【課題】支持軸およびターゲット管の高度でかつ高負荷可能な同軸性と、水および真空に対する高い信頼度のシールと、前記支持軸とターゲット管との簡単な、頻繁に繰返し可能な、磨耗の少ない結合部および分離部とが、必須の操作のための広い自由空間および長い時間を必要とすることなく同時に実現可能であるようなものを提供する。
【解決手段】少なくとも駆動可能な支持軸６とターゲット管１２との間に、これらに対して同軸的なスペーサ部材１５，６７と、解離可能な２つの分離箇所３２／５３；６０／６１とが配置されており、該分離箇所３２／５３；６０／６１によって、一方では支持軸６とスペーサ部材１５，６７との間の、他方ではスペーサ部材１５，６７とターゲット管１２との間の、相対回動不能でかつ形状剛性的な結合部が、解離可能および再形成可能であるようにした。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、所望の成分分布を得ることができるスパッタ装置を提供することである。
【解決手段】この発明は、真空室内に回転自在に設置された基板ホルダと、該基板ホルダ上に載置された基板と、該基板に薄膜を形成するためのターゲットと、該ターゲットが搭載される回転可能なスパッタカソードとを少なくとも具備し、前記ターゲットをスパッタして前記基板に薄膜を形成するスパッタ装置において、前記スパッタカソードを基板に対して傾斜させると共に、前記ターゲットの中心を前記スパッタカソードの回転軸に対して偏心させたことにある。 （もっと読む）

【課題】
構成元素や不純物添加量が膜中で変化した薄膜を短時間かつ低コストで形成可能なマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】
マグネトロンスパッタリング装置１０は、薄膜が堆積される基体３０と、基体３０と対向して配置されたターゲット２０と、ターゲット２０の表面に磁界を発生させる磁界発生手段として磁石５０およびヨーク５２を備える。ターゲット２０が２つの領域に分割され、一方の領域にＺｎ_２ＧｅＯ_４：Ｍｎ（２ａｔ．％）を充填し、他方の領域にＺｎ_２ＧｅＯ_４：Ｍｎ（２ａｔ．％）を充填することにより、Ｇｅ含有量Ｘが基体上の長手方向に連続的に変化したＺｎ_２Ｓｉ_１−ＸＧｅ_ＸＯ_４：Ｍｎ（２ａｔ．％）複合酸化物蛍光体薄膜を基体３０上に形成することができる。 （もっと読む）

【目的】
露光装置の高ＮＡに対応するために、低入射角度から高入射角度にわたって反射防止効果の高い反射防止膜に有用な低屈折率フッ化物薄膜を形成する
【構成】
金属ターゲットを使用し、不活性ガスとフッ素を含むガス中で直流反応性スパッタリングを行い、ターゲットからの負イオンダメージとプラズマダメージを防止して低吸収の金属フッ化物薄膜を形成するスパッタリングにおいて、
不活性ガス分圧を高く保持してスパッタリングすることで金属フッ化物薄膜中に過剰に取り込ませ、薄膜の密度を任意に調整可能とする。また、不活性ガス分圧を基板近傍のみ高く維持可能なように基板に高速で照射する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の４族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する半導体薄膜製造装置および方法を提供する。
【解決手段】 希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を１×１０^−７Ｔｏｒｒ未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を１×１０^−７Ｔｏｒｒ未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の４族系半導体結晶が形成できる。 （もっと読む）

【課題】コストを低減すると共に、歩留まりを向上させる。
【解決手段】非滑面領域１８ｂ近傍で電離したアルゴンイオンは、ターゲット９表面の非滑面領域１８ｂに衝突し、ターゲット９からスパッタ粒子を放出させて非滑面領域１８ｂを削る。非滑面領域１８ｂから放出され、ガラス基板１３に向かずに中央部の滑面領域１８ａに向かい、滑面領域１８ａに衝突したスパッタ粒子は、滑面領域１８ａが、その表面粗さが、少なくともアンカー効果が無視できる所定値以下の値とされているために、滑面領域１８ａに再付着せずに、このまま落下する。したがって、滑面領域１８ａに堆積して突起部を形成して、ある程度の大きさに成長した後に落下したり、異常放電の原因となることもない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マグネトロン・スパッタリング・デバイスおよび高い生産レートで基板上に材料を堆積する技法に関し、堆積した膜は予想された厚み分布を有し、装置は、非常に長期間にわたって連続して、かつ、反復して動作することが可能である。
【解決手段】本発明は、サイクル時間を減らすことによって生産の増加を実現する。コーティング・レートの増加は、遊星駆動システムを大きな陰極と結合することによって達成される。陰極直径は、遊星の直径より大きく、かつ、遊星の直径の２倍未満である。アーク放電を抑制する、陰極における低い電力密度によって低い欠陥率が得られ、一方、マスクを使用することなく、遊星に対する陰極の幾何形状によってランオフが最小になる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ成膜時の高エネルギー粒子による被成膜部材の損傷を低減することができる対向ターゲット式スパッタ装置、並びに、この装置を利用した有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス素子を提供する。
【解決手段】 ターゲット面が空間を隔てて略平行に対向するように設けられた一対のターゲットと、ターゲット面に対して略垂直方向に磁界を発生させる磁界発生手段とを有し、ターゲット間の空間の側方に該空間と対面するように配置された被成膜部材上に膜形成を行う対向ターゲット式スパッタ装置であって、上記対向ターゲット式スパッタ装置は、ターゲット間の空間と被成膜部材との間に、ターゲット面よりも対向するターゲットの方向に突出した部分を有するプラズマ抑制板が設けられたものである対向ターゲット式スパッタ装置である。 （もっと読む）

高蒸着スパッタリングのための方法および装置が記載されている。スパッタリング源は、アノードと、アノードに隣接して配置されたカソードアセンブリとを備える。カソードアセンブリは、スパッタリングターゲットを備える。電離源は、アノードおよびカソードアセンブリの近傍に弱電離プラズマを発生させる。電源はアノードとカソードアセンブリとの間に電場を形成させ、電場は弱電離プラズマから強電離プラズマを創り出す。強電離プラズマは第一の複数のイオンを含み、第一の複数のイオンはスパッタリングターゲットに衝突してスパッタリングターゲット中に十分な熱エネルギーを発生させ、スパッタリングターゲットのスパッタ率をスパッタリングターゲットの温度に非線形に関連させる。
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本発明は、マグネトロンスパッタリング・ターゲットのスパッタリング面における侵食の均質性を改良するための方法に関するものである。本発明は、スパッタリング面全体のレベルにおいて、マグネトロンの生成した磁気誘導線の曲率の減少を起こすように、ターゲットに対して固定状態に保たれるマグネトロンに結合するためのターゲットに対し、このターゲットへの完全または部分的な挿入、あるいはターゲットへの並置によって、少なくとも一つの強磁性部品を付加することを特徴とする。
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【課題】 ターゲット表面における磁場の垂直成分が適切な分布となるようにし、エロージョン領域を広くすることができるマグネトロン・スパッタ装置用の磁界発生装置を提供すること。
【解決手段】 磁界発生用の磁気回路に近接して配置されるターゲット１０を支持するバッキングプレート５とを備えたマグネトロン・スパッタ装置用の磁界発生装置において、磁気回路は、ターゲット１０に対して直交する方向にＮ極とＳ極とが位置するように配置される中央側永久磁石１と、これを取り囲むように形成されると共に、ターゲット１０に対して直交する方向にＳ極とＮ極とが位置するように配置される外側永久磁石２と、中央側永久磁石１の磁極と外側永久磁石２の磁極の間に、ターゲット面と平行になるように、バッキングプレート５に取り付けられるシャント板６とを備え、ターゲット表面における、磁気回路による磁場のターゲット面に対して垂直な成分が、ゼロもしくはゼロ近傍でフラットとなるように、あるいは、ゼロ点を３回交差するように、シャント板６が配置される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で使用効率の高いターゲットを有するマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２と、真空チャンバ２内にあって、ターゲット３を保持するカソード４と、カソード４の上方にあって、カソード４のターゲット３側と対向するようにした基板５を保持するアノード６と、カソード４の下方にあって磁界１２を発生させるための永久磁石と、を有するマグネトロンスパッタリング装置１において、永久磁石７は、磁石を固定するベース８と、ベース８の中央部に固定された第１永久磁石９と、ベース８の端部に固定され、第１永久磁石９を取り囲み、磁極の極性が第１永久磁石７と反対でかつ磁界強度が第１永久磁石７より弱い、角状の第２永久磁石１０とからなり、更に、永久磁石７をカソード４に対して、上下動及び水平移動させる移動制御部１１を備えている。 （もっと読む）

【課題】コストを低減すると共に、ガラス基板上に成膜される膜厚を一定に保つ。
【解決手段】コントローラ２の制御部は、板状のターゲットＴの残膜厚が所定値まで減少したと判断すると、モータ３１を所定の回転量回転させて、ターゲットＴを所定量変位させる。ターゲットＴは、磁界の強さが所定値以上で、プラズマが集中する領域に、ターゲットＴのうち、残膜厚が初期ターゲット膜厚に略等しい領域が重なるうように移動し、スパッタリングが継続して実施される。ターゲットＴが移動しても、ガラス基板Ｓに対して磁界分布は変動しないために、磁界の強さが所定値以上でターゲットＴ近傍のプラズマが集中する領域は、ガラス基板Ｓに対して変動せず、したがって、スパッタされる粒子が比較的多数放出される箇所は変動せず、ガラス基板Ｓに成膜される膜厚の分布は均一に保たれる。 （もっと読む）

基板上に薄膜を堆積させるためのスパッタリングステーションは、互いに対向して配置され、プラズマ領域を規定する２つのターゲットと、磁界を生成する永久磁石またはコイルと、磁界を方向付けるヨークと、各ターゲットへのエネルギを個別に制御するために各ターゲットに接続された２つの個別の電源とを備える陰極を含む。
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【課題】 時間経過による良好な安定性と良好な再現性を持ちながら、なお電気アーク形成の危険を減らし、好ましくは高出力の電気放電を発生することを可能とするパルス型マグネトロンスパッタリングにより物質を蒸着する方法を提供する。
【解決手段】 この課題は、マグネトロン陰極に付与される各主電圧パルスに先立ち、主電圧パルスの遮断後の電流パルスの減衰時間が５μｓ未満の電流パルスを発生するようにガスが予備イオン化されることにより達成された。 （もっと読む）

マグネトロン源、マグネトロン処理チャンバ、かつ真空プラズマ処理される表面を有する基板を製造する方法は、非対称の非平衡の長い範囲のマグネトロン磁界パターンを生成しかつ用い、そのマグネトロン磁気パターンは、真空プラズマ処理される基板表面でのイオン密度を改善するために基板表面に沿って掃引される。長い範囲の磁界は、少なくとも０．１ガウス、好ましくは１ガウスから２０ガウスの間の基板表面に平行な磁界の成分を有して基板表面に到達する。プラズマ処理は、例えばスパッタリング被覆またはエッチングであり得る。
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本発明による誘導結合プラズマ源は、半導体ウェハのコーティングやエッチングを行い得るよう、真空チャンバ（３２）内に高密度プラズマを生成するための周縁電離源（３９）を具備している。ＩＣＰ源は、複数の高放射セグメントと複数の低放射セグメントとを有してなるセグメント化構成を具備しており、チャンバの周囲まわりにおいて、プラズマに、リング形状アレイをなすエネルギー分布を付与する。エネルギーは、セグメント化された低インダクタンスアンテナ（４０）から、誘電性ウィンドウ（２５）またはウィンドウアレイ（２５ａ）を介して、さらに、セグメント化されたシールドまたはバッフル（５０）を介して、結合される。アンテナ（４０）は、稠密化して配置された複数の導体セグメント（４５）と、交互的に配置されかつ疎化して配置された複数の導体セグメント（４６）と、を備えている。
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本発明に係る半導体製造用対向ターゲットスパッタリング装置は、不活性ガスが出入りすることができる気密チャンバと、互いに対向してそれら間にプラズマ区域を形成するように気密チャンバの対向端部に各々置かれる一対のターゲットプレート１２０、１１０と、プラズマ区域１３０に亘って相異する極性の磁極が互いに対向することによりターゲットプレート１２０、１１０の間のプラズマ区域１３０に磁場を樹立するようにターゲットプレート１２０、１１０の付近に各々配置される一対の磁石１０２、１０４、１０６、１０８と、プラズマ区域１３０の付近に配置され、合金薄膜が上部に蒸着される基板２２２を維持するに適合するように形成される基板ホルダー２２４と、基板ホルダー２２４にカップリングされた逆バイアス電源２３６と、を含む。
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例えば、マグネトロン蒸着装置に用いられるターゲット組立体が、主張される。ターゲット組立体は、管の軸受、管の回転、電気接点、冷媒シール、及び真空シールのような機能の少なくとも１つが管自体の内部に一体化されていることを特徴としている。このような組立体は、エンドブロックが内蔵される容積を低減させることによって、真空空間をさらに有効に用いるという利点を有している。組立体の小形化によって、現在、平面ターゲット組立体のみしか使用できない小型の設備にも、用いることができる。 （もっと読む）