【課題】処理装置の構成部分表面の付着膜をクリーニングするための方法及び装置を提供する。
【解決手段】一態様において、電子装置製造処理チャンバの構成部分をクリーニングするための方法であって、ａ）上記部分の最表面の意図していない被覆層１０６を酸でスプレーしてエッチングし、ｂ）残っている被覆層１０６を脱イオン化水で加圧洗浄し、ｃ）被覆層１０６の下層の意図的被覆層１０４を水酸化カリウムで処理する、ことを含む方法が提供される。その他の態様も提供される。 （もっと読む）

【課題】少なくとも有機コーティング材料（ＯＬＥＤ材料）がその上に堆積されたパターニングデバイスの洗浄方法である。
【解決手段】この方法は、パターニングデバイスからコーティング材料をプラズマエッチング処理により除去するための洗浄プラズマを供給する工程を含む。コーティング材料をパターニングデバイスから除去する工程中、パターニングデバイスの温度はパターニングデバイスに損傷を生じさせる臨界温度を超えず、プラズマエッチング速度は少なくとも０．２μｍ／分、特には０．５μｍ／分、特には１μｍ／分、特には２．５μｍ／分、特には５μｍ／分で維持される。パルス洗浄プラズマを発生させるために、パルスエネルギーを供給する。本方法は直接プラズマエッチング法又は遠隔プラズマエッチング法によって実行することが可能である。異なるエッチング法を組み合わせても、連続的に実行してもよい。 （もっと読む）

【課題】少なくとも発光層と電子注入層が一対の電極間に挟持されている有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】金属及び金属化合物、又は金属若しくは金属化合物の加熱蒸発物と、有機物の加熱蒸発物とを原料とする共蒸着膜を電子注入層とする有機ＥＬ素子の製造方法であって、基板の上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極の上に有機化合物層を形成する工程と、前記有機化合物層の上に上部電極を形成する工程とを有し、前記有機化合物層の一つである電子注入層を作成する工程で、前記金属及び金属化合物、又は金属若しくは金属化合物の加熱蒸発物に対してイオン化処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）

ある厚さのスパッターターゲット表面変形層を除去するための方法を提案する。この方法により、スパッタリング作業時のバーンイン時間の短縮が実現される。この方法は、粘弾性研磨媒体による、ターゲット表面の押出しホーンポリッシングから成る。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に残留する堆積物による半導体の汚染を防止する方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１００表面近傍の温度制御付きセラミックのライナ１０２の温度は、半導体の基板処理中にライナ１０２表面上の堆積物形成の低減やライナ１０２表面から堆積物除去の促進を目的に設定される。チャンバ１００表面には堆積物が早く堆積するものもある。堆積物の形成又は除去の速度は温度に依存するので、ライナ１０２は異なる場所で温度を独立に設定可能に構成されうる。温度制御可能なライナ１０２が複数の場合、各ライナで保護されるチャンバの領域の堆積物の形成の低減又は除去の要件に応じ、異なる温度に設定される。好適には、基板処理時或いは洗浄処理時にチャンバ１００外部で生成されたプラズマが導管を通してチャンバ１００内に供給される。 （もっと読む）

【課題】 非製品用基板を用いずに処理室内の状態安定化処理を実行可能とすることで，非製品用基板の搬送等にかかる時間を省き，製品用基板の処理のスループットを向上させる。
【解決手段】 処理室２０２内でウエハＷのプロセス処理を開始するのに先立って，サセプタ２０５にウエハＷを載置しない状態で，処理室内に所定のガスを供給しながら処理室内の排気を行って，サセプタ２０５に高周波電力を印加して，処理室内の状態を安定化させる処理を実行させる。 （もっと読む）

【課題】陽極に形成された反応生成物を取り除くことができるシートプラズマ装置を提供する。
【解決手段】本発明のシートプラズマ装置１００は、内部を減圧可能な減圧容器６０と、プラズマガン１０と、減圧容器の内部においてプラズマを受ける平板状の陽極５１と、減圧容器の一部を成すように形成され、その内部に円柱状のプラズマ２２を流動させかつこの円柱状のプラズマをシート状のプラズマ２７に変形させるシートプラズマ変形槽２０と、減圧容器の一部を成すように形成された成膜槽３０と、陽極を回転させる回転機構７５と、陽極の背後にかつ円柱状のプラズマの中心軸２２Ａ上に配置された永久磁石５２と、シート状のプラズマと離れた位置に陽極の前面に対向するように配置された清掃部材７６と、清掃部材を陽極に押し付ける押付機構８１と、清掃部材とシート状のプラズマとの間に配置された遮蔽板８２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内のパーティクルに起因する不具合の発生を確実に防止することのできる真空成膜装置、真空成膜方法および、この真空成膜を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ１１内で素子基板２に成膜を行うマスク蒸着装置１０において、パーティクルモニタ１７によって真空チャンバ１１内のパーティクルを監視し、パーティクル量が所定値未満のときには真空チャンバ１１内で成膜処理を行う。これに対して、パーティクル量が所定値以上のときには、ガス導入装置１４による真空チャンバ１１内への窒素ガスの導入と、低真空用真空引き装置１５による真空チャンバ１１内の真空引きとを行う清浄化処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】 セルフクリーニングを行うタイミングを簡素に、かつ、汎用性を有するように設定でき、しかも、このタイミングを一層延長させることができ、生産効率を向上できる真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板４に製膜処理を行う製膜室１内に、クリーニングガスを導入してセルフクリーニングを行うプラズマＣＶＤ装置１００であって、セルフクリーニングを行うタイミングは、製膜関連作業時間Ｔｔとクリーニング関連作業時間Ｔｃとの和に占める製膜関連作業時間Ｔｔの割合で示される製膜稼働時間割合Ｐｓが、製膜処理量の増加に対して飽和している範囲で設定されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】洗浄後にパーティクルが発生する虞がなく、低コストの構成部材の洗浄方法を提供する。
【解決手段】成膜装置の処理雰囲気に設置された成膜装置の構成部材の表面から付着物を除去するための洗浄装置であって、
前記構成部材に対して加圧水を噴射する噴射部３，４を備える （もっと読む）

【課題】洗浄後にパーティクルが発生する虞がなく、短時間かつ低コストでの構成部材の洗浄を可能とする。
【解決手段】成膜装置の処理雰囲気に設置された成膜装置の構成部材の表面から付着物を除去するための洗浄方法であって、上記付着物と上記構成部材との密着力を低減させるプラズマエッチング処理と、上記プラズマエッチング処理によって上記構成部材との密着力が低減した上記付着物を水にて洗い流す水洗処理とを有する。 （もっと読む）

【課題】リモートプラズマ処理方法を用いる洗浄装置及び方法において、エッチングレートを向上させ、これによって洗浄時間の短縮化を図る。
【解決手段】成膜装置の処理雰囲気に設置された成膜装置の構成部材１３０の表面から付着物を除去するための洗浄装置であって、上記構成部材１３０が載置される載置領域を有するチャンバ２と、フッ素を含む反応ガスをプラズマによって分解することによって活性ガスＧを生成し、活性ガスＧを上記チャンバ２内に供給する活性ガス供給部３と、上記チャンバ内に気化した水Ｗを供給する水供給部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内を大気圧に復帰させるまでの時間を短縮できる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】その内部で成膜を行うためのチャンバ１０と、該チャンバ１０の内部を排気する排気装置１８と、加圧ドライエアを供給するドライエア供給源２０と、前記チャンバ１０と前記ドライエア供給源２０とを接続するドライエア供給配管３０と、該ドライエア供給配管３０に設けられた空気導入バルブ５０と、該空気導入バルブ５０が設けられた位置よりも上流のドライエア供給配管３０に設けられた、該ドライエア供給配管３０を連通及び非連通にする連通／非連通バルブ４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】熱処理炉内に被処理基板が搬入された時点からその被処理基板を帯電させることができ，これと同時に熱処理炉内のパーティクルを同じ極性に帯電させることができる縦型熱処理装置およびパーティクル付着防止方法を提供する。
【解決手段】最上段のウエハＷ１が炉口１４０Ａに到達すると，このウエハＷ１の表面にイオン化窒素ガス４１２が接触し，その表面はマイナスに帯電し，これと同時にパーティクル４１４にもイオン化窒素ガス４１２が接触し，マイナスに帯電するため，相互間に斥力が生じ，ウエハＷ１へのパーティクル４１４の付着が確実に防止される。 （もっと読む）

【課題】
試料処理の歩留まりおよび処理の効率を向上させる異物除去機能を備えた真空処理装置。
【解決手段】
真空容器内の処理室と搬送室とを連結する通路を開閉するゲートバルブで構成し、試料を搬送・処理する真空処理装置において、前記処理室と前記搬送室間で前記処理対象の試料を搬送する際に前記真空容器内の下方にある圧力調整用の可変バルブを所定の開度として真空容器内を減圧し、その後前記圧力調整用可変バルブの開度を変えない状態で前記真空容器内に前記導入孔から所定量のガスを流しガスの流れを形成し、その状態で前記ゲートバルブを開放して前記試料の搬送を行い、前記試料搬送後にゲートバルブを閉じた後に前記ガスの導入を止めるように構成した。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタ装置による成膜においては、ターゲットに付着したスパッタ粒子が成長して塊となり、ターゲットから剥離し、パーティクルとして基板上に落下する場合がある。
【解決手段】マグネトロンスパッタ装置１０１は、ターゲット１０７と、基板ホルダ１０３と、磁界形成器１１１ｂと、駆動装置１３０ｂとを具備する。基板ホルダ１０３は、ターゲット１０７の表側に配置され、ターゲット１０７と対向する。磁界形成器１１１ｂは、ターゲット１０７の裏側に配置される。駆動装置１３０ｂは、磁界形成器１１１ｂを、ターゲット１０７から遠い第１位置とターゲットに近い第２位置との間で移動する。磁界形成器１１１ｂは、成膜時には第１位置に配置され、ターゲットのクリーニング時には第２位置に配置されて塊を取り除くための磁界を形成する。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着装置において、蒸着材料の溶かし込み工程で付着した膜に起因する成膜への影響を除去する。
【解決手段】ガス吸排気手段を有する真空槽、真空槽内部に配置された基板保持手段、基板保持手段に対向配置された蒸着源、蒸着源に電子ビームを照射する電子銃、蒸着源を開閉するシャッタ、プラズマ発生手段、並びにガス吸排気手段、電子銃、プラズマ発生手段及びシャッタを制御する制御手段からなる真空蒸着装置の制御方法であって、（Ａ）蒸着源に蒸着材料を充填し、基板保持手段に基板を設置する工程、（Ｂ）ガス吸排気手段によって真空槽内を所定のガス雰囲気に設定及び維持する工程、（Ｃ）プラズマ発生手段によって真空槽内にプラズマ雰囲気を生成する工程、（Ｄ）プラズマ雰囲気において電子銃を照射して蒸着材料を融解する溶かし込み工程、及び（Ｅ）シャッタを開いて成膜を開始する工程からなる制御方法である。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体の製造において、生産効率を低下させることなく、磁気記録層のピンホールの原因となるパーティクルを捕捉することができ、磁気記録層のピンホールが起因の磁気再生出力低下による不良を低減することができる。
【解決手段】製膜装置の基板搬送ホルダー除膜室１４と基板ロード室２の間にパーティクル捕捉電極１６を設置する。さらに、基板ロード室２以降でＣｏ合金キャップ層形成室１１までの任意の層形成室間に、パーティクル捕捉電極１６を設置する。製膜装置内の電荷を帯びたパーティクルを、正または負に電圧印加されたパーティクル捕捉電極１６のクーロン力によりに捕捉する。 （もっと読む）

【課題】大気開放状態における真空容器の内部の環境を改善することができる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置は、成膜処理ユニット３を収容し、密閉可能な真空容器１と、真空容器１内を真空にする真空排気系５と、前記真空容器１から気体を送出して、大気開放状態における真空容器１の内部を換気する排気ファン４３と、排気ファン４３および真空容器１の間を連通する第２配管４１を開閉するバルブ４５とを備えている。基板１１に膜を形成する際は、バルブ４５を閉止させることで、真空排気系５は真空容器１内を真空にすることができる。また、真空容器１が大気開放状態にあるときは、バルブ４５を開放させるとともに、排気ファン４３は真空容器１から気体を送出することで、真空容器１内を換気することができる。これにより、大気開放状態における真空容器１の内部の環境を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】長期間メンテナンスを行うことなく成膜を行うことが可能な成膜装置およびそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗ上に堆積させる被膜材料５Ｍを供給する被膜材料供給手段５と、被膜材料供給手段５に対して所定位置に基板Ｗを保持する基板ホルダ４と、被膜材料５Ｍを透過させるスリット６Ｋを所定位置に形成しつつ、被膜材料供給手段５と基板ホルダ４との間に配置されたマスク部材６Ｐと、スリット６Ｋから離間配置され、マスク部材６Ｐの表面に付着した被膜材料５Ｍを除去するクリーニング部と、スリット６Ｋの近傍とクリーニング部との間で、マスク部材６Ｐを循環移動させる循環移動手段と、を備えている。 （もっと読む）