【課題】ＶＩｂ族元素（Ｓｅ、Ｓ、Ｔｅ）を含有する雰囲気を使用せずに、Ｉｂ族金属およびＩＩＩｂ属金属とＶＩｂ族元素とを加熱処理のみにより十分に化合させて、カルコパイライト膜を安全性の高い手段により得る。
【解決手段】基板２に形成した下部電極３上に、Ｉｂ―ＩＩＩｂ―ＶＩｂ族化合物からなるカルコパイライト膜１０を、下部電極３上にあらかじめＩｂ族金属およびＩＩＩｂ族金属を含むプリカーサ膜７を形成し、プリカーサ膜７上にＶＩｂ族元素９を堆積させ、ＶＩｂ族元素９が堆積したプリカーサ膜７上に蓋体８を載置して、Ｉｂ族金属、ＩＩＩｂ族金属、およびＶＩｂ族元素を、下部電極３と蓋体８との間に挟み込んだ状態で、不活性雰囲気中で加熱処理をおこない、Ｉｂ族金属およびＩＩＩｂ族金属とＶＩｂ族元素とを化合させる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、回路パターン形成の際のエッチング性が良好でファインピッチ化に適したプリント配線板用両面処理銅箔を提供する。
【解決手段】 プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、銅箔基材における一方の表面の少なくとも一部を被覆する第１の被覆層と、他方の表面の少なくとも一部を被覆する第２の被覆層とを備える。第１の被覆層にはＣｒが１８〜１８０μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在し、第１の被覆層のＸＰＳによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）の金属クロムの原子濃度（％）をf₁(x)とし、酸化物クロムの原子濃度（％）をf₂(x)とし、全クロムの原子濃度（％）をf(x)とし（f(x)= f₁(x)+ f₂(x)）、銅の原子濃度（％）をh(x)とし、酸素の原子濃度（％）をｉ(x)とし、炭素の原子濃度（％）をj(x)とし、その他の金属の原子濃度の総和をｋ(x)とすると、区間［０、１．０］において、∫ｈ(x)dx/(∫f(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が１０％以下で、∫f₂(x)dx/(∫f(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が２０％以上で、区間［１．０、２．５］において、０．１≦∫f₁(x)dx/∫f₂(x)dx≦１．０を満たす。第２の被覆層は、白金族金属、金、及び、銀からなる群から選択される１種以上を含む。 （もっと読む）

【課題】低配線抵抗と耐ヒロック性に優れた金属配線薄膜の形成に有用であり、さらにスパッタリング時のスプラッシュの発生を抑制することができる、Ｃｕ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、およびその製法を提供する。
【解決手段】Ｃｕを０．２５〜１．０質量％含有し、残部Ａｌおよび不可避不純物からなり、平均結晶粒径が１００μｍ以下であり、かつビッカース硬度が２６Ｈｖ以上であることを特徴とするＡｌ基合金スパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】 高温成形時の溶融を抑制することで高密度化を達成できる、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための高強度Ｃｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｇａを２９〜４０％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる粉末冶金ターゲット材において、Ｘ線回折においてＣｕベースのｆｃｃ相の（１１１）面とＣｕ９Ｇａ４相の（３３０）面からのＸ線回折ピーク強度比が、０．０５≦Ｃｕ［Ｉ（１１１）］／Ｃｕ９Ｇａ４［Ｉ（３３０）］≦０．８０、かつＣｕＧａ２相の（１０２）とＣｕ９Ｇａ４相の（３３０）面からのＸ線回折ピーク強度比が、ＣｕＧａ２［Ｉ（１０２）］／Ｃｕ９Ｇａ４［Ｉ（３３０）］≦０．１０であり、さらに相対密度が９５％以上であることを特徴とした高強度Ｃｕ−Ｇａ系ターゲット材、およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】熱アシスト記録用磁気媒体に用いられる熱拡散制御膜であって、高い熱伝導率を維持すると共に、高い熱拡散率、平滑な表面粗さ、および高い耐熱性の全てを兼ね備えたＡｇ合金熱拡散制御膜を提供する。
【解決手段】本発明の熱アシスト記録用磁気記録媒体に用いられる熱拡散制御膜は、Ａｇを主成分とするＡｇ合金から構成されており、表面粗さＲａ１．０ｎｍ以下、熱伝導率１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、熱拡散率４．０×１０^-5ｍ²／ｓｅｃ以上を満足する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、基材表面に低ダメージのマグネトロンプラズマを容易に形成することを可能とし、かつ前記マグネトロンプラズマで反応性を高めることにより高品質かつ高速で化合物薄膜を形成できるスパッタ成膜装置およびスパッタ膜の製造方法に関する。具体的には、基材およびスパッタ膜が磁性体であっても、スパッタ用電源以外のプラズマ用電源を用いなくとも、基材表面で高密度のプラズマを生成して反応性を高めることが可能であり、高品質かつ高速でスパッタ膜を形成できるスパッタ成膜装置およびスパッタ膜の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
真空に排気可能な容器内に、平板型マグネトロンカソードと基材保持機構とが対向して配置されているスパッタ成膜装置において、前記マグネトロンカソードと前記基材保持機構との間に、前記マグネトロンカソードの放電面を囲んで環状の磁性体が配置されていることを特徴とする、スパッタ成膜装置。 （もっと読む）

【課題】 長期間使用できるＮｉ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提
供する。
【解決手段】 平均結晶粒径１０００μｍ以下のＮｉ合金からなるＮｉ合金スパッタリン
グターゲットにおいて、スパッタ面の結晶配向がランダム配向であり、ターゲットの厚さ
方向の中心面の結晶配向のランダム配向であることを特徴とするＮｉ合金スパッタリング
ターゲット。粉末にしてＸ線回折を行ってもピークの順番が変わらないことが好ましい。
また、厚さが３ｍｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターンで形成された記録層を有し記録密度が高く磁気信号の記録の信頼性が高い磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体１０は、基板１２と、基板１２の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素１４を構成する記録層１６と、を有し、記録層１６の材料はＣｏ、Ｃｒ及びＰｔを含む磁性粒子と、Ｃｒを含み磁性粒子の間に存在する非磁性材料と、を含む材料であり、記録要素１４を構成するＣｏ、Ｃｒ及びＰｔの原子数の合計値に対する記録要素１４を構成するＣｒの原子数の比率が記録要素１４の側壁部１４Ａにおいて記録要素１４の中央部１４Ｂにおけるよりも低くなるように記録要素１４中にＣｒが偏って分布している。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング中におけるアーク放電抑制の失敗を無くすことができるスパッタリング用電源装置を提供すること。
【解決手段】 負極出力端子及び正極出力端子を有するスパッタリング用電源装置において、スパッタリング用直流電源ＰＳ１と、このスパッタリング用直流電源の負極側に設けられた第1のスイッチング手段ＳＷ１と、この第1のスイッチング手段に複数直列接続される互いに独立のチョークコイルＬ１〜Ｌ４と、この複数のチョークコイルと前記負極出力端子との間に設けられた逆方向アーク防止回路１３と、逆電圧発生用直流電源ＰＳ２と、この逆電圧発生用直流電源と前記複数直列接続された互いに独立のチョークコイルと逆方向アーク防止回路との中間位置との間に設けられた第２のスイッチング手段ＳＷ２と、前記負極出力端子と前記正極出力端子との間に発生する電圧を検出する電圧検出部Ｒ１，Ｒ２と、前記第1のスイッチング手段及び第２のスイッチング手段の開閉を制御する制御手段２１とから構成される。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させる機構のコスト低減に寄与する基板回転装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板回転装置３０は、センタ孔を有する基板を回転させ、キャリア１０に支持された基板９の支持位置を変化させるものであり、駆動源に連結されて進退動及び上下動可能なシャフト３４の端部側に取り付けられ、シャフト３４の進退動に伴って基板９のセンタ孔に挿入することができるピック３２が、センタ孔の内側上部に第１の支持部４３と第２の支持部４１の２箇所で接することができるように構成されており、第２の支持部４１は、第１の支持部４３よりもセンタ孔中心の直上位置から離れた位置に接するとともに第１の支持部４３に対して弾性的に屈曲可能に接続されている。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングの初期段階で発生する問題（スプラッシュの個数の増加や、成膜された薄膜の電気抵抗の上昇）を解消でき、プリスパッタ時間を短縮可能なＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ基合金スパッタリングターゲットは、スパッタ面の算術平均粗さＲａが１．５０μｍ以下、および最大高さＲｚが１０μｍ以下であり、且つ、粗さ曲線における中心線から山頂または谷底までの高さが（０．２５×Ｒｚ）を超えるピーク高さをそれぞれ、ＰまたはＱとし、基準長さ１００ｍｍに亘って、ＰおよびＱを順次カウントしたとき、Ｐと、その直後に現れるＱと、その直後に現れるＰとの間の平均間隔Ｌが０．４ｍｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】高温環境下での耐摩耗性および耐溶着性に優れた被膜、その被膜を含む切削工具およびその被膜の製造方法を提供する。
【解決手段】切削工具の基材上に形成される被膜であって、第１酸化物層と第１酸化物層上に形成された第２酸化物層との積層体を含み、第１酸化物層は第２酸化物層よりも基材側に位置しており、第１酸化物層はα−アルミナ型の結晶構造を有し、第２酸化物層の組成は、以下の式（１）で表わされ、
（Ａｌ_１−ｘＺｒ_ｘ）_２Ｏ_{３（１＋ｙ）} …（１）
式（１）において、ｘは０．００１≦ｘ≦０．０７を満たす実数であり、ｙは−０．１≦ｙ≦０．２を満たす実数であって、第２酸化物層はα−アルミナ型の結晶構造およびγ−アルミナ型の結晶構造を有する被膜である。また、その被膜を含む切削工具と、その被膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１のゲート電極、第１のソース電極、および第１のドレイン電極を有する第１のトランジスタ１６０と、第２のゲート電極、第２のソース電極、および第２のドレイン電極を有する第２のトランジスタ１６２と、を有し、第１のトランジスタ１６０は、半導体材料を含む基板に設けられ、第２のトランジスタ１６２は酸化物半導体層を含んで構成された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による配線膜形成において、スパッタリングによる異常放電を抑制しつつ、高速成膜を実現することを可能としたスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット材は、４Ｎ（９９．９９％）以上の無酸素銅に銀を添加した銅合金からなる。銀は、形成される膜の抵抗率が無酸素銅の抵抗率と同等に得られるように微量に添加される。銀の添加量としては、２００〜２０００ｐｐｍの範囲が好適である。 （もっと読む）

【課題】 低電気抵抗で、かつ繰返しの加熱環境にあって抵抗率安定性に優れるＮｉ合金電極膜、そのＮｉ合金電極膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 基板上に形成される電極膜であって、０．５〜２．０原子％のＷを含有し、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなる組成を有し、抵抗率が３０μΩｃｍ以下である繰返し加熱における抵抗率安定性に優れるＮｉ合金電極膜である。また、繰返し加熱に曝される電極膜形成用に用いられる０．５〜２．０原子％のＷを含有し、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなる組成を有するＮｉ合金電極膜形成用スパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を抑制すると共に、膜厚分布の発生を抑制して、電池を組み立てた際に、初期短絡の発生やサイクル寿命の短命化を招かない電池用正極の製造方法を提供する。
【解決手段】基材の外周部を、基材ホルダーにより固定する基材固定工程と、固定された基材の表面に、気相成長法を用いて、正極層を成膜する成膜工程とを有する電池用正極の製造方法であって、基材を上下方向から保持する１対の中枠と、中枠を外側から保持し、かつ、開口部が基材面側から外側に向けて開口面積が大きくなるように形成される１対の外枠とを有する基材ホルダーを用い、基材ホルダーにより固定される基材のうち、開口部内に位置する基材の表面に、正極層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】相対的に低い温度の熱処理によっても、比抵抗、抵抗温度特性、高温安定性、耐塩水性のいずれにも優れた薄膜抵抗器、およびその製造のための抵抗体材料および製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｒ、ＡｌおよびＹから選択される１種以上の添加元素を１０〜６０質量％含有し、残部がＮｉと不可避不純物からなるＮｉ合金に、ＳｉＯ₂を主成分とし、Ｂ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｚｒおよびこれらの酸化物から選択される１種以上を０〜９０質量％含有するシリケート系ガラスが３〜２０質量％添加されている抵抗体材料を使用する。 （もっと読む）

【課題】 組成偏析の極めて少ないＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃｕ，Ｉｎ，ＧａおよびＳｅを不活性ガス中で加熱、溶解してＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金溶湯を作製する工程と、四元系合金溶湯を鋳造してインゴットを作製する工程と、インゴットを粉砕して四元系合金粉末を作製する工程と、四元系合金粉末を不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程と、を有し、四元系合金溶湯を作製する工程で、ＩｎとＧａとが全て溶解する温度であってＳｅの融点未満の温度に加熱して少なくとも固相のＳｅと、液相のＩｎとＧａとからなる溶湯とが共存する第１の溶解工程Ｓ１と、該第１の溶解工程後に四元系合金の融点以上の温度に加熱して四元系合金溶湯を作製する第２の溶解工程Ｓ２と、を有している。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適した、環境負荷が小さいプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、被覆層が、銅箔基材表面から順に積層した、金属の単体又は合金からなる中間層及びＴｉ層で構成され、被覆層には、Ｔｉが１５〜１００μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在し、ＸＰＳによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）の金属チタンの原子濃度（％）をf₁(x)とし、酸化物チタンの原子濃度（％）をf₂(x)とし、全チタンの原子濃度（％）をf(x)とし（f(x)= f₁(x)+ f₂(x)）、ニッケルの原子濃度（％）をg(x)とし、銅の原子濃度（％）をh(x)とし、酸素の原子濃度（％）をｉ(x)とし、炭素の原子濃度（％）をj(x)とし、その他の金属の原子濃度の総和をｋ(x)とすると、区間［０、１．０］において、∫ｈ(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が１０％以下で、∫f₂(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が１５％以上で、区間［１．０、２．５］において、０．１≦∫f₁(x)dx/∫f₂(x)dx≦２．５を満たす。 （もっと読む）

【課題】キャリアからの基板の脱落を防止すると共に、キャリアを高速で搬送することができるインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】第１の支持部材４１の熱膨張による水平方向の伸びに応じて、この第１の支持部材４１が支持台４０の取付面Ｓ１に沿った方向に変位可能に支持され、第２の支持部材４２の熱膨張による水平方向の伸びに応じて、この第２の支持部材４２が第１の支持部材４２の取付面Ｓ２に沿って、第１の支持部材４１の熱膨張による水平方向の伸びを打ち消す方向に変位可能に支持され、ホルダ３の熱膨張による鉛直方向の伸びに応じて、このホルダ３が第３の支持部材４３の取付面Ｓ３に沿って、第１及び第２の支持部材４１，４２の熱膨張による鉛直方向の伸びを打ち消す方向に変位可能に支持されている。 （もっと読む）