【課題】ＺｎＯ膜等の金属膜の成膜を行う際、ターゲットに生じるノジュールや屑の堆積等の問題を改善した熱線遮蔽積層膜を提供すること。
【解決手段】基体上に蒸着プロセスを経て形成される熱線遮蔽積層膜であり、該熱線遮蔽積層膜は、基体上に、少なくとも透明酸化物膜層、貴金属膜層、貴金属保護膜層、が順次積層されて成り、上記透明酸化物膜層はＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜（ｘ、ｙ、ｚは正の有理数）を有し、該Ｚｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜は該膜に含まれるＳｎとＺｎとのＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）で表される値が５〜２０ｗｔ％であり、上記貴金属膜層はＡｇ膜もしくはＡｇを主成分とする膜から成ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】記録特性の優れた光情報記録媒体用記録層、その記録層を備えた光情報記録媒体、および上記記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】レーザー光の照射により記録が行われる記録層であって、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄおよびＡｇよりも大きい金属（以下、Ｘ金属という）の酸化物、酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇを含み、記録層に含まれるＸ金属原子、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量に対し、Ｐｄ原子の比率が１０〜６０原子％、Ａｇ原子の比率が５〜４５原子％、かつＰｄ原子とＡｇ原子の合計量が７５原子％以下であることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い半導体層を有する半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体成長用基板、半導体成長用基板の製造方法、半導体素子、発光素子、表示パネル、電子素子、太陽電池素子及び電子機器を提供する。
【解決手段】芳香族系テトラカルボン酸と芳香族系テトラアミンを縮合して得られる複素環状高分子からなるグラファイト層２と、当該グラファイト層２の表面上に設けられ、当該グラファイト層２の表面を成長面とする半導体層４とを備えた半導体基板１。前記グラファイト層は結晶性に優れているため、グラファイト層の表面を成長面とする半導体層についても、結晶性に優れたものが得られる。これにより、結晶性に優れた半導体層を有する半導体基板１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を有すると共に、自動車用灯具などのように加熱と冷却を繰返し受ける環境下に曝して結露が生じても反射率が低下し難い、耐温水性に優れたＡｌ合金反射膜を提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ合金反射膜は、Ｇｄ，Ｌａ，Ｙ，Ｓｃ，Ｔｂ，Ｌｕ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｃｅ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，及びＴｍよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を合計で２．５〜６原子％と、Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｖ，Ｆｅ，及びＢｅよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を合計で１５原子％以下（０％は含まない）とを含有し、残部がＡｌ及び不可避不純物であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】向上した冷却能を有し、且つスパッタ材料の撓みを減少させることのできるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ａ）ターゲット表面要素と、ｂ）連結面がターゲット表面要素に連結されている芯裏打要素と、ｃ）芯裏打要素の有効表面積を増大させる少なくとも１つの表面積形状を備える。付加的なスパッタリングターゲットは、ａ）ターゲット表面要素および芯裏打要素が同じターゲット材料を備えるかあるいは材料勾配を備える、一体型のターゲット表面要素および芯裏打要素と、ｂ）少なくとも１つの表面積形状を備える。スパッタリングターゲットの形成方法は、ａ）ターゲット表面要素を提供することと、ｂ）芯裏打要素を提供することと、ｃ）芯裏打板の有効表面積を増大させる少なくとも１つの表面積形状を提供することと、ｄ）表面ターゲット材料を芯裏打材料の連結面に連結することを備えている。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ電極の電解腐食や原子拡散による電気的特性の劣化を抑制することができ、ウェットエッチングにより高精度のパターニングが可能なＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材を提供すること。
【解決手段】２５．０≦Ｃｕ≦４５．０ｍａｓｓ％、及び、１．０≦(Ｃｏ、Ｍｏ)≦５．０ｍａｓｓ％を含み、残部がＮｉ及び不可避的不純物からなるＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材。５．０≦Ｃｕ≦２５．０ｍａｓｓ％、及び、０≦(Ｆｅ、Ｍｎ)≦５．０ｍａｓｓ％を含み、残部がＮｉ及び不可避的不純物からなるＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材。 （もっと読む）

【課題】 バリア膜形成による配線の抵抗値増大及びボイドの発生を防ぐことができる半導体装置、その製造方法及びその製造方法に用いるスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】 Ｓｉ酸化物を含む絶縁膜１にＣｕの配線が設けられている半導体装置であって、絶縁膜１に設けられた溝状の開口部１ａの内面に形成されたバリア膜４と、開口部１ａ内であってバリア膜４上に形成されたＣｕからなる配線本体２と、を備え、バリア膜４が、バリア膜４が、少なくとも絶縁膜１上に形成されたＢａ酸化物及びＳｒ酸化物の少なくとも一方を含有するＣｕ合金下地層を有し、該Ｃｕ合金下地層と絶縁膜１との界面にＢａＳｉ酸化物及びＳｒＳｉ酸化物の少なくとも一方が偏析している。 （もっと読む）

【課題】透明性、日射遮蔽性、意匠性（反射色が青系色）を満足させることが可能な透明積層フィルムを提供する。
【解決手段】透明高分子フィルムの少なくとも一方面に、第１金属薄膜、金属酸化物薄膜、第２金属薄膜がこの順に積層された積層構造を有し、上記第１金属薄膜および上記第２金属薄膜の膜厚が、６．０ｎｍ〜９．０ｎｍの範囲内、上記金属酸化物薄膜の膜厚が、７０ｎｍ〜９０ｎｍの範囲内にある透明積層フィルムとする。第１金属薄膜および／または第２金属薄膜の少なくとも一方面には、さらに金属酸化物より主に構成されるバリア薄膜が形成されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 バリア膜形成による配線の抵抗値増大及びボイドの発生を防ぐことができる半導体装置、その製造方法及びその製造方法に用いるスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】 Ｓｉ酸化物を含む絶縁膜１にＣｕの配線が設けられている半導体装置であって、絶縁膜１に設けられた溝状の開口部１ａの内面に形成されたバリア膜４と、開口部１ａ内であってバリア膜４上に形成されたＣｕからなる配線本体２と、を備え、バリア膜４が、バリア膜４が、少なくとも絶縁膜１上に形成されたＣａ酸化物を含有するＣｕ合金下地層４ａを有し、該Ｃｕ合金下地層４ａと絶縁膜１との界面にＣａＳｉ酸化物が偏析している。 （もっと読む）

【課題】 ＣＣＰターゲットの利用効率を高めるため、厚くても漏れ磁束が大きいＣＣＰターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】 非磁性酸化物、ＣｒおよびＰｔを含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットであって、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔの各元素を単体として又はこれらのうち２種以上の元素を含む合金として粉末にした原料粉末と非磁性酸化物の原料粉末との各原料粉末が混合された一次混合粉末を焼結させて一次焼結体を得る一次焼結工程と、前記一次焼結体を粉砕して一次焼結体粉末を得る粉砕工程と、前記各原料粉末が混合された二次混合粉末と一次焼結体粉末とを混合後、焼結させる二次焼結工程と、を経て製造され、二次混合粉末の焼結体からなる組織中に、一次焼結体粉末の焼結体からなる組織が分散している。 （もっと読む）

【課題】比較的価格の安いアルミを主成分としかつ希土類金属を使用しない、表面平滑性に優れた光メディアの反射層用スパッタリングターゲット、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】光メディアの反射層用スパッタリングターゲットは、Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む。光メディアの反射層用スパッタリングターゲットの製造方法は、Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む組成を有する原料粉体を焼成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】透明性が高く遮蔽係数のよい透明熱反射積層体を提供する。
【解決手段】透明誘電体と金属の多層膜よりなる可視光に透明で低熱放射率の透明熱反射膜と、基板よりなる積層体で、該積層体が基板１側より透明誘電体／銀合金（１）／透明誘電体／銀合金（２）／透明誘電体膜の構成よりなり、該銀合金（２）の膜厚が１６ｎｍ以上であり該銀合金（１）の膜厚より１．２倍以上２倍以下の範囲にあり、かつ該積層体の可視光透過率が７５％以上で遮蔽係数が０．５以下である積層体。この積層体は、優れた透明性と近赤外光遮断性をバランス良く持つことを見出した。 （もっと読む）

【課題】水の電気分解によって、高効率にてオゾン水を生成することを可能とする電解用電極材料、及び、電解用電極、更には、当該電解用電極の製造方法を提供する。
【解決手段】白金及び銀から成る合金であり、銀の濃度が１ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下とする電解用電極材料を、基体の表面に形成された表面層として用いることにより、当該電解用電極による電気分解において、低電流密度にて効率的にオゾンやＯＨラジカル等の活性酸素種を生成する。 （もっと読む）

【課題】高反射率を有すると共に、この高反射率を長期間に亘り維持できる優れた耐久性を示す反射膜積層体を提供すること。
【解決手段】本発明の反射膜積層体は、基体上に、第１層として、純Ａｇ膜、またはＢｉを含むＡｇ基合金膜を有し、かつ前記第１層上に、第２層として、ＢｉとＧｅを含有し、さらにＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈの１種以上を含有するＡｇ基合金膜を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 マグネトロンスパッタリングにおける使用効率改善やターゲット板厚を厚くすることが可能である透磁率の低いＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子比でＦｅ：Ｎｉ＝９０：１０〜６５：３５、かつ（Ｆｅ＋Ｎｉ）：Ｃｏ＝９０：１０〜１０：９０の組成比を有する焼結体からなるＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材であって、前記ターゲット材の焼結組織中に、３５原子％以下のＮｉ、１５原子％以下のＣｏを含有するＦｅを主体とする結晶相を有し、かつ該Ｆｅを主体とする結晶相のＦｅを主体とするｆｃｃ相の（２００）面からのＸ線回折ピーク強度（Ｉｆｃｃ（２００））とＦｅを主体とするｂｃｃ相の（２００）面からのＸ線回折ピーク強度（Ｉｂｃｃ（２００））との比Ｉｆｃｃ（２００）／Ｉｂｃｃ（２００）が１０以上であるＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】高速・高能率切削が可能な、ＴｉＡｌＳｉＮよりも耐摩耗性に優れた切削工具用硬質皮膜、およびこの様な硬質皮膜を得るための有用な製造方法を提供する。
【解決手段】（Ｔｉ_{１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ}，Ａｌ_ａ，Ｃｒ_ｂ，Ｓｉ_ｃ，Ｂ_ｄ）（Ｃ_１−ｅＮ_ｅ）からなる硬質皮膜であって、Ａｌ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｂのそれぞれの原子比ａ，ｂ，ｃ，ｄが、０．５≦ａ≦０．８、０．０６≦ｂ、０≦ｃ≦０．１、０≦ｄ≦０．１、０．０１≦ｃ＋ｄ≦０．１およびａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＜１を満たすようにし、かつＮの原子比ｅが０．５≦ｅ≦１を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】発火を生じることなく、高融点金属元素を含むターゲットを製造することができる、ターゲットの製造方法、並びに、このターゲットを使用したメモリの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ、並びに、ランタノイド元素の元素群から選ばれる１種以上の高融点金属元素と、この元素群以外の他の元素とを使用して、合金インゴットを作製する工程と、この合金インゴットを粉砕する工程と、粉砕した合金インゴットとＳ，Ｓｅ，Ｔｅから選ばれる１種以上のカルコゲン元素とを使用してターゲットを作製する工程とを含んで、ターゲットを製造する。また、このターゲットを使用して、スパッタリングにより、イオン化する元素を含有する、メモリ素子のイオン化層を形成する工程を含んで、複数個のメモリ素子によって構成されたメモリを製造する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により成膜された場合に純Ａｌ膜よりも高い反射率を有すると共に、優れた耐アルカリ性、耐酸性および耐湿性を有し、これにより、保護被膜なしでも反射率低下が起り難いＡｌ合金反射膜、このようなＡｌ合金反射膜を有する反射膜積層体、及び、自動車用灯具、照明具、ならびに、このようなＡｌ合金反射膜を形成することができるＡｌ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】(1) Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌｕの１種以上の元素を合計で０．４〜２．５ａｔ％含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなり、原子間力顕微鏡で測定した膜表面の粗さが４ｎｍ以下であることを特徴とするＡｌ合金反射膜、(2) この反射膜を有している自動車用灯具、照明具、 (3) この反射膜を形成するためのＡｌ合金スパッタリングターゲット等。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略して透明画素電極と直接接続させた場合にも低コンタクト抵抗を示し、且つ、表示装置の製造過程における現像液耐食性や剥離液耐食性も高められた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、Ａｌ合金膜は、グループＡに属するＮｉおよび／またはＣｏの元素を０．５原子％以下（０原子％を含まない。）と、Ｇｅを０．２〜２．０原子％と、グループＢに属するＹおよび／またはＺｒの元素を３原子％以下（０原子％を含まない。）とを含有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適し、製造コストが良好なプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、該被覆層は、銅箔基材表面から順に積層した、ＮｉとＶとを含むＮｉ−Ｖ合金層及びＣｒ層で構成され、前記Ｃｒ層にはＣｒが１５〜２１０μｇ／ｄｍ²、前記Ｎｉ−Ｖ合金層にはＮｉ及びＶの合計が２０〜４４０μｇ／ｄｍ²の被覆量でそれぞれ存在し、前記Ｎｉ−Ｖ合金層中にＶが３〜７０重量％存在するプリント配線板用銅箔。 （もっと読む）