【課題】所望の表面組成を有する酸化物導電性薄膜の処理方法、並びに該酸化物導電性薄膜の処理方法を用いて製造した電子デバイス、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】一般式ＡＢＯ_３で示されるＡＢＯ_３型酸化物導電性薄膜を少なくとも水を含む液体で処理し、ＡＢＯ_３型酸化物導電性薄膜の表面の原子比Ａ／Ｂを化学量論比に近づける。液体は少なくとも水を含むものであり、純水と有機溶剤との混合液、あるいは純水であることが好ましい。有機溶剤としては、少なくともアルコール類の１種を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】所望とする化合物相で構成されたスパッタリング用ターゲットを安定して製造することができるホウ酸リチウム系スパッタリング用ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るホウ酸リチウム系スパッタリング用ターゲットの製造方法は、酸化リチウム系粉末と酸化ホウ素系粉末との混合粉末を溶解する工程と、前記混合粉末の溶解物を凝固させ、粉砕した凝固粉末を作製する工程と、前記凝固粉末を仮焼する工程と、仮焼した前記混合粉末を焼結する工程とを有する。上記製造方法においては、酸化リチウム系粉末と酸化ホウ素系粉末との混合粉末を一旦溶解し、その後冷却することで原料粉末の化合物化を促進し、所望とする化合物相を有するホウ酸リチウム粉末及びその焼結体を安定に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合素子のＭＲ比を向上させることが可能なスパッタリングターゲット、及びそれを用いた磁気メモリの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯを主成分とし、厚さが３ｍｍ以下であるターゲット本体１０を備えることを特徴とするスパッタリングターゲット、及びそれを用いた、ＭＲ比を向上させることができる磁気メモリの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】焼結後の冷却時における割れの発生を防止することができる酸化物スパッタリングターゲットの製造に用いるホットプレス用モールドを提供する。
【解決手段】ホットプレス用モールド１は、複数の円弧板状セグメント１６を周方向に並べて垂直方向に沿う筒状に形成されたスリーブ１１と、スリーブ１１の外側に配置され、スリーブ１１を筒状に保持する外枠１３とを有しており、スリーブ１１の外周面１６ｂは、上方に向けて拡径する斜面に設けられ、外枠１３の内周面１３ａは、スリーブ１１の外周面１５ｂの傾斜角度に沿った斜面に設けられている。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜の形成方法に依らずに、その表面に凹凸を形成することが可能な透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の製造方法は、酸化物からなる透明導電膜を形成し、透明導電膜を水素含有ガスの還元雰囲気に晒すことで、透明導電膜の表面に凹凸を形成する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数のターゲット表面上の反応ガスの分圧を互いに等しくし、各ターゲットを互いに同じ速度でスパッタできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】
互いに離間して一列に並んで配置された複数のターゲット２１₁〜２１₄と、隣り合う二個のターゲット２１₁〜２１₄を一組として、一組のターゲット２１₁〜２１₄間に電圧が印加されるターゲット装置２０₁₂、２０₃₄とを有し、各ターゲット装置２０₁₂、２０₃₄は、一組のターゲット２１₁〜２１₄の側面と対向して配置された隔壁２３₁〜２３₄と、隔壁２３₁〜２３₄とターゲット２１₁〜２１₄との間に設けられたガス導入口２８₁〜２８₄と、真空槽１１の底面に設けられた主排気口２５₁₂、２５₃₄とをそれぞれ有し、ガス導入口２８₁〜２８₄から導入された反応ガスは、一組のターゲット２１₁〜２１₄間を通って主排気口２５₁₂、２５₃₄から真空排気される。 （もっと読む）

【課題】単純な装置構成を用いて適宜に加熱処理等を施すことにより、両面に真空成膜が施された積層体を効率的に製造できる成膜方法を提供すること等。
【解決手段】ロール状に巻かれた長尺の基体を第１の面を被成膜面として第１ロール室から第２ロール室へ向う方向に第１ロール室から繰り出し、繰り出された基体を脱ガスし、脱ガスされた基体の第１の面に第１成膜室において第１の膜材料を成膜し、第１の膜材料の上に第２成膜室において第２の膜材料を成膜し、膜材料が積層された基体を第２ロール室でロール状に巻取り、巻き取った基体を第１の面とは反対側の第２の面を被成膜面として方向に第１ロール室から繰り出し、上記全ての処理を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】一定時間電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能な半導体装置を提供すること。さらに、半導体装置の高集積化を図り、単位面積あたりの記憶容量を増加させること。
【解決手段】トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる材料として、ワイドバンドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いて半導体装置を構成する。トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、長期間にわたって情報を保持することが可能である。また、トランジスタの下に設けた配線層と、酸化物半導体膜の高抵抗領域と、ソース電極とを用いて容量素子を形成することで、トランジスタと容量素子の占有面積の低減を図る。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適なスパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シートを提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と一酸化ケイ素（ＳｉＯ）とを主成分とする焼結体からなり、焼結体の相対密度が９５％以上であり、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と一酸化ケイ素（ＳｉＯ）のモル比が４０：６０〜９５：５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適なスパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シートを提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）とを主成分とする焼結体からなり、焼結体の相対密度が９５％以上であり、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）のモル比が５０：５０〜９５：５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数のトランジスタが高集積化された素子の少なくとも一のトランジスタに、作製工程数を増加させることなくバックゲートを設ける半導体装置を提供する。
【解決手段】複数のトランジスタが上下に積層されて設けられた素子において、少なくとも上部のトランジスタ１０２は、半導体特性を示す金属酸化物により設けられ、下部のトランジスタ１００が有するゲート電極層を上部のトランジスタのチャネル形成領域と重畳するように配して、ゲート電極層と同一の層の一部を上部のトランジスタ１０２のバックゲートＢＧとして機能させる。下部のトランジスタ１００は、絶縁層で覆われた状態で平坦化処理が施され、ゲート電極が露出され、上部のトランジスタ１０２のソース電極及びドレイン電極となる層に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフのスイッチング素子を実現するトランジスタ構造およびその作製方法を提供する。トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する構成およびその作製方法を提供する。信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてインジウム、ガリウム、亜鉛、及び酸素の４元素を少なくとも含み、該４元素の組成比を原子百分率で表したとき、インジウムの割合が、ガリウムの割合及び亜鉛の割合の２倍以上である酸化物半導体層を用いる。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適なスパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シートを提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）とを主成分とする焼結体からなり、焼結体の相対密度が９５％以上であり、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）のモル比が４０：６０〜９５：５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適なスパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シートを提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化スズ（ＳｎＯ₂）とを主成分とする焼結体からなり、焼結体の相対密度が９５％以上であり、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化スズ（ＳｎＯ₂）のモル比が１５：８５〜９０：１０であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明導電体層がパターン化されている透明導電性フィルムにおいて、基材の厚みを８０μｍ以下と小さくした場合でも、透明導電体層のパターン境界が視認されることによる、見栄えの低下を抑止する。
【解決手段】本発明の製造方法は、可撓性透明基材上にパターン化されていない透明導電体層が形成された積層体を準備する積層体準備工程、透明導電体層の一部を除去して可撓性透明基材上に透明導電体層を有するパターン形成部と可撓性透明基材上に透明導電体層を有していないパターン開口部とにパターン化するパターン化工程、および透明導電体層がパターン化された後の前記積層体を加熱する熱処理工程、を有する。熱処理工程における、パターン形成部の寸法変化率Ｈ_１とパターン開口部の寸法変化率Ｈ_２との差Ｈ_１−Ｈ_２の絶対値は０．０３％未満であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】可撓性透明基材上に結晶性の透明導電体層を有する透明導電性フィルムにおいて、透明導電体層がパターン化された場合であっても、タッチパネル等に組み込んだ際に、パターン開口部とパターン形成部との境界が視認されることによる見栄えの低下を抑制する。
【解決手段】可撓性透明基材の一方の面に結晶性導電性金属酸化物からなる透明導電体層が形成された透明導電性フィルムであって、可撓性透明基材の厚みは８０μｍ以下である。本発明の透明導電性フィルムは、１４０℃で３０分加熱した際の寸法変化率Ｈ_１と、透明導電性フィルムから透明導電体層をエッチングにより除去したものを１４０℃で３０分加熱した際の寸法変化率Ｈ_２との差Ｈ_１−Ｈ_２が−０．０２％〜０．０４３％である。そのため、タッチパネル等に組み込んだ際のパターン境界での段差が低減され、見栄えの低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】連続スパッタ時においても、ノジュールやパーティクルの発生を抑制することができるとともに、膜特性の均一性の高い膜が得られるＧＴＯスパッタリングターゲット、特にＦＰＤ用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｇａ_２Ｏ_３が１〜２０ｍｏｌ％、残部ＳｎＯ_２及び不可避的不純物からなるスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットであって、当該酸化物焼結体ターゲットの組織に観察される相において、相対密度が９７％以上、バルク抵抗率が１０００Ωｃｍ以下であることを特徴とするスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。 （もっと読む）

【課題】４００℃以下で作製可能であり、３０ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極１６と、ゲート電極と接するゲート絶縁膜１５と、Ｉｎ（ｘ）Ｚｎ（１−ｘ）Ｏ（ｙ）（０．４≦ｘ≦０．５，ｙ＞０）で表される第１の領域Ａ１及びＩｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ｂ／（ａ＋ｂ）＞０．２５０，ｃ＞０，ｄ＞０）で表され、ゲート電極に対して第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域Ａ２を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層１２と、互いに離間して配置されており、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極１３及びドレイン電極１４と、を有する薄膜トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】広範な波長領域の光に対する散乱性能を高めた透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の製造方法は、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を基体上にスパッタリング法によって形成する膜形成工程と、透明導電膜をアニール処理するアニール工程と、透明導電膜をウェットエッチングするエッチング工程と、を備える。アニール工程は、エッチング工程よりも前に行われてもよい。透明導電膜のアニール処理の温度が３００〜６００℃であってもよい。 （もっと読む）

【課題】成膜レートを維持しつつ基板上への異物の落下を抑制する。
【解決手段】チャンバー１１０と、チャンバー１１０内で成膜処理される基板の上面と対向する主面を有するターゲット１３０とを備える。また、ターゲット１３０を下方から支持してチャンバー１１０に固定する係合部材１４０および頭付螺子１５０と、係合部材１４０と係合して取り付けられ、係合部材１４０および頭付螺子１５０の下方を覆う防着部材１６０とを備える。ターゲット１３０は、主面の一部に凹部１３１を有する。係合部材１４０および頭付螺子１５０は、上記凹部１３０内に位置する。防着部材１６０は、凹部１３１を埋めるように位置する。防着部材１６０のターゲット１３０と面する裏面とは反対側の表面は、ステージ１２０の上面と対向して平面である。 （もっと読む）