【課題】下層の薄膜にダメージを与えず、エロージョン領域を広くできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの表面を対向させ、裏面に第一、第二の磁石部材１５ａ、１５ｂを配置し、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂをマグネトロンスパッタしながら成膜対象物５を第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの側方を通過させ、少ないダメージで成膜した後、第三のターゲット２１ｃと正対する位置を通過させ、大きな堆積速度で薄膜を積層する。第一、第二の磁石部材１５ａ、１５ｂを第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの裏面で動かし、エロージョン領域を広くする。 （もっと読む）

【課題】スパッタにより成膜された基板上のＰＺＴ膜への、防着板上の堆積膜からの再蒸発Ｐｂの付着によるＰｂ組成比の増加に関し、前記成膜におけるＰｂ組成比の制御を可能にする。
【解決手段】スパッタ装置のチャンバ内に、基板表面より下側で、その基板を載置する支持台が搭載されたペデスタル側面とチャンバ底壁とを覆って、絶縁体を介して底壁に固定された下方防着板を設け、前記下方防着板に電位を印加可能のようにし、前記印加電位の制御によって、成膜ＰＺＴ中のＰｂ組成比を制御する。 （もっと読む）

【課題】主処理チャンバ（１４）と移動するマグネトロン（３０）を収納する真空チャンバ（３２）の両方に封止されるターゲットアセンブリを有する大面積パネルプラズマスパッタリアクタに特に有用なスパッタターゲットアセンブリ（１８、２０）を提供する。
【解決手段】ターゲットタイルが接着されたターゲットアセンブリは、主面に平行にドリルで穴開けされた平行な冷却ホール（６４）を備えた一体型のプレート（６２）を含む。ホールの端部は封止（７４）され、垂直に伸びているスロット（６６、６８、７０、７２）は各々の端部で２つの千鳥状のグループで配列され、バッキングプレートの対向側部において対として冷却ホールの各々の対に機械加工される。４個のマニフォルドチューブ（１０４、１０６）はスロットの４つのグループに封止され、カウンタフローの冷媒経路を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜のスパッタリング効率を向上させる。
【解決手段】ターゲット室１５から区画して酸素供給室２７を設ける。導入口２６を通してターゲット室１５にアルゴンガスを導入し、導入口３０を通して酸素供給室２７に酸素ガスを導入する。円筒状のターゲット１２の内部に磁石ユニット２２ａを設け、マグネトロン方式でスパッタリングを行う。酸素供給室２７はスパッタ原子が飛散する経路に面して吐出口３１を備え、スパッタ原子を酸化する。酸素供給室２７の内部に、放電電極３５が設けられ、酸素供給室２７内で酸素ガスを活性化する。ターゲット室１５と酸素供給室２７とがそれぞれ空間的に区画されているので、スパッタリングと酸素ガスの活性化とが互いに影響を受けずに効率化される。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット上に非侵食領域が残らず、かつ、反応性スパッタリングを行う場合には、均一な膜質の膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 本発明のスパッタリング装置２は、真空チャンバー内２１に所定の間隔を置いて並設した少なくとも４枚以上のターゲット２４１と、並設されたターゲットのうち２枚のターゲットに対して負電位及び正電位又は接地電位を交互に印加するように１個ずつ接続された交流電源Ｅとを備え、各交流電源Ｅを相互に隣接しない２枚のターゲット２４１に接続したことを特徴とする。 （もっと読む）

矩形スパッタターゲット（１６）の背面に配置され、ターゲットに近接するプラズマトラックに対応して、間にギャップを形成するように配置された反対の極性の磁石（１６４）を有し、プラズマを強化して、ターゲットからスパッタされた材料を矩形パネル（１４）にコートさせる矩形マグネトロン（１６０）。ギャップは、蛇行又は螺旋形状を有する閉鎖ループで延在している。マグネトロンは、ターゲットより幾分小さなサイズであり、ターゲットの２つの垂直な方向に走査される。走査長は、例えば、２ｍのターゲットについては、約１００ｍｍである。走査は、ターゲット側部及び２つの接続対角に平行な２つのリンクに沿って、二重Ｚパターンに従う。チャンバ壁（２７６）で垂直にスライドするガントリ（３６４）からスライド可能に懸架されており、外部アクチュエータ（４１６）は、２次元パスに沿ってマグネトロンを動かす。
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【課題】既存のマグネトロンスパッタリング装置への広範囲な変更を要求せずに、強磁性体のスパッタリング効率を改善する。
【解決手段】改良されたスパッタリングターゲットを、マグネトロンスパッタリング装置で使用するために提供するものであり、そのスパッタリングターゲットは、ターゲット材料がスパッタされる活性な表面と該活性な表面の反対側に位置した背面とを含んでいる。少なくとも１つの磁石が、ターゲットの活性な表面を通り抜ける磁界を増加させるためにターゲットの背面に埋め込み、配向される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一般に、大面積の基板の堆積の均一性を高めるために陽極の表面積を増やした物理気相蒸着（ＰＶＤ）チャンバで、基板の表面を処理する装置及び方法を提供する。
【解決手段】一般に、本発明の様々な側面はフラットパネルディスプレイ処理、半導体処理、太陽電池処理、又はその他あらゆる基板処理に使用できる。１の態様において、処理チャンバは、陽極の表面積を増やして、それを処理チャンバの処理領域全体により均一に分布させるために使う１又は複数の陽極アセンブリを含む。１の態様において、陽極アセンブリは、導電部材と導電部材支持部とを含む。１の態様において、処理チャンバは、処理チャンバから大型の要素を取り外さなくても、導電部材を処理チャンバから取り出せるようになされている。 （もっと読む）

【課題】酸素又は窒素が化学量論比よりも少なく、かつ組成が正確に制御された金属酸化物又は金属窒化物よりなる導電性化合物薄膜及びその成膜方法を提供する。
【解決手段】フィードバック制御を行いながら成膜を行い、図４の通り、酸素流量の測定値を横軸、酸素の発光強度の測定値を縦軸にとってプロットする。酸素流量の極大値Ａ及び極大値Ｂから、Ｃ＝Ａ−α（Ａ−Ｂ）を計算し（但し、αは０より大きく０．５以下の所定値。）、Ｓ字カーブ上における酸素流量値がＣであるときの発光強度値Ｐ、Ｑ（但し、Ｐ＜Ｘ＜Ｑ＜Ｙ。）をグラフから求める。発光強度がＰ以上Ｑ以下の範囲となるようにフィードバック制御を行いながら、成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】幅の広い長尺のフィルムに、複数層の膜を生産性よく、低コストで製造する。
【解決手段】真空槽20中でロール・ツ・ロールでフィルム10をスパッタユニット50と対面領域を通して搬送しつつその上に連続的に成膜するようにした連続スパッタ装置において、スパッタユニット50が、６側面を有しその内の一つを長方形の開口した開口側面とした直方体状の枠体と、該枠体の開口側面に隣接するその長辺側の２側面に対向するように気密に設けられた、ターゲットとこれを冷却するバッキング部とからなるターゲットモジュールを前記開口側面長辺方向に並置した複合ターゲットモジュールと該複合ターゲットモジュールの周囲に設けられたターゲット面に垂直方向の対向モードの磁界を形成する磁界発生手段とからなる一対のターゲット部とを備え、残りの３側面が密閉された箱型スパッタユニットである。 （もっと読む）

【課題】 光吸収のない金属フッ化物膜を再現性よく形成できるとともに、スパッタリング時の高温状態においても変形又はクラックの発生を抑制できるマグネトロンスパッタリング用ターゲット及び該ターゲットを用いたスパッタリング方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリング用ターゲット１の外径（Ｃ）は、ターゲット表面温度分布が考慮されている。具体的には、スパッタリング用ターゲット１の外径（Ｃ）は、第二磁石１５Ｂの内径（Ｄ）寸法よりも小さく、かつ、第一磁石１５Ａの外径（Ｅ）寸法よりも大きい径となっている。 （もっと読む）

【課題】粉体状のターゲット材料を用いたスパッタ法において、長時間の連続稼動によっても、常に一定で安定した膜厚および成膜レートを得ることが可能な成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空を維持することが可能な真空槽と、真空槽内にあり基板を載置する基板保持台と、基板保持台と対向して設置され、粉状のターゲット材料を保持する容器を載置し、かつ、基板保持台に対向する面の中心軸を中心に回転するカソードと、カソードに電圧を印加する電源と、真空槽内にガスを供給しつつ排気するガス供排気手段からなる成膜装置において、基板保持台とカソードとの間には開口部を有してアースシールドが配置され、アースシールドのカソード側の表面の一部には、粉状のターゲット材料を攪拌する攪拌手段が設けられたこと。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜表にダメージを与えずにその表面にスパッタ膜を形成する。
【解決手段】
ターゲット１１３ａが配置された筒状側壁１０３の開口に、粒子通路１３０ａを配置し、その両側に、第一、第二のトラップ磁石１２１ａ、１２２ａを配置し、粒子通路１３０ａに磁力線を形成する。粒子通路１３０を通過しようとするスパッタリング粒子の中で、中性粒子だけが直進でき、それにより、成膜対象物の有機薄膜表面にスパッタ膜が形成される。荷電粒子や電子は磁力線によって飛行方向が曲げられ、有機薄膜表面に到達できないので、有機薄膜へのダメージが小さい。 （もっと読む）

スパッタ付着プロセスを改良する方法が提供されている。本方法は、下記のステップ、(ａ）真空を設けるステップと、(ｂ）設けられた真空中に電極（１０、３４、３４’、４４、４４’）を設けるステップと(ｃ）、前記電極（１０、３４、３４’、４４、４４’）と接触しない、前記真空中に基板を設けるステップと、（ｄ）真空中に装置（２２、２２’、２４、２４’、２６、２６’、２８、２８’、３０、３６、３６’、４８、４８’）をもたらすステップとを備える。本装置は、電極に対して相対運動状態であり、接触ゾーン全体にわたり電極と接触している。本装置は、電極から固体物質を取り除いたりあるいは電極に固体物を貼付したりする。本方法は、簡単なメカニズムによって行われる。複雑なエレクトロニクスあるいは精巧な制御アルゴニズムを必要としない。本方法は、真空中で行われる、すなわち、真空を破壊する必要なく、そのために機械停止期間が減少される。
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【課題】 省スペース、小型コストダウンタイプのカソード構造を得るスパッタ用カソード及びスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 従来１個のターゲット材料に対して１個のカソードを用いるのが通常であったが、本発明は１個のカソードの両面にターゲットを設置することにより、小型、コストダウンを実現する。 （もっと読む）

本発明の成膜装置及び方法は、裏面に永久磁石（１０）が配置されたカソード（５）に、ＨＦ電源（１１）から高周波電圧を与えてリアクティブモードのプラズマを発生させ、このプラズマを用いてプラズマ重合成膜を行う。また、真空チャンバ（１）内のプラズマ源ガスの圧力を調整して、リアクティブモードではなくメタリックモードのプラズマを発生させ、このプラズマを用いて、ターゲットたるカソード（５）をスパッタしてマグネトロンスパッタ成膜を行う。
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【課題】 材料ガスによるプラズマガン内の汚染を防止する。
【解決手段】 プラズマガン１８内で発生されたプラズマ３４は、アパーチャ２４を介して真空槽１２内に供給される。この状態で、真空槽１２内に材料ガスとしてのＴＭＳガスおよびアセチレンガスが導入されると、これらのガスはプラズマ化され、プラズマ化されたガスは、被処理物５４，５４，…の表面において化学反応を起こす。これによって、被処理物５４，５４，…の表面に、シリコンを含有するＤＬＣ膜が形成される。
なお、ＴＭＳガスおよびアセチレンガスは、アパーチャ２４を介してプラズマガン１８内にも流入する。そして、特にアセチレンガスに含まれる炭素によって、プラズマガン１８内が汚染される。しかし、この炭素は、エッチングガスとしての酸素ガスと反応して、二酸化炭素となり、真空ポンプ１６によって真空槽１２の外部に排出される。 （もっと読む）

【課題】 高密度プラズマによるターゲットの局部的な侵食の進行を防止することが可能なマグネトロンスパッタリング装置及びその電極構造を提供する。
【解決手段】 成膜材料からなる板状のターゲット４と、前記ターゲットの背後に、各々の磁極面が該ターゲットに対向しかつ該ターゲットの厚み方向から見て間隔を有して互いに沿うように延在する磁極面を有する複数の主磁極体６〜８と、隣り合う主磁極体の間に配設された補助磁極体１０，１１とを有する磁石装置５０と、を備え、複数の主磁極体６〜８は、互いに逆の極性の磁極面６ａ〜８ａを有するものが交互に位置するようにターゲットに沿って配置され、補助磁極体１０，１１は、両側の主磁極体に対し、各主磁極体の磁極面６ａ〜８ａと逆の極性を有する磁極面１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂを向けるようにして配設されている。 （もっと読む）

本発明は、異なる音響特性インピーダンスを有する、第１材料からなる第１層と第２材料からなる第２層を交互に積層した積層体をもつ薄膜音響積層反射体の製造方法であって、前記第１および第２層のうちの少なくとも一方の層は、反応性直流パルスマグネトロンスパッタリングプロセスによって蒸着される薄膜音響積層反射体の製造方法に関するものである。本発明は、さらに、この方法によって製造される音響積層反射体と、この方法を実施するための装置に関するものである。
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【課題】 スパッタリング成膜においてプラズマダメージを低減させて、ターゲット材の利用効率良くする。
【解決手段】 円筒状のカソード電極（ターゲットを含む）を用い、又、円板状のアノード電極及び、リング状マグネットをスムージングさせる。更には電場・磁場の形成を自由に形成可能にする。 （もっと読む）