【課題】筒状体の内周面への成膜に適したものであって、かつγ電子によるダメージを抑制することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲットホルダ９は、スパッタ膜の材料としてのターゲット８を保持するためのものであって、相対的に負電位が印加されるように構成されている。筒状体ホルダ２は、筒状体１を保持するためのものであって、相対的に正電位が印加されるように構成された導電部２ｂを有する。導電部２ｂは、筒状体１が筒状体ホルダ２に保持された状態において筒状体１の内部空間へ露出するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】
ターゲット材料の使用効率を良くできると共に形成される膜の均一性に優れたスパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】
本発明によるスパッタ成膜装置では、基板ホルダを回転させかつターゲットに対する距離を変えるため垂直方向に移動させる基板駆動装置と、カソード電極を基板の表面に平行に移動させるカソード電極水平方向駆動装置と、基板駆動装置及びカソード電極水平方向駆動装置に接続され、基板駆動装置による基板の回転及び垂直方向移動、並びにカソード電極水平方向駆動装置によるターゲットの水平移動を制御して、基板の表面形状に応じて基板とターゲットとの距離及び基板に対するターゲットの位置を調整する制御装置とが設けられる。 （もっと読む）

【課題】エッチングの均一性を得るためにウエハ面に対する磁界の方向（ウエハのエッチング面近傍での磁界の方向）を制御できるマグネトロンプラズマ磁場発生装置を提供すること。
【解決手段】複数の柱状のセグメント磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石を具えたマグネトロンプラズマ用磁場発生装置において、ダイポールリング磁石の磁界方向を制御するための磁界方向制御手段を具え、この磁界方向制御手段は、例えば、ディスク状磁石であってこの磁石はその主面の夫々に２極を持つように磁化され、前記主面はダイポールリング磁石の中心軸に直角の面内にあるように配置され、前記ディスク状磁石はダイポールリング磁石の上端近傍に置かれている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも生産性及び膜厚分布に優れた成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、密閉空間Ｋ１を形成するチャンバー部４と、密閉空間Ｋ１の中心部に配置され、成膜材料Ｔ１，Ｔ２が固定されたカソード部１３と、密閉空間Ｋ１の外周部に被成膜物１１が成膜材料Ｔ１，Ｔ２と対向配置するように被成膜物１１を保持する被成膜物保持部８，１０と、被成膜物１１がカソード部１３を中心にして回転するように被成膜物保持部８，１０を回転させる回転駆動部９と、カソード部１３を被成膜物１１の回転軸に沿って移動させるカソード駆動部２３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ターゲットを長期間に亘って均一に使用できると共に、成膜速度を向上させることができるマグネトロンスパッタ装置によって、ＬａＢ_６膜を下地である基体上に成膜した場合、ＬａＢ_６膜が剥離し易いことが判明した。
【解決手段】基体の表面を窒化した後、引き続き同一処理装置内にて、基体の窒化された前記表面にスパッタによりＬａＢ_６の膜を形成することによって、基体から剥離し難いＬａＢ_６膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】容易にターゲット表面側の磁場形状や磁場強度を変更でき、装置の製造コストを低減できるマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】ターゲット３が取り付けられるカソードの裏面側に磁石ユニット１０を配置したマグネトロンスパッタリング装置であって、磁石ユニット１０は、内側磁石１１と、外側磁石１２と、それらを固定する非磁性体と、内側磁石と外側磁石の磁極を接続するヨーク１４とで形成され、さらに、そのヨークは、矩形状に配列した外側磁石の長辺方向と直交する面で複数個に分割可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有する窒化物層をその上方に再現性良く形成することができるアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ−ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式により電圧を印加するＤＣマグネトロンスパッタ法によるアルミニウム含有窒化物中間層２の積層時に、（ｉ）ターゲットの表面の中心と基板の成長面との間の最短距離を１００ｍｍ以上２５０ｍｍ以下とすること、（ｉｉ）ＤＣマグネトロンスパッタ装置に供給されるガスに窒素ガスを用いること、（ｉｉｉ）基板の成長面に対してターゲットを傾けて配置することの少なくとも１つの条件を採用しているアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】種々の成膜法が利用可能な連続成膜装置を提供する。
【解決手段】真空中で搬送される基材Ｓの表面に成膜粒子を供給して皮膜を形成する連続成膜装置であって、真空チャンバ−１と、真空チャンバー１内に回転自在に支持され、基材Ｓを巻き掛けて搬送する成膜ロール４と、前記基材Ｓを成膜域に供給する巻出ロール５および成膜後の基材を巻き取る巻取ロール６と、前記成膜ロール４に対向して配置されたスパッタ蒸発源７１，７２，７３を備える。さらに前記成膜ロール４の下部に一対の回転円筒状電極１１，１２をそれぞれ成膜ロール４と平行に備える。前記一対の回転円筒状電極の少なくとも一方は円筒状ターゲット１３を備える。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を抑えつつ組成の異なる合金薄膜を形成可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ１２と、チャンバ１２内で基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材１４に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極１８であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な複数の補助陰極３２０，３３０と、を備える。複数の補助陰極３２０，３３０は、互いに異なる金属材料を回転陰極１８の表面に供給する。 （もっと読む）

【課題】シートプラズマ成膜装置において、成膜対象である基板が、その表面に穴や溝等の立体形状が形成されているものであっても、これら穴や溝における段差被覆性を向上させ、膜厚の分布をより均一とする技術を提供する。
【解決手段】互いに対向するターゲット電極３７と基板支持電極３６との間の成膜空間にシートプラズマＳＰが導入され、成膜プロセスが実施される。このとき、ターゲット電極３７の裏側面に、軟磁性材料からなりターゲット電極３７よりも小さい磁性部材４６を配置して、磁性部材移動機構６０により前記裏側面内を移動させる。これにより、シートプラズマＳＰにスパッタ量が増大する凸状部位Ｐｃが生じるので、成膜プロセス時に凸状部位Ｐｃを移動させれば、スパッタ量のばらつきを低減し、膜厚分布、段差被覆性等の向上を図ることができる。 （もっと読む）

開示された発明は、ＰＶＤ又はＩＰＶＤにおいてイオン化を高めるために同軸マイクロ波アンテナを使用する。同軸マイクロ波アンテナは、電源に従属しているスパッタリングカソード又はターゲットに隣接するプラズマ密度を均一に増加させる。同軸マイクロ波源は電磁波を横電磁波（ＴＥＭ）モードで生成する。また、本発明はスパッタリングを更に高めるためにスパッタリングカソード又はターゲットの近傍にマグネトロンを使用する。更に、高価なターゲット材料の高い収率を得るために、ターゲットは収率を改善するために回転可能とする。ターゲットは誘電体材料、金属、又は半導体を含む。またターゲットは、ターゲットが回転する中心軸周りに実質的に対称な断面を有する。ターゲットは実質的に円形又は環状の断面を有していてもよい。
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【課題】反応性直流スパッタ放電の安定性を向上させるとともに、パーティクルの発生による欠陥を抑えることのできる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の反応性直流型の成膜装置１は、直流電源１２と、直流電源１２に接続される金属ターゲット１０と、金属ターゲット１０の外周を取り囲むようにして配置される誘電体枠部材１４と、金属ターゲット１０の背面側に配置される電極部９と、金属ターゲット１０及び誘電体枠部材１４上にプラズマ発生領域１３がかかるように磁場を発生させる磁石対８とを備える。 （もっと読む）

【課題】インライン方式のマグネトロンスパッタリング装置において、長大化することなく、被成膜基板の全面に形成される膜の膜厚分布を簡単に精度良く調整できるマグネトロンユニットを備えたマグネトロンスパッタリングを提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング装置のマグネトロンユニットは、磁性体からなるヨーク板の両端部に設けられた同じ極性の第１の磁石と、ヨーク板の中央部に設けられ第１の磁石とは極性が異なる第２の磁石と、からなる複数の第１のマグネットエレメントと、複数の第１のマグネットエレメントの各々が一方向に移動できるように移動部が配置されたベースプレートと、ベースプレートの両端部にそれぞれ固定された磁性体からなるヨーク板と、ヨーク板上に配置され第２の磁石と同じ極性の磁石と、磁石の上に配置され第１の磁石と同じ極性の磁石と、からなる第２のマグネットエレメントと、を有する。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた結晶性が得られるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】基板１１上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２を積層し、該中間層１２上に、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成膜する方法であり、基板１１の温度を２５℃〜１０００℃の範囲とするとともに、処理時間を３０秒〜３６００秒の範囲として、基板１１に対してプラズマ処理を行う前処理工程と、次いで、基板１１上に中間層１２をスパッタ法によって成膜するスパッタ工程が備えられている。 （もっと読む）

マグネトロン（７２）をターゲット（３８）の裏面の近傍で、半径方向成分を有する複雑な選択経路（１５０）で走査する場合、ターゲットエロージョン分布は、選択される複数の経路によって変わる形状を有する。所定のマグネトロンに対応する半径方向エロージョン速度分布（１６０）を測定する。走査中、定期的に、エロージョン分布（１６８）を、測定エロージョン速度分布（１６０）及び当該測定エロージョン速度分布から得られる分布（１６２，１６４，１６６）、マグネトロンが異なる半径方向位置で消費した時間、及びターゲット電力に基づいて計算する。計算エロージョン分布を使用することにより、エロージョン量がいずれかの位置で過剰になった時点を通知してターゲット交換を催促することができ、またターゲット上方のマグネトロンの高さを繰り返し走査に対応して調整することができる。本発明の別の態様によれば、マグネトロンの高さを、走査中に動的に調整する（２０６）ことによりエロージョン特性を補正する。当該補正は、計算エロージョン分布に基づいて行なうことができ、または定電力ターゲット電源（１１０）のターゲット電圧（１２４）の現在値をフィードバック制御することにより行なうことができる。
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【課題】ターゲットの使用効率を向上させる通過成膜型のスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】複数の磁石走行軌道２１，２２の一部を長方形の第一、第二のターゲット１１、１２の真裏位置に配置し、各磁石走行軌道２１，２２に同径のマグネトロン磁石装置３１、３２を取り付けて、各マグネトロン磁石装置３１，３２を、磁石走行軌道２１，２２上を走行させる。各マグネトロン磁石装置３１，３２によって形成されるエロージョン領域が重ならないようにしておくと、ターゲット使用効率が向上する。磁石走行軌道２１，２２は環状に形成し、マグネトロン磁石装置３１，３２が周回移動するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】ワークの移動にともなう異物の付着や膜の変質等を防止する。
【解決手段】真空槽３内の第１成膜ステージ８には、スパッタリング装置を構成するスパッタリング装置１０が配置され、第２成膜ステージ９には、蒸着装置１１が配置されている。カルーセル４を回転させながらスパッタリング装置１０を作動させて薄膜を形成するスパッタリング工程を行う。このスパッタリング工程の後に、蒸着装置１１を作動させてさらに薄膜を形成する。スパッタリング工程では、蒸着材料が蒸発ないし昇華しないように蒸着装置１１を冷却する。 （もっと読む）

【課題】 放電初期状態のバッチ間差を保証して、所定の組成の膜を効率よく形成することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明の成膜方法は、チャンバ内にスパッタリングガスおよび反応ガスを供給して所定の真空度に保ち、チャンバ内に設けられ、ターゲット保持部により基板に対向して保持された金属ターゲットに電圧を印加してスパッタリングを行い基板に所定の膜を形成するものである。ターゲット保持部には、金属ターゲットが基板と対向する側の反対側にマグネットが移動可能に設けられている。マグネットは基板と金属ターゲットとが対向する方向に移動手段により移動される。チャンバ内にスパッタリングガスだけを供給し、この状態で、金属ターゲットに所定の電流または電力を印加させたとき、金属ターゲットの電圧を測定し、かつ放電の検出を開始し、その電圧が所定の電圧で放電が生じるようにマグネットを移動させる。 （もっと読む）

【課題】本願は効率的にターゲットを消費することでターゲットの消費量を抑えることのできるマグネトロンスパッタリング装置及び薄膜形成物製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】プラズマによりターゲット１０をスパッタするマグネトロンスパッタリング装置は、プラズマを閉じこめるための磁場を形成する複数の磁石２０と、複数の磁石２０Ａ，２０Ｂを回転中心Ｐを中心にして回転させる回転機構２２とを有する。複数の磁石２０Ａ，２０Ｂはターゲット１０の表面近傍において閉じた曲線をまたぐように延在する磁場を形成するよう配列される。回転中心Ｐは閉じた曲線により囲まれた領域内にある。閉じた曲線は複数の凸部と複数の凹部を有し、凸部の各々と回転中心Ｐとの距離が互いに異なり、かつ凹部の各々と回転中心Ｐとの距離が互いに異なる （もっと読む）

スパッタリングチャンバのためのスパッタリングターゲットは、スパッタリングプレートが装着されたバッキングプレートを備えている。１つの変形において、バッキングプレートは、環状溝を含む前面を有する円形プレートで構成される。スパッタリングプレートは、スパッタリング面と、バッキングプレートの環状溝に適合する形状及びサイズにされた円形峰を有する裏面とを含むディスクで構成される。 （もっと読む）