【課題】成膜レートの安定化、面内均一性の向上およびターゲットの長寿命化を図る。
【解決手段】プラズマ形成空間２１ａを形成する真空槽２１と、この真空槽の上部を閉塞する天板２９と、プラズマ形成空間にプラズマを発生させる高周波コイル２３と、磁気コイル群２４と、プラズマ形成空間に設置された基板支持用のステージ２６と、プラズマ形成空間へプロセスガスを導入するガス導入部３３と、天板に固定されたスパッタリング用のターゲット４０とを備え、エッチング処理とスパッタ処理を交互に行って基板の表面に高アスペクト比の孔又は溝を形成するプラズマ処理装置２０であって、ターゲット４０の外周部をプラズマ形成空間に向かって突出形成することによって、ターゲットの外周部の集中的な摩耗による成膜レートのバラツキ、面内均一性の低下およびターゲットの寿命の低下を抑制する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ中の割れを著しく低減できる円筒形スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ＩＴＯまたはＡＺＯからなる円筒形ターゲット材１の相対密度が９０％以上であり、外周面の研削方向２と円筒軸に平行な直線３とのなす角度（前記角度のうち、０°以上９０°以下のものを示すθとする）が、４５°＜θ≦９０°またはｔａｎθ＞πＲ／Ｌ（Ｒは円筒形ターゲット材１の外径、Ｌは円筒形ターゲット材１の長さ）であり、かつ、前記円筒形ターゲット材１の外周面の表面粗さＲａが３μｍ以下である円筒形スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】原子炉炉心に挿入して炉心内の中性子を測定する中性子検出器のカソードに形成される中性子変換層ついて、高真空度下においても安定なプラズマを発生させて、品質（膜質）の高い中性子変換層を得ることのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、放電電極２と、中性子検出器３０のカソード３３として用いられる円筒状の接地電極４と、放電電極２と接地電極４とを電気的に絶縁する筒状あるいはスリーブ状の絶縁体５と、放電電極２と接地電極４との間に電力を供給する電源部６と、放電電極２と絶縁体５とを接地電極４の長手軸方向に移動させる電極移動部７と、電源部６が供給した電力により放電電極２と接地電極４との間に発生した電界へ磁界を加える磁界発生部８と、少なくとも接地電極４内を真空にする真空手段９とから構成される。 （もっと読む）

クラスターチャンバーとリニアソースとを組み合わせたシステムおよび方法が説明されている。複数のウェハがパレット上に搭載される。クラスターチャンバー内の中央ロボットは、クラスターチャンバーに接続されたチャンバーの間でパレットを移動する。クラスターチャンバーに接続された少なくとも１つのチャンバーは、リニアデポジションソースを有し、パレットはリニアデポジションソースに対して移動可能である。
（もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＣｅとＡｌの双方の元素を含み、ＣｅがＡｌよりも含有割合が高く、Ｃｅの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ａｌの含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

ある厚さのスパッターターゲット表面変形層を除去するための方法を提案する。この方法により、スパッタリング作業時のバーンイン時間の短縮が実現される。この方法は、粘弾性研磨媒体による、ターゲット表面の押出しホーンポリッシングから成る。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＹとＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素を含み、ＹがＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素よりも含有割合が高く、Ｙの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素の含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

スパッタリングターゲット集合体を製造する方法において、粉末形態の金属及び合金を用いてターゲット材料を支持板に接合し、真空ホットプレス中で達成される温度で、実質的に１００％の接合を達成することによる、上記方法。
（もっと読む）

本発明は、帯材状の基板の表側の少なくとも一部の領域を、第１のプロセスチャンバ内及び第２のプロセスチャンバ内で真空処理、特に真空コーティングするための処理装置であって、前記第１のプロセスチャンバが第１のプロセスローラと少なくとも１つのプロセス源とを有し、前記第２のプロセスチャンバが第２のプロセスローラと少なくとも１つのプロセス源とを有している形式のものに関する。本発明によれば、前記第１のプロセスチャンバと第２のプロセスチャンバとの間にトランスファチャンバが配置されており、該トランスファチャンバが、前記２つのプロセスチャンバに接続されていて、前記２つのプロセスチャンバのうちの少なくとも一方に対して圧力的に分離可能であって、処理しようとする基板のための、取り出し可能な繰り出し部を備えた繰り出し装置と、取り出し可能な巻取り部を備えた巻取り装置と、前記繰り出し部及び／又は巻取り部を供給可能及び取り出し可能にするためのアウターロックとを有している。この場合、前記処理しようとする基板はその裏側が、第１及び第２のプロセスローラに対面していて、該基板が、前記巻取り装置から第１のプロセスローラにガイドされ、第１のプロセスローラから第２のプロセスローラにガイドされ、また第２のプロセスローラから前記トランスファチャンバを通って前記巻取り装置にガイドされるようになっている。本発明は、このような処理装置を駆動するための方法に関する。
（もっと読む）

【課題】 加圧容器への原料粉末の充填密度を向上させ焼結体の変形を低減させたＭｏターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 平均粒径２０μｍ以下のＭｏ原料粉末を圧縮成形した圧密体を、粉砕し該原料粉末の平均粒径以上でかつ平均粒径１０ｍｍ以下の二次粉末を作製した後、該二次粉末を加圧容器に充填し、次いで加圧焼結を施し焼結体を得るＭｏターゲット材の製造方法である。また、前記原料粉末は冷間静水圧プレスで圧縮成形するＭｏターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】寿命を長くして交換頻度を少なくすることができる、マグネトロンスパッタリング用の強磁性体スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明に係る強磁性体スパッタリングターゲットは、表面に、複数の孔状の凹部を有する。前記凹部は、少なくとも底面上の部分における径又は幅が３ｍｍ以下であるのが好ましい。前記強磁性体スパッタリングターゲットは円板状である場合、前記複数の凹部の一つは、前記強磁性体スパッタリングターゲットの中心に配置され、前記複数の凹部の少なくとも一部は、前記強磁性体スパッタリングターゲットと同心の円周に沿って略等間隔で配置されている。 （もっと読む）

【課題】円板状ターゲット素材とバッキングプレート素材を接合してバッキングプレート付きスパッタリングターゲットを製造する方法を提供する。
【解決手段】片面に突起２１を有する高硬度の金属からなる円板状ターゲット素材１と熱伝導性に優れかつ前記円板状ターゲット素材１よりも低硬度の金属からなる円板状バッキングプレート素材３を前記円板状ターゲット素材の突起２１が前記円板状バッキングプレート素材に接するように重ね合わせたのち加圧接合してスパッタリングターゲットとバッキングプレートを接合するバッキングプレート付きスパッタリングターゲットを製造する方法において、前記円板状ターゲット素材の片面に形成されている突起２１は、全てその先端７が円板状ターゲット素材の中央に向かって傾斜していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時の異常放電およびパーテイクルの発生が少なく、ターゲット材が割れ難いシリコンターゲット材を提供する。
【解決手段】ターゲット材表面のエロージョン部に挟まれた非エロージョン部が溝状に形成されていることを特徴とし、好ましくは、上記非エロージョン部溝の底部コーナ部および両端コーナ部が湾曲面ないし傾斜面によって形成されており、ターゲット側端の非エロージョン部が面取り加工されており、非エロージョン部の溝の深さがエロージョン部の浸食深さと同等か浸食深さより深く形成されているシリコンターゲット材。 （もっと読む）

【課題】基板上にマスクを設け、マグネトロンスパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成するためのマグネトロンスパッタ用ターゲットにおいて、マグネトロンスパッタリングにより、スパッタリングターゲット材の消費に無駄が無く透明導電膜を形成でき、また透明導電膜の抵抗率や透過率の制御が容易にできるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】多数の穴の開いた透明導電膜用材料からなる円盤状ターゲットに、ターゲットと同一透明導電膜用材料または他の透明導電膜用導電材料からなる円柱ピン形状のターゲットを多数の穴に完全充填するよう挿入させたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットを大型化してもそのクラックや破壊を未然に防止できる新規なコーティング装置およびスパッタリング成膜方法の提供。
【解決手段】チャンバー10内に設置されるバッキングプレート90に当該バッキングプレート90と線膨張係数の異なる板状のターゲット40を備えたコーティング装置100であって、前記ターゲット40を複数の分割ターゲット40aで構成すると共に当該各分割ターゲット40a同士を元の形状を維持すべく互いに所定の隙間を隔てて配置し、各々前記バッキングプレート90に取り付ける。これによって、各分割ターゲット40a間の隙間が適宜拡大縮小することでその膨張収縮量の差を吸収できるため、大型のターゲット40を用いた場合でも、これにクラックや破壊が生ずるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時にスパッタリングターゲット部のクラック不良や割れ不良およびスパッタリングターゲット部の膨張によって回転時にスパッタリングターゲット部が空転する現象を防ぐことができる回転式ターゲットアセンブリを提供する。
【解決手段】中空状の回転ローラと、回転ローラの外周に形成されたスパッタリングターゲット部と、回転ローラとスパッタリングターゲット部との間に介在され、熱伝導率がスパッタリングターゲット部より大きい冷却挿入部材とを備える回転式ターゲットアセンブリ。 （もっと読む）

【課題】ターゲット（１２４）のスパッタ面状に閉鎖プラズマループをそれぞれ形成する１つ以上のマグネトロン（１１２）を含むマグネトロンアセンブリを提供する。
【解決手段】ターゲットは、その上で各帯状マグネトロンが転動（１２６）し、バネ機構（１１４）を介して共通の支持プレート（３２）に部分的に支持されている複数の帯状ターゲットを含んでいてもよい。帯状マグネトロンは二段式褶曲マグネトロン（２００）であってもよく、ここで各マグネトロンが帯状ターゲットの側部の間に延びる褶曲プラズマループを形成し、またその端部はターゲットの中央で接する（２２０）。マグネトロンを形成する磁石は湾曲部により連結された概して均一な直線部分を有するパターンに配置してもよく、ここでプラズマ軌道を操作するためにコーナー部付近では追加の磁石位置が利用可能である。 （もっと読む）

【課題】アーキングを低減しながら、膜厚均一性に優れたスパッタ膜の形成を可能とする、スパッタリング方法およびターゲットの提供。
【解決手段】厚肉部、薄肉部およびそれらの間の傾斜部を備えたスパッタリングターゲットを、マグネトロンスパッタリング装置内に、厚肉部および薄肉部がエロージョン領域および非エロージョン領域にそれぞれ対応するように配置する。ここで、傾斜部の少なくとも一つが、エロージョン領域および非エロージョン領域の両方にまたがり、なおかつ、エロージョン／非エロージョン領域の境界線上において薄肉部の表面を基準として０．３〜２．０ｍｍの高さを有するようにする。そして、スパッタリング操作を行う。 （もっと読む）

伸張した側壁を備えているＰＶＤスパッタリングターゲットを製作するための方法であって、ａ）表面材料を芯材料に接合して粗形材を製作する段階と、ｂ）粗形材を成形する段階と、実施形態によっては、ｃ）少なくとも１つの機械加工工程を使用してターゲットを形成する段階、を含んでいる方法を説明している。更に、伸張した側壁を備えているＰＶＤスパッタリングターゲットを製作するための方法であって、ａ）表面材料を芯材料に接合して粗形材を製作すると同時に、同粗形材を成形する段階と、実施形態によっては、ｂ）少なくとも１つの機械加工工程を使用してターゲットを形成する段階、を含んでいる方法を説明している。これらの方法を使用して形成されたＰＶＤスパッタリングターゲットと関連装置もここで説明している。
（もっと読む）

【課題】バリヤ層や補助シード膜等の成膜プロセス条件を適切に選択して凹部の底部を削り取り、削り込み窪み部の底部の電気抵抗上昇の原因となる層を取り除きつつ側面や上面に薄膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器３４内で金属ターゲット７８をイオン化させて金属イオンを含む金属粒子を発生させ、載置台４４上に載置した被処理体Ｗにバイアス電力により引き込んで表面に凹部５が形成されている被処理体の表面に薄膜を形成する成膜方法において、凹部の最下層の底部を削って削り込み窪み部１２を形成しつつ凹部内の表面を含む被処理体の表面全体に第１の金属を含む薄膜よりなるバリヤ層１０を形成するバリヤ層形成工程と、削り込み窪み部の底部を更に削って凹部内の表面を含む被処理体の表面に第２の金属を含む薄膜よりなるメッキ用の補助シード膜１４Ａを形成する補助シード膜形成工程とを有する。 （もっと読む）