【課題】スパッタリング成膜において、磁性体を用いた場合のように、プラズマを制御するカソードマグネットとの間に磁場干渉が生じることのない基板押え機構を実現する。
【解決手段】フレーム６内の空間部５にガス供給手段７から加圧ガスを導入し、フィルム４を変形させて基板３に密着させる。そして、フィルム４とマスク２の間に基板３を挟持して、スパッタリングターゲット１に対向させ、スパッタリング成膜を行う。ガス供給手段７は、ガス導入口７ａ及び排気口７ｂを有し、空間部５内の加圧ガスの圧力を任意に調整することが可能である。加圧ガスとして、スパッタリングのプロセスガスを使用することで、フィルム４から加圧ガスが漏出した場合のプラズマの不安定化を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング現象を用いて基板に薄膜、特に絶縁膜を形成する装置において、プラズマ放電の安定維持の実現、およびプラズマ放電の安定性が崩れることによって引き起こされる放電空間内に配置された構成物のエッチングによる不純物の膜中への混入を防止する。
【解決手段】ターゲット３の裏面に配置された磁気回路の内側磁石５と外側磁石６によって形成される磁場の磁力線５２のうち、ターゲット３に対して垂直方向の成分がゼロとなる点の集合からなる線５３が、対向電極などの機能を有する構造物１０から少なくとも５５ｍｍ以上離れるように構成する。 （もっと読む）

【課題】化合物膜の結晶欠陥を低減することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため本発明は、複数の薄膜形成方式で順次化合物膜を堆積させる薄膜形成装置であり、この薄膜形成装置は、対向する二つの第一ターゲット４Ａ、４Ｂと、これらの第一ターゲット４Ａ、４Ｂの対向方向とほぼ垂直方向から第一ターゲット４Ａ、４Ｂの対向空間１０に臨む高密度ラジカル源５と、この高密度ラジカル源５と異方向から第一ターゲット４Ａ、４Ｂの対向空間１０に臨む基材ホルダ６とを備え、各第一ターゲット４Ａ、４Ｂの背面には、第一ターゲット４Ａ、４Ｂの対向方向に磁界を発生させる磁石７を有し、第一の薄膜形成方式では、各第一ターゲットに負電圧または交番電圧を印加して、基材ホルダ６に設置される基材８に化合物膜が形成されるものとした。これにより本発明は、第一の薄膜形成方式で初期層を形成でき、化合物膜の結晶欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットから発生する高周波ノイズの影響を抑えた高周波スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 被スパッタ面が処理チャンバー１内に露出したターゲット３は、高周波電源４によって高周波電圧が印加されてスパッタされる。ターゲット３の背後には絶縁部材３０を介してベース板３３が設けられ、ターゲット３とベース板３３の間の空間に冷却機構８によって純水が供給されて冷却される。ベース板３３は、１０オーム以下の容量性インピーダンスとなるよう軸対称に配置された複数のコンデンサ３６を介して接地されている。ターゲット３とベース板３３の間に設けられた磁石ユニット５を回転させる回転機構７に対しては、ベース板３３がシールドとなり、ターゲット３からの高周波ノイズが遮断される。 （もっと読む）

【課題】ターゲット材の摩損を均一にさせ、ターゲット材の耐久性を向上させる磁気制御スパッタリング・ターゲット構造及び設備を提供する。
【解決手段】本発明にかかる磁気制御スパッタリング・ターゲット構造は、伝動装置と、少なくとも２つの回転軸と、複数の磁気バーとを備え、前記伝動装置は前記回転軸に巻き付かれて伝動装置式の伝動構造を形成し、前記磁気バーは前記伝動装置に並列に設けられている。本発明にかかる磁気制御スパッタリング・ターゲット設備は、前記磁気制御スパッタリング・ターゲット構造のほかに、前記伝動装置式の伝動構造の外側に位置するターゲット材を更に備える。 （もっと読む）

複数のパルスで陽極とターゲット間に電力を印加することによってＴａＮ層（４）を被着し、ターゲットから基板（２）へ反応的にＴａをスパッタしてＴａNシード層（４）を形成する方法から成る。Ｔａ層（５）は複数のパルスにおける電力を印加すると共に、前記基板（２）を支持するペデスタルに高い周波数信号を印加することによって前記ＴａＮシード層（４）の上に被着され、前記基板（２）に隣接した自己バイアス場を生成する金属化構造体（１）を被着する方法。
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【課題】ヨーク部分の厚みを必要最小限に抑えた着脱式磁石ユニットを提供することを課題とする。
【解決手段】マグネトロンスパッタ装置用磁石ユニット２０は、各々が貫通孔３０ａを有する複数の磁石組立体３０を有する。磁石組立体３０は、貫通孔３０ａに挿通されたねじ４０によりベースプレート３２にねじ止め固定される。ベースプレート３２の磁石組立体３０が取り付けられた面の全体にわたって所定のパターンで複数のねじ穴３４が形成される。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの使用効率や生産性を向上させることができるマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング装置１は、ターゲットが保持される保持面１１ａを有するカソード電極１１と、ターゲット上に磁界を形成すると共に保持面１１ａに直交する回転軸Ｚ８１で回転する磁界形成部８０とを備える。磁界形成部８０は、重心Ｏ８２が回転軸以外の位置となるように配置されてカソード電極１１と対向する第１の磁極面８２ａを有する柱状の第１の磁石８２と、重心Ｏ８３が回転軸上又はその近傍に位置するように配置されて第１の磁石８２を囲う筒状の第２の磁石８３とを備えている。第１の磁極面８２ａは、保持面１１ａとの距離が、第１の磁石８２と第２の磁石８３との距離が最も短い位置Ａ８２で最も長く、最も長い位置Ｂ８２で最も短い傾斜面である。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される薄膜の品質及び製造効率の向上を実現するバッキングプレートの製造方法、及びこれらに関する技術を提供すること
【解決手段】バッキングプレート１は、ブラスト材によりブラスト処理され、ブラスト処理部５が形成される。ブラスト処理部５には、付着、固着したブラスト材の他、突き刺さっているブラスト材が存在する。この突き刺さっているブラスト材上に堆積した膜が容易に剥離し、基板上の薄膜に異物として混入してしまう。ブラスト処理部５に突き刺さっているブラスト材は、単純な洗浄方法では除去することができない。そこで、バッキングプレート１は、超音波洗浄→エッチング処理→超音波洗浄の順に洗浄される。この３段階の洗浄により、ブラスト処理部５に突き刺さったブラスト材を除去することができるため、基板上に形成される薄膜の品質及び製造効率の向上を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が向上し、プラズマのエネルギよるダメージがないカソード電極の製造方法、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法の提供。
【解決手段】スパッタリング法により、コバルト酸リチウム焼結体からなるターゲットを用い、このターゲットに高周波電力及びＤＣ電力を重畳印加させながら、希ガスを供給して、０．１〜１．０Ｐａの圧力下、薄膜固体リチウムイオン２次電池用の負極活物質層として機能するコバルト酸リチウム薄膜からなるカソード電極を形成する。このカソード電極を備えた薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系の材料を用いて形成された、太陽電池の上部電極をなす透明導電膜の表面抵抗を低下させるとともに、可視光線の透過性を良好に保ち、光電変換効率を向上させた太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系材料からなるターゲットを用いて、スパッタ法により基板上に酸化亜鉛系の透明導電膜を成膜することにより中間電極やバッファ層を形成する工程を備え、この中間電極やバッファ層の形成工程では、水素ガス、酸素ガス、水蒸気の群から選択される２種または３種を含む雰囲気中にてスパッタを行う。 （もっと読む）

【課題】制御された蒸気の供給を可能とする。
【解決手段】液体又は固体の物質を保持する保持部４と、保持部を冷却する冷却手段５と、保持部の温度を検知する検知手段６と、検知手段により検出した温度に基づき、冷却手段を制御する制御手段７と、を有し、制御手段により、冷却手段を用いて保持部の温度を制御することで、液体又は固体の物質の気化又は昇華を制御して、物質の蒸気を供給する。蒸気供給装置の置かれた雰囲気での、液体又は固体から気化又は昇華した蒸気の圧力を測定する手段９又は１０を有し、制御手段は、測定された圧力に基づき蒸気の圧力が所定の値になるように保持部の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】インライン方式のマグネトロンスパッタリング装置において、長大化することなく、被成膜基板の全面に形成される膜の膜厚分布を簡単に精度良く調整できるマグネトロンユニットを備えたマグネトロンスパッタリングを提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング装置のマグネトロンユニットは、磁性体からなるヨーク板の両端部に設けられた同じ極性の第１の磁石と、ヨーク板の中央部に設けられ第１の磁石とは極性が異なる第２の磁石と、からなる複数の第１のマグネットエレメントと、複数の第１のマグネットエレメントの各々が一方向に移動できるように移動部が配置されたベースプレートと、ベースプレートの両端部にそれぞれ固定された磁性体からなるヨーク板と、ヨーク板上に配置され第２の磁石と同じ極性の磁石と、磁石の上に配置され第１の磁石と同じ極性の磁石と、からなる第２のマグネットエレメントと、を有する。 （もっと読む）

これまで得られていたものよりも１または２桁低い圧力で高速の堆積を可能にする新規のスパッタ源が開示される。これにより、基板のイオンおよび電子損傷が低減されたより高密度の膜がもたらされる。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面が均一にスパッタリングされる磁石装置を提供する。
【解決手段】外側磁石３１をターゲットに対して静止させておき、内側磁石３５を外側磁石３１の内側で移動させる。ターゲット表面の磁界が変化し、ターゲット表面が均一にスパッタされる。特に、内側磁石３５の直径ｄを外側磁石３１の内周半径Ｒよりも小さくし、外側磁石３１の中心軸線３７を中心として回転させると、強くスパッタリングされる領域がターゲットの全表面上を通過する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの使用効率を向上させる。
【解決手段】第一、第二のマグネトロン磁石装置２０₁、２０₂、８１、８２のうち、一方又は両方のマグネトロン磁石装置は、中心磁石４５と第一のリング磁石４６に加え、第二のリング磁石４７を有している。中心磁石４５は第一のリング磁石４６のリング内側に位置し、第一のリング磁石４６は第二のリング磁石４７のリング内側に位置する。一つのマグネトロン磁石装置２０₁、２０₂、８１、８２がターゲット表面に形成するエロージョン領域の数が多く、また、第一、第二のマグネトロン磁石装置２０₁、２０₂、８１、８２が形成するエロージョン領域は重なり合わないから、ターゲットの使用効率が高い。 （もっと読む）

【課題】所望とする量のＧａやＡｌが、均一にドープされた状態にＺｎＯ膜が形成できるようにする。
【解決手段】ＥＣＲプラズマ源１０２とターゲット１０３とからなるＥＣＲスパッタ源と、ＲＦマグネトロンプラズマ発生部１０４とターゲット１０５とからなるＲＦマグネトロンスパッタ源とを備え、ターゲット１０５の表面（スパッタされる面）の法線と基板Ｗの表面の法線とのなす角度が、６０°以上９０°未満にされている。ＥＣＲプラズマ源１０２からのプラズマが流れる方向を基板Ｗの法線方向としており、ターゲット１０５の表面の法線と、ＥＣＲプラズマ源１０２からのプラズマが流れる方向とのなす角度がθであり、これが６０°以上９０°未満にされている。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも低コストの装置でかつ薄膜の生産性を向上することができるマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 真空容器２と、その内部に対向して設置された一対のターゲット４ａ、４ｂと、各ターゲットの表面に沿ってトンネル状の漏洩磁場を発生させる磁石ユニット３と、磁場と直交する方向に電界を発生させる電界発生手段５と、磁場と電界により発生したレーストラック状のプラズマにより薄膜が形成される一対の基板６ａとを備え、磁石ユニット３は、直線部とその両端のコーナー部を有し、少なくとも直線部は、強磁性体からなる中央ヨーク３１と、中央ヨーク３１を取り囲む外周ヨーク３２と、中央ヨーク３１と外周ヨーク３２との間に設置され、中央ヨークに同極性の磁極が向くように磁化された永久磁石３４を有する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの使用効率を向上させる通過成膜型のスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】複数の磁石走行軌道２１，２２の一部を長方形の第一、第二のターゲット１１、１２の真裏位置に配置し、各磁石走行軌道２１，２２に同径のマグネトロン磁石装置３１、３２を取り付けて、各マグネトロン磁石装置３１，３２を、磁石走行軌道２１，２２上を走行させる。各マグネトロン磁石装置３１，３２によって形成されるエロージョン領域が重ならないようにしておくと、ターゲット使用効率が向上する。磁石走行軌道２１，２２は環状に形成し、マグネトロン磁石装置３１，３２が周回移動するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングの成膜効率の向上を図る。
【解決手段】円筒形の支持筒の外周のターゲット層を形成してあり、中空部内に磁石ユニット２４を配してある。磁石ユニット２４は、各磁石２４ｂのＮ極で構成される第１磁極面がジグザグ状に配してあり、その周囲を各磁石２４ｃのＳ極で構成される第２磁極面が囲むようになっており、ターゲット層の表面近傍に現れる磁界の向きをその母線方向と傾斜したものとし、ターゲット層２７の母線方向の長さに対する磁力線を多くし、ターゲット層の表面近傍での磁界の分布を広げる。 （もっと読む）