【課題】アーキングの抑制とクリーニング頻度の低減により、欠点の少ない膜を生産性よく製造する。
【解決手段】陽極部(30)の内部又はその近傍に補正磁気回路(32)を設け、ターゲット(18)を貫通する磁力線の一部が防着板(27)を迂回して陽極部(30)の一部を貫通する磁界を形成する。防着板(27)は、補正磁気回路(32)単独の磁力線が陽極部(30)表面の法線と最も平行に近くなる点のうち、該法線方向の前記陽極の一部を貫通する磁界の貫通位置に近い方の点における法線の方向(48)とのなす角度が１０度以下の着膜側表面(27Ａ)を有する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタソースのターゲット有効期間に亘っての分布変化を補整可能にする、絶縁材料の被覆方法を実現することである。
【解決手段】
被覆さるべき基板上において、さらにスパッタさるべきターゲット（９）の全有効期間に亘り再現可能な方法で優れた分布が達成さるべき絶縁層を製造するための、真空スパッタ方法に関し、この発明では、高周波でスパッタされる絶縁ターゲット（９）の厚さにならい削りが施され、しかも浸食率が高い領域でのターゲット厚さはより厚く、かつ／または浸食率の低い領域ではターゲット厚さがより薄く選択されるように、ならい削りが選択されるよう、提案される。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタ法において短冊形ターゲットを使用して半導体ウエハにスパッタ成膜を効率的かつ均一に行えるようにする。
【解決手段】被成膜体の半導体ウエハをウエハ配置面Ｐ上の円形基準領域Ａにぴったり重ねて配置する。そして、円形基準領域Ａの中心Ａ_Oを通る法線を回転中心軸として半導体ウエハを所定の回転数で同軸回転させる。そうすると、半導体ウエハ表面の各部は、一回転毎に、半径Ｒ／２よりも内側のウエハ中心部は短冊形堆積領域Ｂ₁のみを通過する間に短冊形ターゲット１０(1)からのスパッタ粒子を浴び、半径Ｒ／２よりも外側のウエハ周辺部では両短冊形堆積領域Ｂ₁，Ｂ₂を通過する間に両短冊形ターゲット１０(1)，１０(2)からのスパッタ粒子を浴びるという形態のスパッタ成膜処理を受ける。 （もっと読む）

【課題】反応性ガスによって金属ターゲット表面に急激な酸化物層が形成されることを抑え、反応性スパッタリングで金属酸化物組成の金属酸化物膜を再現性よく形成し、３８０〜７８０ｎｍの可視光域において高遮光性、低反射率化、低光沢化が達成された耐熱遮光フィルムを提供すること。
【解決手段】耐熱性の樹脂フィルム上に金属膜を形成し、さらに金属膜上に金属酸化物膜を順次形成する耐熱遮光フィルムの製造方法において、金属膜を形成した後、金属膜の成膜に用いた金属ターゲットのスパッタリングを停止することなく、連続的に金属酸化物膜形成のために所定の反応性ガス流量／スパッタリングガス流量比により所定時間、初段プレスパッタリング、中段プレスパッタリング及び後段プレスパッタリングを順次行い、後段プレスパッタリング終了時のガス流量比で本スパッタリングを行うようにした。 （もっと読む）

【課題】良好でかつ要求された特性を維持することができ、膜堆積の間停止状態にある温度制御性の良好なウェハーホルダを有するプラズマ支援スパッタ成膜装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ支援スパッタ成膜装置は次の構成からなる。プラズマの生成のため使用されるプロセスガスが導入される反応容器１と、プラズマによってスパッタされる物質で作られるドーナツ型電極であって、その下面はウェハーの表面に対し傾斜されているドーナツ型電極２と、ドーナツ型電極の上方の円の上を移動しながらその中心軸で回転する回転プレートであって、その下面に取付けられかつドーナツ型電極の表面に平行なマグネット配列４を含む回転プレート３と、ドーナツ型電極に接続された電力源１０と、そして膜堆積のためウェハー９を配置するためのウェハーホルダ５であって、膜堆積の間停止状態にあるウェハーホルダとから構成される。 （もっと読む）

コア材料および表面材料を含むフィールド増加型スパッタリングターゲットを開示し、コア材料または表面材料のうちの少なくとも1つがフィールド増加設計プロファイルを有し、スパッタリングターゲットは実質的に均一の浸食プロファイルを有する。フィールド増加型スパッタリングターゲットおよび陽極シールドを含むターゲットアセンブリ・システムをまた開示する。加えて、スパッタリングターゲット上で実質的に均一の浸食を生成する方法を記載し、それは陽極シールドを提供し、陰極のフィールド増加型ターゲットを提供し、プラズマ点火アークを始めることを含み、アークは陽極シールドおよび陰極フィールド増加型ターゲットとの間で最少の抵抗のポイントに配置される。
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【課題】スパッタリング量が不安定な不安定期間の発生を抑制できるターゲットおよびスパッタリング用ターゲット部材を提供する。
【解決手段】ターゲット１Ａは、スパッタリングによって消耗する消耗部位に凹部３Ａを設けている。スパッタリング用ターゲット部材５は、裏面に凸部８を有し、凸部８が形成される面とは反対側となる表面には、凸部８の対応位置に凹部３Ａを有するターゲット１Ａと、凸部８が嵌合する窪み部６Ａを有するターゲット１Ａの保持部材６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板へのダメージを低減可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】複数の凹部３は、電極２のホルダー７側の面に面して電極２に形成される。ターゲット部材６は、石英からなり、複数の凹部３の内壁と、電極２のホルダー７側の面とに沿って配置される。複数の配管４は、Ａｒガスを複数の凹部３内の空間へ供給し、複数の配管５は、Ｏ_２ガスを電極２とホルダー７との間の空間に供給する。ホルダー７は、基板１２を支持し、ヒーター８は、基板１２の温度を昇温する。高周波電源９は、電極２とホルダー７との間に高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】簡便な製法により従来よりもバリア性が高い有機無機積層型のバリア性積層体を提供する。
【解決手段】プラスチックフィルム支持体上に、少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層とを有するバリア性積層体を製造する方法において、支持体にバイアスを印加しながら前記有機層をスパッタリング法によって成膜する。 （もっと読む）

複合スパッタリングターゲットは、同一又は異なる材料の使用済みスパッタリングターゲットでできる又は、表面に窪みが形成された異なる材料からなるバックプレートの中に金属又は金属含有パウダーを加熱加圧することによって製造される。窪みは同じ幾何学を有するターゲットのエロージョンパターンに相当する。窪みは、例えば機械加工によって形成できる。バックプレートは、グラファイト金型内に装着され、アセンブリを形成するためにスパッタリング材料で覆われる。詰め込み具が加えられたアセンブリは、緻密にされたスパッタリング材料のスパッタリングゾーンを有する複合スパッタリングターゲットを形成するために、真空下で適正な加圧と加温による加熱加圧を行う。 （もっと読む）

【課題】 処理基板の成膜する側の面とターゲットプレートとを、平行に対向させ、マグネトロンスパッタ方式でスパッタを行うスパッタ装置で、ノジュールの発生をできるだけ抑え、且つ、処理基板の大型化に対応できるスパッタ装置を提供する。そして、そのようなスパッタ装置用のターゲットプレートを提供する。
【解決手段】 バッキングプレートの一面に沿い配され、且つ、長手方向の中央と、長手方向の両端側において、それぞれ、長手方向に直交する方向に、０．２ｍｍ〜０．４ｍｍの範囲で隙間をあけて分割されている。 （もっと読む）

【課題】ターゲットから金属元素を金属の状態で放出させて成膜するメタルモード成膜を安定化させる。
【解決手段】プラズマ生成室から基板に向かいプラズマの流路において、プラズマ中の酸素活性種の流れを制御することによって、ターゲット表面での急激な酸化を抑制するともに、基板表面での酸化反応を促進し、メタルモード成膜を安定化させる。反応室内に、プラズマが基板に向けて流れる流路に沿って配置するターゲット電極と、プラズマに流れを制御するシールドとを備え、シールドによりプラズマ中の酸素活性種の流れを制御する。基板方向に向かうプラズマとターゲット方向に向かうプラズマの流動比率を変更することによって、ターゲット表面に向かう酸素活性種の量を抑制すると共に、基板に向かう酸素活性種の量を相対的に増大させ、ターゲット表面での急激な酸化を抑制し、基板に向かう酸素活性種の量を増すことで基板表面での酸化反応を促進する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの使用効率を向上させる成膜源、スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲット２１には孔２６が形成され、磁石装置２０は磁石移動装置４により、ターゲット２１の孔２６の周囲を移動する。従って、磁石装置２０により形成されるエロージョン領域は、孔２６の周囲に形成され、非エロージョン領域になるべき部分にはターゲット２１が存在しないから、ターゲット２１の使用効率が高い。孔２６の底面上には接地電極２５が配置されているから、孔２６の内部に露出する部材がスパッタリングされない。 （もっと読む）

【課題】 可視及び紫外域で吸収のないＭｇＦ_２，ＬａＦ_３，ＹＦ_３，ＡｌＦ_３等のフッ化物薄膜や、Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２，Ｔａ_２Ｏ_５，ＴｉＯ_２等の酸化物をスパッタリングにより、高速に安定して形成することを目的とする。
【解決手段】 一端が開口した、コンダクタンスが制御された可動ターゲットユニット内部にＡｒ，Ｘｅ，Ｋｒ等の不活性ガス供給孔を設け、該ターゲットと基板間に少なくともフッ素もしくは酸素を含む反応性ガスを供給可能な反応性スパッタリング装置において、
該反応性ガスが基板方向に噴出する構成とする。噴出する位置はターゲット−基板に挟まれる空間であって基板表面の反応性ガス濃度をより高く維持できるようにする。
また、ターゲットが移動する際にはガス噴出し口もともに移動もしくは噴出し位置が可変できる構成とする。これによって基板表面の反応性ガス濃度を効率よく一定に保つことができ、高品質な光学薄膜を形成できる。 （もっと読む）

【課題】膨らませた部分を正確に位置させることが容易となると共に、スパッタされる部材に穴があいてもターゲット部材を設置する部分は荒らされることがないターゲット部材の提供。
【解決手段】スパッタリング用ターゲット部材１は、裏面に凸部２Ａを有するスパッタリング用のターゲット２と、凸部２Ａが嵌合する凹部３Ａを有するターゲット２の保持部材３と、を有する。このスパッタリング用ターゲット部材１の製造法は、凸部２Ａを有するスパッタリング用のターゲット２の凸部２Ａを、凹部３Ａを有するターゲット２の保持部材３の凹部に嵌合させる工程と、ターゲット２を保持部材と圧接させる工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１０内でシラン系ガス及び水素ガスからプラズマを形成してターゲット基板１００上にシリコン膜を形成してシリコンスパッタターゲットを得、これをチャンバ１へ外気に触れさせることなく搬入配置して、チャンバ１内でスパッタリング用ガスからプラズマを発生させ、該プラズマでターゲットのシリコン膜をケミカルスパッタリングして基体Ｓ上にシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】アーキングの発生を確実に低減し、かつ割れおよびクラックの発生を抑制できるスパッタリングターゲット材、およびこれから得られるスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲット材は、矩形状のスパッタリング面、矩形状の側面および矩形状のボンディング面を有する略板状のスパッタリングターゲット材において、該スパッタリングターゲット材を構成する複数の面のうち、少なくとも３つの面が当接することにより形成されるコーナー部に、面取り処理が施されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】種々の形状のワークに対して成膜を行う。
【解決手段】第１ターゲット装置１１は、円筒状のターゲットユニットその軸心をカルーセル４の回転軸４ａと平行となる姿勢で、また第２ターゲット装置１２は、ツツミ状のターゲットユニットがその軸心をカルーセル４の回転軸４ａと直交する姿勢とされて真空槽３内に配置されている。第２ターゲット装置１２のターゲット層の表面がワーク７の上面や下面に対向するため、それら第１ターゲット装置１１ではほとんど成膜されない部分にもスパッタ原子が堆積して成膜が行われる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングプロセスに用いられてガラス基板上などに各種導電膜を形成する際に、その膜厚不均一などの製造不良を発生させるという問題を解消することを可能とした、複数のターゲット材ピースを接合してなるスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ターゲット材ピース１ａ、１ｂ同士の接合部の突合せ断面形状２を、互いに隙間なく嵌め合されるような凹凸を有する組み合わせ構造に形成しておき、その組み合わせ構造を隙間なく嵌め合わせた状態で、このスパッタリングターゲット材自体が用いられる際にスパッタリング面となる表面側（おもて面側）３には前記摩擦攪拌接合を施さず、表面側３とは反対の裏面側４から摩擦攪拌接合を施して、ターゲット材ピース１ａ、１ｂ同士を接合する。 （もっと読む）

【課題】原子炉炉心に挿入して炉心内の中性子を測定する中性子検出器のカソードに形成される中性子変換層について、プラズマを発生させる雰囲気ガス中の不純物の濃度を低減させて、品質（膜質）の高い中性子変換層を得ることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、放電電極２と、中性子検出器３０のカソード３３として用いられる円筒状の接地電極４と、放電電極２と接地電極４とを電気的に絶縁する筒状あるいはスリーブ状の絶縁体５と、放電電極２と接地電極４との間に電力を供給する電源部６と、放電電極２と絶縁体５とを接地電極４の長手軸方向に移動させる電極移動部７と、少なくとも接地電極４内を真空にする真空手段８と、接地電極４内に雰囲気ガス９を導入する雰囲気ガス供給部１０とから構成される。 （もっと読む）