【課題】蒸着時における真空度の制御性を向上するために、蒸着装置のメンテナンスを適切に行うことを目的とする。
【解決手段】排気手段１１を所定の減圧能力に保持した状態で、真空容器１０内を排気し、所定の排気時間経過後の真空容器１０内の圧力が基準圧力値よりも高い場合に、真空容器１０内の蒸着物の除去を行う。多数の基板に蒸着を行う蒸着装置において、メンテナンスのタイミングを最適化することで、真空度の変動による蒸着膜の特性のばらつきを抑え、歩留まりの向上を図る。 （もっと読む）

プラズマ浸漬イオン注入プロセスでは、シーズニング層の厚さの増大のためにウェーハのクランプ静電力を損失することなく、事前注入チャンバシーズニング層の厚さが増大される（シーズニング層を取り替えることなく一連のウェーハの注入を可能にする）。これは、まず厚いシーズニング層から残留静電荷をプラズマ放電することによって実現される。同じシーズニング層を使用して処理できるウェーハの数は、各ウェーハが処理された後、シーズニング層を部分的に補給することによってさらに増大され、それに続いて、補給されたシーズニングを短時間でプラズマ放電してから、次のウェーハを処理することができる。
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【課題】基板保持具に堆積した膜の剥離などにより生ずるパーティクルの問題を解決する手法を提供する。
【解決手段】成膜済みの基板９を基板保持具９０から回収するアンロードロックチャンバー２と、未成膜の基板９を基板保持具９０に搭載するロードロックチャンバー１との間のリターン移動路上に、膜剥離防止チャンバー７１０が、アンロードロックチャンバー２及びロードロックチャンバー１に対して気密に接続されている。膜剥離防止チャンバー７１０内には、基板保持具９０及び保持爪９１の表面の堆積膜の上にコーティングをする膜コーティング手段が設けられている。 （もっと読む）

【課題】Ｔａ、Ｔｉ、Ｔａ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎの成膜工程で使用した成膜装置部品の表面に付着・堆積した堆積物を、基材をできる限り傷めることなく、しかも短時間で除去する洗浄方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム、ステンレス又はアルミナセラミックス等から構成される成膜装置部品の表面を算術平均粗さＲａとして５ミクロン以上に粗面化することで、Ｔａ、Ｔｉ、Ｔａ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ堆積膜の形状を粒状に制御し、次いで硫酸とフッ化水素酸からなる洗浄液で洗浄することにより、堆積膜を除去する方法であり、粗面化した部品表面としては、部品表面にアルミニウム又はチタンの溶射膜を設けて粗面化したものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】シリコンからなるマスクチップを有するマスクを蒸着装置から取り出すことなくクリーニングできる蒸着装置およびマスクのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】蒸着装置は、シリコンからなり所定の膜パターンに対応する開口部を有するマスクチップ２０と、マスクチップ２０が複数取り付けられた支持基板１０と、を有するマスク１を介して、ワーク２の被成膜面２ａに膜材料３２を堆積させる成膜室１１０，１２０と、成膜室１１０，１２０に接続されており、マスク１をクリーニングするプラズマ処理機構が設けられた処理室と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

堆積された金属により、少なくとも部分的にコーテイングされた蒸着装置を提供し、グリットにより蒸着装置をブラスト加工し、堆積された金属の少なくともいくらかを取り除き、吹き付けられたグリット及び取り除かれた金属を形成し、前記吹き付けられたグリットから前記取り除かれた金属のうちの少なくともいくらかを分離して、金属を回収することを含む電子デバイス蒸着装置から金属を回収するための方法が提供される。いくつかの他の態様が提供される。
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【課題】内部部品に付着した膜成分を短時間で且つ安価に除去することができる部品再生方法および部品再生システムを提供すること。
【解決手段】真空成膜装置１に出入れ自在に設けられた内部部品に対し、ターゲットへの成膜動作に伴って付着した膜成分を除去する部品再生方法であって、内部部品に洗浄液を噴射し、膜成分を洗い流す洗浄工程と、洗浄工程の後、内部部品に残った膜成分をドライエッチングにより除去するエッチング除去工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】 成膜装置の保守点検・成膜源の再調整を短時間で行うことができるメンテナンス性に優れた蒸着装置１を提供する。
【解決手段】蒸着装置１は、内部に成膜機構（蒸発源６、ガス導入管１０ｂ、基板ホルダ４、回転支持枠１２ａ）が配置してある真空チャンバ２を有する。真空チャンバ２は、底板２２と、底板２２上に処理空間を形成するように底板２２の角隅部２０２２上に底枠２０２を介して立設される複数の側柱２０６ａ〜２０６ｄと、処理空間の上方開口を閉塞するように複数の側柱２０６ａ〜２０６ｄの上端に天枠２０４を介して設けられる天板２４と、一端が側柱２０６ａ，２０６ｃ，２０６ｄに接続されたヒンジ４０，４２，４４を回動支点に、隣接する柱部材間に形成された側方開口に対して開閉自在な複数の側板２６，２８，３０を有する。底板２２及び天板２４にのみ成膜機構が配置しており、側板２６，２８，３０には成膜機構を有しない。
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【課題】大きな変形を伴う基材の表面に形成した場合においても、剥離及びクラックが発生しにくく且つ耐蝕性が高い炭素質薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】炭素質薄膜は、基材の表面に形成され、炭素同士が結合したＣ−Ｃ成分及び炭素とシリコンとが結合したＳｉＣ成分を含む膜本体を備えている。膜本体の表面における酸化シリコン成分の比率は、０．０５以下である。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ表示装置の蒸着工程における蒸着マスクの洗浄蒸着装置とインラインで行い、蒸着マスクの使用回数を増大させる。
【解決手段】蒸着を終わったマスク２１０はクリーニング準備室２０１に移動し、その後、大気圧であるクリーニング室２０２に移動する。クリーニング室２０２において、マスクにレーザを照射し、これによって生じた衝撃波によってマスク２１０に付着した堆積物を剥離する。剥離した堆積物はクリーナ２０８によって除去される。その後、マスク２１０はフラッシング室２０３に移動し、クリーニング室２０２で除去しきれなかった剥離物をマスク２１０から除去する。その後マスク２１０はマスク排出室２０４に移動し、次の蒸着を行う。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置内における防着板に付着した成膜材料の防着板からの剥がれ落ちが少なく、清掃のサイクルを長く延ばすことが可能であり、清掃時に、防着板取外し中の作業員に成膜材料が降りかかることが無く、その防着板の着脱作業を短時間で行う事が可能で、外部で防着板を清掃できる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】金属材料からなる脱着可能な 防着板と、防着板を冷却する冷却板と、防着板と冷却板を密着させる保持装置とを備える防着ユニットが配置され、真空成膜中は付着物を冷却する事により落下を防ぎ、大気開放時には防着板にトレーをあてがい取り外す事により、作業員に成膜材料が降りかかることがなく、真空成膜装置内部を汚す事が少なく、清掃の時間が短縮できる。 （もっと読む）

【課題】蒸発材料の使用効率を向上させるとともに、蒸発材料の経時劣化を防止可能な有機材料蒸着技術を提供する。
【解決手段】本発明の蒸気放出装置は、複数の放出口１２が面内に配列されたシャワープレート型の放出部１１と、放出部１１内に設けられ有機蒸発材料蒸気５０を当該放出部１１内に供給する供給管１４とを有する。供給管１４は、パイプ状に形成された本体部１４ａを有し、当該本体部１４ａに設けられた噴出口１５から放出部１１の底部１１ａに対して有機蒸発材料蒸気５０を吹き付けるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 放電初期状態のバッチ間差を保証して、所定の組成の膜を効率よく形成することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明の成膜方法は、チャンバ内にスパッタリングガスおよび反応ガスを供給して所定の真空度に保ち、チャンバ内に設けられ、ターゲット保持部により基板に対向して保持された金属ターゲットに電圧を印加してスパッタリングを行い基板に所定の膜を形成するものである。ターゲット保持部には、金属ターゲットが基板と対向する側の反対側にマグネットが移動可能に設けられている。マグネットは基板と金属ターゲットとが対向する方向に移動手段により移動される。チャンバ内にスパッタリングガスだけを供給し、この状態で、金属ターゲットに所定の電流または電力を印加させたとき、金属ターゲットの電圧を測定し、かつ放電の検出を開始し、その電圧が所定の電圧で放電が生じるようにマグネットを移動させる。 （もっと読む）

【課題】成膜工程中に装置構成部品に付着する成膜材料の剥離脱落を安定的かつ有効に防止し、成膜装置のクリーニングや構成部品の頻繁な交換などに伴う膜製品の生産性の低下や成膜コストの増加を抑制すると共に、微細なパーティクルの発生を抑制することを可能にした真空成膜装置用部品を提供する。
【解決手段】真空容器内で蒸発させた薄膜形成材料を基板上に蒸着せしめて薄膜を形成する真空成膜装置を構成する真空成膜装置用部品において、上記真空成膜装置用部品１の表面粗さが算術平均粗さＲａで５μｍ以下であることを特徴とする真空成膜装置用部品１である。 （もっと読む）

【課題】予備スパッタの安定化を図ることにより膜質や膜厚制御性を向上させた成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】シャッタ板１５は、回動経路Ｒに設けられてターゲット１８とシャッタ板１５との間にターゲット１８を遮蔽するための遮蔽面１５Ｕを有し、また、回動経路Ｒに設けられてターゲット１８とシャッタ板１５との間に基板Ｓ側に向かって凹設された凹部１５Ｂとを有する。そして、シャッタ板１５は、ターゲット１８のプレスパッタを実行するとき、その凹部１５Ｂとターゲット１８とを対向させ、ターゲット１８の本スパッタを実行するとき、その開口１５Ａとターゲット１８とを対向させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、成長中の膜に付着若しくは埋め込まれて成るパーティクルなどの成膜欠陥が極めて少ない低欠陥薄膜及びその製造方法である低欠陥成膜法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によって、真空チャンバー内においてターゲット物質にイオン照射を行い該ターゲット物質の構成物質を基板に堆積させて薄膜作製を行う成膜法であって、イオン照射とイオン非照射とからなる断続的なイオン照射の第１の動作周期の１周期内に少なくとも１秒以上の非照射時間を設ける、ことを特徴とする成膜方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】低ＲＡでも高ＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 酸化性ガスに対するゲッタ効果がＭｇＯより大きい物質（但し、Ｔａ、ＣｕＮ、ＣｏＦｅ、Ｒｕ、ＣｏＦｅＢ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、及びＺｒの１以上からなる、金属又は半導体を除く）を含有するターゲットをスパッタリングして、成膜室の内壁に被着する第一工程と、前記第一工程後に、前記成膜室においてＭｇＯターゲットに高周波電力を印加してスパッタリング法によりＭｇＯ層を形成する第二工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、簡単な制御で、逆スパッタの防止による膜の高品質化、組成ズレの制御および成膜の再現性向上を図り、膜質の変化のない高品質な圧電膜、絶縁膜や導電体膜などの薄膜を成膜することができるスパッタ方法およびスパッタ装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に、ターゲット材を保持するスパッタ電極およびスパッタ電極と対向離間配置され、基板を保持する基板ホルダを有し、さらに基板ホルダのインピーダンスを調整するための調整可能なインピーダンス回路を備えるインピーダンス調整回路とを有し、インピーダンス回路のインピーダンスが調整されることにより、基板ホルダのインピーダンスが調整され、基板の電位が調整されることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を熱処理するバッチ式の熱処理装置に用いられる石英製品に含まれる例えばアルミニウム等の金属を除去することの可能な石英製品のベーク方法等を提供する。
【解決手段】
構成部品に石英製品（処理容器２、基板保持部３）を含む熱処理装置にて、当該石英製品２、３が未だ半導体基板の熱処理に使用されていない段階等において、基板保持部３に多数枚のダミー基板ＤＷを保持させて処理容器２内に搬入し、次いで、塩素を含むガスと水素とを供給し、当該反応容器２内を加熱雰囲気にして石英製品２、３をベークすることにより当該石英製品２、３中の金属を飛散させてダミー基板ＤＷに付着させ、その後、ダミー基板ＤＷを搬出する。 （もっと読む）

【課題】低コストにて、真空蒸着による高品質な膜形成を実現することができる真空蒸着方法を提供すること。
【解決手段】真空容器内を排気して真空状態にする真空工程と、真空状態となった真空容器内で蒸発物質を加熱手段にて加熱して蒸発させる蒸発工程と、を有し、これにより、真空容器内に保持された被成膜体に蒸発物質を蒸着させる真空蒸着方法であって、上記真空工程は、蒸発物質の蒸発温度よりも高い蒸発温度を有する加熱物質を真空容器内で加熱手段にて加熱して当該真空容器内を加熱する容器内加熱工程を有する。 （もっと読む）