【課題】有機ＥＬディスプレイパネル製造装置において、使用済みのマスクからのパーティクル発生や、洗浄済みのマスクに対するパーティクルの付着を防止する。
【解決手段】有機膜成膜室５内においてアレイ基板１２に有機膜を成膜するためのマスク１１は、搬送ロボット１４によってマスク収納室１と有機膜成膜室５との間を搬送される。使用済みのマスク１１は、マスク収納室１内においてマスクカセット１５に収納され、マスクカセット１５の蓋１６を蓋着脱機構１７によって閉じた後にマスク収納室１から取り出されて、洗浄後に再びマスクカセット１５に入れてマスク収納室１へ搬送される。マスクカセット１５を用いることで、使用済みのマスク１１から発生するパーティクルの外部流出を防ぐ。また、洗浄済みのマスク１１へのパーティクル付着を防止する。 （もっと読む）

第１の態様において、オリフィスを有する半導体製造チャンバーのコンポーネントを洗浄するための方法が提供される。この方法は、（Ａ）洗浄溶液を有する槽にコンポーネントを入れるステップと、（Ｂ）洗浄溶液でコンポーネントを洗浄する間に、オリフィスに流体を流し込んで、オリフィスの少なくとも第１部分を、洗浄溶液がない状態に維持するステップと、（Ｃ）オリフィスから流体を回収し、洗浄溶液がオリフィスの第１部分に入り込んでオリフィスの第１部分を洗浄するようにするステップとを備えている。多数の他の態様も提供される。 （もっと読む）

【課題】長期間メンテナンスを行うことなく成膜を行うことが可能な成膜装置およびそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗ上に堆積させる被膜材料５Ｍを供給する被膜材料供給手段５と、被膜材料供給手段５に対して所定位置に基板Ｗを保持する基板ホルダ４と、被膜材料供給手段５と基板ホルダ４との間に配置され、被膜材料５Ｍを透過させるスリット６Ｋが所定位置に形成されたマスク部材６と、マスク部材６のスリット６Ｋの近傍に、被膜材料５Ｍと反応して揮発性物質を生成する反応ガスＧを供給して、スリット６Ｋの近傍に付着した被膜材料５Ｍを除去するクリーニング手段と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】上蓋の開閉動作や開閉位置にかかわらず、成膜処理室内の異物を検出し、上蓋の開閉動作を停止させ、上蓋の開閉動作時における作業者に対する安全性を向上させることを目的とする。
【解決手段】成膜装置は、成膜処理室と、成膜処理室の上蓋を開閉する上蓋開閉機構と、上蓋の開閉を撮像する撮像装置と、撮像装置で取得した画像を画像処理する画像処理回路と、上蓋開閉機構の作動を制御するインターロック回路とを備える。ここで、画像処理回路は、撮像装置で取得した画像から異物を検出し、インターロック回路は、画像処理回路による異物検出に基づいて、上蓋開閉機構の作動を停止する。画像処理回路は、この撮像装置で撮像した画像から、成膜処理室および上蓋の画像を除く画像処理を行うことで、異物が存在する場合にはこの異物の画像のみを抽出し、この画像から異物が存在することを識別する。 （もっと読む）

【課題】
処理室に収納した基板にプラズマを用いて所定の処理を行う基板処理装置に於いて、金属製部材から発生する金属原子を低減させ、基板の金属汚染を抑制する。
【解決手段】
処理室１６に収納した基板１５にプラズマを用いて所定の処理を行う基板処理装置に於いて、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給手段９と、処理ガス中にプラズマ領域２４を生成するプラズマ発生手段３，４と、前記処理室から処理ガスを排気する排気手段２２と、前記処理室で基板を保持する基板保持台１７とを具備し、前記処理室にシーズニング用ガスを供給しプラズマを発生させるシーズニング工程と、前記処理室でダミー基板に前記基板処理を行うダミーラン工程とを実施する様構成した。
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【課題】蒸着装置の処理室の内面などに堆積した堆積物を、処理室を開放することなく除去できるようにする。
【解決手段】蒸着により被処理体Ｇを成膜処理する蒸着装置１３であって、被処理体Ｇに成膜材料の蒸気を供給する蒸着ヘッド６５と、成膜材料を蒸発させる蒸気発生部７０〜７２と、クリーニングガスを発生させるクリーニングガス発生部８６と、蒸気発生部７０〜７２から蒸着ヘッド６５に成膜材料の蒸気を供給する蒸気供給配管８１〜８３と、クリーニングガス発生部８６から蒸着ヘッド６５にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給配管８７とを備え、蒸気供給配管８１〜８３とクリーニングガス供給配管８７とに、開閉弁７５〜７８を設けた。 （もっと読む）

【課題】 本発明は基板温度を制御するシステムに関する。
【解決手段】 処理システム内で基板を支持する基板ホルダは、第１温度を有する温度制御された支持体基盤、該温度制御された支持体基盤に対向し、かつ基板を支持するように備えられた基板支持体、及び該基板支持体と結合し、かつ前記基板支持体を第１温度よりも高温である第２温度に加熱するように備えられた１以上の加熱素子、を有する。耐浸食性断熱材が、前記温度制御された支持体基盤と基板支持体との間に設けられている。前記耐浸食性断熱材は、ハロゲン含有ガスによる腐食に耐える材料組成物を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に配向膜を形成する際に、異物の発生を抑制し、配向膜を良好に形成できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、基板を収容可能であり、収容した基板上に配向膜を形成可能な第１室と、第１室に配置され、基板上に配向膜を形成するための材料を供給可能な材料供給部と、第１室に配置され、材料供給部と基板との間に所定部材が配置されるように所定部材を着脱可能に保持する保持装置と、第１室と別の位置に配置され、所定部材をクリーニング可能なクリーニングシステムと、第１室の保持装置とクリーニングシステムとの間で所定部材を搬送する搬送システムとを備えている。 （もっと読む）

【課題】ダウンタイムを少なくし、かつ蒸着材料の変質の発生を伴うことなく蒸着装置内をクリーニングすることにより、有機物付着の少ない蒸着装置で素子歩留まりが良好な有機ＥＬ素子を短時間の製造プロセスにて製造可能な有機ＥＬ素子の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】基板２１の上で、陽極２２と陰極２５との間に有機発光層の膜２３，２４を積層して構成された有機ＥＬ素子における有機発光層の膜を形成すべく、真空炉１１内の蒸発源１２に対向する位置に基板２１を配置して基板２１上に蒸発源１２からの蒸着物質を蒸着して有機ＥＬ素子を製造する手段において、真空炉１１の外部に設置した酸素ラジカル発生機構１５から導入した酸素ラジカルガスにより真空炉１１内に残存した有機蒸着物片を除去するクリーニングを行い、その後に有機発光層２３，２４の製膜を行っている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、アノードの清掃を容易に行うことができるプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】容器１０１と、容器１０１の内部にプラズマを発生させるプラズマガン１と、容器１０１の内部においてプラズマを受けるアノード５０と、プラズマガン１で発生したプラズマをアノード５０の側へ流動させるプラズマ流動機構２１と、容器１０１の一部を成すように形成された成膜室４と、容器１０１にプラズマが通過するように設けられたプラズマ通過口５４と、プラズマ通過口５４を開閉するための開閉部材４８と、開閉部材４８がプラズマ通過口５４を容器１０１の外側から開閉することが可能なように開閉部材４８を支持する支持機構５１と、を備え、アノード５０が開閉部材４８のプラズマ通過口５４に面する面に設けられている、プラズマ成膜装置。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、アノードの清掃を容易に行うことができ、また、生産効率が高いプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】容器１０１と、プラズマを発生させるプラズマガン１と、プラズマを受けるアノード４８と、容器１０１の一部を成しその内部に成膜空間４２を有する成膜室４と、アノード４８と成膜空間４２との間に設けられ、容器１０１の内部空間のアノード４８に対向する位置に進出し及びそこから退避することにより、アノード４８に対して成膜空間４２を遮蔽及び開放し、かつ、放電電極として機能する遮蔽部材５２と、遮蔽部材５２を進出及び退避するよう駆動するための駆動機構５３と、アノード４８と遮蔽部材５２との間に放電によりプラズマを発生するための電圧を印加する電源３６と、を備える、プラズマ成膜装置。 （もっと読む）

【課題】物理気相蒸着（ＰＶＤ）装置とＰＶＤ法を開示する。
【解決手段】ターゲットと基板との間の処理空間にアノードを延ばすことで、基板への堆積の均一度が上昇する。アノードはプラズマ内で励起される電子の接地経路となり、プラズマ内の電子をチャンバ壁部に集めるのではなく、処理空間全体にわたって均一に分散させる。プラズマ内で電子を均一に分散させることで、基板上に材料が均一に堆積される。アノードを冷却液で冷却してアノードの温度を制御し、剥離を軽減してもよい。アノードは処理空間全体にわたって、スパッタリングターゲットの背面全体を二次元方向に走査するマグネトロンの長辺に直角に配置してもよい。走査マグネトロンによりアノードの局所的な加熱が軽減される。 （もっと読む）

【課題】 光学窓のクリーニング効果を従来よりもさらに高めて、メインテナンス周期を飛躍的に増大させることができる真空処理装置を提供すること。
【解決手段】 真空処理装置は、真空処理室１０と、真空処理室１０の壁部１２に配置された透光性部材２２を有する光学窓２０と、真空処理室の内側にて透光性部材２２の周縁側に配置された、第１開口１４を有する接地電極１２と、真空処理室１０の外側にて透光性部材２２の周縁側に配置された、第１開口１４と対向する第２開口３２を有するＲＦ電極３０とを有する。真空処理室１０内に処理用ガスが導入され、ＲＦ電極３０及び接地電極１２間の電界によってプラズマを生成し、負の自己バイアス電位Ｖｆに帯電された透光性部材２２をプラズマ中のイオンによりスパッタしてクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】 慣用される方法は、高い炭素含量を有する、上述のダイヤモンド状炭素膜および炭素ポリマー膜を含めた非晶質炭素膜のような、炭素質膜をクリーニングするには、効果的ではない。
【解決手段】 予め選定された回数、基板の上に炭素質膜を堆積させたプラズマ反応炉をセルフクリーニングする方法であって、それに含まれるのは：（ｉ）酸素ガスおよび／または窒素酸化物ガスを励起させてプラズマを発生させる工程；および（ｉｉ）反応炉内に具備された上側電極の上に蓄積された炭素質膜および反応炉の内壁の上に蓄積された炭素質膜をそのプラズマに暴露させる工程、である。 （もっと読む）

【課題】素子内の発光輝度が均一な有機ＥＬ素子を得ることができる有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】有機ＥＬ素子の製造に先立って、テスト蒸着により製造した素子の基板内における発光輝度分布を測定し、その結果に基づいて蒸着の際の基板位置を調整して発光層である有機層の膜厚を調整する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ形成用電極に絶縁材料が堆積した際に、当該電極の導電性の適切な再生を図れる真空成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】真空成膜装置１００は、減圧空間Ｐに反応ガスを導く反応ガス供給手段２２と、放電プラズマ形成用の電力を減圧空間Ｐの電極１４に給電する電力源ＶＳと、を備え、放電プラズマにより活性化された反応ガスを基に生成してなる絶縁材料が電極１４に堆積した場合には、電極１４の導電性を再生する導電材料が、電極１４の絶縁材料を覆うように堆積する装置である。 （もっと読む）

物理蒸着処理、化学蒸着処理、またはこれらの組合せによって、基板を被膜するように設計された被膜用の装置が提供される。前記被膜用の装置は、軸方向に移動可能なシャッタ（１８）によって被膜可能な回転可能なマグネトロン（１４）を用いる点に特徴がある。このような構成によって、後続する被膜のためのステップ間または後続する被膜のためのステップ中に、マグネトロンターゲットを清浄に保持するかまたはターゲットを清浄化することができる。シャッタは、ターゲットの近傍に制御可能なガスの雰囲気をさらにもたらす。マグネトロンが中心に配置されてもよく、従って、基板は、マグネトロンを中心として回動する遊星状の回転体（２４）に吊り下げることによって、あらゆる角度からスパッタリング源に晒されることとなる。
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開口マスクアセンブリは、回転フレームと、開口を持つマスクとを包含する。マスクに張力を印加し、フレームにより規定される形状にマスクを適合させるのに、クランプ装置が使用される。フレームの軸に対して実質的に平行な方向に、及び／又はフレームにより規定される形状の周面において、マスクに張力が印加される。回転フレーム内に設けられた堆積源から発散される堆積材料は、マスク開口を通してウェブに堆積される。
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【課題】イオンビーム蒸着により堆積された炭素保護膜で覆われた薄膜ディスクの有害な欠陥を最小化する手段を提供する。
【解決手段】ここに記載される改良された炭素ビーム蒸着チャンバー４０は、チャンバーの開口プレート２０の外側表面上での炭素膜の堆積を大幅に減少させることにより、システム洗浄やハードウェアの交換が必要になる前の処理可能なディスク枚数を大幅に増加させることができ、又、コーティングされたディスク４４におけるディスク欠陥を大幅に減少させて、炭素銃１０の生産性を実質的に増加させるものである。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置等の処理において、処理室内の内壁への付着物質の表面状態の粗さ等から付着状況を簡単に評価できるようにする。
【解決手段】成膜処理あるいはエッチング処理等に使用する処理用ガスを処理室１１内に導入する。導入した処理用ガスで半導体ウエハＷ等の基板を処理するとともに、処理室１１の内壁に堆積した付着物の表面粗度をレーザ変位計２０ａで計測する。計測した結果を、パーティクル不良発生の閾値、あるいは異常放電発生の閾値と比較して、異常発生前に対処する。 （もっと読む）