【課題】Ｓｉ基板上にＧａＮ膜を形成することを可能にし、光デバイス、トランジスタなどの電子デバイスへの応用展開を工業的に提供可能にする化合物半導体積層体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｓｉ基板１上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ｘ，ｙ，ｚ：０以上、１以下）である活性層２が直接形成されている。この活性層２とＳｉ基板１の単結晶層の界面にＡｓを含む物質が島状に存在している。Ｓｉ基板１は、バルク単結晶基板又は最上層がＳｉである薄膜基板である。 （もっと読む）

【課題】高分子樹脂フィルムと無機酸化物層との密着性を改善した積層体を製造する上で有利な装置およびガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）によるプラズマ処理を行う装置は、高分子樹脂フィルム６が巻回されるプラズマ処理用ローラー５Ａと、プラズマ処理用ローラー５Ａの周面を構成し電力が供給されるカソード電極と、プラズマ処理用ローラー５Ａの周面に対向して配置されアース電位に接続されるアノード電極２と、プラズマ処理用ローラー５Ａの周面とアノード電極２の間に配置された誘電体３とを備えている。カソードとアノード間にプラズマ耐性を有したセラミックなどからなる誘電体が設置されていることで、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）によりスパッタされた有機物がアノード側に付着することを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 成膜処理を繰り返しても、温度再現性が悪化し難い石英ヒーターを提供すること。
【解決手段】 発熱体２３が埋設され、被処理基板載置面２１ａ上に被処理基板Ｗが載置される有色石英ヒーター本体２１を備え、有色石英ヒーター本体２１の熱放射率を、被処理基板Ｗ上に成膜される薄膜の熱放射率以上とする。 （もっと読む）

【課題】加工が容易であって、任意デザインの金属光沢による高級感のある装飾模様を形成することができ、要に臨んで、立体的な装飾模様を形成することも可能な物品の表面装飾構造を提供する。
【解決手段】基材１の表面において、少なくとも金属光沢を有する金属材料が層着した金属被膜層２を形成する一方、この金属被膜層２の少なくとも一部には剥離部２１を設け、この剥離部２１において基材１の表面が露出して、当該基材１の外観と残存した金属被膜層２の金属光沢との相異により装飾模様を形成し、基材１および金属被膜層２がそれぞれ表出した状態で、これらの表面が透光性を有する合成樹脂材料からなるクリアコーティング層３によって被覆して、金属光沢による装飾模様の表面を保護する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、（ＡｌＧａＩｎ）Ｎの光電子デバイス及び電子デバイスのための基材として好適な、高い品質の（ＡｌＧａＩｎ）Ｎ構造物及びそのような構造物を形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る方法は、半導体構造物を分子線エピタキシー反応槽内で処理すること；基材上にＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ（_{１−（ｘ＋ｙ）}）Ａｓ（０≦ｘ＋ｙ≦１）及びＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ（_{１−（ｘ＋ｙ）}）Ｐ（０≦ｘ＋ｙ≦１）のうち少なくとも１つを含むぬれ層を成長させること；上記ぬれ層をインシチューアニーリング（ｉｎ−ｓｉｔｕ ａｎｎｅａｌｉｎｇ）すること；付加的なリン又はヒ素の流体と共に、プラズマ励起された窒素を窒素源として用いて、上記ぬれ層上に第１のＡｌＧａＩｎＮ層を成長させること；上記第１のＡｌＧａＩｎＮ層の上に、窒素源としてアンモニアを用いて第２のＡｌＧａＩｎＮ層を成長させること；を含む。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドライクカーボン膜で被覆保護された導電性基板を提供する。
【解決手段】保護基板は、導電性の基板１５と、該基板１５の表面を被覆するダイヤモンドライクカーボン層からなる保護膜５０と、保護膜５０中に分散される導電性の炭素粒子１５であって、１５基板に接触する接触部と、保護膜から表出する表出部とを有する炭素粒子Ｃと、を備える。かかる保護基板は、基板洗浄工程、炭素粒子スパッタ工程、ダイヤモンドライクカーボン層形成工程及び表面層除去工程を経て形成される。基板洗浄工程、炭素粒子スパッタ工程及びダイヤモンドライクカーボン層形成工程は、同一のマグネトロンスパッタ装置において連続して実行できる。 （もっと読む）

【課題】溶着現象を抑制した耐摩耗性及び耐高温酸化特性を持つ多層皮膜被覆部材を提供する。
【解決手段】基材２表面に硬質皮膜１を２層以上被覆した多層皮膜被覆部材において、該硬質皮膜１は外層である第１硬質皮膜４と、内層である第２硬質皮膜３を有し、該第１硬質皮膜４は、ＳｉＢＮＣＯ系であり、該第２硬質皮膜３は、金属成分がＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｓｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｍｏから選択される２種以上、非金属成分がＮと、硼素、Ｃ、Ｏ、Ｓから選択される１種以上を有し、該第１硬質皮膜４の表層は、Ｓｉ−Ｃ結合を示すピークから求めた面積をα、Ｓｉ−Ｏ結合を示すピークから求めた面積をβとしたとき９≦α／β≦２２、Ｂ−Ｎ結合を示すピークから求めた面積をＸとし、Ｂ−Ｏ結合を示すピークから求めた面積をＹとし、比をＸ／Ｙとしたとき、５≦Ｘ／Ｙ≦１２、であることを特徴とする多層皮膜被覆部材。 （もっと読む）

【課題】セパレータと電極間で発生する接触抵抗が低く、耐食性に優れており、かつ低コストの燃料電池セパレータを提供する。
【解決手段】ステンレス鋼からなる基材の表面を窒化処理することにより得られる燃料電池セパレータであって、基材の表面から深さ方向に連続して存在する窒化層を備え、窒化層は、最表面に外部方向に突出する粒状の析出物と、窒化層内に高沸点金属部を有する。 （もっと読む）

【課題】十分な耐熱性と耐摩耗性を備え、より過酷な切削環境においても皮膜の性能を十分に発揮できる密着強度を有する多層皮膜被覆部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に硬質皮膜を２層以上被覆した多層皮膜被覆部材において、該硬質皮膜は外層である第１硬質皮膜と、内層である第２硬質皮膜を有し、該第１硬質皮膜は、ＳｉａＢｂＮｃＣｄＯｅであり、該第２硬質皮膜は、金属成分がＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｓｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｍｏから選択される２種以上、非金属成分がＮと、硼素、Ｃ、Ｏ、Ｓから選択される１種以上を有し、該第１硬質皮膜と該第２硬質皮膜との界面から少なくとも５００ｎｍまでの該第１硬質皮膜を低酸素濃度域とし、該低酸素濃度域における酸素含有量を原子比でｆとしたとき、０＜ｆ≦０．０５、であることを特徴とする多層皮膜被覆部材。 （もっと読む）

【課題】結晶性が高いシリコン層を形成できる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、シリコンの結晶粒を含むシリコン層を備える基板の製造方法である。この製造方法は、Ｙ₂Ｏ₃の含有率が６モル％以上であるイットリア安定化ジルコニア層１２を基材１１上に形成する第１の工程と、イットリア安定化ジルコニア層１２上に気相堆積法によってシリコン薄膜１６を形成する第２の工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性に優れた耐摩耗金属体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化タングステン粒子２１を結合相２２によって結合してなる超硬合金２の表面を酸によってエッチングして結合相２２の一部を除去したエッチング表面を形成するエッチング工程と、その後、チャンバー内に超硬合金２と共に配置した銅ターゲットに電子ビームを照射することによって銅をガス化し、ガス化した銅をエッチング表面において液化させて炭化タングステン粒子２１の粒界に含浸させる銅含浸工程とを行う。これにより、超硬合金２の表面に、炭化タングステン粒子２１が銅２３によって結合された改質表層１１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】全面均一平坦シード層を用い、かつｐ型半導体層のキャリア濃度を増大化させ、信頼性の高い高輝度のＬＥＤ等を得る。
【解決手段】サファイア基板１１表面に、シード層１２として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させ、ついでＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層１４、発光層１５およびｐ型半導体層１６を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体２０を製造するに際し、下記（Ａ）〜（Ｄ）から選ばれる少なくとも１種の方法を用いてｐ型半導体層のキャリア濃度を増大化させる。(Ａ）ｐ型半導体層の成膜をN₂主体のキャリアガスを用いて行なう。（Ｂ）ｐ型半導体層の成膜終了後の冷却中の雰囲気をN₂主体にする。(Ｃ）得られたＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を熱処理する。(Ｄ）得られたＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体をN₂プラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】本願発明の課題は、高硬度を維持しつつ残留圧縮応力の低減化を図り、硬質皮膜層１、２の密着強度を改善して硬質皮膜被覆切削工具の長寿命化を図る。
【解決手段】本願発明は、超硬合金を基材とする切削工具に硬質皮膜を被覆した硬質皮膜被覆切削工具において、表面側に硬質皮膜層１、基材側に硬質皮膜層２が被覆され、硬質皮膜層１は（Ａｌ_ａＣｒ_１−ａ）Ｎ_ｘ、但し、０．５≦ａ≦０．７５、０．９≦ｘ≦１．１であり、硬質皮膜層２は（Ｔｉ_ｂＡｌ_１−ｂ）Ｎ_ｙ、但し、０．４≦ｂ≦０．６、０．９≦ｙ≦１．１であり、Ｘ線回折における硬質皮膜層１の（２００）面の格子定数をα１（ｎｍ）の時、０．４１１≦α１≦０．４１５であり、硬質皮膜層２の（２００）面の格子定数をα２（ｎｍ）の時、０．４１３≦α２≦０．４１８、であることを特徴とする硬質皮膜被覆切削工具である。 （もっと読む）

本発明は、ストリップ基材を含み、その基材の表面上に提供された、銀及びインジウムを含む導電性合金層を含む、被覆物品に関する。この導電性合金層は良好な電気特性を有し、そして周囲空気中の硫黄と容易に反応しない。本発明は、さらに、ストリップ基材を提供すること、その基材をイオンエッチングすること、その基材上に、銀及びインジウムを含む導電性合金層を堆積させることの工程を含む、被覆物品の製造方法に関する。本発明は、その被覆物品を含む、電気用途のための物品にも関する。
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【課題】本願発明の課題は、硬質炭素膜が有する高硬度の特性を維持しつつ耐熱性を改善して、非鉄材料の切削工具表面やダイキャスト金型表面等、高温に曝される工具の耐久性を向上させることである。
【解決手段】本願発明は、基材上に固体カーボンターゲットを用いたフィルタードアーク蒸着により硬質炭素膜を被覆した被覆工具であって、該硬質炭素膜はＳｉを原子％で２％以上、１０％以下含有し、Ｘ線光電子分光分析によりもとめたＳｉＣピーク強度比は０．０５以上、０．５以下であり、ナノインデンテーションによりもとめた硬度は４０ＧＰａ以上、７４ＧＰａ以下であり、該硬質炭素膜表面の凸部及び凹部の面積率をＤ（％）としたとき、Ｄ≦０．０１であることを特徴とする硬質炭素膜被覆工具である。 （もっと読む）

【課題】ウェハー外周部から剥離した膜がカラーリングに異物として付着することを抑制できるＣＶＤ装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】高密度プラズマＣＶＤ装置は、成膜とエッチングを同時に又は繰り返して行うことで埋め込み性の高い膜をウェハー上に形成する高密度プラズマＣＶＤ装置であり、、ウェハー２１が保持され、ウェハー２１より径の小さい静電チャック２と、静電チャック２の側壁を囲むように設置されたカラーリング１ｂとを具備し、カラーリング１ｂは、静電チャック２の側壁に対向し且つウェハーの外周部の下方に位置する対向部４０ａを有し、対向部４０ａは静電チャックの側壁を囲むように形成されており、対向部４０ａにおける静電チャック２に対して外側は、前記ウェハーの外周部の最も外側の端部より内側に位置していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高硬度被削材の高速高送り切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）組成式：（Ｔｉ_1−αＡｌ_α）Ｎあるいは組成式：（Ｔｉ_1−α−βＡｌ_αＭ_β）Ｎ（但し、Ｍは、Ｔｉを除く周期律表４ａ，５ａ，６ａ族の元素、Ｓｉ、Ｂ、Ｙのうちから選ばれた１種又は２種以上の添加成分を示し、原子比で、０．４５≦α≦０．７５、０．０１≦β≦０．２５）を満足するＴｉとＡｌ（とＭ）の複合窒化物層からなる下部層、（ｂ）組成式：（Ｃｒ_１−γＹ_γ）Ｎ（但し、原子比で、０．０１≦γ≦０．１）を満足するＣｒとＹの複合窒化物層からなる上部層、以上（ａ）、（ｂ）で構成された硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】高硬度被削材の高速重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層として、組成式：（Ｔｉ_1−ＸＡｌ_Ｘ）Ｎ又は組成式：（Ｔｉ_{1−Ｘ−Ｚ}Ａｌ_ＸＭ_Ｚ）Ｎ（Ｍは、Ｔｉを除く周期律表４ａ，５ａ，６ａ族の元素、Ｓｉ、Ｂ、Ｙのうちから選ばれた１種又は２種以上。０．４５≦Ｘ≦０．７５、０．０１≦Ｚ≦０．２５）を満足するＴｉとＡｌ（とＭ）の複合窒化物層、（ｂ）上部層として、層厚方向に沿って、Ｙ最高含有点とＣｒ最高含有点とが交互に繰り返し存在し、ＣｒとＹの含有割合が連続的に変化する成分濃度分布構造を有し、Ｙ最高含有点が、組成式：（Ｃｒ_１−αＹ_α）Ｎ（０．１６≦α≦０．２６）を満足し、Ｃｒ最高含有点が、組成式：（Ｃｒ_１−βＹ_β）Ｎ（０．０１≦β≦０．１０）を満足するＣｒとＹの複合窒化物層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速高送り切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）組成式：（Ｔｉ_1−αＡｌ_α）Ｎあるいは組成式：（Ｔｉ_1−α−βＡｌ_αＭ_β）Ｎ（但し、Ｍは、Ｔｉを除く周期律表４ａ，５ａ，６ａ族の元素、Ｓｉ、Ｂ、Ｙのうちから選ばれた１種又は２種以上の添加成分を示し、原子比で、０．４５≦α≦０．７５、０．０１≦β≦０．２５）を満足するＴｉとＡｌ（とＭ）の複合窒化物層からなるＴｉＡｌ（Ｍ）Ｎ薄層、（ｂ）組成式：（Ｃｒ_１−γＹ_γ）Ｎ（但し、原子比で、０．０１≦γ≦０．１）を満足するＣｒとＹの複合窒化物層からなるＣｒＹＮ薄層、上記（ａ）、（ｂ）の交互積層からなる硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

本発明は、ベース体およびそこに塗布された多層コーティングを含む切削工具に関し、それは互いに交互かつ直接に塗布された複数の主層Ａおよび中間層Ｂを含み、随意的にさらなる層を含み、ここで、主層Ａおよび中間層ＢはそれぞれＰＶＤプロセスによって製造された金属酸化物層であり、主層Ａの厚さは4nmから1 μmの範囲であり、中間層Ｂの厚さは2nmから50nmの範囲であり、ここで、中間層Ｂの厚さ対主層Ａの厚さの比率が1:2 から 1:100の範囲である。 （もっと読む）