【課題】熱アシスト記録用磁気媒体に用いられる熱拡散制御膜であって、高い熱伝導率を維持すると共に、高い熱拡散率、平滑な表面粗さ、および高い耐熱性の全てを兼ね備えたＡｇ合金熱拡散制御膜を提供する。
【解決手段】本発明の熱アシスト記録用磁気記録媒体に用いられる熱拡散制御膜は、Ａｇを主成分とするＡｇ合金から構成されており、表面粗さＲａ１．０ｎｍ以下、熱伝導率１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、熱拡散率４．０×１０^-5ｍ²／ｓｅｃ以上を満足する。 （もっと読む）

【課題】キャリアからの基板の脱落を防止すると共に、キャリアを高速で搬送することができるインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】第１の支持部材４１の熱膨張による水平方向の伸びに応じて、この第１の支持部材４１が支持台４０の取付面Ｓ１に沿った方向に変位可能に支持され、第２の支持部材４２の熱膨張による水平方向の伸びに応じて、この第２の支持部材４２が第１の支持部材４２の取付面Ｓ２に沿って、第１の支持部材４１の熱膨張による水平方向の伸びを打ち消す方向に変位可能に支持され、ホルダ３の熱膨張による鉛直方向の伸びに応じて、このホルダ３が第３の支持部材４３の取付面Ｓ３に沿って、第１及び第２の支持部材４１，４２の熱膨張による鉛直方向の伸びを打ち消す方向に変位可能に支持されている。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットとしてＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）系合金またはＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）系合金を用いた場合にスプラッシュ、特に初期スプラッシュの発生を低減し得る技術を提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ基合金スパッタリングターゲットは、Ａ群（Ｎｉ，Ｃｏ）から選択される少なくとも１種と、Ｂ群（Ｌａ，Ｎｄ）から選択される少なくとも１種を含有し、スパッタリングターゲットの圧延面に対して垂直な断面のうち、圧延方向と平行な面における、圧延方向の結晶粒径を測定したとき、平均結晶粒径が５００μｍ以下であり、且つ、最大結晶粒径が１５００μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】
本発明は多成分単一体のスパッタリングターゲット及びその製造方法、これを利用した多成分合金系ナノ構造薄膜製造方法に関するものである。
【解決手段】
本発明による多成分単一体のスパッタリングターゲットは、窒素と反応して窒化物形成が可能な窒化物形成金元素及び前記窒化物形成金元素に対する高溶度がないか低く、窒素と反応しないか反応性が低い非窒化物形成金元素の非晶質または部分結晶化された非晶質形成合金系を含むもので、前記窒化物形成金元素はTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、Siから選択された少なくとも一つの元素を含み、前記非窒化物形成金元素はMg、Ca、Sc、Ni、Cu、Y、Ag、In、Sn、La、Au、Pbから選択された少なくとも一つの元素を含んで構成してもよい。 （もっと読む）

【課題】比較的に大型の矩形基板に対して、構造が簡易で、かつ、均一性の良く膜質が良好な薄膜を形成できるスパッタリング装置、薄膜の製造方法及び電子素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】排気可能な真空容器内に、ターゲット１ａ裏面側に平面矩形状のマグネットユニット３を備え、ターゲット１ａの表面でスパッタされたスパッタ粒子により基板保持台５に載置する基板２上に薄膜を形成するスパッタリング装置であって、スパッタ粒子が放出される側のターゲット１ａと基板２間に、基板保持台５の面内方向に対して垂直な遮蔽板４を具備した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができる有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】 Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金ターゲットであって、該合金の結晶粒の平均粒径が、１５０〜４００μｍであり、前記結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下であることを特徴とする、有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットである。 （もっと読む）

本発明は、ガス雰囲気中におけるカソードスパッタリングにより、且つ、少なくとも１つの金属ターゲット（１６）を使用することにより、摩擦的に有効な摺動層（６）を有する基材の表面（５）を被覆することによって滑り軸受要素（１）を製造する方法であって、円筒形空洞（３）を有する基材が使用され、且つ、ターゲット（１６）は、空洞（３）内に少なくとも部分的に配置され、且つ、更には、ターゲット（１６）をスパッタリングするための放電は、第３電極（２６）によって支持又は維持される方法に関する。
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【課題】フィルム幅方向の伸びに起因するシワの発生が低減される金属膜付耐熱性樹脂フィルムの製造装置等を提供する。
【解決手段】長尺耐熱性樹脂フィルムをキャンロール１３表面に接触させながら搬送する搬送機構と、キャンロールと接触していないフィルム面に金属膜を成膜するスパッタリング等の成膜機構を備える金属膜付耐熱性樹脂フィルムの製造装置であって、キャンロールが、軸方向と略平行に設けられた複数の周期的な溝３０をロール表面に有していることを特徴とする。この装置を用いて金属膜を成膜する際、フィルムに大きな熱負荷が印加されたとしても、フィルムの長手方向にはキャンロールが滑り難く、フィルムの幅方向にはキャンロールが滑り易くなっているため、フィルムの搬送性に支障を来たすことなく耐熱性樹脂フィルムのシワの発生を低減させることが可能になる。 （もっと読む）

２つの直線部、および前記直線部を接続する、少なくとも１つの末端転回部を有するレーストラック型プラズマ源を含む、基材にコーティングする装置が提供される。コーティングの構成要素を形成する、ターゲット材料で形成されたチューブ状ターゲットは、終端部を有する。ターゲットは、ターゲット材料のスパッタリングのためにプラズマ源の近位にある。ターゲットはチューブ状の裏当てカソードに固定され、両者は中心軸を中心として回転可能である。ターゲットがコーティングを基材上に堆積するために利用されるのにともない、磁石の組が、カソードの内側に、ターゲットの終端部に向かう末端転回に整列された侵食ゾーンを移動するために配設される。ターゲットの初期重量の最高８７重量％の、ターゲットの利用が達成される。
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【課題】従来の皮膜よりも耐酸化性および耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】（Ａｌ_ａ，Ｍ_ｂ，Ｃｒ_{１−ａ−ｂ}）（Ｃ_１−ｅＮ_ｅ）からなる硬質皮膜（但し、ＭはＷ及び／又はＭｏ）であって、
０．２５≦ａ≦０．６５、
０．０５≦ｂ≦０．３５、
０．５≦ｅ≦１
（ａ，ｂ，ｅはそれぞれＡｌ，Ｍ，Ｎの原子比を示す。）
であることを特徴とする硬質皮膜。 （もっと読む）

【課題】低配線抵抗と耐ヒロック性に優れた金属薄膜の形成に有用であり、好ましくはスパッタリング時のスプラッシュの発生を抑制することができるＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ基合金スパッタリングターゲットは、Ｆｅを０．００１０〜０．４質量％と、Ｓｉを０．００１０〜０．５０質量％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 十分な耐食性を有すると共に優れた表面平滑性を有し、湿熱環境でも表面粗さが小さい光記録媒体用アルミニウム合金反射膜およびこの反射膜形成のためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 Ｍｇ：３〜８質量％およびＣｅ：３〜８質量％を含有し、さらにＰｄ：４〜１５質量％を含有し、残部がＡｌおよび不可避不純物からなる組成のアルミニウム合金からなる。これにより、十分な耐食性および表面平滑性を有すると共に、湿熱環境においても表面粗さが小さく維持される。 （もっと読む）

【課題】 十分な耐食性を有すると共に優れた表面平滑性を有し、湿熱環境でも表面粗さが小さい光記録媒体用アルミニウム合金反射膜およびこの反射膜形成のためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 Ｍｇ：３〜８質量％およびＣｅ：３〜８質量％を含有し、さらにＴａ，Ｍｏのうち１種又は２種を合計で６〜１５質量％を含有し、残部がＡｌおよび不可避不純物からなる組成のアルミニウム合金からなる。これにより、十分な耐食性および表面平滑性を有すると共に、湿熱環境においても表面粗さが小さく維持される。 （もっと読む）

【課題】 成膜レートを低下させずに、膜中に酸素を良好に含有させることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃｒ：２〜２０原子％、Ｐｔ：５〜２５原子％、Ｍ金属（ただし、Ｍ金属はＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌの内のいずれか一種以上）：０．５〜１５原子％を含有し、Ｍ金属は非磁性酸化物として添加されるものであって、さらに全体として配合組成から計算される理論値よりも０．１〜５原子％過剰の酸素を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】本発明に係る硬質皮膜は、組成が（Ｔｉ_aＣｒ_bＡｌ_cＬ_d）（Ｂ_xＣ_yＮ_z）からなり、前記ＬはＳｉ及びＹのうちの少なくとも１種であり、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｘ、ｙ、ｚが原子比であるときに、０．１≦ａ＜０．３、０．３＜ｂ＜０．６、０．２≦ｃ＜０．３５、０．０１≦ｄ＜０．１、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１、ｘ≦０．１、ｙ≦０．１、０．８≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング時の異常放電の防止、あるいはターゲットの製造中やスパッタリング中の割れや欠けを防止できる緻密で高強度のＮａを含有するＭｏ系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 平均粒径１５μｍ以下のＮａＦ粉末と平均粒径２０μｍ以上のＭｏ粉末との焼結体からなり、ＮａＦを０．１〜８質量％含有し、相対密度９０％以上かつ抗折力が１５０N／ｍｍ²以上であるＭｏ系スパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】種々の金属材料などからなるスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化などに伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。具体的には、スパッタ膜の膜厚分布や膜組成の均一化、各種機能材料として用いられる膜の諸特性の向上および均一化、ダスト発生数の低減などを図る。
【解決手段】Ｍｎを主成分とし、各部位の酸素量を全体の酸素量の平均値に対して±２７％以内の範囲にあるスパッタリングターゲット、またはＭｎを主成分とし、各部位の窒素量を全体の酸素量の平均値に対して±７５％以内の範囲にあるスパッタリングターゲットを製造する方法において、Ｍｎを主成分とする粗金属材を真空溶解して溶解材を得る工程と、前記溶解材に所定の処理および加工を施して所定の形状に成形する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高純度高密度のターゲットでも発生するアーキングの原因は、スパッタ中に発生する結晶粒間の段差によるものであった。隣接結晶粒との段差を小さくしてアーキングを抑える。
【解決手段】スパッタリングターゲットのスパッタ面における結晶粒界にて隣接する２つの結晶の内、一方の結晶の前記スパッタ面の法線方向の結晶方位を＜h₀ k₀ l₀＞とし、他方の結晶の前記スパッタ面の法線方向の結晶方位を＜h₁ k₁ l₁＞とした場合において、少なくとも前記スパッタリングターゲットのエロージョンが発生しうる領域の結晶粒界の８割以上が、＜h₀ k₀ l₀＞と＜h₁ k₁ l₁＞の成す角度が３０度以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】軟磁気特性を高く維持した上で、耐候性に優れた非晶質膜である垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金および軟磁性膜形成用Ｃｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】原子比でＣｏ：Ｆｅ＝９０：１０〜３５：６５の組成比のＣｏ−Ｆｅ系合金において、添加元素としてＹを４原子％以上および（Ｔａ、Ｎｂ）から選ばれる１種または２種の元素を３原子％以上含有し、かつ該添加元素の含有量の総和が１５原子％以下の軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金、該合金による軟磁性膜形成用Ｃｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性と靭性とを両立させたとともに、基材との密着性にも優れた被膜を備えた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と該基材上に形成された被膜とを備え、該被膜は、第１被膜層を含み、該第１被膜層は、微細組織領域と粗大組織領域とを含み、該微細組織領域は、それを構成する化合物の平均結晶粒径が１０〜２００ｎｍであり、かつ該第１被膜層の表面側から該第１被膜層の全体の厚みに対して５０％以上の厚みとなる範囲を占めて存在し、かつ−４ＧＰａ以上−２ＧＰａ以下の範囲の応力である平均圧縮応力を有し、該第１被膜層は、その厚み方向に応力分布を有しており、その応力分布において２つ以上の極大値または極小値を持ち、それらの極大値または極小値は厚み方向表面側に位置するものほど高い圧縮応力を有することを特徴としている。 （もっと読む）