【課題】均一性が高く、圧電特性が高く、薄膜であっても強度を有し、密着度が高く、優れた耐久性を有るペロブスカイト型酸化物を得ること。また、ペロブスカイト型酸化物を簡単に大面積として作製すること。
【解決手段】単結晶構造または一軸配向結晶構造のＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型酸化物であって、Ａサイトの主成分にＰｂを含みＢサイトに複数の元素を含み、正方晶、菱面体晶、斜方晶、立方晶、擬似立方晶及び単斜晶から選ばれる複数の結晶相を有し、該複数の結晶相が＜１００＞配向している。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハにおける配線層間の接続抵抗を低減する。
【解決手段】 表面に凸部４ａが形成されたターゲット４を用い、このターゲット４の凸部４ａにプラズマイオン７を衝突させて金属原子８をはじき出して半導体ウェハ上のスルーホールの内壁に金属膜を堆積することにより、ターゲット４の凸部４ａ付近から飛び出してくる金属原子８の飛び出しの方向を狭めることなく金属原子８をはじき出すことが可能になる。これにより、配線層間の前記スルーホール内に形成される金属膜のステップカバレージを向上させることができ、その結果、配線層間の接続抵抗を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 新たな電源設備の追加を必要とせずに、スパッタ時におけるアーキングの発生や薄膜の膜質低下を抑制できるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 デュアルカソードスパッタリング装置に使用するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリング装置に装着した時に、処理対象である基板と対向する面の側端部に面取り部を有するスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】一様なプラズマ処理を行うこと。
【解決手段】半導体用プラズマ処理装置における非一様性を低減させるためのシステム（４０）であって、基板支持体（１４）を囲み得る寸法のものとされ、かつ、少なくとも３個という複数のセグメントから形成された、リング形状電極（５０）と；この電極の各セグメントに対して接続された電気エネルギー供給源と；この電気エネルギー供給源に対して接続されたコントローラ（６０）と；を具備し、コントローラが、電極の各セグメントを順次的に励起するようにして電気エネルギーを供給するようにプログラムされており、これにより、基板支持体の周縁回りにおける基板の非一様性の処理に影響を与え得るものとされている。 （もっと読む）

【課題】ディスク基板上に、内周側と外周側とで組成の異なる膜を形成するために、従来の全体が均一組成の円盤状ターゲットに用いられるものと同じスパッタ装置が使用でき、かつ作成が容易であるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】複数の異なる組成領域１０ａ，１０ｂが組み合わされて円盤形状となったスパッタリングターゲット１０において、前記組成領域１０ａ，１０ｂそれぞれは少なくとも当該円盤外周の一部を構成し、該円盤主面上の円盤中心を同心とする複数の円周（半径位置（１）〜（３）の円周）ごとで、前記組成領域１０ａ，１０ｂそれぞれの組成及び該組成領域１０ａ，１０ｂそれぞれが占める割合から決まる平均組成が異なる。 （もっと読む）

【課題】主処理チャンバ（１４）と移動するマグネトロン（３０）を収納する真空チャンバ（３２）の両方に封止されるターゲットアセンブリを有する大面積パネルプラズマスパッタリアクタに特に有用なスパッタターゲットアセンブリ（１８、２０）を提供する。
【解決手段】ターゲットタイルが接着されたターゲットアセンブリは、主面に平行にドリルで穴開けされた平行な冷却ホール（６４）を備えた一体型のプレート（６２）を含む。ホールの端部は封止（７４）され、垂直に伸びているスロット（６６、６８、７０、７２）は各々の端部で２つの千鳥状のグループで配列され、バッキングプレートの対向側部において対として冷却ホールの各々の対に機械加工される。４個のマニフォルドチューブ（１０４、１０６）はスロットの４つのグループに封止され、カウンタフローの冷媒経路を提供する。 （もっと読む）

マグネトロンスパッタリング源は、複数の電極（１２）とスイッチング回路（１４）とを含む。スイッチング回路（１４）は複数の電極（１２）の各々を接地基準に連続的に接続してそれらをアノードにする一方で、複数の電極の残りをカソードとして接続する。マグネトロンスパッタリング源を動作する方法は、複数のターゲット配列を与えるステップと、複数のターゲット配列をカソードとして作動するようにさせるステップと、複数のカソードの各々を一時的にアノードとして作動するよう連続的にさせるステップとを含む。
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【課題】 スパッタリングターゲット使用時、特に使用初期に発生するスパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生期間および発生数を低減することができるAl系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 (1) スパッタリング面に相当するスパッタリングターゲットの表面において、最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.2μm 以上の凹部で定義される凹状欠陥のうち、最大深さ 0.2μm 以上の凹状欠陥の総数が、単位表面積１mm² あたり45000 個以下であることを特徴とするAl系スパッタリングターゲット、(2) 上記と同様のスパッタリングターゲットの表面において、最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.2μm 以上の凹部で定義される凹状欠陥のうち、円相当直径 0.5μm 以上の凹状欠陥の総数が、単位表面積１mm² あたり15000 個以下であることを特徴とするAl系スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

本発明は、冷却液ディフレクタを有するバッキングプレートを含み、各ディフレクタの少なくとも一部は、非線形である。バッキングプレートから突出する突起は、スパッタリングターゲット内の開口に挿入するように構成されている。本発明は、少なくとも１つの開口を有するターゲットを含み、開口は、ターゲットの背面からターゲット中に延在するファスナーを受ける。本発明は、バッキングプレートから突出し、ターゲット内の開口内に挿入可能な突起を有するターゲットアセンブリを含む。本発明は、ターゲットとバッキングプレートとの間に配置された複数の冷却液ディフレクタを有するターゲットアセンブリを含む。各ディフレクタの部分は、非線形である。本発明は、ターゲットを冷却する方法を含む。冷却液ディフレクタは、ターゲットとバッキングプレートとの間のギャップ内に配置され、冷却液ディフレクタは、それらの長さの少なくとも一部に沿って非線形である。
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【課題】半導体等の製品基板の成膜やプラズマ処理装置内に用いる真空装置の部品において、膜状物質の付着性が高く、しかも異常成長による粒子の脱落のない、長時間の連続使用が可能な優れた部品を提供する。
【解決手段】半導体等の成膜装置及びプラズマ処理装置に用いる真空装置用部品において、表面がセラミック及び又は金属溶射膜で被覆され、該溶射膜の表面にＪＩＳＢ０６０１：２００１及びＪＩＳＢ０６３３：２００１で規定する輪郭曲線要素の平均長さＲｓｍが２０〜７０μｍの範囲、算術平均粗さＲａが８〜１５μｍの範囲で、算術平均うねりＷａが８μｍ以下である表面粗さを有する溶射膜を具備するものは、膜状物質の付着性が高く、しかも異常粒成長による粒子の脱落がないため、長時間の連続使用が可能である。 （もっと読む）

【課題】粉体状のターゲット材料を用いたスパッタ法において、長時間の連続稼動によっても、常に一定で安定した膜厚および成膜レートを得ることが可能な成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空を維持することが可能な真空槽と、真空槽内にあり基板を載置する基板保持台と、基板保持台と対向して設置され、粉状のターゲット材料を保持する容器を載置し、かつ、基板保持台に対向する面の中心軸を中心に回転するカソードと、カソードに電圧を印加する電源と、真空槽内にガスを供給しつつ排気するガス供排気手段からなる成膜装置において、基板保持台とカソードとの間には開口部を有してアースシールドが配置され、アースシールドのカソード側の表面の一部には、粉状のターゲット材料を攪拌する攪拌手段が設けられたこと。 （もっと読む）

【課題】 ハンドオーバ時に短時間および小消費電力でスキャンを行うことができる移動機を提供する。
【解決手段】 スパッタリング装置１０は、真空容器１２内に、基板支持部１８、ターゲット２０、磁石２２が配置されている。基板Ｗに対向して配置された平板状のターゲット２０が設けられている。ターゲット２０の基板Ｗに対向する面とは反対側の面に対向して複数の磁石２２が配置されている。それぞれの磁石２２はその外郭がターゲット２０に対向する面において正方形をなしている。これにより、ドリフトする電子３０が加速される距離が同等になり、電子３０の速度に不均一が生じ難い。そのため、ターゲット２０がスパッタされる度合いも均一となり、成膜もより均一に行うことができる。 （もっと読む）

基板洗浄装置は、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を有する活性ガスを形成するために水素含有ガスを遠隔励起するリモートソースを有する。本装置は、基板支持体と、遠隔励起ガスをろ過して、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種の第二比率を有し、第二比率が第一比率と異なる、ろ過された励起ガスを形成するイオンフィルタと、チャンバにろ過された励起ガスを導入するガス分配器とを備えたプロセスチャンバを有する。
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【課題】建築用ガラス基板へコーティングを行うスパッタ装置の保守、清掃、及びターゲット交換を簡単に短時間で行え、装置稼動率を向上することが可能なシステムの提供。
【解決手段】コーティングシステム１において、一貫した保守と清掃を必要とするすべての部品は、ユニット化してインサート８上に纏められ、インサート８は引き出しのようにチャンバ壁２ａ内の側面開口部１０を通って、チャンバの内部へ摺動して取り付け、また容易に取り外すことができる。取り外されたインサート８は、点検が完了したインサートと直接交換することが出来るため稼働率が向上する。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの交換が容易で、しかもターゲットの冷却を容易に行うことができ、低コストで成膜が可能であり、更には得られる膜の膜厚分布が小さい成膜方法を提供する。
【解決手段】 スパッタ法による成膜方法において、ターゲットとして複数の粒状物を用い、該粒状物がこれを収容可能な凹部５，６を有するターゲットバッキングプレート２内に収容されており、スパッタガス３を、該ガスが粒状物の隙間を通過するように該ターゲットバッキングプレート凹部から供給すること、を特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリングにおいて、基材の温度上昇を防止して常温に近い低い温度で高能率の薄膜形成を可能にする方法及び装置を提供する。
【解決手段】基材１１の成膜面１２を挟んで、当該成膜面における磁界がゼロとなるように、ターゲット背後の磁石１ａと、これに対向する磁石１ｂとを、その同極同士を対向させて互いに反発するように設置して、スパッタリングを行う。基材の片面に成膜を行うときは、磁界がゼロとなる面Ｐより僅かに反ターゲット５ａ側に偏倚する位置に、成膜面１２を位置させる。シート状の薄い基材の両面に成膜を行うときは、基材を挟む両側にターゲットを配置し、その背後に互いに反発するように一対の磁石１ａ、１ｂを配置する。成膜面１２に到達する高温の二次電子が非常に少なく、従って二次電子による基材温度の上昇が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、簡易な構造で、現在要求される膜厚分布及びカバレージ分布を達成することのできるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 この発明は、基板を保持して自転する基板ホルダと、前記基板に薄膜を形成するためのターゲットが搭載されるスパッタカソード部と、該スパッタカソード部を前記基板に対して円弧状に移動させる駆動アームとを具備し、前記スパッタカソード部が、前記ターゲットに囲設され、前記基板側に開口部を有するノズル部を具備するスパッタ装置において、前記ノズル部の開口部に、前記スパッタカソード部の移動方向の両端から前記開口部の中央方向に延出して、前記スパッタカソード部の移動方向前後におけるスパッタ粒子を制限する延出部を形成することにある。 （もっと読む）

（Ｚｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｃｒ）群およびケイ素に属する成分Ｍから特に選択された異なるタイプの原子に基づく少なくとも１種の化合物を含むターゲットを、熱スプレー、特にプラズマスプレーによって製造する方法であって、
共有および／またはイオンおよび／または金属結合により結合する成分である該化合物の少なくとも一部分が該プラズマジェットに、注入され、該ターゲットの表面部分上に該化合物の被膜を堆積させるように、該ターゲットの上に該化合物の成分をスプレーすることを特徴とする方法。 （もっと読む）

本発明は、金属プレートの２つの表面のうちの一方のみを平坦化することによる、金属ブランク、ディスク及びスパッタリングターゲットの製造における改善に関する。金属プレートの第二表面の平坦化をなくすことにより、顕著なコスト削減がなされる。本発明の金属プレートは、好ましくは片面平坦度が０．００５インチ以下であり、ターゲットブランクとバッキングプレートとの間の接合の信頼性が改善される。好ましい金属には、タンタル、ニオブ、チタン及びそれらの合金などがあるが、これらには限定されない。また、本発明は、金属プレートの第一面を機械加工し、第一面をバッキングプレートに接合した後、必要に応じて金属プレートの第二面を機械加工することに関する。
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【課題】スパッタリングにおいて、膜中への不純物混入を起こすことなくターゲット材料利用効率を向上させることが可能なスパッタリング装置を提供すること。
【解決手段】ターゲットを、放電中にプラズマが発生する空間を囲むように配置し、少なくとも基板とプラズマの間に位置する部分に開口を設ける構成とした。これによればターゲット材料以外からなる部材がスパッタされることを防止し、膜中への不純物混入を起こすことなくターゲット材料利用効率を向上させることが可能である。 （もっと読む）