【課題】異常放電が少なく、長時間安定的に放電可能なプラズマ処理用マグネトロン電極、及び異常放電に伴うダスト発生を抑制した成膜方法を提供する。
【解決手段】カソードケース１０１の開口部にバッキングプレート１０３を設け、その上にターゲット１０２が設けられ、カソードケースの中央部に主磁石１０５がターゲット側がＳ極の向きで設けられ、主磁石を取り囲むように補助磁石１０６がＮ極向きで設けられる。第二電極１０４を、第一電極１０１，１０２，１０３の外側磁極１１１の内側端部よりも外側か、または磁束密度の低い部分にのみ設ける。 （もっと読む）

【課題】基板の端部に均一な膜厚の薄膜を形成できるスパッタリング装置及びスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】
長手方向が互いに平行で、スパッタされる面が同一平面に位置し、側面が対面するように並んで真空槽内に配置された細長形状の複数のターゲットのうち、隣接する二個のターゲットを一組のターゲット組にすると、一組のターゲット組内では、少なくとも一個のターゲットにオフ電圧を印加し、オン電圧とオフ電圧とを、一組のターゲット組内の二個のターゲットに交互に印加してターゲットをスパッタし、基板に薄膜を形成するスパッタリング方法であって、ターゲット組は一列に並べられており、ターゲットにオン電圧とオフ電圧とを印加する際には、前記一列の端に位置するターゲット組内では、前記一列の端の方に位置するターゲットのオン電圧の印加期間を、他方のターゲットのオン電圧の印加期間よりも長くする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによる複数材料の薄膜形成における装置機構の複雑化を抑えて簡素化し、装置コストの上昇を抑制することが可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１は、真空チャンバ２と、基板３１を保持する基板ホルダ３２と、真空チャンバ２内で基板３１に対向可能な状態にターゲット１１，１２をそれぞれ支持するカソード機構２１，２２と、互いに材質の異なるターゲット１１，１２と基板３１との間に個別に進退してターゲット１１，１２で発生した成膜粒子を遮蔽又は開放するシャッタ４１，４２とを備えている。これらシャッタ４１，４２の少なくとも１つ、例えばシャッタ４２を、ターゲット１１，１２の材料とは異なるターゲット材料で形成してターゲット兼用シャッタとして構成した。 （もっと読む）

【課題】波状の磁気トラックを十分な磁場強度でターゲット上に出すことができる磁石ユニットを提供することを目的とする。
【解決手段】ヨーク板に直立して設けられた第１の磁石と、ヨーク板に直立して設けられ第１の磁石と反発する磁極を有する第２の磁石と、第１の磁石と第２の磁石との間に斜めに設けられ第３の磁石とを備えた第１の磁石エレメントと、ヨーク板直立して設けられた第４の磁石と、ヨーク板に直立して設けられ第４の磁石と反発する磁極を有する第５の磁石と、第４の磁石と第５の磁石の間に斜めに設けられ第６の磁石とを備えた第２の磁石エレメントとから構成され、第１の磁石エレメントと第２の磁石エレメントとを、無終端状の形状に沿って交互に配置した磁石ユニット。 （もっと読む）

【課題】ターゲット全表面に生成される不純物層の除去を的確かつ効率よく行なうことを可能とするスパッタリング装置及びそのスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】カソード２を構成する磁石機構４を自転軸８１Ａの周りに回転させる自転機構と、磁石機構を公転軸８２Ａの周りに回転させる公転機構と、自転機構と公転機構とを自転軸及び公転軸とは異なる回転軸の周りに回転させる回転機構と、ターゲット５表面の不純物層の膜厚を測定する測定手段と、測定手段を前記ターゲット表面の一端から他端まで移動させる駆動機構とを有し、自転機構は自転軸の自転速度を変更させる自転速度変更機構を備え、公転機構は公転軸の公転速度を変更させる公転速度変更機構を備える。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面が均一にスパッタリングされる磁石装置を提供する。
【解決手段】外側磁石３１をターゲットに対して静止させておき、内側磁石３５を外側磁石３１の内側で移動させる。ターゲット表面の磁界が変化し、ターゲット表面が均一にスパッタされる。特に、内側磁石３５の直径ｄを外側磁石３１の内周半径Ｒよりも小さくし、外側磁石３１の中心軸線３７を中心として回転させると、強くスパッタリングされる領域がターゲットの全表面上を通過する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の損傷を抑えつつ、成膜速度を向上させることのできるスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スパッタリング装置は、対になる部材が空間をあけて対向するよう配置され、空間に磁場を発生させる磁場発生部１（１ａ，１ｂ）と、対になる部材の側方に、空間と対面するよう被成膜部材６を配置可能な被成膜部材保持部と、空間内に配置され、被成膜部材６に向けて傾斜したターゲット面２ａを有するターゲット部材２と、ターゲット部材２に接続され、ターゲット部材２へ電圧を印加する電力供給部３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】成膜方法および成膜装置において、ターゲットの使用効率を向上することができ、組成や膜厚の調整が容易であり、異なる膜構成を有する薄膜の成膜の効率を向上できるようにする。
【解決手段】スパッタ装置１を用いて、複数の膜構成に応じた材料のターゲット片を、第１電源１１、第２電源１２の陰極に接続されたバッキングプレート７上に設置するとともにターゲット片のいずれかの近傍に配置され第１電源１１、第２電源１２の陽極に接続可能に設けられた電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎを設置し、被処理体Ｗをターゲット片を横断する移動経路に沿って時間差を設けて２個以上移動させ、膜構成と移動位置との情報に基づいて、電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎの少なくともいずれかに選択的に電力を供給し、ターゲット片から選択的にターゲット粒子を放出させて、被処理体Ｗの各表面にそれぞれに応じた膜構成の成膜を行う成膜方法とする。 （もっと読む）

【課題】磁場強度が高い弧状の磁力線を生じ、優れた減磁耐性を有するマグネトロンスパッタ装置用磁気回路を提供する。
【解決手段】ターゲット１１裏面に配置した磁石の磁気回路によってターゲット表面に弧状の磁力線２を描く漏れ磁場を発生するマグネトロンスパッタ装置用磁気回路１であって、内側磁石３と、該内側磁石と逆向きの磁化方向を有し該内側磁石を取囲む外側磁石５と、前記内側磁石３と前記外側磁石５との間に配置され、前記内側磁石および外側磁石の磁化方向と直交し、かつ前記内側磁石から外側磁石に向かう方向またはその逆の方向に磁化された水平磁化磁石７と、これらの磁石を挟んでターゲットと対向して配設され前記内側磁石と前記外側磁石との間で磁束を通すヨーク９とを備え、該水平磁化磁石７の保磁力の値が、磁石内部中央よりもターゲット側に近い領域の方が高くなっているマグネトロンスパッタ装置用磁気回路。 （もっと読む）

【課題】成膜方法および成膜装置において、成膜に用いる真空槽を大型化することなく、効率よく容易に多元系の薄膜の成膜を行うことができるようにする。
【解決手段】真空槽２内で被処理体３上に多元系の薄膜を成膜する成膜方法であって、構成元素あるいは組成が異なる２種類以上のターゲット片を有するターゲット組立体６を、独立に出力調整可能な複数の電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの陰極に電気的に接続されたバッキングプレート７上に設置し、２種類以上のターゲット片のそれぞれに対して電圧印加するため、電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの陽極に個別の配線を介して電気的に接続された電極を配置して、電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの各出力電力をそれぞれ０％〜１００％の範囲で個別に調整して、ターゲット片からの原子または分子の放出量を変化させて、前記被処理体上に多元系の薄膜を成膜する方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】高精度に膜厚を均一化することができるカソードユニットおよび成膜装置を提供する。
【解決手段】スパッタ室１３内に配置されたターゲット材１７と、ターゲット材が取り付けられる裏板１９と、裏板の裏面側に所定距離離間して配置された磁石２９と、を備えたカソードユニット１５において、磁場強度調整機構１００を有している。 （もっと読む）

【課題】金属ターゲットを用いた反応性スパッタ法において、膜厚分布を向上させることが可能なスパッタ成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】金属ターゲットを用いた反応性スパッタ法において、被処理基板２０３の非成膜面側に磁石２０５を配置し、スパッタ作用により飛散されたターゲット粒子を磁界によって捕らえることで成膜粒子を導くことにより、被処理基板２０３の膜厚分布を均一化する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの効率を向上させる。
【解決手段】一面が基板に対向するスパッタリングターゲットと、前記スパッタリングターゲットの他面に対向するように配置された磁石部材と、前記スパッタリングターゲットの中心部に対応する部分が前記スパッタリングターゲットの前記他面に平行な第１方向に沿って形成された直線部を備え、前記スパッタリングターゲットのエッジ部に対応する部分が前記スパッタリングターゲットに対して、前記第１方向と垂直な第２方向に遠くなるように形成された傾斜部を備えるガイドレールと、前記ガイドレールに対向し、前記第１方向に沿って形成されたスクリューラインと、前記磁石部材と弾性部材により連結されて、前記スクリューラインに沿って前記磁石部材を前記第１方向に運動させる連結ブロックと、を備える、スパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】処理基板の成膜する側の面とターゲットプレートとを、平行に対向させ、マグネトロンスパッタ方式でスパッタを行うスパッタ装置で、従来の、ターゲットプレートの非エロージョン部分に、該ターゲットプレートから飛散したものが付着し、厚くなり、付着したものが剥れて、処理基板への異物付着となり、処理基板に異物欠陥やＰＨ等の欠陥を発生させるという問題を、解決できるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】ターゲットプレート１０は、バッキングプレート１２に沿い保持された状態でスパッタ処理に供されるもので、その中央側にエロージョン部分となる領域を有し、該エロージョン部分となる領域の外側全周に沿い非エロージョン部分となる領域を有するもので、該非エロージョン部分となる領域の少なくとも一部、もしくは、該エロージョン部分となる領域の一部と該非エロージョン部分となる領域の少なくとも一部は表面が、粗面化されている。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリング装置において、スパッタリングターゲットのパーティクルの発生を抑える。
【解決手段】ＺｎＯからなり、マグネトロンスパッタに用いられるＺｎＯ系の酸化物ターゲットであって、表面１０ａが、表面粗さがＲａ４．０μｍ以下であってスパッタされるエロージョン領域２０と、スパッタされない非エロージョン領域２１とに設定され、この非エロージョン領域２１が、エロージョン領域２０から離間するとともにその表面粗さがＲａ５．０μｍ〜８．０μｍである第１非エロージョン領域２１ａと、第１非エロージョン領域２１ａとエロージョン領域２０との間の領域であってその表面粗さがＲａ４．０μｍ以下であり、エロージョン領域２０の周囲に５〜１５ｍｍの幅で設けられている第２非エロージョン領域２１ｂとに設定されている。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリング装置において、スパッタリングターゲットのパーティクルの発生を抑える。
【解決手段】ＺｎＯにＡｌ₂Ｏ₃を０．１〜３．０ｗｔ％またはＧａ₂Ｏ₃を０．５〜６．０ｗｔ％添加してなり、マグネトロンスパッタに用いられるＡＺＯ系またはＧＺＯ系の酸化物ターゲットであって、表面１０ａが、表面粗さがＲａ１．０μｍ以下であってスパッタされるエロージョン領域２０と、スパッタされない非エロージョン領域２１とに設定され、この非エロージョン領域２１が、エロージョン領域２０から離間するとともにその表面粗さがＲａ３．０μｍ〜６．０μｍである第１非エロージョン領域２１ａと、第１非エロージョン領域２１ａとエロージョン領域２０との間の領域であってその表面粗さがＲａ１．０μｍ以下であり、エロージョン領域２０の周囲に５〜１５ｍｍの幅で設けられている第２非エロージョン領域２１ｂとに設定されている。 （もっと読む）

【課題】ターゲット上の浸食を容易に均一に進めることができるマグネットユニットを提供する。
【解決手段】ターゲットを支持するカソード電極の背面側に、強磁性板材からなるヨーク４１２と、該ヨーク上に配置された環状の外部磁石ユニット４０２と、前記ヨーク上の前記外部磁石ユニットの内部に配置され、前記外部磁石ユニットと極性が異なる内部磁石ユニット４０１と、前記ヨークを該ヨークの回転中心４１１１を中心として回転させる回転機構と、を備え、前記内部磁石ユニットは、前記ヨークの回転中心から少なくともｎ（ｎは３以上の正の整数）の方向に放射状に伸びるｎ本の内部磁石で構成され、前記外部磁石ユニットは、前記ｎ本の内部磁石を取り囲むように配置された３ｎ−１角形以上の形状を有する３ｎ−１本以上の外部磁石で構成されていることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置の磁石ユニット。 （もっと読む）

【課題】従来よりも生産性及び膜厚分布に優れた成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、密閉空間Ｋ１を形成するチャンバー部４と、密閉空間Ｋ１の中心部に配置され、成膜材料Ｔ１，Ｔ２が固定されたカソード部１３と、密閉空間Ｋ１の外周部に被成膜物１１が成膜材料Ｔ１，Ｔ２と対向配置するように被成膜物１１を保持する被成膜物保持部８，１０と、被成膜物１１がカソード部１３を中心にして回転するように被成膜物保持部８，１０を回転させる回転駆動部９と、カソード部１３を被成膜物１１の回転軸に沿って移動させるカソード駆動部２３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて形成されるタングステン膜の比抵抗を低下させることができる成膜方法及びこの成膜方法の実施に用いられるタングステンターゲットを提供する。
【解決手段】
タングステンを含有するターゲットＴを希ガスによりスパッタしてタングステン膜を基板Ｓに形成する成膜方法において、ターゲットＴとしてニッケルを含有するものを用いることで、成膜されたタングステン膜はニッケル酸化物を含有する。また、成膜されたタングステン膜におけるニッケルの濃度が、０．００１質量％以上且つ１質量％以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】ＬａＢ_６膜の結晶性を更に改善でき、剥離も少ないスパッタ形成方法を提供する。
【解決手段】タングステン又はモリブデンと、希土類元素の酸化物を含む材料からなる基体にスパッタリングによってＬａＢ_６膜を成膜する際、アルゴンに窒素ガスを０．０１〜５体積％添加した雰囲気でＬａＢ_６ターゲットのスパッタリングを行うことにより、結晶性の優れたＬａＢ_６膜が得られる。 （もっと読む）