閉ドリフトイオン源の電気絶縁アノード電極に電子を供給するステップを含む、基板の表面を改質するプロセスが、提供される。アノード電極は、正のアノード電極帯電バイアスを有するが、閉ドリフトイオン源の他の構成要素は、電気的に接地され、または電気的浮動電圧を保持する。電子は、イオン形成を誘導する閉ドリフト磁場と交差する。アノード汚染は、ガスの存在下で電極帯電バイアスを負に切り替えることによって防止され、プラズマが、アノード電極の近傍に生成され、アノード電極から汚染堆積物を浄化する。次に、電極帯電バイアスは、反復電子源の存在下で正に戻され、反復イオン形成を誘導し、基板の表面を再び改質する。このプロセスによって基板の表面を改質する装置が、提供される。
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【課題】成膜空間に生成するプラズマに起因した薄膜へのダメージを抑制する成膜装置及び成膜方法を提供することである。
【解決手段】スパッタガスが供給された真空槽で基板Ｓを該基板Ｓの周方向に回転させながらターゲット２０に高周波電力を供給することによりターゲット表面２０Ｓをスパッタして基板Ｓの表面に薄膜を形成する成膜装置であって、ターゲット表面２０Ｓにおけるエロージョン領域がターゲット表面２０Ｓの法線に投影された領域である基板表面の投影領域ＳＰを覆うかたちで基板Ｓとターゲット２０との間に配置されて投影領域ＳＰに対してプラズマの入射を抑制する遮蔽リング３０を備えた。 （もっと読む）

【課題】スパッタ装置の大型化に伴った磁石構成体の揺動幅調整の困難さ（揺動幅の設定値からのずれ）に起因する不具合を防止できるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】表面上に平板ターゲット４０を配置するバッキングプレート１０の裏面１０ｂ側に、揺動する磁石構成体２０を配設してマグネトロンカソード電極としたスパッタ装置において、磁石構成体２０の揺動によってバッキングプレート１０がスパッタリングされるのを低減するためのシールド３０を、平板ターゲット４０の側面周囲に配設し、シールド３０が平板ターゲット４０と同じ材質であるか、あるいはシールド３０がその最表層部に平板ターゲット４０と同じ材質をコーティングしたものである。 （もっと読む）

真空チャンバーを含むスパッタリング装置では，少なくとも，第１の電極は真空チャンバー内に配置された第１の表面を有しており，対向電極は真空チャンバー及び高周波発生器に配置された表面を有している。高周波発生器は，第１の電極と対向電極の間にプラズマを発生させるために，少なくとも第１の電極間と対向電極の間に高周波電場を印加するように構成されている。対向電極は，真空チャンバーと連結する少なくとも２つのキャビティを含んでおり，そのキャビティは各々，キャビティ内でプラズマが作られるような特徴を持っている。 （もっと読む）

【課題】遮蔽体を利用して容易に膜厚分布の制御が可能なマグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法を提供する。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタ装置は、基板保持部１１と、基板保持部１１に対向して設けられる板状のターゲット１２の被スパッタ面１２ａの反対面に対向しつつ回転可能に設けられ、その回転中心Ｃ１に対して偏心した位置に中心Ｃ２を有する電子の周回軌道２０を被スパッタ面１２ａの近傍に生じさせるマグネット１３と、ターゲット１２と基板１０との間に設けられ、基板１０側からターゲット１２を見た平面視で電子の周回軌道２０の一部を遮蔽しつつ電子の周回軌道２０との相対位置は変えずに、マグネット１３と同期して回転する遮蔽体１４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ヒータなどの特別な加熱機構を必要とせず、通常の構造のスパッタリングカソード本体を使用して、液相状態に溶融したスパッタリングターゲットでスパッタリングすることが可能なスパッタリングカソードを提供する。
【解決手段】内部にマグネトロン磁気回路部２と冷媒流路４を設けたスパッタリングカソード本体１を有するスパッタリングカソードであって、スパッタリングカソード本体１のスパッタリングターゲット載置面上にスパッタリングターゲット６を収容する容器部材８を備えている。容器部材８の熱伝導率は１００ｗ／ｍ・Ｋ以下であって、スパッタリングカソード本体１に印加される電位によりスパッタリングターゲット６を溶融させ、液相状態のスパッタリングターゲット６で成膜する。 （もっと読む）

【課題】有効成膜領域および装置サイズを変更することなく、ターゲットの使用効率および寿命の改善を図る。
【解決手段】表面上にターゲットを配置するバッキングプレートの裏面側に、磁石構成体１０を揺動可能に配設してカソード電極とし、磁石構成体１０は、一定幅Ｗ１の棒状の中心磁石２と、中心磁石２を囲むように配置された一定幅Ｗ２の略楕円形状の周囲磁石３と、両磁石によってターゲット表面に生じる磁界を局部的に弱くするシャント４とを有し、シャント４は、中心磁石２をその長さ方向に周囲磁石３まで延ばしたと仮想した場合に占有する領域ＦＥ０内に埋め込み配置されている。 （もっと読む）

天井にスパッタターゲットを有するＰＶＤリアクタにおいて、回転磁石組立体を取り囲む導電性ハウジングは、回転磁石の軸用の中央ポートを有する。ハウジングの導電性中空シリンダは、スピンドルの外側部分を囲む。ＲＦ電力は、中空シリンダから半径方向に延びる半径方向のＲＦ接続ロッドに結合され、ＤＣ電力は、中空シリンダから半径方向に延びる他の半径方向のＤＣ接続ロッドに結合される。
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【課題】同一の成形用金型を用いて多数の成形樹脂を製造することが可能な生産性に優れた成形樹脂の製造方法、及び同一のスタンパを用いて、多数の光情報記録媒体を製造することができる生産性に優れた光情報記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】光硬化性転写シートの光硬化性転写層を、記録ピット及び／又はグルーブとしての微細凹凸に沿って反射層が設けられた基板の該反射層上に載置し、これらを押圧する工程、光硬化性転写層の他方の表面に、記録ピット及び／又はグルーブとしての微細凹凸表面に光触媒物質の薄層が形成されたスタンパを載置し、これらを押圧する工程及び該スタンパを有する光硬化性転写層を紫外線照射により硬化させ、次いでスタンパを除去することにより、光硬化性転写層の表面に微細凹凸を設ける工程を含む光情報記録媒体の製造方法、これに使用されるスタンパ表面に光触媒物質の薄層が形成された成形金型を用いる成型方法。 （もっと読む）

【課題】 樹脂フィルム基板上に、物理気相成長法により酸化物誘電体膜層と吸収膜層を交互に積層してなり、可視波長域における各波長の透過率の均一性に優れた吸収型多層膜ＮＤフィルターを提供する。
【解決手段】 酸化物誘電体膜層がＳｉＣ及びＳｉを主成分とする成膜材料を原料として成膜されたＳｉＣｙＯｘ（ただし、０＜ｙ≦０.１、１.５＜ｘ＜２）膜であり、吸収膜層がＮｉ−１８〜３２重量％Ｗ合金の成膜材料を原料として成膜された金属膜でであって、吸収型多層膜の最外層及び最内層が酸化物誘電体膜層で構成されている。この吸収型多層膜ＮＤフィルターの可視波長域（４００〜７００ｎｍ）における透過率均一性は１０％以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明のスパッタリング装置によれば、プレスパッタ時に比べてメインスパッタ時のエロージョン領域を縮小することができ、プレスパッタ時に非エロージョン領域に堆積したターゲット粒子をメインスパッタ時に剥離し難くし、当該粒子の基板への堆積を抑制することができる。
【解決手段】本発明は、複数の磁性体が、ターゲット支持体の中心部に位置する第１の磁性体と、第１の磁性体に対してターゲット支持体の外周側に位置する第２の磁性体とを含み、第２の磁性体が、ターゲット支持体の基板支持体とは反対側の面内で第１の位置から第２の位置まで移動自在であり、上記第１の位置は基板への成膜を行わない場合の位置であり、上記第２の位置は前記第１の位置に対して上記ターゲット支持体の中心側であって、基板への成膜を行う場合の位置であるスパッタリング装置に関する。 （もっと読む）

【課題】アノード電極として機能する電極面積を変化させずにスパッタできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】第一、第二のターゲット３１ａ、３１ｂの表面を対向させてスパッタ面間に隙間を形成し、第一のターゲット３１ａにＮ極又はＳ極のいずれか一方の磁極が向けられた第一の磁石装置４１ａを第一のターゲット３１ａの裏面側に配置し、第一の磁石装置４１ａとは異なる磁極が第二のターゲット３１ｂに向けられた第二の磁石装置４１ｂを第二のターゲット３１ｂの裏面側に配置し、アノード電極１６を前記隙間の後方位置に配置し、防着部材１７をアノード電極１６と前記隙間の間の位置に配置する。アノード電極として機能する電極面積が変化しないので、プラズマの位置が安定し、第一、第二のターゲット３１ａ、３１ｂの成膜面が高効率でスパッタされる。 （もっと読む）

【課題】第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂが、それぞれ基板６及び他のターゲットに対して斜めに対向して配置され、基板６を搬送経路１５に沿って搬送しながら成膜する連続方式のスパッタリング装置において、高品質の膜が得られるようにすると共に、粒子のチャンバー３内拡散を防止できるようにする。
【解決手段】第一ターゲット１７ａと第二ターゲット１７ｂとの間の空間の搬送経路１５側への延長領域を挟んで、搬送経路１５と、第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂとの間に、少なくとも基板６の搬送方向に対向するシールド１９ａ，１９ｂを設ける。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット面近傍のプラズマ状態の更なる安定化を図ること。
【解決手段】 磁場発生装置は、永久磁石と、前記永久磁石の外周側面を囲むように配置されている磁性体よりなる分離されているヨークと、前記ヨークの間に位置する非磁性体と、を有する磁石組立が、少なくとも３個以上一直線に沿って配置されることにより構成される磁石組立群を備える。 （もっと読む）

【課題】岩塩構造型硬質皮膜の結晶粒子径を微細化させて、硬質皮膜の耐摩耗性などの特性を改善した微細結晶硬質皮膜の形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】立方晶岩塩型構造を有する硬質皮膜層A と、立方晶岩塩型構造以外の結晶構造を有する硬質皮膜層B とが交互に積層された構造の結晶皮膜を形成する際、磁場印加機構を有するアーク蒸発源とスパッタリング蒸発源とが各々１台以上具備された成膜装置によって、前記硬質皮膜層A の構成成分をアーク蒸発源にて蒸発させるとともに、前記硬質皮膜層B を特定の化合物として、これら硬質皮膜層B の構成成分をスパッタリング蒸発源で蒸発させ、基板上に硬質皮膜層A とB とを交互に順次積層していく。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング方法及び装置において、ターゲットへの再付着膜の堆積量を減少可能とすることを目的とする。
【解決手段】基板に所望の膜を成膜するスパッタリング方法において、ターゲットの表面に平行な磁場が、前記基板に対して実際に成膜処理を行う成膜モード中はスパッタリングされる前記ターゲットの他の部分の第１の強度と比較して弱い第２の強度であるターゲットの部分を、前記成膜処理を行わない待機モード中は前記第１の強度以上の磁場に制御することで、前記成膜モード中に前記ターゲットの部分に付着した再付着膜を前記待機モード中のスパッタリングにより除去する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の大きく低ダメージで、かつ、安定した放電が可能なスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】本発明は、平板状のターゲット３０を用い、真空中で基板２０に対してスパッタリングによって成膜を行うスパッタリング方法であって、ターゲット３０の縁部３０ａが基板２０の成膜面２０ａに対して対向する第１の成膜位置にターゲット３０を配置して成膜を行う第１のスパッタリング工程と、ターゲット３０の正面部３０ｂが基板２０の成膜面２０ａに対して対向する第２の成膜位置にターゲット３０を配置して成膜を行う第２のスパッタリング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット間でのプラズマの閉じ込めを向上し、基板の近くでの放電を防止して、低ダメージで低温成膜が可能な対向ターゲット式のデュアルマグネトロンスパッタ装置を提供すること。
【解決手段】２つのカソードに交流電圧を印加し、真空槽内に配置された基板にターゲット成分を含む膜を付着するデュアルマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲットの周囲にはアースシールドが設けられ、かつ、チャンバー内のカソードの周辺をアースと電気的に絶縁した。 （もっと読む）

【課題】ＬａＢ₆薄膜をスパッタリングで成膜するに際し、得られるＬａＢ₆薄膜の広域ドメイン方向の単結晶性を改善する。
【解決手段】ターゲット１１には、高周波電源１９３からの高周波電力と、第一直流電源１９４からの高周波成分をカットした結果の第一直流電力とを印加し、基板ホルダー１３には、該高周波電力及び第一直流電力の印加中に、第二直流電源２１からの直流電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】ＬａＢ₆薄膜をスパッタリングで成膜するに際し、得られるＬａＢ₆薄膜の広域ドメイン方向の単結晶性を改善する。
【解決手段】ターゲット１１には、高周波電源１９３からの低周波成分をカットした高周波成分電力及び直流電力を印加し、基板ホルダー１３には、該高周波成分電力及び直流電力の印加中に、他の直流電源２２１からの直流電力を印加する。 （もっと読む）