【課題】
Ｎｉ−Ｍｏ系合金ターゲット板を用いたスパッタリングにおいて、スパッタリング時間の増加に伴うＮｉ−Ｍｏを含んだパーティクルの発生を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】
Ｎｉ−Ｍｏ系合金のスパッタリングターゲット板であって、前記スパッタリングターゲット板の板面の表面から厚さ方向に１０μｍの位置におけるＮｉ濃度及びＭｏ濃度をそれぞれ質量％でＮｉ（１０）及びＭｏ（１０）とし、表面から厚さ方向に１００μｍの位置におけるＮｉ濃度、Ｍｏ濃度を質量％でＮｉ（１００）及びＭｏ（１００）として、次式の関係を満たすことを特徴とするＮｉ−Ｍｏ系合金スパッタリングターゲット板。
−２．０≦ΔＮｉ≦０．２、 −０．２≦ΔＭｏ≦２．０
且つ、
−０．２≦ΔＮｉ＋ΔＭｏ≦０．２
ここで、ΔＮｉ＝Ｎｉ（１０）−Ｎｉ（１００）、ΔＭｏ＝Ｍｏ（１０）−Ｍｏ（１００）
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【課題】 スパッタリング膜のバラツキを抑制すべく、均一な組織を有するＮｉ合金ターゲット材を製造する方法を提供する。
【解決手段】 （Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）から選ばれる１種または２種以上を１０〜３０質量％含み、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなるＮｉ合金ターゲット材の製造方法において、前記Ｎｉ合金を溶解鋳造したインゴットを温度８００〜１３００℃、圧下率５０％以上で塑性加工を施した後、８００〜１３００℃で０．５〜３時間の再結晶化熱処理を行うＮｉ合金ターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 工程を煩雑なものとすることなく、かつ産業廃棄物として取扱いが煩雑なものとなる酸洗用の薬液等を使用することなく、本来は難めっき性の材質でありかつ難はんだ付け性の材質であるＡｌやＡｌ合金からなる基材の表面に良好なはんだ濡れ性を付与してなる、表面処理済アルミニウム板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金からなる金属基材１の表面上に、その金属基材１の表面側から順に、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）のいずれかを主成分とするバリア層２と、パラジウム（Ｐｄ）を主成分とするはんだ添加層３とを形成する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムが有する特長（優れた導電性・加工性・軽量性・リサイクル性等）を損なうことなく電極材料として好適に利用可能となる、錫とアルミニウムとの密着性に優れかつ耐食性に優れた錫被覆アルミニウム材料を提供する。
【解決手段】錫被覆アルミニウム材料は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる基材１の外層に、防食層３と、錫または錫合金からなる電気接点層４とが形成された錫被覆アルミニウム材料１０であって、前記防食層３が、チタン、クロム、ニオブから選ばれる１種または前記選ばれる１種を主成分とする合金からなる層である。 （もっと読む）

【課題】 工程を煩雑なものとすることなく、かつ産業廃棄物として取扱いが煩雑なものとなる酸洗用の薬液等を使用することなく、最表面に不動態被膜を有する金属基材の表面に、その不動態被膜の酸洗除去等を施さずとも、良好なはんだ濡れ性およびはんだ付けに対する接合強度を付与してなる、表面処理金属材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 この表面処理金属材は、最表層に不動態被膜を有する金属基材１の表面上に、当該金属基材１の表面側から順に、ニオブ（Ｎｂ）を主成分とするスパッタ膜からなり、当該膜の内部残留応力が圧縮応力または略ゼロである密着層２と、銅（Ｃｕ）、銅とニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）の混合状態、銅と亜鉛（Ｃｕ−Ｚｎ）の混合状態、銅とニッケルと亜鉛（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ）の混合状態のうちの少なくともいずれか一種類を主成分とするスパッタ膜からなる接着層３とを形成してなるものである。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング法などの真空成膜法により樹脂フィルムに金属膜を成膜する際に、樹脂フィルムのシワの発生を抑制することができ、実質的にシワのない金属積層樹脂フィルム基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】 樹脂フィルム上に真空成膜法により金属膜を形成する際に、内部に温度１２０〜３００℃の温媒を循環させたキャンロール４に樹脂フィルムＦの裏面を接触させながら、樹脂フィルムＦの表面に金属膜を成膜する。樹脂フィルムＦは１５０℃以上のガラス転移点を有するものが好ましく、特にポリイミドフィルムが好ましい。 （もっと読む）

この発明のある種の実施具体例は、熱処理されたガラス基板によって支持される透明導電性インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜を有する被覆品の製造技術に関する。実質的に亜酸化のＩＴＯまたは金属インジウムスズ（ＩｎＳｎ）膜をガラス基板上に室温でスパッタリング蒸着する。上に蒸着された状態の膜を有するガラス基板を昇温する。熱による焼き戻し、または熱強化は、蒸着された状態の膜を結晶透明導電性ＩＴＯ膜に変換する。有利なことに、このことは、例えば、金属モードにおけるＩＴＯ蒸着の一層高い速度のため、タッチパネル組立品のコストが減少する可能性がある。フロートガラスの使用によってタッチパネル組立品のコストが一層減少する可能性がある。
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【課題】反応性スパッタリングを行う際に、酸素ラジカル濃度分布の均一性を高め、磁性層中に取り込まれる酸素濃度を面方向において一様とし、磁気特性、記録再生特性が安定した磁性層の形成方法を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリングにより形成する磁性層の形成方法であって、反応容器内に、基板を配置するとともに、スパッタ電極と、該スパッタ電極の表面に配設された酸化物以外のクロムを含むターゲットとからなる電極ユニットを、一対、それぞれ前記ターゲットを前記基板側にして、前記基板の両面と対向するように配置し、アルゴン及び水を含む混合ガスを、前記一対の電極ユニットの各前記基板側の表面付近に供給し、前記ターゲットに含まれる酸化物以外のクロムを、反応性スパッタリングにより、グラニュラ構造を有する磁性層に含まれる酸化クロムとして形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＡｌＮの特性とＴｉＡｌＮの特性とを兼備し、特に耐摩耗性に優れた被覆膜を備えた表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、ＡｌＮからなるＡ層と、Ｔｉ_1-xＡｌ_xＮ（ただし式中ｘは０．３≦ｘ≦０．７）からなるＢ層とが交互に各々２層以上積層されてなり、該Ａ層の層厚λａと該Ｂ層の層厚λｂとは、それぞれ２ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、その層厚比λａ／λｂは、基材側から被覆膜の最表面側にかけて増大し、かつ基材に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは０．１以上０．７以下であり、最表面側に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは１．５以上１０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】形成された物理蒸着薄膜にマクロおよびミクロな偏析の生じない銅−ガリウム合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】７１原子％ないし７８原子％のＣｕと２２原子％ないし２９原子％のＧａからなり、その金属ミクロ組織中に２５％以下の化合物相を有する銅−ガリウム合金スパッタリングターゲットを、原料ターゲットに５００℃ないし８５０℃の温度範囲での少なくとも１回の熱を伴う機械的な処理、０．５ないし５時間の焼なまし処理、またはそれらを組み合わせた処理を施す工程。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＡｌＮの特性とＣｒＡｌＮの特性とを兼備し、特に耐摩耗性に優れた被覆膜を備えた表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、ＡｌＮからなるＡ層と、Ｃｒ_1-xＡｌ_xＮ（ただし式中ｘは０．３≦ｘ≦０．８）からなるＢ層とが交互に各々２層以上積層されてなり、該Ａ層の層厚λａと該Ｂ層の層厚λｂとは、それぞれ２ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、その層厚比λａ／λｂは、基材側から被覆膜の最表面側にかけて増大し、かつ基材に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは０．１以上０．７以下であり、最表面側に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは１．５以上１０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜の形成に使用されるＦｅ−Ｃｏ系合金のスパッタリングターゲット材を鋳造インゴットから製造するにあたって、鋳造インゴットに塑性加工を施したスパッタリングターゲット材を安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｆｅ_{１００−Ｘ}−Ｃｏ_Ｘ）_{１００−Ｙ}−Ｎｉ_Ｙ）_{１００−ａ}−Ｍ１_ａ、５≦Ｘ≦９５、０≦Ｙ≦２５、５≦ａ≦２０で表され、前記組成式のＭ１元素が（Ｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｙ）から選ばれる１種もしくは２種以上の元素であるＦｅ−Ｃｏ系合金であって、直径／高さ比が０．５〜２となる円柱形状の鋳造インゴットを加圧モールド内に挿入し、９００〜１２５０℃の温度範囲において３０％〜７０％以上の据え込み率でホットプレスによる据え込み加工を行いターゲット素材を得るスパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 従来の硬質皮膜であるＴｉＡｌＮ皮膜やＴｉＣｒＡｌＮ皮膜よりも耐酸化性に優れ、且つ、硬度の高い硬質皮膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 (1) 〔（Ｔｉ，Ｃｒ，Ｖ）_a （Ｎｂ，Ｔａ）_b （Ａｌ，Ｓｉ，Ｂ）_C 〕（Ｃ_1-x Ｎ_x ）からなる硬質皮膜であって、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、ａ_Ti＋ａ_Cr＋ａ_V ＝ａ、ｂ_Nb＋ｂ_Ta＝ｂ、ｃ_Al＋ｃ_Si＋ｃ_B ＝ｃ、０．０５≦ｂ、０．５≦ｃ≦０．７３、０≦ｃ_Si＋ｃ_B ≦０．１５、ａ_Ti＞０、ａ_Cr＋ａ_V ＋ｃ_Si＋ｃ_B ＞０、０．４≦ｘ≦１．０を満たすことを特徴とする硬質皮膜（但し、上記式において、ａ_TiはＴｉの原子比、ａ_CrはＣｒの原子比、ａ_V はＶの原子比、ｂ_NbはＮｂの原子比、ｂ_TaはＴａの原子比、ｃ_AlはＡｌの原子比、ｃ_SiはＳｉの原子比、ｃ_B はＢの原子比、ｘはＮの原子比を示すものである。）等。 （もっと読む）

【課題】コスト高を招くことなく、簡単な構成で高密度化プラズマを発生させることができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１内で基板Ｓを保持するステージ７と、ステージ７に対向配置されたターゲット２と、真空チャンバ１内にスパッタガスを導入するガス導入手段とを備えたスパッタリング装置Ｍにおいて、ターゲット２に直流電力を投入する第１のスパッタ電源５と、基板Ｓに高周波電力を投入する第２のスパッタ電源８とを更に備え、両スパッタ電源５、８から電力投入すると、ターゲット２側の直流プラズマと、基板Ｓ側の高周波バイアスプラズマとが重畳されたプラズマがターゲット２と基板Ｓとの間に発生するように、ターゲット２及び基板Ｓを近接配置する。 （もっと読む）

【課題】 基板面に対して、均一な温度制御が可能な磁気記録媒体の製造技術を提供すること。
【解決手段】 搬送手段により搬送された基板に対して、接続された複数のチャンバにより、前記基板の両面に薄膜を形成するための処理を施す薄膜形成装置において、第１スパッタチャンバは、基板の第１の面に対して、スパッタ成膜処理を施す第１スパッタ成膜部と、基板の第１の面に対して反対側の第２の面を加熱する第１加熱部と、を有し、第２スパッタチャンバは、第１スパッタチャンバによりスパッタ成膜処理が施された基板の第１の面を加熱する第２加熱部と、第１スパッタチャンバにより加熱された基板の第２の面に対して、スパッタ成膜処理を施す第２スパッタ成膜部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜性に優れる金属酸化物の大型スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法は、第１の組成を有する金属酸化物焼結体からなる、被スパッタ面を有する複数の板状のターゲット片を準備することを含む。これらの複数のターゲット片は、各々の被スパッタ面が面一となるように並べられる。これらの複数のターゲット片は、その境界部分に、第１の組成と構成原子種が同一である第２の組成を有する合金材料を充填されることで連結される。境界部分は、被スパッタ面に合わせて平滑化される。
これにより、成膜性に優れる金属酸化物の大型スパッタリングターゲットを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板面に対して、均一な温度制御が可能な磁気記録媒体の製造技術を提供する。
【解決手段】スパッタ装置は、基板に成膜するための第１ターゲット４２ａを収納する第１ターゲット収納部と、第１ターゲット４２ａの周囲を包囲するように設けられ、基板を加熱する第１加熱手段と、第１加熱手段の周囲を包囲するように設けられ、基板に成膜するための第２ターゲット４３ａを収納する第２ターゲット収納部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】被削材の工具への溶着を抑えることで、耐摩耗性に優れるとともに、被削材の表面を高品位に仕上げ加工することができる表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】表面被覆切削工具は、基材１１０と該基材上に形成された被膜とを有し、該被膜は、化学式Ａｌ_1-xＣｒ_xＮ_yＯ_zＣ_u（式中ｘは０＜ｘ≦０．２であり、ｙ、ｚ、ｕは０＜ｙ＋ｚ＋ｕ≦１．１である）で表わされる化合物からなる層をその一部に含む。 （もっと読む）

本発明は、可視域から近紫外域にかけてまで（すなわち、２２０ｎｍの波長まで）であるスペクトル領域において、高い屈折率並びに良好な光学特性（すなわち、低い吸収と散乱）及び低い内部応力を有する光学コーティング（３，３'）に関する。本発明によるコーティング（３，３'）は、１ａｔ％〜１０ａｔ％、殊に１．５ａｔ％〜３ａｔ％のケイ素割合（ｙ）を含有する、ハフニウム又はジルコニウムを含むＨｆ_xＳｉ_yＯ_zもしくはＺｒ_xＳｉ_yＯ_zから成る。
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bcc金属またはbcc金属合金からスパッターターゲットを製造する方法。当該インゴットは、電子ビーム溶解され、真空アーク再溶解される。次に、当該インゴットを三軸鍛造し、当該三軸鍛造ステップ中、当該インゴットの中心線が当該インゴットの中心に保たれる。次に、当該インゴットを真空焼鈍して、クロックローリングする。このクロックローリング中、当該インゴットの中心線は、当該インゴットの中心に保たれ、かつ当該クロックローリング時に使用される圧縮力に垂直である。次に、クロックローリングされたインゴットは、真空焼鈍され、スパッターターゲットとしての使用のためのニアネットシェイプとされる。少なくとも99.5%の純度と約25 ppmよりも小の格子間不純物(CONH)濃度とを有するタンタルターゲット材料を開示する。本発明によるタンタルターゲットは、約50〜100μmの結晶粒径と厚さの中心に向かって割合に大きな%{111}勾配を有する{100}/{111}混合集合組織とを有する。 （もっと読む）