【課題】種々の形状のワークに対して成膜を行う。
【解決手段】第１ターゲット装置１１は、円筒状のターゲットユニットその軸心をカルーセル４の回転軸４ａと平行となる姿勢で、また第２ターゲット装置１２は、ツツミ状のターゲットユニットがその軸心をカルーセル４の回転軸４ａと直交する姿勢とされて真空槽３内に配置されている。第２ターゲット装置１２のターゲット層の表面がワーク７の上面や下面に対向するため、それら第１ターゲット装置１１ではほとんど成膜されない部分にもスパッタ原子が堆積して成膜が行われる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングの成膜効率の向上を図る。
【解決手段】円筒形の支持筒の外周のターゲット層を形成してあり、中空部内に磁石ユニット２４を配してある。磁石ユニット２４は、各磁石２４ｂのＮ極で構成される第１磁極面がジグザグ状に配してあり、その周囲を各磁石２４ｃのＳ極で構成される第２磁極面が囲むようになっており、ターゲット層の表面近傍に現れる磁界の向きをその母線方向と傾斜したものとし、ターゲット層２７の母線方向の長さに対する磁力線を多くし、ターゲット層の表面近傍での磁界の分布を広げる。 （もっと読む）

【課題】投入電力を増大させて成膜速度を高めても、溶融状態のガリウムあるいはガリウムを含む材料のスパッタリングを可能にするターゲット構造とこれを備えたスパッタリング装置。
【解決手段】金属材料からなる保持部の上にガリウムあるいはガリウムを含む材料が配置されてなるターゲット構造であって、前記ガリウムあるいはガリウムを含む材料との界面にあたる前記保持部の表面上に、溶融状態のガリウムあるいはガリウムを含む材料との接触角が３０°以下である薄膜が形成されていることを特徴とするターゲット構造。当該ターゲット構造を有するスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】移動度の高い酸化亜鉛半導体膜を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，Ｂに、ＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置された基板上に堆積し、該基板表面にＺｎＯ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】他の処理チャンバからの汚染をもたらさず、スループットを低下させずに各処理チャンバで処理を行うことができる真空処理システムを提供すること。
【解決手段】真空処理システム１は、ウエハＷを搬送する第１の搬送室１１にＰＶＤ処理チャンバ１２〜１５を接続してなる第１の処理部２と、ウエハを搬送する第２の搬送室２１にＣＶＤ処理チャンバ２２，２３を接続してなる第２の処理部と、第１の搬送室１１および第２の搬送室１２の間にゲートバルブＧを介して設けられ、ウエハＷを収容し、かつ圧力調整可能なバッファ室５ａと、バッファ室５ａが第１の搬送室１１および第２の搬送室１２のいずれか一方に対して選択的に連通し、その内部の圧力が連通した搬送室内の圧力と適合するようにゲートバルブＧの開閉およびバッファ室５ａの圧力を制御する制御部１１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットを均等にスパッタし、その使用効率を向上することにより、ターゲットの寿命を長くしたマグネトロンスパッタカソードを提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタカソードは、底部ヨーク１と、ターゲット７を表面に取り付けるバッキングプレート６と、底部ヨーク１の中央部に立設された中央部磁石２と、中央部磁石２を周囲を取り囲むように底部ヨーク１に立設された周縁部磁石３と、中央部磁石２と周縁部磁石３との間で、これらの磁石に沿って底部ヨーク１上に立設され、バッキングプレートに平行な面における垂直磁場成分が三度ゼロレベルを通る分布となる磁場を形成する補助磁石４、５とを有している。ゼロレベルを三度通る垂直磁場成分Ｖの領域の幅Ｌ１とバッキングプレート６の中心軸線から周縁部までの距離Ｌ２との比がＬ１：Ｌ２＝１７：７５となるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 基板全面に亘って反応ガスを略均等に供給し、膜厚分布や比抵抗値などの膜質を基板全面で略均一にできる簡単な構成のスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 スパッタ室１１ａ内に所定の間隔を置いて並設した複数枚のターゲット４１と、各ターゲットへの電力投入を可能とするスパッタ電源Ｅと、スパッタ室へのスパッタガス及び反応ガスの導入を可能とするガス導入手段８とを備え、反応ガスを導入するガス導入手段は、少なくとも１本のガス供給管８４を有し、このガス供給管は、並設した各ターゲットの背面側で各ターゲットから離間させて配置されると共に、反応ガスを噴射する噴射口８４ａが形成されている。ターゲット相互間の各間隙を通って流れる前記反応ガス流量の調整を可能とする調節手段９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ターゲットのエロージョンを均一化することができるマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】反応室に基板とターゲットを互いに対向させ、バッキングプレートの裏面側にターゲットに対して磁界を形成する磁界発生手段を移動可能に配置し、基板とターゲットとの間に高電圧を印加して放電を発生させ、ターゲット材の構成原子を基板上に付着させて薄膜を形成するマグネトロンスパッタ装置において、バッキングプレートの裏面に沿って駆動操作される磁界発生手段を、磁極の向きが逆極性で、かつ磁化方向がバッキングプレートの裏面に向くようにして配置された第１の永久磁石２１Ａと第２の永久磁石２１Ｂとで構成し、かつ、磁界発生手段の駆動方向と交差する方向に磁界を形成する永久磁石の厚みを、駆動方向に沿って磁界を形成する永久磁石の厚みよりも小さくして、第１の永久磁石と第２の永久磁石の磁界強度を部分的に弱くなるように設定した。 （もっと読む）

【課題】ターゲット間のクロスコンタミネーションを防止する。
【解決手段】シャッタ機構は、下記（ａ）〜（ｃ）を同時に満たす様に動作するスパッタ装置。
（ａ）第１シャッタ板６１の第１孔６１ａと第２シャッタ板６２の第３孔６２ａとの重ね合わせ部が第１ターゲット３８下に位置する。
（ｂ）第１シャッタ板６１の第２孔６１ｂが第２ターゲット３５下に位置し、第２シャッタ板６２が第２ターゲット３５を覆う。
（ｃ）第１シャッタ板６１と第２シャッタ板６２とが第３ターゲット（３６，３７）を覆う。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない化合物膜を形成することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため本発明は、対向する二つのターゲット９と、これらのターゲット９の対向方向とほぼ垂直方向からターゲット９の対向空間１６に臨む高密度ラジカル源１１と、この高密度ラジカル源１１と異方向からターゲット９の対向空間１６に臨む基材ホルダ１３とを備え、各ターゲット９の背面にはそれぞれ磁石１７が配置され、これらの磁石１７によって、前記ターゲット９の対向方向に磁界を発生させるとともに、各ターゲット９に負電圧を印加して、基材ホルダ１３に設置される基材１５に化合物膜を形成するものとした。これにより本発明は、負イオンが化合物膜に衝突するのを抑制し、結晶欠陥の少ない化合物膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内に基板８を配置し、マグネトロンスパッタリングにより基板８の表面に磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材のターゲット２１を保持するためのカソード２を、該ターゲット２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと該ターゲット２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係を持つように設置すると共に、前記基板８を回転するための回転機構３３及び前記カソード２の背後に位置するカソードマグネット２２を有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】 アクティブチャンネルとして、酸素と、窒素と、亜鉛、錫、ガリウム、カドミウム、及びインジウムからなる群より選ばれる一つ以上の元素とを含む半導体材料を有するＴＦＴを提供する。
【解決手段】 半導体材料は、底部ゲートのＴＦＴ、最上部ゲートのＴＦＴ、他のタイプのＴＦＴに用いることができる。ＴＦＴは、エッチングによってパターン形成されて、チャンネルと金属電極の双方を作成させることができる。次に、エッチング停止層として半導体材料を用いたドライエッチングによってソース・ドレイン電極を画成することができる。アクティブ層のキャリヤ濃度、移動度、ＴＦＴの他の層との接合部は、あらかじめ決められた値に調整可能である。この調整は、窒素含有ガスと酸素含有ガスの流量比を変えること、堆積された半導体膜をアニーリングし更に／又はプラズマ処理すること、或いはアルミニウムのドーピング濃度を変えることによって達成することができる。 （もっと読む）

【課題】原子炉炉心に挿入して炉心内の中性子を測定する中性子検出器のカソードに形成される中性子変換層ついて、高真空度下においても安定なプラズマを発生させて、品質（膜質）の高い中性子変換層を得ることのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、放電電極２と、中性子検出器３０のカソード３３として用いられる円筒状の接地電極４と、放電電極２と接地電極４とを電気的に絶縁する筒状あるいはスリーブ状の絶縁体５と、放電電極２と接地電極４との間に電力を供給する電源部６と、放電電極２と絶縁体５とを接地電極４の長手軸方向に移動させる電極移動部７と、電源部６が供給した電力により放電電極２と接地電極４との間に発生した電界へ磁界を加える磁界発生部８と、少なくとも接地電極４内を真空にする真空手段９とから構成される。 （もっと読む）

【課題】本願は効率的にターゲットを消費することでターゲットの消費量を抑えることのできるマグネトロンスパッタリング装置及び薄膜形成物製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】プラズマによりターゲット１０をスパッタするマグネトロンスパッタリング装置は、プラズマを閉じこめるための磁場を形成する複数の磁石２０と、複数の磁石２０Ａ，２０Ｂを回転中心Ｐを中心にして回転させる回転機構２２とを有する。複数の磁石２０Ａ，２０Ｂはターゲット１０の表面近傍において閉じた曲線をまたぐように延在する磁場を形成するよう配列される。回転中心Ｐは閉じた曲線により囲まれた領域内にある。閉じた曲線は複数の凸部と複数の凹部を有し、凸部の各々と回転中心Ｐとの距離が互いに異なり、かつ凹部の各々と回転中心Ｐとの距離が互いに異なる （もっと読む）

【課題】 ターゲットの利用効率が高いと共に、ターゲットの寿命も長く、その上、所定面積の処理基板に対し、均一な膜厚で所定の薄膜を形成できるマグネトロンスパッタ電極を提供する。
【解決手段】 処理基板Ｓに対向して設けたターゲットの後方に、このターゲットの前方にトンネル状の磁束を形成すべく、線状に配置した中央磁石とこの中央磁石５２の周囲を囲うように設けた周辺磁石５３とから構成される磁石組立体５を設ける。そして、中央磁石の延長線上に位置させて中央磁石と周辺磁石との間に、中央磁石及び周辺磁石を含むターゲット側の極性を交互にかえて少なくとも一対の補助磁石５４を設ける。 （もっと読む）

【課題】ハウジング部に光源を組み込んで、ハウジング部内側面と、光源先端部とに反射面を成膜するにあたり、成膜にムラができず、光源先端部のみを成膜できるように構成する。
【解決手段】固定金型となる第一金型６に、ターゲット室１１ａの溝奥側に、成膜方向の直進性が低減され、よりムラのない成膜ができるような装置として汎用されるマグネトロンスパッタリング装置９ａを設けた成膜装置９を配設し、ターゲット室１１ａの開口部に、貫通孔１０ａが開設された円板体１０ｂを備えたマスキング部材１０を設けて、一次の射出工程の後、前記ターゲット室１１ａにバルブ３を組み込んだハウジング部４を突き当てることにより、マスキング部材１０の貫通孔１０ａにバルブ先端部３ｂを貫通させ、この状態において成膜する構成とする。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを向上することが可能な対向ターゲットスパッタ装置を提供すること。
【解決手段】真空維持可能な真空槽と、真空槽内に配置されかつ基板を載置する基板ホルダーと、基板ホルダーに対向して設けられたターゲットを載置するターゲットホルダーと、ターゲットホルダーのうちターゲットを載置する表面の反対側に配置される磁石と、ターゲットホルダーに直流電源を印加するスパッタ電源と、真空槽内にガスを導入或いは排気するガス供排気手段とを備える対向ターゲットスパッタ装置において、磁石は環状の矩形状であり、かつ、磁石の長手方向の中心軸を前記ターゲットホルダーの長手方向の中心軸に対して傾けたことで解決できる。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に用いられる軟磁性膜形成用のＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材の機械加工性を向上させるとともに、軟磁性膜を安定してスパッタリング可能なＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_{１００−Ｘ}）、２０≦Ｘ≦７０で表されるＦｅＣｏ合金に、Ｆｅに対する共晶点以上の（Ｎｂ、Ｔａ）から選ばれる１種または２種の元素Ｍ１を含有する焼結ターゲット材であって、ショア硬さが３７ＨＳ以下であるＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によって基板上に透明導電膜を成膜するとき、二次電子が基板に入射することによるダメージを抑制し、且つ成膜時間を短くすることが可能な製造方法及び製造装置を提供すること。プラズマによるダメージを低減した有機ＥＬ素子及び液晶法事装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】開口部を有する磁気シールドをターゲットと基板との間に挿入し、前記ターゲットをスパッタリングすることにより第１の透明導電膜を前記基板上に形成し、前記磁気シールドを前記ターゲットと基板との間から除去し、前記ターゲットをスパッタリングすることにより前記第１の透明導電膜上に第２の透明導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの使用効率の高いマグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法を実現する。
【解決手段】カソード電極が設けられた真空チャンバー内において、カソード電極の表面にターゲットを、カソード電極に対向する位置に基板を配置する。そして、カソード電極の裏面に中央部を囲むように環状に第１環状磁石３０５を配置し、第１環状磁石３０５を囲むように環状に第２環状磁石３０７を配置し、第２環状磁石３０７を囲むように環状に第３環状磁石３０９を配置する。第１環状磁石３０５は、ターゲットに対して垂直に磁界を発生させる。第２環状磁石３０７はターゲットに対して第１環状磁石３０５と同一方向に、第３環状磁石３０９は第２環状磁石３０７と逆方向に磁界を発生させる。そして、ターゲットと基板との間に高電圧を印加すると、ターゲットの外縁部が最も深いエロージョンが形成される。 （もっと読む）