【課題】絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適し、製造コストが良好なプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、該被覆層は、銅箔基材表面から順に積層した、ＮｉとＶとを含むＮｉ−Ｖ合金層及びＣｒ層で構成され、前記Ｃｒ層にはＣｒが１５〜２１０μｇ／ｄｍ²、前記Ｎｉ−Ｖ合金層にはＮｉ及びＶの合計が２０〜４４０μｇ／ｄｍ²の被覆量でそれぞれ存在し、前記Ｎｉ−Ｖ合金層中にＶが３〜７０重量％存在するプリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体の軟磁性層として用いられる、アモルファス薄膜を作製するための、高ＰＴＦ値を示すスパッタリングターゲット材とこれに使用する低飽和磁束密度原料粉末を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ，Ｎｉ，Ｚｒを含む軟磁性薄膜を製造するための、粉末を固化成形したスパッタリングターゲット材おいて、原料粉末としてａｔ％で、Ｃｏ：≦６％、Ｚｒ：１〜２０％に、Ｈｆ：≦２０％、Ｎｂ：≦２０％、Ｔａ：≦２０％を含有し、残部がＦｅ，Ｎｉおよび不可避的不純物からなり、かつ、下記式を満たす原料粉末およびこれを形成したことを特徴とするスパッタリングターゲット材。（ただし、Ｃｏ、Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａは０％を含む）
０．２５≦［Ｎｉ％／（Ｆｅ％＋Ｎｉ％）］−０．０１１×（Ｚｒ％＋Ｈｆ％＋Ｎｂ％＋Ｔａ％）≦０．３５ … （１）
Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ≦２０％ … （２） （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金およびスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：７０〜９２％（ただし、Ｎｉは０を含む）、Ｔａ：１〜８％、Ｂ：７％超〜２０％を含有し、かつ、Ｃｏ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．１〜０．９、Ｆｅ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．１〜０．６５、Ｎｉ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０〜０．３５、およびＢ／Ｔａ：１〜８を満たすことを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金。 （もっと読む）

【課題】本発明の主要な目的は、簡易な溶解鋳造法により製造する漏洩磁束の高いコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材を提供することである。
【解決手段】本発明のコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材は溶解鋳造法によって製造され、コバルト、鉄、及び添加金属からなるものにおいて、このコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材においてコバルトは増加された漏洩磁束（ＰＴＦ）の含有量があり、添加金属は８〜２０ａｔ％であり、この添加金属はタンタラム、ジルコニウム、ニオビウム、ハフニウム、アルミニウム、及びクロミウムの金属の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】緻密な組織を有すると共に、偏析相が少ないＣｕ−Ｇａ合金、スパッタリングターゲット、Ｃｕ−Ｇａ合金の製造方法、スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣｕ−Ｇａ合金は、複数の相を含むＣｕ−Ｇａ合金であって、４０重量％以上６０重量％以下のガリウム（Ｇａ）を含み、残部が銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物からなり、Ｇａを８０重量％以上含む偏析相を含み、偏析相の体積の当該Ｃｕ−Ｇａ合金全体の体積に占める割合が１％以下である。 （もっと読む）

【課題】基板の反りが起こり難く、量産性に優れ、波長に対し平坦な透過率減衰が得られる吸収型多層膜ＮＤフィルターの製造法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３等から成る誘電体層14、17とＮｉ系合金から成る金属膜層15、18とを交互に積層させた吸収型多層膜13、16がフィルム基板12に設けられた吸収型多層膜ＮＤフィルターの製造法であって、基板を中心にして互いに対称な膜構造となるように上記吸収型多層膜をそれぞれ形成して、基板の反りの曲率半径が５００ｍｍ以上になるように調整すると共に、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉから選択された元素が所定範囲で添加されたＮｉ系材料ターゲットを用いて、マグネトロンスパッタリング法により上記金属膜層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳＦＥＴにおいては、アルミニウム系ソース電極下のアルミニウム拡散バリア・メタル膜として、チタンおよび窒化チタンからなるチタン系バリア・メタル膜が広く使用されている。しかし、本願発明者らが検討したところによると、チタン系バリア・メタル膜を使用すると、ウエハの反りが増大して、ウエハ・ハンドリングが困難となり、ウエハ割れやウエハ欠け等の問題が不可避となることが明らかとなった。この傾向は、最小寸法が０．３５マクロ・メートル以下の製品において特に顕著である。
【解決手段】本願発明は、アルミニウム系メタル層と下層のシリコン系半導体層の間のバリア・メタル層として、タングステン系バリア・メタル膜（ＴｉＷ等のタングステンを主要な成分とする合金膜）をスパッタリング成膜によって形成する際、スパッタリング成膜チャンバの気圧を１．２パスカル以下とするものである。 （もっと読む）

【課題】キャリアを高速で搬送することができるインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜処理を行う複数のチャンバ２と、複数のチャンバ２内で成膜対象となる基板を保持するキャリア４と、キャリア４を複数のチャンバ２の間で順次搬送させる搬送機構５とを備え、搬送機構５は、キャリア４の下部側に並んで配置された複数の永久磁石２２と、複数の永久磁石２２に対向してキャリア４の搬送方向に並んで配置された複数の電磁石２３とを有して、電磁石２３に電力を供給することによって、この電磁石２３と永久磁石２２とを磁気的に結合させながら、キャリア４を非接触状態で駆動する駆動機構２０を備える。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体等に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜の形成に好適な、漏れ磁束密度の高い磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットとその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末及び非磁性酸化物粉末からなる予備混合粉末に、Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末及びＰｔ粉末を更に添加して混合・粉砕したＣｏＣｒＰｔ−非磁性酸化物混合粉末を加圧焼結することによって得られた、ＣｏＣｒＰｔ−非磁性酸化物スパッタリングターゲットであって、その組織中には、１２〜２５面積％のＰｔリッチ領域が分散形成されている。 （もっと読む）

【課題】膜の成分組成の均一性（膜均一性）に優れたＣｕ−Ｇａスパッタリング膜を形成でき、かつ、スパッタリング中のアーキング発生を低減できると共に、強度が高くスパッタリング中の割れを抑制できるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｇａを含むＣｕ基合金からなるスパッタリングターゲットであって、その平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、かつ気孔率が０．１％以下であることを特徴とするＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】光情報記録媒体（例えばＢＤ−ＲＯＭ）の反射膜として適切な反射率を示すと共に、再生安定性に優れ、かつ耐久性にも極めて優れた反射膜を備えた、読み出し専用光情報記録媒体を提供する。
【解決手段】反射膜２を有する読み出し専用の光情報記録媒体であって、前記反射膜は、Ｓｉおよび／またはＧｅを５〜４０％（特記しない限り、成分において％は原子％を意味する。以下同じ。）含むと共に、高融点金属元素および／または希土類元素（好ましくは、Ｔｉ、ＦｅおよびＭｎよりなる群から選択される１種以上の元素）を０．７〜５％含むＡｌ基合金からなることを特徴とする光情報記録媒体。 （もっと読む）

【課題】発光輝度の経時的低下の小さい上部発光型有機ＥＬ素子および前記上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成する反射膜の形成に用いられるＡｌ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【課題手段】上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成する反射膜、および前記反射膜の形成に用いられるスパッタリングターゲットを、合金成分として、質量％で、Ｃａ：０．０５〜０．５％、Ｎｉ：２〜６％、を含有し、残りがＡｌと不可避不純物（ただし、０．０１％以下）からなる成分組成を有するＡｌ合金で構成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲット及びこれを利用して製造される半導体素子を提供する。
【解決手段】重量％で０．０１％以上から１％未満のＮｉ、及び残部としてＷ及びその他の不回避な不純物で構成されるスパッタリングターゲットであり、また、バリア層と、バリア層上のシード層と、シード層上の導電層と、を備え、導電層は、重量％で０．０１％以上から１％未満のＮｉ、及び残部としてＷ及びその他の不回避な不純物で構成される、タングステンとニッケルとの合金薄膜を備える半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】低温での熱処理を適用した場合でも十分に低い電気抵抗を示すと共に、直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減され、かつ現像液耐性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、上記Ａｌ合金膜は、グループＡに属するＮｉおよび／またはＣｏの元素を２．０原子％以下（０原子％を含まない）、並びにグループＢに属する少なくとも一種の元素を０．０５〜２．５原子％含み、上記グループＢの元素はＧｄ、Ｎｄ、Ｌａ、Ｙ、Ｓｃ、Ｐｒ、Ｄｙ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｂ、Ｐｍ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｍｎ、およびＧｅから構成されている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板との接着性、エッチング性に優れ、且つ、製造効率の良好なプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】 銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、該被覆層は、銅箔基材表面から順に積層した、Ｆｅと、Ｎｉ及び／又はＣｒと、を主に含む鉄合金層及びＣｒ層で構成され、該被覆層には、Ｃｒが合計で１８〜２００μｇ／ｄｍ²、Ｆｅ及びＮｉが合計で１５〜４００μｇ／ｄｍ²の付着量でそれぞれ存在するプリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリング時の漏洩磁束量を従来よりも増加させる。
【解決手段】解決手段の第１態様は、Ｃｏを有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、Ｃｏを含む磁性相１２と、Ｃｏを含む非磁性相１６と、酸化物相１４と、を有し、該磁性相１２と該非磁性相１６と該酸化物相１４とが互いに分散しており、該磁性相１２はＣｏおよびＣｒを主成分として含み、該磁性相１２におけるＣｏの含有割合は、７６ａｔ％以上８０ａｔ％以下である。解決手段の第２態様は、Ｃｏを有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、Ｃｏを含む磁性相１２と、Ｃｏを含む非磁性相１６と、を有し、該磁性相１２と該非磁性相１６とが互いに分散しており、該非磁性相１６はＰｔを主成分として含むＰｔ−Ｃｏ合金相であり、該Ｐｔ−Ｃｏ合金相におけるＣｏの含有割合は、０ａｔ％より大きく１３ａｔ％以下である。 （もっと読む）

【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるとともに、Ｃｕ系膜で発生するヒロックおよびボイドを抑制可能な耐熱性を有するＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＡｇを０．1〜２．０原子％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる配線膜用Ｃｕ合金膜である。また、上記の配線膜用Ｃｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】 大きな漏洩磁束が得られ透磁率が低く、マグネトロンスパッタリングにおける使用効率が高いＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｆｅ_{１００−Ｘ}−Ｎｉ_Ｘ）_{１００−Ｙ}−Ｃｏ_Ｙ）_{１００−Ｚ}−Ｍ_Ｚ、２５≦Ｘ≦３５、１０≦Ｙ≦９０、５≦Ｚ≦２０で表され、前記組成式のＭ元素が（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ）から選ばれる１種もしくは２種以上の元素であるＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法であって、少なくとも平均粒径が３５μｍを超えるＦｅ−２５〜３５原子％Ｎｉ合金を原料粉末に用いて前記組成式を満たすように他の粉末と混合した混合粉末を加圧焼結して焼結体を得るＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】被接合物への付着物を低減し、良好な接合状態を実現することが可能な接合技術を提供する。
【解決手段】両被接合物９１，９２の接合表面のそれぞれに向けてエネルギー波（例えばビーム照射部１１，１２による原子ビーム）を照射することにより、両被接合物９１，９２の接合表面のそれぞれを活性化する。その後、表面活性化処理が施された両被接合物９１，９２の少なくとも一方を移動する。移動後において対向状態を有する両被接合物９１，９２の対向空間の側方から当該対向空間に向けてエネルギー波（例えばビーム照射部３１によるイオンビーム）を照射することにより、両被接合物９１，９２の接合表面を活性化するとともに、両被接合物９１，９２を接近させて当該両被接合物を接合する。 （もっと読む）

【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層、ＳｉＮ_Ｘ保護膜層との密着性に優れる酸素含有Ｃｕ合金膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＢと化合物を発現する元素の少なくとも１種類以上を０．１〜２．０原子％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金ターゲットを用いてＡｒおよび酸素ガスを導入した雰囲気中でスパッタリングし、酸素含有Ｃｕ合金膜を得ることを特徴とする酸素含有Ｃｕ合金膜の製造方法である。 （もっと読む）