【課題】蒸発源の冷却時間を短縮する。
【解決手段】蒸着工程では、蒸着材料を収納する坩堝、坩堝を加熱する加熱部、坩堝内で気体化した前記蒸着材料を前記被処理物に向かって放出するノズル、および坩堝の周囲に配置されるリフレクタ１５を備える蒸発源から、蒸着材料ガスを発生させ、被処理物に蒸着膜を形成する。また、冷却工程では、リフレクタ１５に固定された冷却体１６に冷媒を流して坩堝を冷却する。ここで、冷却工程には、冷却体１６に冷媒ガスを流す冷媒ガス供給工程と、冷媒ガス供給工程の後、冷却体１６に冷媒ガスよりも熱容量が大きい冷媒液を流す冷媒液供給工程と、が含まれる。 （もっと読む）

【課題】ポリイミドの炭化を防止でき、成膜容器内にパーティクルが残ることなくポリイミドを除去することができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】酸二無水物よりなる第１の原料を気化させた第１の原料ガスと、ジアミンよりなる第２の原料を気化させた第２の原料ガスとを成膜容器６０内に供給することによって、成膜容器６０内に搬入している基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置１０におけるクリーニング方法であって、成膜容器６０内を酸素雰囲気にした状態で、成膜容器６０を加熱機構６２により３６０〜５４０℃の温度に加熱することによって、成膜容器６０内に残留しているポリイミドを酸化して除去する。 （もっと読む）

【課題】真空中における薄膜堆積中に、チャンバー内壁堆積物の内部まで確実かつ効率的に酸化処理し、大気解放後の反応を抑制すること。
【解決手段】チャンバー１、真空ポンプ２、巻き出しロール３、搬送ロール４、巻き取りロール５、蒸着ロール６、蒸発源７、電子銃８、シャッター９（閉じた状態）、マスク１０、紫外光源ユニット１１、ガス供給配管１２、基板フィルム１３を含む真空蒸着装置１００において、シャッター９を開いて基板フィルム１３を、巻出しロール３と巻き取りロール５の間を往復させて繰り返し蒸着する途中において、シャッター９を閉じ、ガス供給配管１２から酸素あるいはオゾンガスを供給し、紫外光源ユニット１１から紫外線をマスク１０に照射することによって、マスク１０に付着した堆積物を酸化処理することができる。 （もっと読む）

【課題】高速動作可能な半導体装置を提供する。また、短チャネル効果による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの半導体層に結晶性を有する酸化物半導体を用い、該半導体層にチャネル形成領域とソース領域とドレイン領域を形成する。ソース領域及びドレイン領域は、ゲート電極をマスクとして、半導体層に第１５族元素のうち一種類または複数種類の元素を添加する自己整合プロセスにより形成する。ソース領域及びドレイン領域に、ウルツ鉱型の結晶構造を付与することができる。 （もっと読む）

【課題】ターゲット全表面に生成される不純物層の除去を的確かつ効率よく行なうことを可能とするスパッタリング装置及びそのスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】カソード２を構成する磁石機構４を自転軸８１Ａの周りに回転させる自転機構と、磁石機構を公転軸８２Ａの周りに回転させる公転機構と、自転機構と公転機構とを自転軸及び公転軸とは異なる回転軸の周りに回転させる回転機構と、ターゲット５表面の不純物層の膜厚を測定する測定手段と、測定手段を前記ターゲット表面の一端から他端まで移動させる駆動機構とを有し、自転機構は自転軸の自転速度を変更させる自転速度変更機構を備え、公転機構は公転軸の公転速度を変更させる公転速度変更機構を備える。 （もっと読む）

【課題】巻取り式連続成膜装置において、高生産性を図るに際して長大化させた成膜源、成膜ロール、ガイドロール群、及び成膜マスクなどに対するメンテナンスや段取り作業を容易化すると共に、幅を拡大させた基材において幅方向で品質的に均一な被膜を形成させることができるようにする。
【解決手段】本発明の巻取り式連続成膜装置１は、真空チャンバ２と、真空チャンバ２内に配備された成膜ロール３，３と、成膜ロール３，３に亘って巻き掛けられる基材Ｗの表面に被膜を形成する成膜源４，４とを有し、真空チャンバ２は、前後壁６，７及び上下壁８，９からなるチャンバ本体１０と、チャンバ本体１０に対して開閉自在とされた左右の側壁１１，１２とを備え、チャンバ本体１０の前後壁６，７及び／又は上下壁８，９には、成膜ロール３，３で挟まれたロール間領域への作業者の出入りを可能にする出入口部３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】１つの真空チャンバで複数の異種の基板に膜を形成することができると共に、高品質な半導体デバイスを生産できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】排気系およびガス導入系と接続された真空チャンバ（１０７）と、真空チャンバ（１０７）内に設置されスパッタリング電源（３１２ａ）と接続された第１スパッタリングカソード（３０３ａ）と、真空チャンバ（１０７）内に設置されスパッタリング電源（３１２ｂ）と接続された第２スパッタリングカソード（３０３ｂ）と、基板（８）が載置される基板ホルダ（１３１）と、基板（８）に高周波電圧を印加して基板（８）を逆スパッタ（Ｓ１２）する高周波電源（１３０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを低減させ、信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体ウエハＳＷを支持するステージ５３と、半導体ウエハＳＷに対向するターゲット５４と、半導体ウエハＳＷとターゲット５４との間に配置されたコリメータ６１と、半導体ウエハＳＷとターゲット５４との間の空間とコリメータ６１とを囲むロアーシールド６２及びダークスペースシールド６３とを備える成膜装置を用い、スパッタリング法によって半導体ウエハＳＷにＮｉ−Ｐｔ合金膜を形成する。この際、ロアーシールド６２およびダークスペースシールド６３の内面のうち、コリメータ６１の下面６１ｂより上に位置する領域にＡｌ膜７１を予め形成しておくが、コリメータ６１の下面６１ｂより下に位置する領域にはＡｌ膜７１を形成しない。ロアーシールド６２及びダークスペースシールド６３を取り外して洗浄する際に、アルカリ溶液によってＡｌ膜７１を溶解する。 （もっと読む）

【課題】ロール・ツー・ロール方式を用いた成膜装置において、基板上に付着したパーティクルを除去、回収することができる成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ロール・ツー・ロール方式により長尺基板を搬送する成膜装置において、前記長尺基板の進行方向に位置する第一のローラと、前記長尺基板の進行方向に対して前記第一のローラの次に位置する第二のローラと、パーティクル回収容器と、を有し、前記パーティクル回収容器は、前記第一のローラの鉛直下方に設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波印加電力に大電力が印加された場合でも、高周波印加電極や基板電極、反応室壁などの気相と接する装置表面の温度上昇を抑制し、高精度での温度制御を可能とする薄膜製造装置を得ること。
【解決手段】基板電極１２、および基板電極１２に対向して設けられる高周波印加電極１３を内部に有する成膜室１１と、高周波印加電極１３に高周波電力を供給する高周波電源１５と、を備える薄膜製造装置１０において、ガスと接する部位の構成部材に設けられる配管２２，３２と、配管２２，３２に所定の温度の冷媒を循環させるチラー２１，３１と、を有し、異なる温度の冷媒ごとに設けられる複数の冷却系統２０，３０と、高周波電源１５による高周波印加電極１３への電力の供給のオン／オフによる構成部材への入熱量の変化に応じて、構成部材の温度が所定の温度となるように各冷却系統２０，３０の冷媒の流量制御を行う流量制御部１６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高いバッファ層を有する半導体発光素子を形成することができるスパッタ成膜装置、並びに半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタ成膜装置４０を用いて、スパッタ法により基板１１上に薄膜を成膜する工程を含む、半導体発光素子の製造方法であって、前記スパッタ法で成膜される薄膜の材料からなるコーティング原料粒子又は前記材料の構成元素からなるコーティング原料粒子を未溶融状態で、ガスの流れを用いて前記スパッタ成膜装置４０内の成長室４１ａの内壁に吹き付けて、前記成長室４１ａの内壁に前記コーティング原料粒子からなるコーティング膜１００を形成する工程と、前記コーティング膜１００を形成する工程の後に、前記基板１１上に前記薄膜を成膜する工程、を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】連続蒸着が可能な薄膜蒸着装置、並びにその薄膜蒸着装置に使われるマスク・ユニット及びクルーシブル・ユニットを提供する。
【解決手段】蒸着対象体である基板１０を移送するように備わった基板移送ユニットと、基板に向けて蒸着源の蒸気を選択的に通過させるように備わったマスク・ユニット２００と、蒸着源を収容し、マスク・ユニットを貫通する循環経路に沿って進む複数のクルーシブル１１０を含むクルーシブル・ユニット１００と、を具備する薄膜蒸着装置である。これにより、蒸着源の供給及び消尽、基板とマスクとのアレンジなどがいずれも連続して進められるために、作業速度が相当に速くなる。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバーの内部をクリーンな状態に保ち、且つメンテナンスの頻度を低減することが可能な真空チャンバーを提供する。
【解決手段】真空技術を用いる装置に設置される真空チャンバー１００は、真空チャンバー１００の内壁または真空チャンバー１００の内部に設置された構造物の、少なくとも１つの第一の部位１０１から液体を放出し、該液体を、真空チャンバー１００の内壁または真空チャンバー１００の内部に設置された構造物の、少なくとも１つの第二の部位１０２で回収する機構を有し、該液体の放出と回収が、真空雰囲気下で行われる。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ装置の製造に適した真空蒸着装置であり、一台の蒸着装置で複数層の膜を成膜することが可能な蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空蒸着装置（蒸着装置）１は真空室２を有し、真空室２内に、基板保持壁３と、４台の蒸発装置５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄと蒸気チャンバー６及び４個の坩堝設置室（蒸発装置設置部）１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを内蔵している。坩堝設置室１２の外周面には、設置室側電気ヒータ（発生部保温手段）１８が取り付けられている。坩堝設置室１２には設置室側温度センサー２８が設けられている。それぞれの坩堝設置室１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを各層の薄膜材料に適した温度に保温する。蒸気通過部１３は、発生部保温手段の目標温度の中で最も高い最高目標温度以上の温度を目標温度として保温する。 （もっと読む）

【課題】金属膜を成膜するための成膜装置の真空チャンバーを大気開放する際に、金属膜が発火するおそれを短時間で低減することを目的とする。
【解決手段】基板１０６に金属膜を成膜するための成膜装置の真空チャンバー１０１に配備された構成部品であるチムニー１０４や防着板１０７の外面に開口する多数のガス供給孔を設ける。構成部品の表面に付着した金属膜に対して、前記ガス供給孔から酸素を含むガスを供給し、金属膜を裏面側からも酸化させる。これにより、真空チャンバー１０１から構成部品を大気中に出して金属膜の除去処理を行っても発火しなくなる。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬデバイスを作製する際、大型の成膜対象物の表面に分布が均一な成膜を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】真空槽２内に設けられたプラズマＣＶＤ装置３と蒸着重合装置４とを備える。プラズマＣＶＤ装置３のプラズマ放出器１０は、原料ガス供給源３Ｂから原料ガスがそれぞれ供給され互いの雰囲気が隔離されたガス分岐ユニット６１〜６４と、ガス分岐ユニット６１〜６４において拡散された原料ガスのプラズマを形成するプラズマ形成室５１とを有する。蒸着重合装置４の蒸気放出器１１０は、原料モノマー供給源４Ｂから原料モノマーの蒸気がそれぞれ供給され互いの雰囲気が隔離された複数の蒸気分岐ユニット１０１Ａ、１０１Ｂと、蒸気分岐ユニット１０１Ａ、１０１Ｂにおいて拡散された複数の原料モノマーの蒸気を混合する蒸気混合室１５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】形成された付着膜を容易に除去することができる成膜装置用部品を提供する。また、成膜装置用部品に形成された付着膜を効率よく除去することができる付着膜の除去方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置用部品は、基材と、前記基材に形成されたプレコート層とを有する成膜装置用部品であって、前記プレコート層が、無機塩類を含有する水性無機コーティング剤から形成されたものであることを特徴とする。
また、本発明の付着膜の除去方法は、付着膜形成後に、水および／または水蒸気によりプレコート層を処理した後、付着膜を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】内壁の水素脆化により発生するパーティクルを取り除くためのイオン源とドーピング室の大気開放処理、および洗浄処理の頻度を大幅に下げるイオンドーピング装置を提供すること。また、当該イオンドーピング装置内の低塵化方法を提供すること。
【解決手段】イオン源とドーピング室に水素元素、酸素元素を供給し、６００℃以上１０００℃以下とすることで、その内壁に三酸化二クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）の皮膜を形成する。これにより、水素脆化の進む前に当該内壁の補修、補強ができるため、大気開放する頻度の著しく低いドーピング装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】装置内に堆積した膜が剥離して異物として基板に付着することを防止するスパッタリング装置及びそのメンテナンス方法を得ること。
【解決手段】チャンバ４と、基板１をチャンバ４内で保持する基板保持具２と、チャンバ４内に設置されたシリコン製のターゲット３と、基板保持具２に基板１が設置された状態で、アルゴンガス７と窒素ガス９との混合ガスをチャンバ４内に導入しつつターゲット３と基板保持具２との間に電圧を印加して、基板１上に窒化シリコン膜を成膜する第１の処理と、チャンバ４内に基板１が収容されていない状態で、アルゴンガス７をチャンバ４内に導入しつつ、ターゲット３と基板保持具２との間に電圧を印加して、チャンバ４の内壁面にシリコン膜を成膜する第２の処理とを実行する制御部４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜室の真空槽内で従来より効率的に成膜マスクから付着物を除去できる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】
真空槽１１内に配置され、薄膜材料４５の蒸気を放出する放出容器３１に、ガス供給装置５０から反応ガスを導入する。放出容器３１の放出孔３４から放出される反応ガスは成膜マスク２１の付着物と反応して反応生成物ガスを形成し、反応生成物ガスは真空排気される。放出容器３１と成膜マスク２１との間に電圧を印加して反応ガスをプラズマ化することもできる。成膜マスク２１に周期的に負電位を印加すると、プラズマ中のイオンが成膜マスク２１に引き寄せられて衝突するのでより効率的に付着物を除去できる。成膜マスク２１に負電位を印加する間に放出容器３１に負電位を印加すると、放出容器３１からも付着物を効率的に除去できる。 （もっと読む）