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Fターム[4K029FA04]の内容

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Fターム[4K029FA04]に分類される特許

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【課題】従来の皮膜よりも耐酸化性および耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】(Al,M,Cr1−a−b)(C1−e)からなる硬質皮膜(但し、MはW及び/又はMo)であって、
0.25≦a≦0.65、
0.05≦b≦0.35、
0.5≦e≦1
(a,b,eはそれぞれAl,M,Nの原子比を示す。)
であることを特徴とする硬質皮膜。 (もっと読む)


【課題】断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】WC基超硬合金製工具基体表面にTiN層からなる硬質被覆層を物理蒸着で形成した表面被覆切削工具において、TiN層は、平均層厚と等しい高さを有し、かつ、工具基体表面に対して直立方向に成長した縦長平板状のTiN結晶粒からなり、さらに、上記TiN層の表面から0.1μmの高さの水平断面におけるTiN結晶粒組織を観察した場合、短辺が5〜100nm、アスペクト比が3以上である上記縦長平板状のTiN結晶粒の占める面積割合が、全水平断面積の30%以上である。 (もっと読む)


【課題】立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料からなる工具基体及びこの表面に被覆された硬質被覆層の残留応力差をコントロールすることにより、長時間断続切削を行った場合でも、優れた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料からなる工具基体表面に、硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具であって、工具基体と硬質被覆層との界面における工具基体及び硬質被覆層の残留応力値が、それぞれが−2GPa以下の残留応力であり、かつ、両者の残留応力の差が0.5GPa以下であり、好ましくは、硬質被覆層中の残留応力の値が、硬質被覆層の表面に向かって絶対値で次第に小さくなる残留応力分布を示す表面被覆切削工具。 (もっと読む)


【課題】導電性を有する酸化物膜を基材表面上に成膜することにより耐酸化性、耐欠損性、耐摩耗性の全てに優れ、また、物理蒸着法により成膜可能であり、さらに美しい外観色を呈することにより商品価値の高い表面被覆切削工具の製造方法を提供する。
【解決手段】基材上にコーティング層を備える表面被覆切削工具の製造方法であって、前記コーティング層は、前記基材側から内層および外層をこの順で備え、該内層は、周期律表4a族に属する金属、5a族に属する金属、6a族に属する金属、AlおよびSiからなる群より選択される1種以上の元素と、炭素、窒素および酸素からなる群より選択される1種以上の元素との化合物から構成され、前記外層は、導電性を有する酸化物膜から構成される表面被覆切削工具の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】容易にパターニングが可能で、かつ低コストで実現可能な低抵抗で透明性に優れた酸化スズ膜からなる透明電極の製造方法の提供。
【解決手段】基板上にパターニングされた酸化スズ膜を形成した透明電極の製造方法であって、
基板上にSnO−x膜(0.3≦x≦1.95)を形成する工程、前記SnO−x膜の一部を除去してパターニングする工程、パターニングされた前記SnO−x膜を加熱処理し酸化スズ膜とする工程とを含む透明電極の製造方法、または、
基板上に膜の密度が6.5グラム/cm以下の酸化スズ膜を形成する工程、前記膜の密度が6.5グラム/cm以下の酸化スズ膜の一部を除去してパターニングする工程、パターニングされた前記膜の密度が6.5グラム/cm以下の酸化スズ膜を加熱処理し酸化スズ膜とする工程とを含む透明電極の製造方法。 (もっと読む)


【課題】従来の連続膜媒体の作製プロセスに近い簡便な方法を用い、磁気記録層において配向分散を抑制しつつ磁気クラスターサイズを減少させることができる下地層の分離構造を形成し、かつ下地層の薄膜化による記録性能の高性能化が可能な垂直媒体の提供。
【解決手段】非磁性基体上に少なくとも下地層および磁気記録層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、前記下地層は結晶粒子と非晶質結晶粒界とからなり、該結晶粒子が、(成長初期の底面積)>(上部の面積)である形状を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 (もっと読む)


【課題】Auを含む表面層をTi基材上に強固かつ均一に形成させることができ、燃料電池用セパレータに要求される耐食性、導電性及び耐久性も確保できる燃料電池用セパレータ材料を提供する。
【解決手段】Ti基材2の表面に、Al、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Mo、Sn及びBiからなる群より選択される少なくとも1種類以上の金属からなる第1成分とAuとを含む表面層6が形成され、表面層における第1成分の含有量が、第1成分の比重(g/cm3)×0.001〜第1成分の比重(g/cm3)×0.01(μg/mm)であり、かつAuの含有量が0.070(μg/mm)以上であり、表面層のどの深さにおいても、金属状態の第1成分の含有量が25質量%以下である燃料電池用セパレータ材料である。 (もっと読む)


【課題】ダイシングによりコーティング層が剥離することを防止できる光学素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基材11上にコーティング層16が形成された光学素子の製造方法において、親基材1の裏面にダイシングシート2を貼着し、前記親基材1の表面側をダイシングして複数の前記基材11に分割するダイシング工程と、前記ダイシング工程を行なった後、前記ダイシングシート2に貼着された複数の前記基材11の表面に前記コーティング層15を成膜する成膜工程と、前記コーティング層15が成膜された複数の前記基材11を、前記ダイシングシート2から剥離するピックアップ工程とを備えること構成とする。 (もっと読む)


【課題】立方晶炭化珪素の単結晶膜を高品位(高品質)に作製することができる、半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一面に単結晶シリコンを有する基板(シリコン基板1)の一面1a上に、炭素を主に含んでなる炭素層を形成する工程と、炭素層に電磁波を照射して加熱し、炭化珪素を含む炭化緩衝層3を形成する工程と、を含む半導体基板5の製造方法。 (もっと読む)


本発明は、コーティング及び基材を含み、該基材上にPVD堆積法を用いてコーティングが堆積された被覆物体の製造方法に関する。コーティングは、周期律表の第IVb族、第Vb族、第VIb族、ならびに、Al、Y及びSiから選ばれる1種以上の元素の窒化物、炭化物、酸化物、ホウ素化物又はそれらの混合物を含む。堆積方法は、活性ターゲットを維持しながら、基材バイアス電圧を変化させる少なくとも1つのシーケンスを含み、ここで、基材バイアス電圧を変化させるシーケンスはサブシーケンスSi;−第一の基材バイアス電圧Biにて10秒間〜60分間の堆積時間Tiの間堆積させ、その後、10秒間〜40分間の傾斜時間Riの間堆積させながら、基材バイアス電圧を徐々に第二の基材バイアス電圧Bi+1(│Bi−Bi+1│≧10V)に変化させることを含み、ここで、サブシーケンスSiをi=nとなるまで繰り返し、ここで、i=0,1,2,...nであり、n≧2であり、各新規のサブシーケンスは前のサブシーケンスが終わるときに使用されていたのと同一の基材バイアス電圧で堆積を開始する。
(もっと読む)


【課題】有機EL用マスクの開口部に形成されているテーパ面に付着している蒸着物質を高い洗浄度でクリーニングすることを目的とする。
【解決手段】テーパ面5A乃至5Dを有する開口部3を複数形成した有機EL用マスク1のクリーニングを行う有機EL用マスククリーニング装置であって、各開口部3に形成される4つのテーパ面5A乃至5Dのうち相互に隣接する2つのテーパ面に向けて、開口部3の対角線D1を挟んで反対側から第1のレーザL1を入射させて開口部3の斜め方向に走査させる第1のレーザ光学系17Aと、対角線D1を挟んで2つのテーパ面の反対側から第1のレーザL1が入射するように、有機EL用マスク1と第1のレーザ光学系17Aとを相対的に移動させる第1のレーザ移動部24Aと、を備えている。 (もっと読む)


【課題】エネルギーおよび設備投資を可能な限り低く抑えつつ高品質な表面電極膜と、反射層が白色材料層で構成される場合に高品質な裏面電極膜を提供する。
【解決手段】透明基板1と、透明基板1に蒸着される透明なドープ酸化亜鉛表面電極膜2と、半導体膜3と、任意に設けられるドープ酸化亜鉛裏面電極膜4と、光の入射側hvと反対側の裏面に設けられた反射層5とを含む薄膜ソーラーモジュールにおいて、ドープ酸化亜鉛表面電極膜2および/またはドープ酸化亜鉛裏面電極膜4のドーパント量を、透明基板1から半導体膜3に向けてと半導体膜3から反射層5に向けてそれぞれ減少させる。 (もっと読む)


本発明は、物理蒸着技術によって金属基材上に貴金属の層を連続蒸着することによる電解用途用の金属電極の製造法に関する。 (もっと読む)


【課題】高精細のパターニングを有する大型基板の量産工程に適した薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本体601に内蔵され、本体の互いに異なる位置に備わった複数の電源ホール603a,603bを含む基板500を支持する静電チャック600で、キャリアのチャンバ731通過時に電源ホールへの着脱自在の、電極に電力を提供する移動経路の上流の第1電源フィン604aと他の電源ホールに着脱自在の下流に位置する第2電源フィン604bを含む薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】高品質の薄膜を基板上に堆積させることを容易にする原料ガス分解機構を提供すること。
【解決手段】減圧下のチャンバ17内で基板21上に薄膜を気相堆積させる薄膜製造装置1に設けられ、薄膜の原料となる1種類または複数種類の原料ガスの分解種を分解して該原料ガスの分解種を生成する原料ガス分解機構に、反応室に連通される開口部を有し、該開口部を介して反応室に原料ガスを導入する1つまたは複数のガス導入管13と、上記の開口部での反応室側の開口面よりも基板側に変位した状態で、かつ上記の開口部に近接した状態で接配置される原料ガス分解用の触媒体10と、触媒体に導線11a,11bを介して通電することで該触媒体を昇温させる加熱電源12とを設ける。 (もっと読む)


本発明は、摩耗および腐食からの保護が改善された、基板上のコーティングシステムに関する。本発明に従い、基板をダイヤモンドライクカーボン(DLC)層でコーティングする。このDLC層を、DLCコーティング材料と異なる材料を用いたさらなる層でコーティングすることにより、DLC層のピンホールを閉じる。
(もっと読む)


【課題】本発明は、クレーター摩耗を低減するとともに高度な耐摩耗性を付与することができる被膜を備えた表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、1以上の層を含み、該層のうち少なくとも1の層は、化学式Ti1-XZrXαβ(ただし、MはYおよびSiの少なくとも一方、X、α、βはそれぞれ原子比を示し、Xは0.2≦X≦0.6であり、αは0.02≦α≦0.2、βは0.1≦β≦2である。また、Zは酸素、炭素、および窒素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を示す。)で示される第1化合物を含むY/Si添加チタンジルコニウム層であり、上記第1化合物は、X線回折における(111)面のピーク強度Aと(200)面のピーク強度Bとの比B/Aが0≦B/A≦1となる結晶構造を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】膜厚が薄く、低抵抗率及び高透過率を有する透明導電膜を提供する。
【解決手段】基板上に設けられる、酸化インジウム錫膜からなる透明導電膜であって、膜厚が8〜20nmの範囲であり、X線回折法における(222)面のピーク強度Iと(400)面のピーク強度Iとの比I/Iが0.1〜1.0の範囲であり、抵抗率が1.5×10−4Ωcm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】粒界を有し、優れた耐擦傷性を有する多層反射防止層および、その製造方法、さらには、該多層反射防止層が形成されたプラスチックレンズを提供すること。
【解決手段】多層反射防止層3は、高屈折率層3H1、3H2と低屈折率層3L1、3L2、3L3とを交互に積層してなるとともに、高屈折率層3H1、3H2が粒界を有し、粒界を形成する粒子の粒子径が30nm以下である。 (もっと読む)


【課題】高速加工およびドライ加工でさらなる長寿命化を達成することができる表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明は、基材と、該基材上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、AlaTibSicN(ただし、0.3≦b≦0.65、0.02≦c≦0.15、a+b+c=1)からなるA層と、AldCreSifN(ただし、0.2≦e≦0.5、0.02≦f≦0.15、d+e+f=1)からなるB層とがそれぞれ交互に積層されて構成されており、A層の厚みをλaとし、B層の厚みをλbとすると、互いに接しているA層およびB層の厚みの比であるλa/λbの値は、基材に最も近い位置においては1.0≦λa/λb≦1.7であり、基材側から被覆膜の最表面側に進むにしたがって連続的および/または段階的に減少し、被覆膜の最表面に最も近い位置においては0.6≦λa/λb≦1.0となる表面被覆切削工具である。 (もっと読む)


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