【課題】スパッタリングターゲットに起因する異物低減可能なＥＵＶマスクブランクスの製造方法の提供。
【解決手段】基板１１上にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜１２、保護層１３としてＲｕ膜またはＲｕ化合物膜を、イオンビームスパッタリング法を用いて実施し、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜１２のＳｉ膜成膜時、および、Ｒｕ膜またはＲｕ化合物膜成膜時に、ターゲット角度、プロセスガス種類、プロセスガス圧力、イオンソースのＲＦパワー、サプレッサ電圧、イオンビーム電圧、および、イオンビーム電流をほぼ同一とし、Ｓｉ膜成膜に使用したスパッタリングターゲットのエロージョン領域に基づき、Ｒｕ膜またはＲｕ化合物膜成膜に使用するスパッタリングターゲットのエロージョン領域、非エロージョン領域を予測し、ＲｕターゲットおよびＲｕ化合物ターゲットの予測される非エロージョン領域に粗面化処理を施してから、Ｒｕ膜またはＲｕ化合物膜成膜を実施する。 （もっと読む）

【課題】高品質なシリコン系薄膜を高速かつ安全・安価に形成できるスパッタリング装置、スパッタリング方法および該シリコン薄膜を用いて作成した太陽電池や液晶表示装置（ＬＣＤ）等の電子デバイスを提供すること。
【解決手段】シリコンを主成分とするメインターゲット１ｍ上に該ターゲットと同様にシリコンを主成分とし、かつ面積が該メインターゲットより小さいサブターゲット１ｓを複数個配置したスパッタリングカソードをマグネトロン放電させ、かつ基板ホルダ７に載置した基板８に薄膜を形成することで解決できる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットが磁性体・非磁性体であるに関わらず、ターゲット上に均一な平行磁場分布を形成し、均一なエロージョンが得られ、ターゲットの広幅化やスパッタ薄膜形成速度向上あるいはＣＶＤ成膜速度向上の効果が得られる放電電極及び放電方法を提供する。
【解決手段】平板ターゲットを有する放電電極において、前記平板ターゲットの表面側の両側縁に沿うように設けられ、前記平板ターゲットを隔てて対向する磁性体と、該磁性体を隔てて前記平板ターゲットの反対側に前記磁性体と組み合わせて設けられ前記平板ターゲットを隔てて異極性の関係であるターゲット上部磁石を有することを特徴とする放電電極。 （もっと読む）

【課題】支持管及びターゲット本体間で良好な接着性を有する中空のスパッタリングターゲット組立体を提供する。
【解決手段】中空ターゲット組立体は、支持管１と、ターゲット本体２０，２１，２５と、複数の弾性要素３からなり、中空ターゲット材の内壁の溝２３と、支持管の外周壁に形成された凹所１２の空間に弾性要素を偏倚して配置することにより、ターゲット本体と支持管とを簡単かつ低価格な方法で、密接に接合することができる。 （もっと読む）

【課題】処理基板の成膜する側の面とターゲットプレートとを、平行に対向させ、マグネトロンスパッタ方式でスパッタを行うスパッタ装置で、従来の、ターゲットプレートの非エロージョン部分に、該ターゲットプレートから飛散したものが付着し、厚くなり、付着したものが剥れて、処理基板への異物付着となり、処理基板に異物欠陥やＰＨ等の欠陥を発生させるという問題を、解決できるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】ターゲットプレート１０は、バッキングプレート１２に沿い保持された状態でスパッタ処理に供されるもので、その中央側にエロージョン部分となる領域を有し、該エロージョン部分となる領域の外側全周に沿い非エロージョン部分となる領域を有するもので、該非エロージョン部分となる領域の少なくとも一部、もしくは、該エロージョン部分となる領域の一部と該非エロージョン部分となる領域の少なくとも一部は表面が、粗面化されている。 （もっと読む）

【課題】厚さの増加を図りながらも、アーキングの発生が抑制されうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ターゲット材１０には、その側面１３の途中から裏面１２に向かって当該ターゲット材１０を徐々に小径または幅狭にするような傾斜面１４が形成されている。側面１３と傾斜面１４との境界線をなす稜線部１５の表面粗さＲａおよび裏面１２を基準とした高さｈの組み合わせを表わすＲａ−ｈ平面におけるプロットが、第１範囲Ｓ１又は第１範囲Ｓ１の一部である第２範囲Ｓ２に含まれるようにターゲット材１０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】欠陥レベルの低い、予想される厚さ分布を有する膜形成に用いるマグネトロン・スパッタリング・デバイスを提供する。
【解決手段】リング・カソードの位置は、遊星ドライブ・システムの中心点に関してオフセットする。アノード２０または反応性ガス供給源３６は、リング・カソードの内側半径内に配置される。カソード１２における低電力密度によって低欠陥率が得られ、低電力密度は、アーク放電を抑制し、一方、マスクを使用することなく、遊星幾何形状に対するランオフがカソードによって最小になる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用ターゲットから垂直方向に叩き出されるターゲット原子の個数を増大させる。
【解決手段】薄膜形成に用いられるターゲット原子Ｐから構成されたターゲット５において、ターゲット５から斜め方向に叩き出されたターゲット原子Ｐを側壁に衝突させることでターゲット原子Ｐがターゲット５から放出されるのを遮る凹部５ａを表面に形成する。 （もっと読む）

【課題】磁束透過率が低く漏れ磁束が小さいターゲットの漏れ磁束を増加させて肉厚のターゲットの使用を可能にし、生産性の向上を図ることができるスパッタリングターゲット及びマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタされてエロージョンが発生するスパッタ面５ａと、スパッタ面５ａの反対側に設けられた裏面部５ｂとを備え、裏面部５ｂは、マグネトロンスパッタリング装置１にスパッタリングターゲット５を配置した際に、マグネトロンスパッタリング装置１が備えるマグネット７ａ，７ｂの磁極と対向する磁極対向面５１ａ，５１ｂと、この磁極対向面５１ａ，５１ｂの周囲に設けられスパッタ面５ａ側にくぼんだ凹部５３ａ〜５３ｃとを有し、磁極対向面５１ａ，５１ｂと凹部５３ａ〜５３ｃとにより、磁極対向面５１ａ，５１ｂを先端とする磁極集中部５２ａ，５２ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】成膜対象物に形成される膜の膜質の低下が抑えられたスパッタリング装置を得ること。
【解決手段】複数の第１小型マグネトロンカソード３１ａおよび第２小型マグネトロンカソード３１ｂの中央磁石３２ａ，３２ｂ付近に生じる非エロージョン領域は、分断されて個々で存在するので、連続した一体の中央磁石で構成されたマグネトロンカソードと比較して狭くできる。個々の非エロージョン領域が狭いことで、非エロージョン領域に形成された厚膜に発生する応力を緩和でき、膜応力等による剥がれが減少することで、パーティクルの発生を抑えることができる。したがって、基板に形成される膜に取り込まれるパーティクルを減少でき、膜質の低下が抑えられるスパッタリング装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの表面上に発生する磁場の強度を高めながら、ターゲットを適切に冷却することができ、なお且つ、ターゲットの小径化に対応可能なマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器と、反応容器内を減圧排気する減圧排気手段と、被処理基板Ｗを処理する処理手段１Ａとを備え、処理手段１Ａは、被処理基板Ｗに対向してターゲットＴを保持する保持手段８と、ターゲットＴの表面上に磁場Ｍを発生させる磁気発生手段１１と、ターゲットＴを冷却する冷却手段４０とを有し、冷却手段４０は、冷却液Ｌが流れる冷却路４６を有し、この冷却路４６がバッキングプレート４１と押え具４２との少なくとも一方におけるマグネット４３，４４と対向する位置よりも外側に位置して設けられ、更に、マグネット４３，４４と一体に回転駆動される空冷ファン４０Ａを配置する。 （もっと読む）

【課題】酸化インジウムを成分とする高密度酸化物焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムを成分とする酸化物焼結体にスズを適切濃度添加することで、酸化粒焼結体の密度を高くすることができることを見出し、添加元素としてスズを含有するＩｎ_２Ｏ_３焼結体であって、スズの原子数が、焼結体中の全金属元素の原子数の総和に対する比率として０．０１〜０．２％添加することにより、相対密度が９８％以上となることを特徴とするスズ含有Ｉｎ_２Ｏ_３焼結体。 （もっと読む）

【課題】チャンバー壁をスパッタ堆積から保護するもので、蓄積した堆積材料が剥げ落ちて粒子を形成しないように固定数の堆積サイクル後に交換される、誘導結合プラズマスパッタリアクタと共に使用可能なシールドシステム提供する。
【解決手段】内部シールド１６２は、ターゲットバッキングプレート１３０付近の上端からＲＦコイル１６０より下の下端まで延び、通常、処理位置にあるペデスタル１４６の上面のすぐ下まで延びる。プラズマスパッタリアクタに使用するよう適応され、軸の周りで略円形対称であるシールド１６２において、前記軸に沿って延びる上端と、前記軸に沿って延びる下端と、前記上端と下端との間で前記軸から半径方向外方に延びるフランジ１６８と、を備え、前記軸に面したシールド内面は、前記軸からの傾斜が１０°以下で、それ以外は滑らかであるようにしたシールド。 （もっと読む）

【課題】成膜装置および成膜方法において、成膜を繰り返しても、顆粒材料の形状を正確に制御することにより基板ごとの膜厚のバラツキを低減することができるようにする。
【解決手段】真空槽２内で、顆粒材料６をターゲット材料として基板４上に薄膜を成膜する成膜装置１であって、基板４に向かい合う位置に顆粒材料６を集積させて保持する保持容器５と、保持容器５に集積された顆粒材料６の集積表面を一定形状に整形する整形機構１２を備える。 （もっと読む）

【課題】圧電層をＡｌＮ薄膜により構成する場合に比べて圧電定数ｅ_３１を大きくでき且つ圧電層をＰＺＴ薄膜により構成する場合に比べて、比誘電率を小さくできるとともに、より圧電定数ｅ_３１を大きくすることが可能な発電デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】素子形成用基板２０ａを用いて形成した振動子形成基板２０と、振動子形成基板２０の撓み部２２に形成され下部電極２４ａ、圧電層２４ｂ、上部電極２４ｃを有する発電部２４とを備え、圧電層２４ｂを、ＰＺＴとリラクサーペロブスカイトとからなる多成分ペロブスカイト構造を有する圧電薄膜（ＰＭＮ−ＰＺＴ薄膜）により構成してある。製造時、圧電層２４ｂをスパッタ法により形成する際は、素子形成用基板２０ａの温度を５００℃以上の規定温度として素子形成用基板２０ａの一表面側に圧電薄膜をヘテロエピタキシャル成長させた後、素子形成用基板２０ａを規定温度から急速冷却する。 （もっと読む）

【課題】液中プラズマを用いて液体のみならず固体をも原料とした皮膜を基材の表面に成膜する方法において、成膜条件の大幅な変更を伴うことなく、所望の割合で固体の原料を含有する皮膜を成膜できる成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の液中プラズマを用いた成膜方法は、第一の原料を含む固体からなるターゲットＴ_１と基材Ｓ_１とを互いに対向させて、第二の原料を含むまたは含まない液体Ｌ_１中に配設する配設工程と、液体Ｌ_１中にスパッタガスＧ_１を供給して少なくともターゲットＴ_１と基材Ｓ_１との間に気相空間Ｖ_１を形成する気相空間形成工程と、気相空間Ｖ_１に少なくともスパッタガスＧ_１のプラズマを発生させるプラズマ発生工程と、を経て、プラズマによりターゲットＴ_１をスパッタリングさせて基材Ｓ_１の表面に少なくとも第一の原料を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの表面上に発生する磁場の強度を高めながら、ターゲットを適切に冷却することができ、なお且つ、ターゲットの小径化に対応可能なマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器と、反応容器内を減圧排気する減圧排気手段と、被処理基板Ｗを処理する処理手段１Ａとを備え、処理手段１Ａは、被処理基板Ｗに対向してターゲットＴを保持する保持手段８と、ターゲットＴの表面上に磁場Ｍを発生させる磁気発生手段１１と、ターゲットＴを冷却する冷却手段４０とを有し、ターゲットＴの被処理基板Ｗと対向する面とは反対側に、磁気発生手段１１が配置されると共に、この磁気発生手段１１の外側に冷却手段４０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置基板のスパッタリングプロセスで特に周辺部に付着するパーティクルを抑制できるスパッタリング装置および半導体装置製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、真空処理室1内に、ステージ2と、ターゲット4と、デポリング8と、カバーリング7とを備える。またプラズマ発生手段と、ステージ2に静電チャック作用を発生させる直流電源3と、ターゲット4のコンディショニング時にステージ2全体をプラズマから遮蔽して保護するシャッターディスク9と、クリーニング時にステージ2の基板設置面のみを覆ってプラズマから保護する保護ディスク12とを備える。保護ディスク12が上記サイズであることにより、ステージ2の側壁とデポリング8との間の余剰な成膜物も除去が可能となる。 （もっと読む）

【課題】耐用寿命の終点検出器を、少なくとも１つ備えた、消耗材料からなるスラブ（ＰＶＤターゲット）を提供する。
【解決手段】物理的気相成長法で用いられる、ＰＶＤターゲット構造体１００は、原料からなる消耗スラブと、原料からなる消耗スラブが、ターゲット構造体の耐用寿命の終点に相当する、所定量に接近している、または、この所定量にまで減量している、状態を示す一乃至複数の検出器を、ＰＶＤターゲット構造体内に含有する。 （もっと読む）