【課題】
多元系ターゲット材の製造において、成膜時の印加圧力によって破損しない機械的強度を有するターゲット材を製造する方法を提供すること。
【解決手段】
原料粉末がバインダと金属粉末または化合物粉末の１種または２種以上とからなるターゲット材組成物により形成される多元系ターゲット材において、ターゲット本体部の周辺に成膜装置への取り付け用の鍔部が一体的にはり出し形成されかつ前記ターゲット本体部よりも鍔部にかけて密度が高くなっている多元系ターゲット材を製造する。 （もっと読む）

本発明は、構成元素の単体、酸化物又はカルコゲン化物から選択した１種以上の粉末を原料とし焼結するものであり、焼結工程中に８５０℃以下の温度で１時間以上保持する反応工程を含み、この反応工程後に反応工程温度以上の温度で加圧焼結することを特徴とするＬａ及びＣｕを含有するオキシカルコゲナイドを主成分とするスパッタリングターゲットの製造方法に関する。Ｌａ及びＣｕを含有するオキシカルコゲナイドを主成分とするＰ型透明導電材料用ターゲットの密度を向上させ、ターゲットを大型化しかつ低コストで製造できるようにするとともに、該ターゲット中の未反応物の存在を無くし、ターゲットの割れの発生を抑制することにより製品歩留りを上げ、さらにこのようなターゲットを用いてスパッタリングすることによって形成される成膜の品質を向上させることを目的とする。 （もっと読む）

本発明は、物理気相成長法のターゲットを形成するために熱間等方圧加工工程を用いる方法を含む。特定の観点において、物理気相成長法のターゲットは、イリジウム、コバルト、ルテニウム、タングステン、モリブデン、チタン、アルミニウム及びタンタルの内の１つ又はそれ以上の材料を含むことができ、及び／又は、アルミナイド、シリサイド、カーバイド及びカルコゲニドの内の１つ又はそれ以上の材料を有する。また、本発明は、イリジウム、コバルト、ルテニウム、タングステン、モリブデン、チタン、アルミニウム及びタンタルの内の１つ又はそれ以上の材料を有する三次元ターゲットを含む。 （もっと読む）

真空被覆設備において回転可能な管状ターゲットに給電させるエンドブロックが開示されている。このエンドブロックは、交流モードで運転される場合におけるジュール加熱の影響を低減させる電気的回転接触部を有している。周知のエンドブロックと比較すると、このジュール加熱の低減は、接触リング（４１０）と周方向に沿って取り付けられた複数の導電シュー（４５０）との間の接触領域の数を多くすることによって達成される。また、導電シューは、弾性要素により接触リングに対向して半径方向外方に押圧されている。
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【課題】 安定した組成、構造を有する膜を任意に形成するのに適したスパッタリングターゲットとその製造方法の提供、及び、そのスパッタリングターゲットを用いた高密度光記録媒体の提供。
【解決手段】 （１）ＢｉＦｅＯ_３、Ｂｉ_２５ＦｅＯ_４０、Ｂｉ_３６Ｆｅ_２Ｏ_５７のうち少なくとも一つを主成分として含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。
（２）ＢｉとＦｅの原子比が、Ｂｉ／Ｆｅ≧０．８の条件を満足する（１）記載のスパッタリングターゲット。
（３）Ｂｉ_２Ｏ_３とＦｅ_２Ｏ_３の粉末を焼成する上記スパッタリングターゲットの製造方法。
（４）上記スパッタリングターゲットを用いて製膜したＢｉＦｅＯ膜を有する光記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 画像品質を劣化させ表示欠陥となるディフェクト（異物）の発生の少ない良好な品質の反射防止膜を形成できる液晶表示素子の製造方法を提供する
【解決手段】 アクティブマトリクス基板上に絶縁層と、絶縁層上に複数の画素電極をマトリクス状に形成し、一方、ガラス基板２１上にＩＴＯ膜２２、少なくともＳｉＯ₂膜からなる反射防止膜２３を順次形成し、複数の画素電極と反射防止膜２３を所定の間隔を有して対向配置させ、この間隔に液晶２４を封入した液晶表示素子の製造方法において、ＳｉＯ₂膜は、真空チャンバー内にカソード３と、カソード３を取り囲むアノード２と、基板ホルダ９とを有するスパッタリング装置１５を用いて、カソード３上に外周部が面取りされたＳｉからなるターゲット１を載置し、ターゲット１に対向する側の基板ホルダ９に保持されたガラス基板２１上に、酸素雰囲気中でターゲット１をスパッタリングすることにより形成する。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、スパッタターゲット材が円錐台側面形状をなし、前記円錐台側面形状に沿った磁力線を得るように配されたマグネット機構を有するスパッタ電極構造において、簡易な構造でマグネット機構によって生じる磁界を変化させて、膜厚分布を向上させると共にスパッタターゲットのエロージョンを均一化させることにある。
【解決手段】 この発明のスパッタ電極構造は、電圧が印加されて、真空容器内に配された基板に対し、スパッタ粒子を飛び出させるスパッタ電極において、前記基板に対して傾斜して配される円錐台側面形状をなすスパッタターゲット材と、該スパッタターゲット材の背後に設けられ、前記スパッタターゲット材の表面に沿った磁力線を生じさせるマグネット機構と、該マグネット機構によって生じる磁界を変動させる磁界変動手段とを少なくとも具備することにある。 （もっと読む）

ａ）ターゲット材料を備えるターゲット表面要素と、ｂ）連結面および背面を有し、連結面がターゲット表面要素に連結されている芯裏打要素と、ｃ）芯裏打要素の背面に連結されるかあるいは配置され、芯裏打要素の有効表面積を増大させる少なくとも１つの表面積形状を備える。付加的なスパッタリングターゲットは、ａ）ターゲット表面要素および芯裏打要素が同じターゲット材料を備えるかあるいは材料勾配を備える、一体型のターゲット表面要素および芯裏打要素と、ｂ）芯裏打要素の上にあるかあるいは中に一体化され、芯裏打要素の有効要素を増大させる少なくとも１つの表面積形状を備えるスパッタリングターゲットが、ここに説明される。さらに説明されたスパッタリングターゲットの形成方法は、ａ）表面材料を備えるターゲット表面要素を提供することと、ｂ）裏打材料を備えると共に連結面および背面を有する芯裏打要素を提供することと、ｃ）芯裏打板の背面に連結されるかあるいは配置され、芯裏打板の有効表面積を増大させる少なくとも１つの表面積形状を提供するか、または、芯裏打要素の連結面に連結されるかあるいは配置され、芯裏打要素の有効表面積を増大させる少なくとも１つの表面積形状を提供することと、ｄ）表面ターゲット材料を芯裏打材料の連結面に連結することを備えている。
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【課題】 磁場設計をして安価且つ簡単にバランス型/アンバランス型に切替え可能なスパッタリング陰極を提供、実現しようというものである。
【解決手段】 バランス型磁束配置を有するスパッタリング陰極の原料ターゲット保持面近傍に室温で強磁性を示す物体を設置することにより磁束配置をアンバランス型に変更、取り外すことでバランス型に戻すことによって、切替可能とする。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット材料の多数のタイルを含むターゲットを提供する。
【解決手段】 特に、ターゲット材料を大きな長方形パネルにスパッタ堆積するためのスパッタリングターゲット(80)において、複数のターゲットタイル(32)が二次元の非長方形アレイにおいてバッキングプレート(34)に接合され、タイルは３つ以下のタイルの間隙(84)で合流し、従って、接合中及び繰り返しの熱サイクル中に過剰な不整列に対してタイルをロックする。長方形タイルは、食い違った行、或いはヘリングボーン又はジグザグパターンで配列されてもよい。六角形及び三角形タイルも、本発明の多数の効果を発揮する。扇形状のタイル(154)は、中心に食い違ったオフセット(156)をもつ円形ターゲット(150)において配列されてもよい。 （もっと読む）

真空室内で材料を飛散させる装置であって、−平面内で可動な、平らでかつカソードとして接続可能な少なくとも１つのターゲットを有するターゲット装置を有し、
定置のターゲット環境と、ターゲット装置に対応配置された駆動装置と、ターゲット
に対応配置された少なくとも１つのアノードを有するアノード装置と、
ターゲットの飛散表面からの材料の遊離を助けるための磁場を発生させるための磁気
装置と
を備えている形式のものにおいて、少なくとも１つの非回転対称的な有利には方形のターゲットプレートとして構成されたターゲットが設けられ、該ターゲットがターゲット装置で−平面内で可動であることが提案されている。さらに本発明は材料を飛散させる方法にも関する。
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基板上に薄膜を堆積させるためのスパッタリングステーションは、互いに対向して配置され、プラズマ領域を規定する２つのターゲットと、磁界を生成する永久磁石またはコイルと、磁界を方向付けるヨークと、各ターゲットへのエネルギを個別に制御するために各ターゲットに接続された２つの個別の電源とを備える陰極を含む。
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本発明は、スパッタ領域およびフランジ領域（２２）を有するターゲット構造物を含む。フランジ領域（２２）は、前面の少なくとも一部の上に存在する保護層（５０）を有する。本発明は、フランジ領域（２２）の前面が平面部分を有しているフランジ領域（２２）を有するスパッタ用ターゲット構造物を含む。溝（２６）が前面の中に配置され、前面の傾斜部分は平面部分に対して溝（２６）から横方向に外の方に配置されており、傾斜部分は平面部分に対して傾いている。本発明は、フランジ領域（２２）内に配置されたＯリング用溝（２６）を有するターゲット構造物を含む。Ｏリング用溝は、底部表面、オリフィス、底部表面からオリフィスまで延びる第１の側壁、および第１の側壁に対向する第２の側壁を有する。溝の中の第１の角の角度と第２の角の角度とは同等でない。
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【課題】良好なＸ線コントラスト、生体適合性、および耐腐食性を付与する十分な厚みの放射線不透過性コーティングを有する医療装置を提供すること。
【解決手段】医療装置であって、剥離することなくこの医療装置の使用に固有の大きな歪みに耐えることができる放射線不透過性コーティングを備えている。ステントなどの医療装置の熱機械特性に悪影響を及ぼさないように、蒸着によりステントにＴａコーティングを施す。 （もっと読む）

機能層を作成する方法において、基材がプロセスチャンバー内に導入される工程と、少なくとも１つのプラズマが、例えばプラズマカスケード発生源のような、少なくとも１つのプラズマ発生源（３）により発生される工程と、前記プラズマ（Ｐ）の影響下で、少なくとも１つの第１蒸着材料を前記基材（１）上に蒸着させる工程と、同時に、少なくとも１つの第２材料（６）が、第２の蒸着工程により前記基材に適用される工程と、を備えた方法である。本発明はまた、少なくとも１つのプラズマを発生させる、例えばプラズマカスケード発生源のような少なくとも１つのプラズマ発生源と、蒸着材料を各プラズマ内へ導入する手段と、前記プラズマ発生源と同時に、前記基材上に少なくとも１つの第２蒸着材料を蒸着するように配置された第２蒸着発生源（６）と、を備えた装置である。
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本発明による誘導結合プラズマ源は、半導体ウェハのコーティングやエッチングを行い得るよう、真空チャンバ（３２）内に高密度プラズマを生成するための周縁電離源（３９）を具備している。ＩＣＰ源は、複数の高放射セグメントと複数の低放射セグメントとを有してなるセグメント化構成を具備しており、チャンバの周囲まわりにおいて、プラズマに、リング形状アレイをなすエネルギー分布を付与する。エネルギーは、セグメント化された低インダクタンスアンテナ（４０）から、誘電性ウィンドウ（２５）またはウィンドウアレイ（２５ａ）を介して、さらに、セグメント化されたシールドまたはバッフル（５０）を介して、結合される。アンテナ（４０）は、稠密化して配置された複数の導体セグメント（４５）と、交互的に配置されかつ疎化して配置された複数の導体セグメント（４６）と、を備えている。
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本発明は、回転炉または舟形炉（boat furnace）中で還元剤として水素を使用することにより、モリブデン酸アンモニウムまたは三酸化モリブデンを還元することによる高純度なＭｏＯ_２粉末に関する。加圧／焼結、ホットプレスおよび／またはＨＩＰによる粉末の圧密は、スパッタリングターゲットとして使用されるディスク、スラブまたは板を製造するために使用される。ＭｏＯ_２のディスク、スラブまたは板の形状物は、適当なスパッタリング方法または他の物理的手段を用いて支持体上にスパッタリングされ、望ましい膜厚を有する薄膜を提供する。薄膜は、透明度、導電率、仕事関数、均一性および表面粗さに関連してインジウム−酸化錫（ＩＴＯ）および亜鉛がドープされたＩＴＯの性質と比較可能かまたは前記性質よりも優れている性質、例えば電気的性質、光学的性質、表面粗さおよび均一性を有する。ＭｏＯ_２およびＭｏＯ_２を含有する薄膜は、有機発光ダイオード（OLED）、液晶ディスプレイ（LCD）、プラズマディスプレイパネル（PDP）、電界放出ディスプレイ（FED）、薄膜ソーラーセル、低抵抗オーミック接触ならびに他の電子デバイスおよび半導体デバイスに使用されてよい。 （もっと読む）

スパッタ用ターゲット組立体２０を製造する方法、及びその製品が提供される。本方法はバッキングプレート２６を製造するステップを含み、バッキングプレートは平坦な上面とそこに円筒形状凹部２８を備える。次に、バッキングプレート２６の円筒形状凹部に対応する円錐台背面２４及び前面を有する最終形状に近いターゲットインサート２２が製造される。ターゲットインサート２２はバッキングプレート２６の降伏強度よりも大きな降伏強度を有し、かつバッキングプレート２６の円筒形状凹部の深さよりも高さが大きい。その後、バッキングプレート２６にターゲットインサート２２を拡散接合し、ターゲット組立体を形成するために、塑性変形の状態までターゲット２２をバッキングプレート２６の円筒形状凹部２８へ加温圧縮する。ターゲットインサート２２はバッキングプレート２６の平坦な面上に突出する。
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本発明は、表面粗さＲａ≦１．０μｍ、より好ましくはＲａ≦０．５μｍの内側底面を備えていることを特徴とするホローカソード型スパッタリングターゲットに関する。このホローカソード型スパッタリングターゲットは、スパッタ膜の均一性（ユニフォーミティー）に優れ、アーキングやパーティクルの発生が少なく、さらに底面の再デポ膜の剥がれを抑制でき、成膜特性に優れている。 （もっと読む）

プラズマを用いて基板を処理するための処理システム（１０）は、両端が開口した円筒型のターゲット（３２）と、中空陰極マグネトロン（ＨＣＭ）を形成する米国特許５，４８２，６１１に開示されたタイプのマグネットアレイ（３４）とを用いて提供される。その円筒型ターゲットの開口端部の１つには、米国特許６，０８０，２８７や６，２８７，４３５に記載されているように誘導結合ＲＦエネルギーソース（４０）が配置される。その円筒型ターゲットの一端の誘電体窓（４１）は、外気と処理システムの間にシールを形成するように作用し、真空空間内に位置する蒸着バッフルシールド（４４）によって蒸着から保護され、チャンバー内にコイルからのＲＦエネルギーの供給を可能にするように設計される。ＲＦソースに対向するその円筒型のターゲットの開口端部（１３）は、真空チャンバー（１１）内の処理空間に面する。
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