【課題】ターゲットの使用効率の高いマグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法を実現する。
【解決手段】カソード電極が設けられた真空チャンバー内において、カソード電極の表面にターゲットを、カソード電極に対向する位置に基板を配置する。そして、カソード電極の裏面に中央部を囲むように環状に第１環状磁石３０５を配置し、第１環状磁石３０５を囲むように環状に第２環状磁石３０７を配置し、第２環状磁石３０７を囲むように環状に第３環状磁石３０９を配置する。第１環状磁石３０５は、ターゲットに対して垂直に磁界を発生させる。第２環状磁石３０７はターゲットに対して第１環状磁石３０５と同一方向に、第３環状磁石３０９は第２環状磁石３０７と逆方向に磁界を発生させる。そして、ターゲットと基板との間に高電圧を印加すると、ターゲットの外縁部が最も深いエロージョンが形成される。 （もっと読む）

【課題】被堆積面がダメージを受け難くかつ膜組成の変更が容易なマグネトロンスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、各々が方向５１に延びた形状を有するターゲット部２１および２２を方向５２に並べてなりかつターゲット部２１および２２は組成が異なるスパッタリングターゲット２と、カソードマグネット１１と、基板３と、枠体１４１とこれに支持されたトラップマグネット１４３ａおよび１４３ｂとを備えたスパッタリングトラップ１４とを、ターゲット２と基板３とが枠体１４１の開口部１４２を挟んで向き合いかつターゲット２がカソードマグネット１１と基板３との間に介在するように配置し、カソードマグネット１１がターゲット部２１および２２と順次向き合うようにカソードマグネット１１をターゲット２に対して方向５２に相対的に移動させながらマグネトロンスパッタリング法により基板３上に膜を形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】成膜時のウエハの周辺部での非対称性の発生を抑制する。
【解決手段】処理室３を形成するチャンバー２の上部にバッキングプレート６が配置されその下面側にターゲットプレート８が取り付けられ、上部側にマグネトロン磁石９が配設される。処理室３の下部にはウエハを載置するサセプタ４が配設される。サセプタ４は高周波電源５から高周波電圧が印加される。バッキングプレート６は直流電源７から負電圧が印加される。チャンバー２外側の周囲に多数の磁石１０ａを放射状に配置して円弧状に配列して構成した回転磁石１０が配置される。回転磁石１０は、マグネトロン磁石９と同期して回転し、上下動も可能に構成され、処理室３内にカスプ磁場を形成し、ターゲットプレート８からチャンバー２の側壁に飛散する粒子の軌道をウエハ側に曲げるので、ウエハの周辺部での成膜の非対称性を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】プラズマを封じ込める磁場構造のみからターゲットのエロージョン分布とウェハの成膜分布を短時間で計算して予測可能とするマグネトロンスパッタの設計支援方法、装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】ターゲット７０の裏面側に配置された回転する磁石６８によりターゲットの表面側に磁場を形成してプラズマ７３を閉じ込めたマグネトロンスパッタの設計を支援する。静磁場構造モデルを読み込んで任意の位置にターゲット表面に平行しプラズマが生成される断面を指定し、指定断面において面に対して垂直な磁場がゼロとなる領域の中心を通る無端形状を持つエロージョン中心線分を計算する。エロージョン中心線分のエロージョンレートに基づいた磁場構造モデルの指定断面での静止エロージョンレート分布、磁石の回転に伴う回転エロージョンレート分布、更に上記回転エロージョンレート分布を用いた対象物上の成膜レート分布の計算方法。 （もっと読む）

【課題】スパッタ蒸発した原子をイオン化することにより、緻密性、結晶性に優れた皮膜を成膜することができるスパッタ装置及びその方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１と、真空チャンバ内に対向して設けられた一対のターゲット２Ａ，２Ｂと、前記ターゲットにスパッタ電力を供給するスパッタ電源５と、前記ターゲットの表面を通り、その垂直方向ないしほぼ垂直方向に磁界を形成するマグネット３Ａ，３Ｂを備え、前記磁界を形成すると共に前記真空チャンバに導入したスパッタリングガス中で前記ターゲット間の空間部の外側に設けた基板Ｗにスパッタ成膜する対向ターゲットスパッタ装置である。前記スパッタ電源５は、スパッタ成膜する際にターゲット２Ａ，２Ｂに投入される瞬時電力のピーク値であるピーク電力を前記空間部の体積で除した最大体積電力密度が８３Ｗ／cm³ 以上となるようにスパッタ電力を前記ターゲットに供給する。 （もっと読む）

【課題】結晶構造が六方晶系となった結晶薄膜をｃ軸面内配向させて成膜することのできる薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】矩形のターゲット２２の下面には矩形タイプのマグネトロン回路２３を配置する。ターゲット２２の片半分を遮蔽板５１によって覆い、その下のエロージョン領域３９（磁束密度の最も大きな領域）から飛び出たスパッタ粒子が基板２８へ飛来しないように遮断する。真空チャンバ２１内のプラズマ領域の内部に位置する高さに基板２８を配置し、エロージョン領域３９の遮蔽板５１から露出している領域から飛び出たスパッタ粒子を基板２８の表面に入射させる。こうしてガス圧を小さくすれば、スパッタ粒子の平均自由工程が長くなってエネルギーの高いスパッタ粒子が大量に入射する結果、エネルギーの高いスパッタ粒子の入射による損傷を受けにくい結晶面である（１１−２０）面を持つ結晶粒が優先的に成長してｃ軸面内配向膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、半導体層をスパッタ法で成膜する際に、基板１１に印加するバイアス値を０．１Ｗ／ｃｍ^２以上とする。 （もっと読む）

【課題】パルスｄｃ物理気相堆積プロセスにより、固体再充電可能Ｌｉ電池のカソード層として利用しうるＬｉＣｏＯ_２膜の低温高速度堆積方法を提供する。
【解決手段】ＬｉＣｏＯ_２層を堆積する前に、基板１６を約２００℃までの温度に予備加熱する。次にＬｉＣｏＯ_２を含むスパッタターゲット１２にパルスＤＣ電力を印加し、ターゲット１２と対向する位置に配置された基板１６上にＬｉＣｏＯ_２層を形成する。さらに、短時間の急速熱アニールプロセスを行う。 （もっと読む）

【課題】厚さ寸法（膜厚）の厚いターゲットが使用可能であり、局所的エロージョンを防いで、使用効率の良好なマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲット５を載置したカソード１と、該カソード１と対向する被処理基板との間の空間にプラズマを発生させ、該プラズマ空間内でスパッタ処理を行うマグネトロンスパッタリング装置であって、前記ターゲット５は強磁性材料からなり、前記ターゲット５よりもプラズマ空間側に突出した第１、第２の１対の磁石２ａ、２ｂを備え、前記１対の磁石２ａ、２ｂが、前記ターゲット５及び前記プラズマ空間をその一部とする閉ループ状の磁気回路を形成しており、前記ターゲット５が、前記プラズマ空間中の磁気回路と対向する位置にあるカソード構造を備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、ターゲットのエロージョンを均一化して、ターゲットの利用効率を高めることのできるマグネトロンスパッタリング用のターゲットホルダーを提供する。
【解決手段】ターゲットホルダー１０は、保持したターゲット１の背面側に複数の永久磁石３を配置し、ターゲット１の外側表面に磁界を作って、ターゲットの蒸発を促進する。永久磁石３は、ターゲット１の外側表面の中心からずらして配置する。スパッタリングに伴ってターゲット１蒸発減耗すると、ターゲットまたは永久磁石３を、それらの相対位置を変えて取り付けることにより、ターゲット１の蒸発減耗する領域を変更して、固体蒸発原料の使用時間を延長する。 （もっと読む）

【課題】摺動性と耐摩耗性とを両立する新規の構成の摺動層を備える摺動部材を提供する。
【解決手段】本発明の摺動部材は、基材３０と、基材３０の表面の少なくとも一部に形成され相手材と摺接する摺動層３１と、を備え、摺動層３１は、Ｃと、ＭｏＳ_２および／またはＷＳ_２と、Ｔｉおよび／またはＣｒと、からなり、基材３０の表面に形成され５〜２０ａｔ％のＴｉおよび／またはＣｒを含む第一摺動層３１１と、第一摺動層３１１に積層され第一摺動層３１１が最も高濃度となるように厚さ方向に濃度が傾斜したＴｉおよび／またはＣｒを含む第二摺動層３１２と、からなることを特徴とする。第一摺動層３１１は、Ｔｉおよび／またはＣｒを５〜２０ａｔ％含有する硬質な層であり、摺動の際の耐摩耗性が確保される。Ｔｉおよび／またはＣｒの濃度が傾斜する第二摺動層３１２は、優れた初期なじみ性を示し摺動性に優れる。 （もっと読む）

【課題】物理蒸着ターゲットアセンブリを、ターゲットボンディング層が処理領域から分離するように構成する。
【解決手段】一実施形態において、ターゲットアセンブリは、バッキングプレートと、第１の表面及び第２の表面を有するターゲットと、バッキングプレートと第２の表面の間に配置されたボンディング層とを含む。ターゲットの第１の表面は、処理領域と流体接触しており、ターゲットの第２の表面はバッキングプレートに向かって配向されている。ターゲットアセンブリは複数のターゲットを含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】高いターゲット利用率を良好な均一性及び高い移送率と共に使用することのできるスパッタリング装置、及びこのような装置のための制御プロセスを提供する。
【解決手段】本発明は、マグネトロン形式のスパッタリングカソードと、真空プロセスにおいて、ＣＤ又はＤＶＤディスクのような円形の光学的ディスクの製造を含む種々様々な商業的及び科学的目的で基板上に非常に薄い膜を堆積するそのような装置のための制御方法と、に係る。より詳細には、スパッタリング装置は、ターゲットの後方に配設された磁石システムを備え、この磁石システムは、ヨークによって互いに接続された少なくとも３つの永久磁石を含み、各永久磁石は、異なる極性を有し、これら永久磁石が互いに相互作用して、ターゲットのスパッタ表面と実質的に平行な磁束線を有する磁束線プラトーを形成する。 （もっと読む）

【課題】
有機薄膜上にスパッタリング法により、透明導電膜を成膜した場合、高エネルギー粒子である反跳Ａｒプラズマ、γ電子、ターゲット粒子などの飛散・衝突により有機薄膜の分子構造（結合断裂）が破壊され、有機発光材料本来の発光ポテンシャルが低下するという問題があった。
【解決手段】
基板上にマスクを設け、スパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成する透明導電膜形成方法において、ターゲットと基板間にマグネットを備えたグリッドを設け、スパッタリング法により前記基板上にターゲット形成材料からなる透明導電膜をパターン形成することを特徴とする透明導電膜形成方法とした。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成装置およびこれを用いたスパッタ源は、長尺の棒状あるいは紐状部材の表面全体（端面を除く）にプラズマ処理や被膜形成を施すのに適したプラズマ処理およびスパッタリングに関する方法および装置を提供しようとするものである。具体的には棒状あるいは紐状など細長い部材を取り囲むマグネトロンプラズマやスパッタ源を実現するものである。
【解決手段】非磁性でかつ導電性の部材からなる管状電極と、前記管状電極に接続されたプラズマ生成用電源と、前記管状電極の外周に配置されかつ前記管状電極内部に前記管状電極の軸方向と平行な成分の磁束密度が0.02T以上の静磁場を生成する手段とを備えることを特徴とする、プラズマ生成装置。 （もっと読む）

【課題】ターゲットのエロージョンの均一化を図ったマグネトロンカソード及びそのスパッタ装置の提供。
【解決手段】円形の内ターゲット５と、その外側に内ターゲット５と同心状の外ターゲット４を具備するマグネトロンカソード１において、外ターゲット４の背面側に位置して外ターゲット４を保持する外ターゲット用裏板部６２に対して不動であり、外ターゲット用マグネット群及びマグネット群が固定される外ヨーク１０からなる外マグネットユニット９と、内ターゲット５の背面側に位置して内ターゲット５を保持する内ターゲット用裏板部７２に回転可能及び移動可能とし、内ターゲット用マグネット群８１及びマグネット群が固定される内ヨーク１１からなる内マグネットユニット８と、内マグネットユニット８を内ターゲット５に対して移動させる移動制御手段と、内マグネットユニット８を内ターゲット５に対して回転させる回転制御手段を具備する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット面内に対して一様な磁界を形成する磁石構成体、この磁石構成体を用いた漏洩磁束測定装置、漏洩磁束測定方法及び検査方法を提供する。
【解決手段】磁石を固定する固定台と、スペーサーを介して組み合わされる一対の磁石であって、一方の磁石は正極を固定台側に向けて設置され、他方の磁石は負極を固定台に向けて設置される一対の磁石とからなる磁界形成手段、及び１以上の磁界形成手段を取り付けるための基体を備えた磁石構成体であって、磁界形成手段が２以上ある場合には、各磁界形成手段が、前記一対の磁石の正極及び負極がそれぞれ直線状に一列にそろうように基体上に取り付けられていることを特徴とする磁石構成体、並びにこの磁石構成体を用いた漏洩磁束測定装置及び測定方法及び検査方法である。 （もっと読む）

【課題】成膜する薄膜の組成を容易に制御することができ、所望の機能性薄膜を得ることができる対向ターゲット式スパッタ装置を提供する。
【解決手段】複数の対向ターゲットユニット３ａ，３ｂ，３ｃからなるスパッタ源を備え、前記対向ターゲットユニット３ａ，３ｂ，３ｃを同時に動作させて該対向ターゲットユニット３ａ，３ｂ，３ｃ上に配置された基板１１上に薄膜をスパッタ成膜する対向ターゲット式スパッタ装置１０であって、対向ターゲットユニット３ａ，３ｂ，３ｃごとに組成の異なるターゲットを有し、対向ターゲットユニット３ａ，３ｂ，３ｃそれぞれの基板１１に対する配列パターンと、対向ターゲットユニット３ａ，３ｂ，３ｃそれぞれへの印加電圧値とを調整して、前記薄膜の組成比を制御する。 （もっと読む）

【課題】複数本の回転マグネット同士での互いの吸引力と反発力による回転軸の歪を防止する。
【解決手段】チャンバー４１とカソードプレート４７は絶縁板４８で結合されて、真空を維持するスパッタ処理容器を形成している。このスパッタ処理容器の外側に回転マグネット１３を配置する。この回転マグネット１３は、ドライベアリング３１で保持され、ドライベアリング３１は軸受けブロック３２で基台（ベースプレート）４９に固定されている。また、回転軸（シャフト）２２もベアリング２３で保持され、ベアリング２３は軸受けブロック３２で基台（ベースプレート）４９に固定されている。 （もっと読む）

【課題】超電導体から出る強い磁場の分布を調整するのに有利な超電導磁場発生装置及びスパッタリング成膜装置を提供する。
【解決手段】超電導磁場発生装置１は、超電導遷移温度以下で外部に磁場を発する超電導体３と、超電導体３を冷却する冷却装置４と、超電導体３を収容する断熱容器５と、電流を通電して超電導体３から発せられる磁場分布４００の形状を制御する磁場制御コイル９とを備えている。 （もっと読む）