、当該ターゲットブランクを実質的に平坦な状態に戻す。 （もっと読む）

【課題】湿式のエッチング加工が施しやすく、明るさがあり高級感のある金色色調を呈し、長期に渡って腐食が発生せず（耐蝕性に優れ）、かつ、高硬度および高耐傷性を有する装飾品を得ることを目的としている。
【解決手段】本発明の装飾品は、装飾品用基材と、この装飾品用基材に被覆された、チタン（Ｔｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）またはジルコニウム（Ｚｒ）からなる密着層と、この密着層に被覆された積層被膜と、この積層被膜に被覆された、０.１〜０.３μｍの厚みを有する窒化ハフニウム（ＨｆＮ）からなる金色硬質被膜と、この金色硬質被膜に被覆された、０.０２〜０.０４μｍの厚みを有し、かつ、金（Ａｕ）または金合金から成る、金色色調を呈する金色最外被膜とから構成され、該積層被膜は、０.０１〜０.０２μｍの厚みを有する第１の窒化物層と、この第１の窒化物層上に被覆された、０.０１〜０.０２μｍの厚みを有する第２の窒化物層とが、これらの層を１組として、１０〜２０組積層されており、かつ、該第１の窒化物層と、該第２の窒化物層とが、それぞれ（１）窒化ハフニウム（ＨｆＮ）と窒化チタン（ＴｉＮ）、（２）窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）と窒化チタン（ＴｉＮ）、または（３）窒化ハフニウム（ＨｆＮ）と窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板やＳｉ系下地膜との密着性やバリア性に優れた配線膜を形成するための酸素を含有したＣｕ合金ターゲットに関して、ターゲット中に存在する酸素を均一に分散させたスパッタリングターゲットの製造方法およびその製造方法で作製されるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 酸素含有雰囲気中で加熱処理して酸素導入したＣｕ粉末と、Ｃｕよりも酸化物形成自由エネルギーが小さい元素から選ばれる少なくとも1種類以上の添加元素粉末とを混合した後に加圧焼結し、Ｃｕと添加元素と酸素の総和を１００原子％とした時に、添加元素を０．０５〜１０原子％含有するとともに、酸素を５．０原子％以上かつＣｕと添加元素が形成する酸化物の化学量論量以下含有するスパッタリングターゲット素材を得るスパッタリングターゲットの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ層２０の形成後、Ｃｕ層２０上に、高純度Ｃｕからなる犠牲層３１が積層される。そして、犠牲層３１の形成後、熱処理により、Ｃｕ層２０と第２絶縁層６との間に、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。このとき、第２バリア膜１３の形成に寄与しない余剰のＭｎは、Ｃｕ層２０中に拡散する。Ｃｕ層２０上に高純度Ｃｕからなる犠牲層３１が積層されているので、Ｃｕ層２０に拡散したＭｎの一部は、Ｃｕ層２０中を犠牲層３１に引き寄せられるように移動し、犠牲層３１に拡散する。この犠牲層３１へのＭｎの拡散により、Ｃｕ層２０に含まれるＭｎの量が減少する。よって、Ｃｕ層２０からなる第２Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、スパッタリング法を用いて、磁化固定層、磁化自由層及びトンネルバリア層を成膜する工程において、磁化固定層成膜工程は、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する第１ターゲットと、Ｃｏ原子及びＦｅ原子を含有し、該第１ターゲット中のＢ原子含有量と相違する含有量の第２ターゲットと、を用いたコ−スパッタリング法により、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する強磁性体層を成膜する
ことを特徴とする磁気抵抗素子の製造法。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を速くしても、アーキング（異常放電）などのスパッタリング不良が発生しないＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｎｉを０．０５〜１０原子％含有するＡｌ基合金スパッタリングターゲットであり、後方散乱電子回折像法によってＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットのスパッタリング面法線方向の結晶方位＜００１＞、＜０１１＞、＜１１１＞、および＜３１１＞が下記（１）〜（３）の要件：
（１）＜００１＞±１５°と＜０１１＞±１５°と＜１１１＞±１５°と＜３１１＞±１５°との合計面積率をＰ値としたとき、スパッタリング面全面積に対するＰ値の比率は７０％以上、
（２）Ｐ値に対する、＜０１１＞±１５°の面積率の比率は３０％以上、
（３）Ｐ値に対する、＜１１１＞±１５°の面積率は１０％以下
の要件を満足するＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】製造時に必要とされる光透過性を確保しつつ、十分高い反射率を有し、かつ、光情報記録媒体に用いた場合に再生安定性に優れると共に耐久性にも優れる反射膜を備えた、青色レーザーを使用する読み出し専用の光情報記録媒体（例えば２層ＢＤ−ＲＯＭ）を提供する。
【解決手段】基板上に反射膜および光透過層の積層が複数形成された構造を含み、青色レーザーにより情報の再生が行われる読み出し専用の光情報記録媒体であって、前記反射膜のうち基板に最も近い反射膜が、Ｔｉを０．５〜３．０％（特記しない限り、成分において、％は原子％を意味する。以下同じ。）含有するＡｌ基合金からなり、且つその膜厚が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする読み出し専用の光情報記録媒体。 （もっと読む）

【課題】全面に渡って比抵抗値が均一なフラットパネルディスプレイ用配線膜を形成することができるスパッタリングターゲットおよびそのターゲットを用いて成膜したフラットパネルディスプレイ用配線膜を提供する。
【解決手段】Ｃｒ：０．１〜１５原子％、ＬｉおよびＣａのうちの１種または２種の合計：０．１〜１５原子％を、ＣｒとＬｉとＣａの合計が０．２〜２０原子％の範囲内にあるように含有し、さらに必要に応じてＭｇ：０．１〜５原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有するフラットパネルディスプレイ用配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット、並びにこのターゲットを用いて形成したフラットパネルディスプレイ用配線膜およびフラットパネルディスプレイ用配線下地膜。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体のＲｕ中間膜の配向性を高め記録媒体のノイズを減らすこと。
【解決手段】
非磁性基板上に軟磁性裏打ち層を製膜し、その上に組成がＣｕ−Ｇｅからなるスパッタリングターゲットを用いてＣｕとＧｅからなる組成のシード膜を製膜する。Ｇｅが２〜１０ａｔ％の範囲で上記スパッタリングターゲットは（１０．１）面の回折強度と（００．２）面の回折強度との強度比Ｉ（１０．１）／Ｉ（００．２）が１より小さい擬ｈｃｐ結晶構造となり、スパッタ製膜されたシード膜も擬ｈｃｐ構造となる。該Ｃｕ−Ｇｅシード膜の上にＲｕ中間層を製膜することでＲｕ中間膜の配向性を向上させることが可能であり、ひいては記録媒体のノイズを減少できる。Ｃｕ−Ｇｅターゲットは上記強度比を１以下にするためにＣｕ、Ｇｅ以外の不純物元素混入量を２ａｔ％以下に抑える必要があり、そのため粉末焼結法で作成される。 （もっと読む）

【課題】 強い漏洩磁束が得られる透磁率が低く使用効率が高いＣｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法およびその製造方法によって製造されるＣｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｃｏ_Ｘ−Ｆｅ_{１００−Ｘ}）_{１００−Ｙ}−Ｍ１_Ｙ、２０≦Ｘ≦９０、５≦Ｙ≦１５で表され、前記組成式のＭ１元素が（Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ）から選ばれる２種以上の元素であるＣｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法であって、
原子比における組成式がＦｅ_{１００−α}−Ｍ１_α、１０≦α≦２０で表され、Ｍ１元素が２種以上含まれるＦｅ合金粉末を粉末Ａ、
Ｃｏおよび／または１種以上のＭ１元素を含有するＣｏ合金粉末を粉末Ｂ、
としたとき、粉末Ａおよび粉末Ｂを前記組成式を満たすように混合した混合粉末を加圧焼結するＣｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）