【課題】小型マグネトロンスパッタリングカソードにより、大型基板に形成される薄膜の基板面内における膜厚および膜質の均一性を向上できるスパッタリング装置およびスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】基板８が載置され、回転可能な基板ホルダ７と、該基板ホルダ７の中心軸９から外周方向に向けて、同種の成膜材料からなるターゲット２０１ａ，２０１ｂを有する複数のスパッタリングカソード２０３ａ，２０３ｂを備えたスパッタリング装置において、外周側に設置されたスパッタリングカソード２０３ｂのターゲット２０１ｂの面積を、内周側に設置されたスパッタリングカソード２０３ａのターゲット２０１ａの面積よりも大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット部材の片減りを防止しつつ、簡易な構造で、基板に平行で基板中心に向く磁界を基板上に形成し、膜厚分布を向上させることのできるマグネトロンカソードを提供する。
【解決手段】基板に対向して配される環状のターゲット６と、ターゲット背面にターゲットに対して移動可能且つ回転可能に配置され、不均一な磁界を発生させるマグネット組立１５によって構成されるマグネトロンカソードにおいて、ターゲットの中心開口部周縁に中央シールド部が設けられ、中央シールド部は複数の磁性体部品による積層構造を有する中央カバー１０が設けられるとともに、ターゲット外周側保持リング１１は、複数の磁性体部品からなる積層構造を有し、これら磁性体部品の少なくとも一つが、マグネット組立によって生じる磁界に対応して基板上に磁気異方性を構築する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのモリブデン系化合物を含む公称厚さのターゲットであって、ラメラ微細構造、１０００ｐｐｍ未満、好ましくは６００ｐｐｍ未満、特に好ましくは４５０ｐｐｍ未満の酸素量、及び前記化合物の理論電気抵抗率の５倍未満、好ましくは３倍未満、特に好ましくは２倍未満の電気抵抗率を有することを特徴とするターゲットに関する。 （もっと読む）

ターゲット組立体とターゲット組立体を含むＰＶＤチャンバが開示される。ターゲット組立体は凹形状のターゲットを含む。ＰＶＤチャンバ内で使用されると、凹状ターゲットは、スパッターチャンバ内に配置された基板上の半径方向に均一な堆積層を提供する。
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【課題】ターゲットが磁性体で厚かったり、ターゲットとして強磁性体を用いる場合であっても、ターゲットの表面に放電に必要な磁気トンネルを形成させるために十分な大きさの漏洩磁場を発生させることが可能なマグネトロンスパッタカソード、マグネトロンスパッタ装置及び磁性デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタカソードは、ターゲット１０のスパッタ面１０ａに設けられた第２環状溝１４と、ターゲット１０の非スパッタ面１０ｂに設けられた第３環状凸部２３と、非スパッタ面１０ｂの、第３環状凸部２３の外側に設けられた第４環状溝２４と、非スパッタ面１０ｂの、第４環状溝２４の外側に設けられた第４環状凸部２５とを有するターゲットを備える。また、上記マグネトロンスパッタカソードは、非スパッタ面１０ｂ側に、第１磁石５、及び第１磁石５と極性の異なる第２磁石６を備える。 （もっと読む）

本発明は、基板本体とそれに付着された単層または多層コーティングを有する切削工具に関する。コーティングの少なくとも１つの層はＰＶＤ法またはＣＶＤ法において作製された金属酸化物層であり、その金属酸化物層は粒子構造を有し、多数の存在する粒子構造の無秩序内に存在し、その粒子構造の無秩序は、点形状反射が最大格子面間隔ｄ_Grenzまで粒子の電子線回折画像において生じ、そしてｄ_Grenzより大きい格子面間隔では点形状反射は生じないが、アモルファス構造の代表的な強度分布を生じることを特徴とする。
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【課題】例えば、複数のターゲットを相互に隔てる溝部をクリーニングする。
【解決手段】第２マグネット素子（８０）は、Ｎ極及びＳ極のうちＳ極が裏板６側に位置し、且つＮ極がターゲット（３）側に位置している。第１マグネット素子（８１）は、中部にＮ極が設けられ、その周辺部にＳ極が設けられている。第１マグネット素子（８１）は、溝部（４）内をクリーニングする際に、制御装置（１００）の制御下で、Ｘ方向、即ち図中太線矢印方向に沿って駆動される。第２マグネット素子（８０）は、第１マグネット素子（８１）から当該第２マグネット素子（８０）に作用する磁力によって、第１マグネット素子（８１）と同様に、図中太線矢印方向に沿って駆動されることによって、溝部（４）に付着した付着物をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス性を損なうことなく、従来のスパッタリング装置に比べて省スペース化を図れるスパッタリング装置、このスパッタリング装置に用いるターゲット組立ユニットを提供する。
【解決手段】ターゲット組立ユニット１１０は、スパッタリング用のターゲット３６と、ターゲット３６の裏面に接触しているバッキングプレート３５と、を備える。平面視において、バッキングプレート３５は、ターゲット３６が接合された接合部３５Ｂと、接合部３５Ｂを囲む環状の周縁部３５Ａと、によって構成され、バッキングプレート３５の周縁部３５Ａの外形は、バッキングプレート３５の中心を通る仮想直線２００に平行な直線部３５Ｎと、直線部３５Ｎの両端から延びる曲線部３５Ｗとによって形作られており、バッキングプレート３５の直線部３５Ｎでの幅寸法Ｌ１が、バッキングプレート３５の仮想直線２００上での幅寸法Ｌ２よりも短い。 （もっと読む）

【課題】ターゲットとバッキングプレートなどの固定プレートとの間の熱伝導性を維持しつつ、より低コストで短時間で製造可能なターゲットと固定プレートを有するターゲット構造、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング用のターゲット１０と、当該ターゲット１０が固定されるとともに、当該ターゲット１０を冷却するためのバッキングプレート１１とを有するターゲット構造１において、バッキングプレート１１には、冷却流体が流れる流体流路４０が形成され、バッキングプレート１１とターゲット１０は、流体流路４０がない位置でバッキングプレート１１を貫通するネジ５０により固定され、ターゲット１０の一部は、流体流路４０に露出している。 （もっと読む）

アルミニウムまたはアルミニウム合金スパッターターゲットと当該ターゲットを製造する方法を提供する。純アルミニウムまたはアルミニウム合金を機械的に加工して円形ブランクとしてから、当該ブランクに再結晶熱処理を加えて、必要な結晶粒径と結晶集合組織とを実現する。この熱処理ステップ後に当該ブランクに10〜50%の追加ひずみを与えて、機械的強度を増大させる。さらに、当該ターゲットのフランジ領域においては、ひずみは他のターゲット領域におけるよりも大きく、当該フランジ領域に約20〜60%の割合のひずみが与えられる。次に、当該ブランクを仕上げ加工して、必要な結晶集合組織と十分な機械的強度とを有するスパッタリングターゲットとする。 （もっと読む）

本発明は材料組成物、それらの材料の製造方法、およびｐ型透明導電膜の物理気相堆積技術におけるターゲットとして使用するためのセラミック体の製造方法に関する。ペレット化された酸化物材料Ｍ_xＳｒ_1-xＣｕ_2+aＯ_2+b［式中、−０．２≦ａ≦０．２、−０．２≦ｂ≦０．２、且つ、Ｍは、Ｂａ、Ｒａ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒからなる二価の元素の群の１つまたはそれより多くであり、０≦ｘ≦０．２］の製造方法であって、以下の工程 ・ 特定の粒径分布を有し、且つ化学量論組成量Ｃｕ₂Ｏ、Ｓｒ（ＯＨ）₂・８Ｈ₂Ｏを含み、の０＜ｘ≦０．２の場合、Ｍ−水酸化物を含む前駆体混合物を提供する工程、 ・ 前記の前駆体混合物を密接に混合して均質な混合物を得る工程、および ・ 前記の均質な混合物を８５０℃より高い温度で焼結する工程、を含む方法が開示される。酸化物材料ＳｒＣｕ_2+aＯ_2+bは、４００ｐｐｍ未満の残留炭素含有率を有し、且つ、それを用いて、少なくとも５．３０ｇ／ｍｌの密度を有するターゲットを製造できる。 （もっと読む）

【課題】アーク放電の発生を防止し、かつ、パルスピーク電流値をできるだけ大きくしてスパッタ粒子のイオン化を促進できるスパッタ装置を提供すること。
【解決手段】複数のスパッタ蒸発源に直流パルス電力を供給する電源装置を備えたスパッタ装置において、電源装置は、１台の直流電源と、電力貯蔵部に蓄えた電力を各スパッタ蒸発源毎に分配供給するパルス分配供給手段と、前記複数のスパッタ蒸発源の少なくとも一つに設けられて当該スパッタ蒸発源に流れる電流を測定するための電流センサと、該電流センサの出力に基づいて当該スパッタ蒸発源に流れるパルスピーク電流検出値を求めるパルスピーク電流検出部と、該パルスピーク電流検出部で検出したパルスピーク電流検出値がアーク放電を発生させないためのパルスピーク電流目標値を超えないように前記直流電源の出力を制御するパルスピーク電流制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】ヒータなどの特別な加熱機構を必要とせず、通常の構造のスパッタリングカソード本体を使用して、液相状態に溶融したスパッタリングターゲットでスパッタリングすることが可能なスパッタリングカソードを提供する。
【解決手段】内部にマグネトロン磁気回路部２と冷媒流路４を設けたスパッタリングカソード本体１を有するスパッタリングカソードであって、スパッタリングカソード本体１のスパッタリングターゲット載置面上にスパッタリングターゲット６を収容する容器部材８を備えている。容器部材８の熱伝導率は１００ｗ／ｍ・Ｋ以下であって、スパッタリングカソード本体１に印加される電位によりスパッタリングターゲット６を溶融させ、液相状態のスパッタリングターゲット６で成膜する。 （もっと読む）

【課題】基板面に対して、均一な温度制御が可能な磁気記録媒体の製造技術を提供する。
【解決手段】スパッタ装置は、基板に成膜するための第１ターゲット４２ａを収納する第１ターゲット収納部と、第１ターゲット４２ａの周囲を包囲するように設けられ、基板を加熱する第１加熱手段と、第１加熱手段の周囲を包囲するように設けられ、基板に成膜するための第２ターゲット４３ａを収納する第２ターゲット収納部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 基板面に対して、均一な温度制御が可能な磁気記録媒体の製造技術を提供すること。
【解決手段】 搬送手段により搬送された基板に対して、接続された複数のチャンバにより、前記基板の両面に薄膜を形成するための処理を施す薄膜形成装置において、第１スパッタチャンバは、基板の第１の面に対して、スパッタ成膜処理を施す第１スパッタ成膜部と、基板の第１の面に対して反対側の第２の面を加熱する第１加熱部と、を有し、第２スパッタチャンバは、第１スパッタチャンバによりスパッタ成膜処理が施された基板の第１の面を加熱する第２加熱部と、第１スパッタチャンバにより加熱された基板の第２の面に対して、スパッタ成膜処理を施す第２スパッタ成膜部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】被成膜面が山型形状のワークを成膜する場合に、均一な成膜を行なえるターゲットの裏面側に磁石を配設した平板型のカソ−ドを備えたマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲット１１を、ターゲット面１１ａがワーク４の被成膜面４ａに沿うように、ワーク４の被成膜面４ａの形状に対応して逆山型形状となるように折曲せしめる一方、磁石１３を、前記逆山型形状のターゲット１１の裏面側の外周部に配される外側磁石と、該外側磁石の内周側に配される内側磁石とを用いて構成する。 （もっと読む）

【課題】処理基板Ｓと処理基板Ｓに対向するターゲット６とを配置した真空チャンバー１内にスパッタガスと反応ガスとを供給する手段を備える反応性スパッタリング装置において、処理基板Ｓが大径化しても、処理基板Ｓの全域に亘り均質な化合物の薄膜を形成できるようにする。
【解決手段】ターゲット６にガス導入孔１２を形成し、ガス導入孔１２から処理基板Ｓに向けて反応ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】 シートプラズマ成膜装置を大型化することなく、基板により均一な膜厚の膜を効果的に形成することが可能なシートプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】 シートプラズマ成膜装置１００が、成膜槽３０と、シートプラズマ発生機構６０と、多重リングターゲット３３及び基板ホルダ３４と、電源装置Ｖ２〜Ｖ６と、を備え、前記多重リングターゲットは、センターターゲット及び複数のリングターゲットを備え、前記多重リングターゲットの中央から周囲に向けて、前記センターターゲット及び前記複数のリングターゲットの偶数番目にバイアス電圧が印加されるように構成されている場合にはその奇数番目が少なくとも接地可能に構成され、その奇数番目にバイアス電圧が印加されるように構成されている場合には偶数番目が少なくとも接地可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】カソードを収容するカソードケースの周囲にガス噴出管を配置し、プロセスガスを基板中央付近まで均一に行き渡るようにして膜厚分布を改善したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】３個のマグネトロンカソードのうち、両側のカソード５４ａ、５４ｃは角度調整可能に真空容器３２に取付けられている。真空容器３２を１×１０＾４Ｐａまで排気した後、カソードケース５０に付属するガス噴出管８２からプロセスガス（アルゴンと酸素の混合ガス）８８を導入する。合計でアルゴンガスの流量を１２０ＳＣＣＭ、酸素ガスの流量を９０ＳＣＣＭとし、真空容器内の圧力を０．７Ｐａに設定する。其々の直流電源７２からカソード５４ａ、５４ｂ、５４ｃに１ｋＷの直流電力を供給して、クロム製のターゲット７８をスパッタリングし、基板１０上に酸化クロム薄膜を形成する。２００ｎｍの膜厚を得た時に膜厚分布は±４％となった。 （もっと読む）

プラズマ促進物理蒸着反応器において、ワークピース全体にわたる堆積速度の半径方向分布の均一性を、ＲＦおよびＤＣ電力の両方をターゲットに印加し、ＲＦおよびＤＣ電力の電力レベルを別個に調整することによって向上させる。さらなる最適化は、ターゲットの上の磁石の高さを調整すること、ターゲットの上の磁石の軌道運動の半径を調整すること、および角度をつけたターゲットのエッジ面を設けることによって得られる。
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