【課題】容易にターゲット表面側の磁場形状や磁場強度を変更でき、装置の製造コストを低減できるマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】ターゲット３が取り付けられるカソードの裏面側に磁石ユニット１０を配置したマグネトロンスパッタリング装置であって、磁石ユニット１０は、内側磁石１１と、外側磁石１２と、それらを固定する非磁性体と、内側磁石と外側磁石の磁極を接続するヨーク１４とで形成され、さらに、そのヨークは、矩形状に配列した外側磁石の長辺方向と直交する面で複数個に分割可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによる成膜レートを低くし、被処理体の表面に形成されたアスペクト比が３以上の孔または溝の内壁面および内底面に被覆性が良好な金属薄膜を形成し、少ない電力でも、ターゲットにおける自己保持放電を発生させる成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲット３に電圧Ｖおよび電流Ｉを印加しチャンバ２内でターゲットから放電が発生した後、スパッタガスの導入を止めてターゲットのイオンにより自己保持放電を発生させ、被処理体Ｗの表面の孔または溝内を含む被処理体の表面全面に金属薄膜を形成する工程において、ターゲットに印加する電流Ｉを一定とし、放電が不安定になった時に電圧Ｖを増大させるとともに、関係式（１）および（２）を満たすことを特徴とする。Ｉ＞Ｉ_０・・・（１）、Ｐ＞Ｐ_０・・・（２）（Ｉ_０：自己保持放電を開始する電流の最小値、Ｐ：ターゲットの電力、Ｐ_０：自己保持放電を開始する電力の最小値） （もっと読む）

【課題】スパッタリング用ターゲットから垂直方向に叩き出されるターゲット原子の個数を増大させる。
【解決手段】薄膜形成に用いられるターゲット原子Ｐから構成されたターゲット５において、ターゲット５から斜め方向に叩き出されたターゲット原子Ｐを側壁に衝突させることでターゲット原子Ｐがターゲット５から放出されるのを遮る凹部５ａを表面に形成する。 （もっと読む）

【課題】均一なスパッタリング及び蒸着効果を得ることができるスパッタリングシステムを提供する。
【解決手段】スパッタリングシステムは、互いに対向するターゲット１０，２０，３０，４０を持つスパッタ装置１，２が並列に配され、スパッタ装置の間の両側からガス供給管５０，６０によりガスが供給され、また、スパッタ装置の両側の開口を通じて２つの蒸着基板７１，８１に対する薄膜蒸着が同時に行われ、プラズマ領域が、ターゲットが互いに対向する空間に限定される。 （もっと読む）

【課題】装置によって得られる情報を迅速に解析することが可能なプロセス管理システムを提供すること。
【解決手段】真空プロセス装置１の各部の状態を示す状態情報を取得する第１の取得手段（制御監視部２０）と、真空プロセス装置の制御に関する制御情報を取得する第２の取得手段（制御監視部２０）と、第１および第２の取得手段によって取得された状態情報と制御情報を対応付けする対応付手段（タイマ３４）と、対応付手段によって対応付けがされた状態情報および制御情報を格納する格納手段（ログ格納装置２）と、制御情報を参照して、状態情報に対して解析処理を施す解析手段（解析装置４）と、解析手段の解析の結果として得られた情報を呈示する呈示手段（解析装置４）と、を有し、第１の取得手段は、装置がプロセス処理を実行中である場合には第１の周期で状態情報を取得し、プロセス処理を実行中でない場合には第１の周期よりも周期が長い第２の周期で状態情報を取得する。 （もっと読む）

【課題】比較的に大型の矩形基板に対して、構造が簡易で、かつ、均一性の良く膜質が良好な薄膜を形成できるスパッタリング装置、薄膜の製造方法及び電子素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】排気可能な真空容器内に、ターゲット１ａ裏面側に平面矩形状のマグネットユニット３を備え、ターゲット１ａの表面でスパッタされたスパッタ粒子により基板保持台５に載置する基板２上に薄膜を形成するスパッタリング装置であって、スパッタ粒子が放出される側のターゲット１ａと基板２間に、基板保持台５の面内方向に対して垂直な遮蔽板４を具備した構造を有する。 （もっと読む）

回転ターゲット（２０）を有するカソード組立体（１０）を用いて、基板（１００）をコーティングするための方法が提供される。回転ターゲットは、その中に配置される、少なくとも１つの磁石組立体（２５）を有する。方法は、所定の第１の時間間隔の間、磁石組立体が基板（１００）から回転ターゲットの軸（２１）に垂直に延びる平面（２２）に対して非対称に位置合わせされるように、磁石組立体を第１の位置に位置決めすることと、所定の第２の時間間隔の間、前記平面（２２）に対して非対称に位置合わせされる第２の位置に磁石組立体を位置決めすることと、コーティング期間、経時的に変えられる電圧を回転ターゲットに供給することとを含む。さらに、回転湾曲ターゲットを有するカソード組立体と、回転湾曲ターゲット内に配置される２つの磁石組立体とを含み、２つの磁石組立体間の距離が変えられ得るコータが提供される。 （もっと読む）

【課題】周方向全体に渡ってカスプ磁場によるプラズマの閉じこめ効果を高めることでプラズマ処理の均一性を高める。
【解決手段】減圧された処理室内に処理ガスのプラズマを生成することにより基板に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置であって，処理室の周囲に沿って上下に離間して設けられた２つのマグネットリング２１０，２２０を有し，各マグネットリングは内周面にその周方向に沿って２個ずつ交互に極性が逆になる順序で同じように配列された多数のセグメント２１２，２２２を有する磁場形成部２００を備え，磁場形成部は，下部マグネットリング２２０を上部マグネットリング２１０に対して周方向にずらして配置することで上下の磁極配置をずらしたものである。 （もっと読む）

【課題】
本発明では対向ターゲット式スパッタにおいて、成膜速度の向上と基板へのダメージの抑制とを両立可能とする対向型スパッタカソードを提供する。具体的には、対向する電極面の角度に依らず電極間隙の磁束をほぼ平行にすることで、スパッタ粒子の取り出し効率を向上するとともにプラズマを電極間隙に閉じ込める手段を実現する。
【解決手段】
Ｖ字型に対向する電極面と、前記電極面を挟んで平行またはハの字型に対向する磁極面を有し、前記磁極面はお互いに逆極性であることを特徴とする、スパッタカソード。 （もっと読む）

【課題】極性が異なる複数の磁石を有する磁石機構の個々の高さを容易に調整可能とし、薄膜形成における膜厚不均一性を改善することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空排気可能な処理室１００、処理室内に配置された第１の電極（高周波電極）１０を具備する。また、第１の電極１０上に配置され、隣り合う磁石間で極性を逆にして配置された複数の磁石１４、第１の電極１０と対向して設けられた第２の電極（基板載置電極）２０を具備する。そして、それぞれ磁石１４と第１の電極１０との距離を調整する距離調整機構を設け、個別に複数の磁石１４の第１の電極１０に対する距離を調整可能とする。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の高いホール内に、被覆性の良好な、コンタクト抵抗の低いバリア層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】タンタルまたはタンタルナイトライド等のライナー材料をホール内にスパッタ堆積する。ロングスロースパッタリング、自己イオン化プラズマ（ＳＩＰ）スパッタリング、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）再スパッタリング及びコイルスパッタリングを１つのチャンバ内で組み合わせたリアクタ１５０を使う。ロングスローＳＩＰスパッタリングは、ホール被覆を促進する。ＩＣＰ再スパッタリングは、ホール底部のライナー膜の厚さを低減して、第１のメタル層との接触抵抗を低減する。ＩＣＰコイルスパッタリングは、ＩＣＰ再スパッタリングの間、再スパッタリングによる薄膜化は好ましくないホール開口部に隣接しているような領域上に、保護層を堆積する。 （もっと読む）

【課題】安定した放電状態を短時間で達成し、より高速度での成膜を実現したスパッタリング装置及びスパッタリング処理方法を提供する。
【解決手段】ターゲットを取り付けるカソード電極５にＤＣ電圧を印加するためのＤＣ電源１が、イグニッション電圧設定手段を備え、該手段がイグニッション電圧無効と設定した場合には、ＲＦ電源２からカソード電極５にＲＦ電力を印加し、且つ、ＤＣ電源１からカソード電極５にイグニッション電圧を印加せずに、上位制御装置１２で設定された設定電力を印加し、空間６にプラズマを発生・維持し、上記手段がイグニッション電圧有効と設定した場合には、ＤＣ電源１からカソード電極５にイグニッション電圧、次いで設定電力を印加して空間６にプラズマを発生・維持する。 （もっと読む）

【課題】特に軽元素ターゲットを用いたスパッタリングにおいて、ターゲット材料利用効率を向上させ、ダストや異常放電を抑制することを可能とするスパッタリング装置の提供を課題とする。
【解決手段】ターゲット裏面に設置される磁気回路を、磁化方向が概略前記ターゲット面に平行な方向に設置される磁石ユニットからなる構成とすると共に、バッキングプレートの厚みを周辺部より中央部の方を薄くすることにより、中央部の磁石をターゲットに近づけ、前記磁気回路のなかで、ターゲット面と平行に磁化された磁石ユニットのうちターゲットの中心近傍に設置された磁石ユニットとターゲット表面の距離をよりターゲット表面に近づけることにより、ターゲット上の広範囲にわたってプラズマを発生させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】ターゲット部材の片減りを防止しつつ、簡易な構造で、基板に平行で基板中心に向く磁界を基板上に形成し、膜厚分布を向上させることのできるマグネトロンカソードを提供する。
【解決手段】基板に対向して配される環状のターゲット６と、ターゲット背面にターゲットに対して移動可能且つ回転可能に配置され、不均一な磁界を発生させるマグネット組立１５によって構成されるマグネトロンカソードにおいて、ターゲットの中心開口部周縁に中央シールド部が設けられ、中央シールド部は複数の磁性体部品による積層構造を有する中央カバー１０が設けられるとともに、ターゲット外周側保持リング１１は、複数の磁性体部品からなる積層構造を有し、これら磁性体部品の少なくとも一つが、マグネット組立によって生じる磁界に対応して基板上に磁気異方性を構築する。 （もっと読む）

【課題】金属比を相変態近傍としたＴｉ・Ｃｒ・Ａｌ・系硬質窒化物膜、及び金属比を相変態近傍としたＴｉ・Ｃｒ・Ａｌ・系窒化物に耐熱性及び機械的性質を改善するＹ・Ｓｉ・Ｂを添加した硬質膜を提供する。さらに、基板の中間層として金属膜基板上に堆積させ、基板と膜の密着性を向上させる。また、磁場制御型高周波スパッタリング法を用いた製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１−ａ）、（１−ｂ）及び（１−ｃ）で示される窒化膜であって、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）の金属比を膜が立方晶を維持する相変態近傍の組成とした硬質窒化物膜とした。
（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ・・・・・・・・・・・・・（１−ａ）
（Ｃｒ，Ａｌ）Ｎ・・・・・・・・・・・・・（１−ｂ）
（Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ）Ｎ・・・・・・・・・・（１−ｃ） （もっと読む）

【課題】プリスパッタリング処理に適したダミー基板の提供
【解決手段】このプリスパッタリング処理用のダミー基板１０は、金属製の基板で形成されている。そして、基板１０の表面に凹部１４又は凸部１２が形成されている。かかるダミー基板１０によれば、金属製の基板で形成されているので、プリスパッタリング処理で形成される薄膜８０の膜応力が作用した場合でも、ガラス製の基板に比べて割れにくい。また、基板１０の表面に凹部１４又は凸部１２が形成されているので、表面に堆積した薄膜８０が剥がれにくい。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法における膜質のばらつきを改善し、結晶性の良い硼化物膜を製造する。大面積の基板上に均質な膜質（結晶性）の硼化物膜を形成する。電子放出特性（特に電子放出の安定性）に優れた電子放出素子の製造方法を提供する。遮蔽部材の設置による成膜エネルギーの低下を簡易な構成で改善する。
【解決手段】基板と硼化物のターゲットと開口部を有する遮蔽部材とを、前記基板と前記ターゲットとが対向し、且つ、前記基板と前記ターゲットとの間に前記遮蔽部材が位置するように、配置した状態で、スパッタ法により前記開口部を介して前記基板上に硼化物膜を成膜する。ここで、前記遮蔽部材は、前記ターゲットのエロージョン領域と前記基板との間を遮るように配置され、前記開口部が位置する領域のプラズマ密度が前記遮蔽部材で遮られている領域のプラズマ密度よりも高くなるように、前記基板と前記ターゲットの間の空間のプラズマ密度分布が設定される。 （もっと読む）

【課題】機械の運転時における材料経費が低減されるコーティング機及びコーティング機の動作方法を提供すること。
【解決手段】スパッタリングによって基板をコーティングするためのコーティング機はプロセスチャンバを備えており、プロセスチャンバ内では、基板をコーティングするために、ターゲット３，３’からターゲット材料を基板の方向にスパッタ可能である。コーティング機は、ターゲットをプレスパッタするためにスパッタ方向Ｓから離れるように向く方向にスパッタ方向Ｓを合わせるとともに、ターゲットから材料をスパッタすることによって基板をコーティングするために基板に向く方向にスパッタ方向Ｓを合わせるための手段を特徴としている。アライメントの変化は、例えば、フラットカソード２，２’の長軸を中心に９０°又は１８０°の角度にわたってカソードを回転させることにより行なわれてもよい。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を抑えつつ組成の異なる合金薄膜を形成可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ１２と、チャンバ１２内で基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材１４に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極１８であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な複数の補助陰極３２０，３３０と、を備える。複数の補助陰極３２０，３３０は、互いに異なる金属材料を回転陰極１８の表面に供給する。 （もっと読む）