【課題】共蒸着を行う場合、蒸着材料を収納する容器を取り囲むヒータまでも傾けることになるため、容器同士の間隔が大きくなってしまい、蒸着材料を均一に混合することが困難になることに鑑み、容器同士の間隔を狭め、均一に混合しながら蒸着することを課題とする。
【解決手段】各蒸着材料の蒸発中心が被蒸着物の一点に合うように、容器が有する開口を調節する。図１０（Ｄ）に示す共蒸着においては、開口８１０ａと開口８１０ｂの両方を向かい合わせる。また、図１０（Ｅ）に示す共蒸着においては、開口８１０ｃは垂直方向に蒸発するような上部パーツを使用し、その方向に合わせて傾いた開口８１０ｄを有する上部パーツを使用して蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】 ダミー基板を使用しても、製品の生産を中断することなく、製品の生産を続けることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板Ｗに処理を施す処理室２１ａ又は２１ｂを備えた処理部２と、処理室２１ａ又は２１ｂに、被処理基板Ｗを搬入出する搬入出室３１と、搬入出室３１に設けられ、被処理基板Ｗを収容する被処理基板キャリアＣが取り付けられる被処理基板用ロードポート３２ａ乃至３２ｃと、搬入出室３１に設けられ、ダミー基板Ｗｄを収容するダミー基板キャリアＣｄが取り付けられるダミー基板用ロードポート３３と、搬入出室３１に設けられ、ダミー基板Ｗｄを格納するダミー基板格納部３４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子の蒸着マスクを低ダメージで効率よく洗浄し、蒸着剤を効率よく回収することで、蒸着マスクの利用回数を上げ、蒸着剤の再利用効率を上げることができる装置を実現する。
【解決手段】蒸着マスク２にパルスレーザ１０を照射して、蒸着剤を蒸着マスク２から分離する。吸引ノズル３から蒸着剤を吸引し、サイクロン６で空気と蒸着剤を分離し、サイクロン６の底部に蒸着剤を堆積させる。その後、バルブ１２を開き、蒸着剤を蒸着剤回収部７に回収する。その後、バルブ１３を開け、蒸着剤精製部８に蒸着剤を移動させて蒸着剤を精製する。バルブ１４を開け、精製された蒸着剤を蒸着剤保管部９に保管する。これにより、蒸着マスク２をダメージなく洗浄出来るとともに、蒸着剤を高い効率で回収することが出来る。 （もっと読む）

【課題】真空引き時にチャンバ内に発生するパーティクル及び／又はアウトガスを吸着、除去することができる基板処理装置の真空排気方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷを載置するステージ１２を備えたチャンバ１１を大気開放後に減圧する基板処理装置の真空排気方法において、ステージ１２表面を保護部材２５で覆う保護部材被覆ステップと、チャンバ１１を密閉する密閉ステップと、密封したチャンバ内を減圧する真空排気ステップとを有する。保護部材２５は、パーティクルＰ及びアウトガスを捕集するガス吸着能を備えたトラップ部３８と、基部２６とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット交換後、可及的速やかに製品へのスパッタリングによる成膜処理が行い得るスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１内にターゲット５を配置した後、真空チャンバを真空引きし、不活性ガスを導入して低真空領域に保持し、真空チャンバを加熱してベーキングする工程と、低真空領域から高真空領域まで更に真空引きする工程と、高真空領域に達すると、真空チャンバ内にスパッタガスを導入すると共にターゲットに電力投入し、ターゲットの積算電力が所定値に達するまでターゲットをプレスパッタする工程とを備える。そして、プレスパッタ後に、前記ターゲットに対向する位置に基板を搬送し、前記基板への成膜処理を開始する。 （もっと読む）

【課題】サセプタに付着する膜の密着性を上げることで、発塵を防ぐ表面処理方法を提供する。
【解決手段】表面処理方法は、ＳｉＯ₂あるいはＳｉＣを用いて、ＳｉＯ₂を主成分とするサセプタの表面をブラスト処理する工程（Ｈ）と、そのサセプタ表面をエッチングする工程（Ｉ）とを備える。サセプタは、サセプタ本体と、サセプタ本体の上に設けられ、基板よりも一回り小さいサイズで形成され、サセプタの一部分として、基板を下から支える段差部とを備え、マスキングする工程において、段差部がマスキングされ、基板の端部とサセプタ本体との間の導通が防止され得ることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】焼きだし時の真空容器の内部の温度のばらつきを抑えることができ、より短時間で所望の真空度に到達可能な真空排気方法を提供する。
【解決手段】真空容器１内に防着シールド４を備え、真空排気下でプラズマを発生させて基板９上に薄膜を形成する真空処理装置の真空排気方法であって、不活性ガスを導入する手順と、不活性ガスの圧力下において、ランプヒータにより防着シールド４を加熱する加熱手順と、排気手段２、３により真空容器１を排気する排気手順と、を有する。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置において、成膜後の清掃作業を短時間で行うことができ、清掃作業員が成膜材料カスまみれになることが無い真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置は、真空容器１内で成膜材料を被処理物表面上に成膜する真空成膜装置において、前記真空容器１の内壁面に配置される防着板３０と、磁石と前記磁石の一方を被覆しかつ磁性を有する金属カバーとからなり、かつ、前記防着板３０を前記真空容器１の内壁面に固定する防着板固定治具４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上にＧａＮ膜を形成することを可能にし、光デバイス、トランジスタなどの電子デバイスへの応用展開を工業的に提供可能にする化合物半導体積層体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｓｉ基板１上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ｘ，ｙ，ｚ：０以上、１以下）である活性層２が直接形成されている。この活性層２とＳｉ基板１の単結晶層の界面にＡｓを含む物質が島状に存在している。Ｓｉ基板１は、バルク単結晶基板又は最上層がＳｉである薄膜基板である。 （もっと読む）

【課題】マルチチャンバーにおけるステージ温度の急激な低下を抑制することによって品質異常を抑制することのできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るスパッタリング装置は、第１チャンバーと、第２チャンバーと、第３のチャンバーとを具備しており、第３のチャンバーにて処理待ち状態が所定時間経過した後（Ｓ５）、ダミー収容室内のダミー基板を第２チャンバー内にて、ダミー基板を加熱しながらダミー基板上に金属膜をスパッタリング成膜し、第２チャンバー内のダミー基板を第３チャンバー内にて、ダミー基板を加熱しないで金属膜上に第２の膜をスパッタリング成膜する（Ｓ７）。その後、第３チャンバーにおいて、第２チャンバーによって金属膜が成膜された基板を加熱しない状態で金属膜上に第２の膜をスパッタリング成膜する（Ｓ８）。これによって、マルチチャンバーにおけるステージ温度を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用することにより、処理容器自体や被処理体を保持する保持手段にダメージを与えることなく不要な高分子薄膜のみを選択的に且つ効率的に除去することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、被処理体を収容する処理容器４と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段６と、処理容器内を真空引きする真空排気系３０と、処理容器内へ高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段２０と、処理容器内へクリーニングガスとしてフッ素ガスを供給するクリーニングガス供給手段２６と、処理容器を加熱する容器加熱手段１４とを備える。これにより、処理容器内をクリーニング処理するに際して、クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用する。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置のメンテナンス方法、とりわけ、インライン式スパッタ装置をメンテナンスする場合のシステムベントの方法を必要かつ充分な条件で効率的に行うための手段を提供し、最適な真空成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空成膜装置において、真空解除のためのベントガスを導入するにあたり、乾燥ガスと成膜装置設置場所周辺の大気とのいずれかを選択して導入できるようにした。また、装置のシステムベントにおいて成膜装置設置場所周辺の大気の直接導入を行う。 （もっと読む）

本明細書において、プロセスチャンバで用いるためのプロセスキット・シールド、及びその使用方法が提供される。幾つかの実施形態において、プロセスキット・シールドは、第１の層と、該第１の層に結合された第２の層とを含む壁を有する本体を含み、第１の層は、処理中に該第１の層上に配置された材料を除去するために用いられる洗浄用化学物質に耐性がある第１の材料を含み、第２の層は、第１の材料とは異なり、第１の材料の熱膨張係数と実質的に類似した熱膨張係数を有する第２の材料を含む。幾つかの実施形態において、処理容積及び非処理容積を有するプロセスチャンバ内に、プロセスキット・シールドを配置することができる。プロセスキット・シールドは、処理容積と非処理容積との間に配置することができる。 （もっと読む）

【課題】非エロージョン領域から剥離した粒子が基板に堆積することを高いレベルで抑制可能な、透明導電性膜を形成するために用いるスパッタリング装置を提供することにある。
【解決手段】基板支持体と、上記基板支持体と離間して平行に配置されたターゲット支持体と、上記ターゲット支持体の上記基板支持体とは反対側に配置された複数の磁性体とを備え、電源パワーにより駆動し、上記複数の磁性体は、上記ターゲット支持体の中心部に位置する第１の磁性体と、上記第１の磁性体に対して上記ターゲット支持体の外周側に位置する第２の磁性体とを含み、上記電源パワーが増減可能である。 （もっと読む）

【課題】ウェハー外周部から剥離した膜がカラーリングに異物として付着することを抑制できるＣＶＤ装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】高密度プラズマＣＶＤ装置は、成膜とエッチングを同時に又は繰り返して行うことで埋め込み性の高い膜をウェハー上に形成する高密度プラズマＣＶＤ装置であり、、ウェハー２１が保持され、ウェハー２１より径の小さい静電チャック２と、静電チャック２の側壁を囲むように設置されたカラーリング１ｂとを具備し、カラーリング１ｂは、静電チャック２の側壁に対向し且つウェハーの外周部の下方に位置する対向部４０ａを有し、対向部４０ａは静電チャックの側壁を囲むように形成されており、対向部４０ａにおける静電チャック２に対して外側は、前記ウェハーの外周部の最も外側の端部より内側に位置していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング方法及び装置において、ターゲットへの再付着膜の堆積量を減少可能とすることを目的とする。
【解決手段】基板に所望の膜を成膜するスパッタリング方法において、ターゲットの表面に平行な磁場が、前記基板に対して実際に成膜処理を行う成膜モード中はスパッタリングされる前記ターゲットの他の部分の第１の強度と比較して弱い第２の強度であるターゲットの部分を、前記成膜処理を行わない待機モード中は前記第１の強度以上の磁場に制御することで、前記成膜モード中に前記ターゲットの部分に付着した再付着膜を前記待機モード中のスパッタリングにより除去する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ装置の製造工程において、基板に付着した異物を効果的に除去する製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置の製造装置１００は、基体２０の表面に薄膜を形成する少なくとも一つの成膜装置１３０と、成膜装置１３０に接続され、基体２０に外力を加えることにより基体２０の表面に付着した異物を除去する除去手段が設けられた処理装置１４０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 高品質かつ生産効率の高い両面蒸着フィルムの製造方法および両面蒸着フィルムを提供すること。
【解決手段】 一方の表面に導電性を有する蒸着膜ａが形成された高分子フィルムを、表面に絶縁性の高分子材料が貼り付けられた冷却ロール上に、前記高分子フィルムの蒸着膜ａが形成された表面と冷却ロール上の高分子材料とが接触するように連続的に供給し、蒸着膜ａと冷却ロールとの間に電圧を印加して前記高分子フィルムを冷却ロールに密着させた状態で、高分子フィルムの他方の面に蒸着膜ｂを形成せしめて、高分子フィルムの両面にそれぞれ蒸着膜ａと蒸着膜ｂとが形成された両面蒸着フィルムを連続的に巻き取る。 （もっと読む）

【課題】保守作業における、狭隘な見通しのきかない空間の下での不安定且つ不自然な姿勢での手探り状態の作業に起因する作業効率および作業安全性の低下を防止し、作業時間を短縮するとともに保守作業の信頼性を向上するクラスタ型装置を提供する。
【解決手段】プロセス室５を架台１１上のレール２１、キャスタ２２から成る移動手段上に載架し、保守時にはゲート弁２とプロセス室５の結合を解除しプロセス室５を搬送室３から右方に退避させ、保守に必要な保守用扉８の開き角度を確保し作業者を保守用扉８の開口部に障害物無く対面させる。保守後はゲート弁２に固定された位置決めピン２３をプロセス室５の前面へ再挿入し、搬送室３とプロセス室５の位置関係を移動前の状態に復元する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜形成プロセスにおいてマスク４に多量の堆積物が付着するとマスク４により規制した成膜範囲が減少する、あるいは堆積物の一部がはく離し脱落して蒸発源２に落下することでスプラッシュを起こす。堆積物を除去する必要があるが、マスク４／堆積物間の密着性が強く振動のみではく離し難い場合のはく離方法が必要である。
【解決手段】 薄膜形成法において、薄膜の形成を行う工程と、マスク４の温度を成膜中よりも低温にする工程と、堆積物に酸素を供給する工程と、堆積物を除去する工程とにより、マスク４に堆積した堆積物をはく離・除去する。 （もっと読む）