【課題】 大きな漏洩磁束が得られ透磁率が低く、マグネトロンスパッタリングにおける使用効率が高いＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｆｅ_{１００−Ｘ}−Ｎｉ_Ｘ）_{１００−Ｙ}−Ｃｏ_Ｙ）_{１００−Ｚ}−Ｍ_Ｚ、２５≦Ｘ≦３５、１０≦Ｙ≦９０、５≦Ｚ≦２０で表され、前記組成式のＭ元素が（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ）から選ばれる１種もしくは２種以上の元素であるＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法であって、少なくとも平均粒径が３５μｍを超えるＦｅ−２５〜３５原子％Ｎｉ合金を原料粉末に用いて前記組成式を満たすように他の粉末と混合した混合粉末を加圧焼結して焼結体を得るＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】Ａｇを主成分とし、表面平滑性に優れ、ノイズやジッターを十分に抑制できる光メディアを実現可能な光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、及び、光メディアとその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物である光メディア用スパッタリングターゲット、及び、基板上に上述の組成の反射膜を備える光メディアである。 （もっと読む）

【課題】表示装置（ＬＣＤ）におけるパネルのＴＡＢ部引き出し電極の断線を防止することができ、かつ、バリアメタル層を介在させずにＡｌ合金膜を透明画素電極と直接接続することのできるＡｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置に用いられるＡｌ合金膜であって、ＮｉおよびＣｏよりなる群から選択される少なくとも１種の元素（Ｘ元素）を０．１〜２．０原子％含み、長径０．０１μｍ超であってＮｉ量とＣｏ量の合計が１０原子％以上である化合物が、１００μｍ²あたり３個超析出していると共に、Ａｌ結晶粒内の固溶Ｎｉ量と固溶Ｃｏ量の合計が０．１〜０．５原子％であり、かつ、Ａｌ合金膜の硬度が１．５ＧＰａ以上３．０ＧＰａ以下であるところに特徴を有する表示装置用Ａｌ合金膜。 （もっと読む）

【課題】相変化型メモリーの書き換え特性、結晶化速度を向上させることができる相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】３元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ１成分以上を主成分とし、目標組成に対する組成のずれが±１．０ａｔ％以下であることを特徴とする相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜とする。 （もっと読む）

【課題】 第１軟磁性層と第２軟磁性層の結晶性を略等しくし、軟磁性層の面内磁気異方性を大きくすることにより、ＯＷ特性およびＳＮＲを向上させた垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体１００の構成は、ディスク基体１１０上に少なくとも、軟磁性層１１４と、磁気記録層１２２を備える垂直磁気記録媒体１００であって、軟磁性層１１４は、第１軟磁性層１１４ｂおよび第２軟磁性層１１４ｄと、第１軟磁性層１１４ｂの下に設けられた結晶調整層１１４ａと、第１軟磁性層１１４ｂと前記第２軟磁性層１１４ｄの間に第１軟磁性層１１４ｂおよび第２軟磁性層１１４ｄが反強磁性交換結合相互作用を及ぼすように設けられたスペーサ層１１４ｃとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速切削加工で、すぐれた耐欠損性と仕上げ面精度を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】 立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料からなる工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる硬質被覆層を蒸着形成した被覆ｃＢＮ基焼結工具において、工具基体と上記硬質被覆層の間に、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料の構成成分であるバインダーの非晶質層、非晶質ほう化チタン層、非晶質窒化珪素層の何れかからなる非晶質密着層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＰＴＦが低く漏れ磁束が小さいターゲットのＰＴＦを高くして、成膜速度を高めるとともに、厚肉のターゲットの使用を可能にし、生産性の向上を図る。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング装置に用いられるターゲットであって、Ｃｒ及びＰｔを含むＣｏ基焼結合金により構成されたターゲット板１１のスパッタ面とは反対側に、該ターゲット板１１よりも磁束透過率の高い材料である、ＣｏＣｒ合金からなる裏当て板１２を接合した。 （もっと読む）

物理蒸着法によって、柔らかく多孔質の材料に多層セラミックコーティングをコーティングする。このようにしてコーティングされた材料は、フードウェア、具体的にはプレーンな銅の基板、基コーティング、および、セラミックコーティングを含む銅製フードウェア物品として使用するのに適している。基コーティングは、スパッタリングと陰極アークとの組み合わせによって堆積され、優れた耐食性、および、基板への付着を提供することができる。セラミックコーティングは物理蒸着窒化物または炭窒化物層を含み、変色しにくい表面、優れた耐久性、および、熱安定性を提供することができる。コーティングされた銅製フードウェア物品は、純銅と同じ熱伝導性、優れた耐食性、高い耐久性、優れた調理性能、および、クリーニングの容易さを示す。また、多層コーティングを有する金属製物品、および、このような金属製物品の製造方法も説明される。 （もっと読む）

【課題】従来の反応性スパッタ法によっては実現が困難であった、充分に低い抵抗率となる導電性透明化合物薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸素を含む雰囲気にて、金属ターゲットを用いてスパッタを行う反応性スパッタ法によって金属酸化物よりなる導電性透明化合物薄膜を成膜する方法であって、スパッタ時における放電のインピーダンス又は発光強度をモニタリングし、前記モニタリングの結果に基づいて導入酸素流量を制御し、フィードバック制御によって遷移領域内で導電性透明化合物薄膜を成膜する方法において、基板を加熱する。 （もっと読む）

【課題】
大掛かりな装置を必要とせず、高速かつ低コストで実施できる管体内面への透明導電膜成膜方法を提供する。
【解決手段】 管体内面への透明導電膜成膜方法は、非酸化金属からなる蒸着物質を管体とほぼ同じ長さにして管体内に挿通する工程と、蒸着物質が挿通された管体を真空チャンバ内に配置する工程と、真空蒸着法あるいはスパッタ法によって管体内面に蒸着物質からなる金属膜を形成する工程と、金属膜を酸化することで透明導電膜とする工程と含んでいる。 （もっと読む）

【課題】比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉末としてＣｒ：５０〜７０モル％を含有し、残部がＣｏからなるＣｒ−Ｃｏ合金粉末、Ｐｔ粉末、非磁性酸化物粉末、Ａ金属粉末（ただし、Ａ金属はＢ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの内の少なくとも１種を示す）およびＣｏ粉末を用意し、これら原料粉末を非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％、Ａ：０．５〜８原子％を含有し、残部：Ｃｏからなる成分組成となるように配合し混合して得られた混合粉末を金属製缶体に充填し、金属製缶体内部を真空にして封入し、この混合粉末を真空封入した金属製缶体を温度：８００℃以下で熱間圧延する。 （もっと読む）

【課題】シールド板、成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法において、交換後のシールド板に対する脱ガス処理に要する時間を短縮可能とすることを目的とする。
【解決手段】成膜装置内に交換可能に取り付けられると共に、成膜装置内で飛散する成膜材料が堆積される堆積面を有するシールド板を、一対の相対向する表面のうちの一方が堆積面を形成する板状部材と、板状部材に一体的に設けられたヒータと、ヒータと電気的に接続された端子を備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ層を構築する有機材料にピンホールを形成することなく、ダークスポット等、有機ＥＬディスプレイ特有の劣化現象を回避する。
【解決手段】基板１上に形成された有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極であって、該反射アノード電極は、Ｂｉを０．０１〜４原子％含有するＡｇ基合金膜６と、該Ａｇ基合金膜６上に直接接触する酸化物導電膜７とを有する反射アノード電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】緩衝効果を更に向上させて、柔らかい基板を用いた場合でも基板の損傷や破損を防止することが可能な基板支持装置を提供する。
【解決手段】基板に設けられたセンター孔に基板保持部を挿入し、前記基板保持部で前記基板を鉛直姿勢で支持する基板支持装置は、前記基板保持部に連結された第１の連結板と、前記第１の連結板に対向して配置され、前記基板を基板ホルダーに搬送する搬送ロボットに連結された第２の連結板と、前記第１の連結板と第２の連結板とを接続する少なくとも３つの線状の支持部材と、前記第１の連結板と第２の連結板との間に配置された弾性を有する緩衝部材と備える。 （もっと読む）

【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＭｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｓｉから選択される１種または２種以上の元素を０．１〜２．０原子％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる配線膜用Ｃｕ合金膜である。また、上記の配線膜用Ｃｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】200℃程度でも高いプロトン伝導性を有し、厚さを数十〜数百ｎｍの範囲にすることができ、かつこの範囲の厚みであってもガスリークがないアモルファス酸化膜、及びこれを用いた電気化学セルを提供する。
【解決手段】アモルファス構造を有するタングステン酸化物系複合酸化物からなり、かつプロトン伝導性を示すプロトン伝導性膜であり、タングステン系合金の部材の少なくとも一部をアノード酸化して、アノード酸化用の電解液と接する表面にアモルファス構造を有するタングステン酸化物系複合酸化物層を形成し、形成した酸化物層からプロトン伝導性膜が製造される。さらに、プロトン伝導性電解質として、上記のプロトン伝導性膜を用い、アノード、カソードと積層することにより電気化学セルを構成する。 （もっと読む）

【課題】バリア膜とｎ型Ｓｉ半導体層が高い密着強度を有する薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスターを構成するバリア層の酸化雰囲気でのスパッタ成膜に、Ａｌ：１〜１０原子％、Ｃａ：０．１〜２原子％を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし、１％以下）からなる成分組成を有するＣｕ合金で構成してなるＣｕ合金スパッタリングターゲットを用いる。 （もっと読む）

【課題】保護膜がなくても優れた耐アルカリ性（アルカリに対する耐食性）、耐酸性（酸に対する耐食性）および耐湿性（高温多湿環境での耐性）を有して、保護膜が不要となるＡｌ合金反射膜、及び、このようなＡｌ合金反射膜を有する自動車用灯具、照明具、装飾部品、ならびに、このようなＡｌ合金反射膜を形成することができるＡｌ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】(1) Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌｕの１種以上の元素（以下、Ｓｃ等という）を合計で２．５〜２０ａｔ％含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなることを特徴とするＡｌ合金反射膜、(2) この反射膜を有している自動車用灯具、照明具、装飾部品、(3) Ｓｃ等を合計で２．５〜３５ａｔ％含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなることを特徴とするＡｌ合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｃｒ合金中間層膜製造用スパッタリングターゲット材および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、Ｃｒを１〜２０％含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体における中間層膜に用いるＮｉ−Ｗ−Ｃｒ合金からなるスパッタリングターゲット材。また、上記合金組成の粉末を固化成形したスパッタリングターゲット材。さらに、上記、薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングによって成膜される垂直磁気記録媒体の中間層用Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜のバラツキを抑制することが可能なＣｏ−Ｃｒ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｃｒを３３〜４０原子％含有し、残部Ｃｏおよび不可避的不純物からなるＣｏ−Ｃｒ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法において、Ｃｏ−Ｃｒ系合金の溶解鋳造インゴットを、１１５０℃〜１３００℃の加熱後に総圧下率５０％〜９０％の熱間塑性加工を行い、次いで５００℃〜１２００℃の加熱温度範囲で熱処理を行うＣｏ−Ｃｒ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）