【課題】高分子フィルム等の薄膜形成用基材表面に所定のパターンを有する薄膜を、スパッタリング法により形成するに際し、高品質なパターンを効率よく形成することができるマグネトロン型スパッタ装置、及び成膜方法を提供する。
【解決手段】内側に磁場発生手段と冷却手段とが設置され、外周面にスパッタ材料の層が形成されてなる、円筒形状のマグネトロン型回転カソードターゲットと、外周面に所定のパターンで形成された開口を有し、前記ターゲットの外周を取り囲むように、前記ターゲットと離間して設置された円筒形状のマスク部材とを備え、前記マスク部材の外周面に薄膜形成用基材を配置した後、前記ターゲットの内部を冷却手段により冷却し、該ターゲットを円筒軸の周りに回転させながら放電を行うことにより、前記薄膜形成用基材の表面に所定のパターンを有する薄膜を成膜するマグネトロン型スパッタ装置、及びこの成膜装置を用いる成膜方法。 （もっと読む）

【課題】 スパッタで生じたプラズマ中の荷電粒子による基板及び基板上に成膜された皮膜の損傷を抑制できる対向ターゲット式スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 互いに対向するスパッタ面を有する一対の主ターゲット２ａ、２ｂと、主ターゲットの近傍位置にそれぞれ配置されて互いに異なる極性を有しスパッタ面に垂直な磁界を発生する磁界発生源４ａ、６ａ、４ｂ、６ｂと、主ターゲット間の空間２０の一側面に配置された補助ターゲット２ｃと、空間２０の他の側面に配置される基板１２を保持する基板ホルダー１０と、主ターゲットに対して補助ターゲットの電位が反対になるように各ターゲット間に電圧を印加する電源１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】使用効率の高いターゲットを得ることができるマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２内にあって、ターゲット３を保持するカソード４と、このカソード４の上方にあって、カソード４のターゲット３側と対向するようにした基板５を保持するアノード６と、カソード４の下方にあって磁界を発生させるための磁石ユニット７と、からなる。そして、磁石ユニット７は、ベース１０上の外周に固定された永久磁石１２と、ベース１０上の略中央に配置され、コイル１４が周囲に巻回された複数の磁心を有する複数の電磁石１１Ａ〜１１Ｄと、コイル１４に電流を供給する電流供給源Ｅと、磁心１３に巻回されたコイル１４のいずれか一つに電流供給源Ｅを接続する切り換え部ＳＷと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】二酸化バナジウム薄膜を形成した半導体素子（スイッチング素子）の大量生産に好適な二酸化バナジウム薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の二酸化バナジウム薄膜製造装置１は、スパッタリングによって基板２に二酸化バナジウム薄膜を堆積する二酸化バナジウム薄膜製造装置１であって、真空容器３と、真空容器３内に設けられ、基板２を設置して、当該基板２を３００〜４５０℃に加熱する加熱手段４と、当該加熱手段４と対向する位置に設けられ、バナジウムからなるターゲット物質を設置する磁石５２を有するホルダー部５と、真空容器３内に希ガスと酸素ガスを導入するガス導入管６と、ターゲット物質５１に高周波電圧を印加するために接続された電源７と、を備え、加熱手段４とターゲット物質５１との間に、高周波電圧を印加するための電源８１が接続された導電性金属部材８を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比のホールの内面に十分な被覆性でコンタクト膜バリア膜のような異種薄膜を真空中で作成できるようにする。
【解決手段】 コンタクト膜を作成するスパッタチャンバー２とコンタクト膜の上にバリア膜を作成するＣＶＤチャンバー３とがセパレーションチャンバー１を介して気密に接続されており、セパレーションチャンバー２には基板９を真空中で搬送する搬送機構１１と、内部に不活性ガスを導入する不活性ガス導入系１２と、セパレーションチャンバー１内の圧力がＣＶＤチャンバー３の圧力より高くＣＶＤチャンバー３の残留ガスが所定のレベル以下になったのを確認したのを確認した後にゲートバルブ３１を開ける制御部６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】簡易な駆動機構によりターゲット表面上の磁力線分布を変え、ターゲットのワイドエロージョン化を図るようにした磁石構造体等を提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング装置用の磁石構造体１１０は、互いに同種の磁極がターゲットの裏面に向くよう、ターゲット２０の裏面側に配置された第１および第２の固定磁石１０、１３と、第１および第２の固定磁石１０、１３の間のターゲット２０の裏面側に配置され、ターゲット２０の厚み方向と幅方向とに沿った平面内において磁気モーメントの向きを変更可能な磁界補正手段１１、１２と、を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】 イオン化スパッタによって高アスペクト比のホールに対してボトムカバレッジ率の良い成膜を行うとともに、スパッタチャンバー内外の構成を簡略化する。
【解決手段】 排気系１１を備えたスパッタチャンバー１内に設けられたターゲット２をスパッタ電源３によってスパッタし、放出されたスパッタ粒子を基板５０に到達させて成膜する。スパッタ電源３は５Ｗ／ｃｍ^２ 以上の電力をターゲット２に投入し、この電力のみで形成されたプラズマＰ中でスパッタ粒子がイオン化する。ターゲット２と基板ホルダー５との間には円筒状のシールド６が設けられてプラズマ形成空間を規制し、電界設定手段８がイオン化したスパッタ粒子をプラズマＰ中から引き出して基板５０に入射させるための電界を設定する。 （もっと読む）

【課題】 良好なターゲット利用率を有する非平衡マグネトロンスパッタ（ＵＢＭＳ）用カソードを提供する。
【解決手段】 ターゲット４と、これに対向するように設けられた基板Ｗに伸びる磁力線が形成されるように設けられた中央磁石１と、中央磁石１の外周部に設けられた外周磁石２と、これらの磁石１，２を磁気的に接続するヨーク３を備える。前記中央磁石１と外周磁石２とは、各々の磁石のターゲット側端部はヨーク３に対して同一ないしほぼ同一の高さになるように配置されると共に前記中央磁石１は、磁気的空間部７を介して前記ヨーク３に磁気的に接続される。また、前記ターゲット４の基板側表面に凸状に形成される磁力線を平坦状に制御する薄板状の磁性体部材５が前記中央磁石１と外周磁石２との間に設けられる。 （もっと読む）

静的な磁界（Ｈ_S）を用いてスパッタリングが行なわれる。再堆積に晒されるスパッタリング表面（３）の腐食されない領域を、前記静的な磁界（Ｈ_S）に対して変調磁界（Ｈ_m）を重畳させることにより、静的な磁界に関与する磁極のうちの１つの近くで静的な磁界（Ｈ_S）を変調することによって最小化または取除かれる。
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【課題】負イオン等の高エネルギー粒子が、成膜に際し膜あるいは基板等へ入射することを抑制し、光損失を抑えて良質な薄膜を形成することを可能とするスパッタ装置およびスパッタによる成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜室の内部にマグネトロン磁場形成手段１２２を備えた円筒状ターゲット１２３と、該ターゲットの一方の開口部を塞ぐように設置されたアノード１２５と、を有し、前記円筒状ターゲットと対向する基板上に薄膜を堆積させるスパッタ装置を、つぎのように構成する。
前記円筒状ターゲットから基板方向に対し垂直な磁場を形成する磁場形成手段１２４を、前記円筒状ターゲットと前記アノードによって囲まれた放電空間内に設けられ、その磁力線の向きが前記マグネトロン磁場形成手段による磁場の磁力線と逆方向の磁性物質によって構成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングチャンバのためのターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングチャンバは、熱伝導率が少なくとも約２００Ｗ／ｍＫで、電気抵抗率が約２〜５μΩｃｍのバッキングプレート１４１及びスパッタリングプレート１３７で構成されるスパッタリングターゲット１３６を有する。バッキングプレートは、溝を有する。スパッタリングプレート１３７は、平面を有する円柱状メサと、この円柱状メサを取り巻く環状の傾斜リムとを備えている。１つの変形例において、バッキングプレートは、高い熱伝導率と、低い電気抵抗率とを有する材料で構成される。別の変形例において、バッキングプレートは、単一の溝又は複数の溝をもつ背面を含む。スパッタリングチャンバ用のプロセスキットは、スパッタリングチャンバ内で基板支持体の周りに配置するための堆積リング、カバーリング及びシールドアッセンブリを備えている。 （もっと読む）

【課題】簡易な駆動機構によりターゲット表面上の磁力線分布を変え、ターゲットのワイドエロージョン化を図るようにした磁石構造体等を提供する。
【解決手段】磁石構造体１１０は、ターゲット表面２０Ａに至る主磁力線を形成するよう、ターゲット２０の裏面２０Ｂの側に配置された主磁石１０、１３と、主磁力線による磁束密度分布を変える補正磁力線を形成するよう、ターゲット２０の裏面２０Ｂの側に配置された補正磁石１１と、ターゲット２０の裏面２０Ｂの側に配置された前記補正磁力線の磁路２１Ａ、２１Ｂ、２４と、磁路２１Ａ、２１Ｂ、２４の内部を貫く補正磁力線の強度を変更可能な磁界補正手段１２、１４と、を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】比較的低圧力及び比較的高圧力の両方で均一なプラズマを生成できるｉＰＶＤ源を提供する。またスパッタ−エッチングのための金属蒸着に対する均一なプラズマを提供する。
【解決手段】比較的低圧力(5mTorr)動作及び比較的高圧力(65mTorr)動作で均一なプラズマ濃度を持つ均一な金属蒸着のためのイオン化物理的気相蒸着(iPVD)源を使用するシステムと方法を提供する。均一性を強化する低圧力動作では、磁石構造がプラズマをチャンバ周辺に移動するために誘導結合プラズマ(ICP)源と組み合わされ、一方、高圧力動作でプラズマのランダム化または熱運動化によってプラズマ均一性が促進される。これにより、組み合わされた連続的な蒸着−エッチング処理における蒸着およびエッチングの両方のための、また、無網状蒸着(NND)および低網状蒸着(LND)の蒸着−エッチング処理のための均一性が提供される。 （もっと読む）

【課題】複数の磁石間の磁気相互作用による４方向磁界に基づき、ターゲット表面にトンネル状プラズマ閉込漏れ磁界をバランス良く形成する際の磁石設計の料力軽減を図った磁石構造体等を提供する。
【解決手段】磁石構造体１１０は、ターゲット表面２０Ａに至る第１磁力線を形成しターゲット２０の裏面側に磁気モーメントの向きを違えて配された内外部磁石１０、１３と、第１磁力線による磁束密度の幅方向成分を打ち消す第２の磁力線を作り内外部磁石１０、１３との間のターゲット２０の裏面側に磁気モーメントの向きを違えて配された中間磁石１１、１２と、中間磁石１１、１２の一方の端面から出た第２磁力線が中間磁石１１、１２の他方の端面に入るように第２磁力線を導くよう、ターゲット２０の裏面側に配置された磁性部材２４と、を備え、磁性部材２４は内部磁石１０または外部磁石１３との間でターゲット２０の厚み方向の途中まで至る磁力線を形成してなる。 （もっと読む）

【課題】 永久磁石表面の腐食および接着部の接着強度の低下を防止でき、磁場が強く、安価で、品質が安定した、磁気回路の製造方法を提供する。
【解決手段】 ヨークに永久磁石が固着された磁気回路を具備し、前記磁気回路に冷媒２１が供給されるようにした磁気回路を持つ装置において、前記磁気回路の少なくとも前記冷媒２１と接触する部分に、少なくともエポキシ樹脂の第1層を吹き付け塗布し、フッ素樹脂の第2層を吹き付け塗布することを特徴とする磁気回路の製造方法。 （もっと読む）

【課題】機械の運転時における材料経費が低減されるコーティング機及びコーティング機の動作方法を提供すること。
【解決手段】スパッタリングによって基板をコーティングするためのコーティング機はプロセスチャンバを備えており、プロセスチャンバ内では、基板をコーティングするために、ターゲット３，３’からターゲット材料を基板の方向にスパッタ可能である。コーティング機は、ターゲットをプレスパッタするためにスパッタ方向Ｓから離れるように向く方向にスパッタ方向Ｓを合わせるとともに、ターゲットから材料をスパッタすることによって基板をコーティングするために基板に向く方向にスパッタ方向Ｓを合わせるための手段を特徴としている。アライメントの変化は、例えば、フラットカソード２，２’の長軸を中心に９０°又は１８０°の角度にわたってカソードを回転させることにより行なわれてもよい。 （もっと読む）

【課題】 成膜を繰り返すことによって放電が消滅し易くなるという従来のスパッタ成膜装置の問題点を解決する。
【解決手段】 同一チャンバー内に複数のターゲットを有し、且つそのうちの少なくとも一つが遷移元素ターゲットであり、且つ、該複数のターゲットのうち少なくとも一つが、低吸収なフッ化物薄膜を生成するために水素添加を必要とするような金属ターゲットである反応性スパッタ成膜装置において、該水素添加を必要とする金属ターゲットで放電を行う際に、該遷移元素ターゲット、及びその周辺の電極部を該遷移元素とは異なる材料で被覆しておくことにより、該遷移元素ターゲットの放電安定性を維持する。 （もっと読む）

【課題】ロータリーカソードの揺動を補償する真空コーティング機械を提供する。
【解決手段】真空コーティング機械（１）において、駆動ユニット（６）は、上記駆動ユニットがロータリーカソード（１０）によって加えられる揺動に追従できるように、弾性中間プレート（１４）を用いてチャンバ筐体（３）に追従的に取り付けられるので、ロータリーカソードの自由端（１８）のサポートベアリング（１９）は剛性支持として堅牢設計が可能である。 （もっと読む）

【課題】一様なプラズマ処理を行うこと。
【解決手段】半導体用プラズマ処理装置における非一様性を低減させるためのシステム（４０）であって、基板支持体（１４）を囲み得る寸法のものとされ、かつ、少なくとも３個という複数のセグメントから形成された、リング形状電極（５０）と；この電極の各セグメントに対して接続された電気エネルギー供給源と；この電気エネルギー供給源に対して接続されたコントローラ（６０）と；を具備し、コントローラが、電極の各セグメントを順次的に励起するようにして電気エネルギーを供給するようにプログラムされており、これにより、基板支持体の周縁回りにおける基板の非一様性の処理に影響を与え得るものとされている。 （もっと読む）

【課題】 基板への荷電粒子の衝突を抑えることで、基板表面のダメージおよび温度上昇を抑制するとともに、高速に基板表面に薄膜形成可能なマグネトロンスパッタリング装置およびこれを用いた薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 ターゲット3と基板4との間に、移動自在なグリッド電極9が設けられている。グリッド電極9がターゲット3と基板4との間にある状態で、一定時間薄膜を形成した後、ターゲット3と基板4との間にグリッド電極9を介在させない状態で、さらに薄膜形成を行う。 （もっと読む）