【課題】物理気相蒸着（ＰＶＤ）装置とＰＶＤ法を開示する。
【解決手段】ターゲットと基板との間の処理空間にアノードを延ばすことで、基板への堆積の均一度が上昇する。アノードはプラズマ内で励起される電子の接地経路となり、プラズマ内の電子をチャンバ壁部に集めるのではなく、処理空間全体にわたって均一に分散させる。プラズマ内で電子を均一に分散させることで、基板上に材料が均一に堆積される。アノードを冷却液で冷却してアノードの温度を制御し、剥離を軽減してもよい。アノードは処理空間全体にわたって、スパッタリングターゲットの背面全体を二次元方向に走査するマグネトロンの長辺に直角に配置してもよい。走査マグネトロンによりアノードの局所的な加熱が軽減される。 （もっと読む）

本発明は、イオン源１０１、ターゲット１０２、傾斜角可変基板テーブル１０３および補助ポートを有するブロードビームイオン装置に関する。ターゲットは、複数のターゲットを運ぶ回転体の形であり、イオン源１０１は、ほぼ長方形状の断面をもつビーム１０５を生成するように構成される。
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【課題】筒状の焼結体であって、スパッタリングターゲットとして使用した際に、有機ＥＬ素子等の性能を低下しない膜を与える焼結体を提供する。
【解決手段】酸化インジウムと、酸化亜鉛、ランタノイド元素の酸化物、アルカリ金属元素の酸化物及びアルカリ土類金属元素の酸化物からなる群から選択される１種以上の酸化物と、を含む焼結体であって、筒状形状を有することを特徴とする焼結体。 （もっと読む）

【課題】物理蒸着ターゲットアセンブリを、ターゲットボンディング層が処理領域から分離するように構成する。
【解決手段】一実施形態において、ターゲットアセンブリは、バッキングプレートと、第１の表面及び第２の表面を有するターゲットと、バッキングプレートと第２の表面の間に配置されたボンディング層とを含む。ターゲットの第１の表面は、処理領域と流体接触しており、ターゲットの第２の表面はバッキングプレートに向かって配向されている。ターゲットアセンブリは複数のターゲットを含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】ターゲット形状を複雑にした場合に、スパッタ成膜中にターゲットの変形が生じてもターゲットとバッキングプレートとの良好な接触性が保たれるバッキングプレート及びスパッタ装置を提供する。
【解決手段】バッキングプレートは、固定プレート部と、この固定プレート部におけるターゲット保持面側に設けられたバネ部と、このバネ部を介して固定プレート部に保持され、エロージョン形状に合わせて凹凸が設けられたターゲットの背面が接触される可動プレート部と、を備えている。 （もっと読む）

本発明は、回転可能なスパッタターゲット及びこのようなスパッタターゲットを製造する方法に関する。スパッタターゲットは、ターゲット材料及びターゲット材料の内部に配置された磁石アレイを備えている。磁石アレイは、ターゲット材料の長さの大部分に沿って延在する中心区域を画定すると共に、中心区域の各端に端区域を画定している。ターゲット材料は、第１の材料及び第２の材料を備えている。ターゲット材料は、少なくとも中心区域において第１の材料を備えると共に、少なくとも端区域において第２の材料を備えている。第２の材料は、第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有している。好ましくは第２の材料は、溶射によって施される。第１の材料は、第１の元素を含み、第２の材料は、第１の材料の第１の元素の化合物を含んでいる。
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【課題】垂直磁気記録媒体の耐食性を有する軟磁性下地層、及び磁気記録ヘッドの軟磁性薄膜を成膜する。
【解決手段】基板１０１と、該基板１０１上に成膜される下地層１０４と、該下地層１０４上に成膜される磁気データ記録層１０６とを有する磁気記録媒体であって、前記下地層１０４は、少なくとも一つの軟強磁性元素、及びクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、窒素（Ｎ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）の元素群から選択した少なくとも一つの腐食防止元素を含んだ軟磁性合金からなるものである。 （もっと読む）

本発明は、中空カソードマグネトロンスパッタリングターゲットを成形する方法を含む。金属材料を、処理して約３０ミクロン以下の平均粒径を生成させ、次いで、深絞りする。本発明は、Ｃｕ、Ｔｉ及びＴａから選択される少なくとも１種の元素を含む材料を含む三次元スパッタリングターゲットを含む。ターゲットは、ターゲット全体にわたって約０．２ミクロン〜約３０ミクロンの平均粒径及び１５％（１−σ）以下の粒径標準偏差を有する。本発明は、０．２ミクロンから１５０ミクロン未満の平均粒径及び１５％（１−σ）以下の粒径標準偏差を有する、Ａｌを含む三次元ターゲットを含む。
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【課題】小型カソードにおいても放電を維持し、かつ、ターゲット全面を均一に侵食させることを可能とすることを課題とする。
【解決手段】ターゲットが、概略箱型形状をなすように構成されているスパッタリング装置において、誘導磁場通過体を挟んで放電空間の反対側に設置されたアンテナに電力を供給することによってプラズマを生成し、更に、ターゲットに供給されたバイアス電圧によってスパッタリングを生じさせることにより、小型カソードにおいても放電を維持し、かつターゲット全面を均一に侵食させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】ＥＣＲスパッタ成膜後の基板面内の膜厚均一性をターゲット使用寿命の間維持できるＥＣＲスパッタ処理装置を提供する。
【解決手段】ＥＣＲスパッタ処理装置のターゲット１２０を複数の短冊形状ターゲット１２１を筒形状に配置して構成する。各短冊形状ターゲット１２１は独立したターゲット電源１１１を有し、短冊形状ターゲット１２１のプラズマ生成室１０５側の端部に設けられたターゲット開口軸１１３を起点として任意の角度（０度〜２０度）に開口可能に設けられる。隣接する短冊形状ターゲット１２１間には、ターゲット１０４と同材質の三角柱ガイド１１２が配置される。これにより、ターゲット１２０が開口した際にターゲット１２０内面の筒形状内のＥＣＲプラズマ領域１０５からターゲット１２０の外部へＥＣＲプラズマが廻り込み、効率が低下することを防止するとともに、成膜後の基板１０３面内の膜厚均一性を維持することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング処理において、ターゲットのスパッタリング表面の損傷表面層を除去することでスパッタリングターゲットをその使用前に前調整する。
【解決手段】一態様において、スパッタリングターゲットのスパッタリング表面をラッピングし、少なくとも約２５ミクロンの厚みを除去し、約４から約３２ミクロインチの表面粗さ平均を有するスパッタリング表面を得る。他の態様において、酸性エッチング液を用いて層を除去する。更に他の態様において、損傷表面層は表面を加熱することでアニーリングされる。 （もっと読む）

【課題】近接する高密度銅配線への銅の拡散を抑制するに際し、膜剥離を生じさせない程度の薄い膜厚で、また近接する狭い配線幅でも十分なバリア効果を得ることができ、さらに熱処理等により温度上昇があっても、バリア特性に変化がない高密度銅配線半導体用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】Ｃｒを５〜３０ｗｔ％含有し、残部が不可避的不純物及びＣｏからなるＣｏ−Ｃｒ合金膜からなり、膜厚が３〜１５０ｎｍ、膜厚均一性が１σで１０％以下であることを特徴とする高密度銅配線半導体用バリア膜。Ｃｒを５〜３０ｗｔ％含有し、残部が不可避的不純物及びＣｏからなるＣｏ−Ｃｒ合金であって、スパッタ面の面内方向の比透磁率が１００以下であることを特徴とするバリア膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】装置変更を要せず、既存のスパッタリング装置を用いるも、表面を効率良く消費してターゲット寿命を延ばし、ＰＴ歩留まり、ＰＴレシオ、及びデータリテンションを大幅に向上させるスパッタリング用ターゲットを提供する。
【解決手段】ターゲット２は、エロージョンの発生分布を打ち消す断面厚み分布となるように、厚みが中央部から周縁部へかけて異なる形状であり、その表面は、エロージョンの発生分布を打ち消す断面形状の凹凸面とされ、裏面が平面とされている。当該スパッタリング装置に対応して、断面形状が逆Ｍ字形状とされている。 （もっと読む）

【課題】 イオン化スパッタによって高アスペクト比のホールに対してボトムカバレッジ率の良い成膜を行うとともに、スパッタチャンバー内外の構成を簡略化する。
【解決手段】 排気系１１を備えたスパッタチャンバー１内に設けられたターゲット２をスパッタ電源３によってスパッタし、放出されたスパッタ粒子を基板５０に到達させて成膜する。スパッタ電源３は５Ｗ／ｃｍ^２ 以上の電力をターゲット２に投入し、この電力のみで形成されたプラズマＰ中でスパッタ粒子がイオン化する。ターゲット２と基板ホルダー５との間には円筒状のシールド６が設けられてプラズマ形成空間を規制し、電界設定手段８がイオン化したスパッタ粒子をプラズマＰ中から引き出して基板５０に入射させるための電界を設定する。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を示す記録層を直流スパッタリングで形成するのに適したスパッタリ
ングターゲットとその製造方法、並びに、該スパッタリングターゲットを用いた高密度光
記録媒体とその製造方法の提供。
【解決手段】（１）Ｂｉ、Ｆｅを含み、比抵抗が１０Ωｃｍ以下であることを特徴とする
スパッタリングターゲット。
（２）Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯを含み、更に導電性を付与する物質を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。
（３）Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯを含み、化学量論組成よりも酸素が少ない化合物を含む（１）から（２）のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ターゲットに粉末状もしくは顆粒状の材料を用いた方法では、放電開始後、ターゲット粉末が赤熱して、安定状態になるのに時間（２０分以上）を要するため、量産安定性や量産タクトを考慮すると、出来る限り短縮する必要がある。
【解決手段】ガス排気手段とガス供給手段とを有する処理室内に、粉末状又は顆粒状の材料よりなるターゲットと、前記ターゲットを載置する載置部と、前記載置部に電力を印加する電源と、被処理物を保持する保持部とを備え、前記載置部の前記保持部と対向もしくは側面に前記ターゲットが載置され、前記ターゲット材料よりも嵩密度が小さい、もしくは比表面積の大きい材料を表面部に配置することによって、赤熱が拡大する速度が増加し、安定な状態になるまでの時間が短縮でき、量産に適した安定な成膜工程が実現出来る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、真空容器壁面に絶縁膜が付着しても成膜速度が変化せず、１台の電源で安定放電が可能なスパッタリング方法および装置を提供するものである。
【解決手段】真空容器中に、形成したい薄膜の成分の一部または全部からなる複数の導電性ターゲットを配し、前記真空容器中に少なくとも反応性ガスを含むガスを導入し前記複数の導電性ターゲットのうち少なくとも一つのターゲットに電圧を印加することで真空容器中にプラズマを発生させ、絶縁膜の成膜を行う反応性スパッタリング方法において、前記ターゲットのうち少なくとも一つを接地電位とし、残りの少なくとも一つのターゲットに正負交互に反転する電圧を印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングチャンバのためのターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングチャンバは、熱伝導率が少なくとも約２００Ｗ／ｍＫで、電気抵抗率が約２〜５μΩｃｍのバッキングプレート１４１及びスパッタリングプレート１３７で構成されるスパッタリングターゲット１３６を有する。バッキングプレートは、溝を有する。スパッタリングプレート１３７は、平面を有する円柱状メサと、この円柱状メサを取り巻く環状の傾斜リムとを備えている。１つの変形例において、バッキングプレートは、高い熱伝導率と、低い電気抵抗率とを有する材料で構成される。別の変形例において、バッキングプレートは、単一の溝又は複数の溝をもつ背面を含む。スパッタリングチャンバ用のプロセスキットは、スパッタリングチャンバ内で基板支持体の周りに配置するための堆積リング、カバーリング及びシールドアッセンブリを備えている。 （もっと読む）

【課題】粉末状ターゲットを含んで構成されるターゲットにおいて、成膜処理時のスパッタ領域を確実に制御することで、成膜レートの面内均一性を向上させ、安定した成膜が可能となるＰＶＤ法による成膜方法及び成膜用ターゲットを提供する。
【解決手段】成膜処理が実施される減圧空間をその内部に形成する処理容器と、上記成膜処理が施される基材を保持する基材保持部と、ターゲットを支持するターゲット支持部と、上記ターゲット支持部に電力を印加して上記減圧空間にプラズマを発生させる電源装置とを備える成膜装置において、粉体材料により構成される粉体ターゲットがその内周面に配置された凹部をその表面に有する上記ターゲットを用いて成膜処理を行うことで、成膜レートの面内均一性を向上させ、安定した成膜を実現する。 （もっと読む）

【課題】蒸着とエッチングを組み合わせる同時的および連続的な処理における均一なプラズマ処理に寄与するように、プラズマを生成および調整する。また、ｉＰＶＤにより、高アスペクト比の被覆性に対し、均一なプラズマ処理を提供する。
【解決手段】開口端が処理スペースに面する状態で、中空体をチャンバ軸の上に位置決めすることによって、処理チャンバの軸へのピークに対する傾向を持ったプラズマ分布の均一性が改善される。中空体は中央から離れたプラズマの分布を制御し、プラズマの中央への配置を可能にする。中空体の幾何学構成は、所与の状態にプラズマを均一化ならしめるよう最適化できる。同時的および連続的なエッチングとｉＰＶＤ処理のような、組み合わせられた蒸着とエッチング処理において、中空体はエッチングのための均一なプラズマを提供する一方で、蒸着のために蒸着パラメータを最適化することを可能にする。 （もっと読む）