【課題】高度の耐熱性、耐久性を備えた透明導電膜付きフィルムの提供。
【解決手段】基材の厚みが５０〜５００μｍである高分子基材10および透明導電膜11からなり、この透明導電膜が、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物およびアルミナ添加酸化亜鉛の少なくとも一種からなり、１０〜７００回の薄膜形成工程を経ることから形成されたものであって、２５℃３５ＲＨ環境下での上記透明導電膜の膜応力が５０ＭＰａ以下であり、１５０℃１時間の耐熱試験後における上記透明導電膜の膜応力が５０ＭＰａ以下であることを特徴とする、透明導電膜付きフィルム。 （もっと読む）

【課題】炭素系材料の表面の微細形状の変化を抑制しつつ、表面改質を行う方法を提供することである。
【解決手段】炭素原子３０atm ％以上含有する炭素系材料を改質する。チャンバー内に設置された電極に対して直流パルス電圧を印加することによって電子ビームを発生させ、この電子ビームを炭素系材料の表面に照射することで改質を行う。直流パルス電圧の１パルス当りのパルス継続時間のデューティー比が０．０５〜５．０％、投入エネルギーが０．０１Ｊ／ｃｍ^２以下、パルス半値幅が１０〜９００ｎｓｅｃである。 （もっと読む）

【課題】ポリイミドフィルムと金属薄膜層との間の接着性を向上させ、乾式蒸着法であるマグネトロンスパッタリング法により形成された銅積層膜の応力を除去して、高効率の軟性銅箔積層フィルムを製造する軟性回路基板の製造装置及び方法を提供する。
【解決手段】マグネトロン蒸着源７０、多数の単一マグネトロン蒸着源１０及び二重マグネトロン蒸着源２０を含み、単一マグネトロン蒸着源１０から二重マグネトロン蒸着源２０への方向に基板が移動するように配置される。ａ）マグネトロン蒸着源７０を用いて基板の上にシード層を蒸着し、ｂ）単一マグネトロン蒸着源１０を用いて圧縮応力薄膜を蒸着し、ｃ）二重マグネトロン蒸着源２０を用いて引張応力薄膜を蒸着し、ｄ）上記段階ｂ）及びｃ）を繰り返して圧縮応力薄膜と引張応力薄膜を交互に順次蒸着することにより、所望の厚さの厚膜を得る。 （もっと読む）

【課題】段差被覆性に優れた銅シード層の製造方法を提供する。
【解決手段】同じスパッタチャンバ内で実行される堆積された銅のスパッタエッチング１６２が、銅のスパッタ堆積１６０の後に続いて実行される。これにより、特に銅の電気めっきの前に、狭いビア内に銅シード層を形成するのに有用な銅堆積プロセスとなる。該堆積は、高い銅イオン化割合及び銅イオンを該ビア内に引き付ける強力なウェーハバイアスを促進する条件下で実行される。該エッチングは、好ましくは、該チャンバの周りのＲＦコイルによって誘導励起されたアルゴンイオンによって、又は、高いターゲット電力及び極めて強いマグネトロンで形成することができる銅イオンによって、あるいは、ＲＦコイルの使用によって行うことができる。堆積／エッチングの２つ以上のサイクルを実行することができる。最後の瞬時堆積１６８は、高い銅イオン化及び低いウェーハバイアスで実行することができる。 （もっと読む）

【課題】蒸着装置により基板上に蛍光体層を蒸着する際に、蒸着時の輻射熱で薄い基板が変形し、蒸着膜が均一に堆積できないという問題がある。これに対して、基板を厚くすると、放射線の吸収が大きくなる等の問題がある。
【解決手段】基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層を有する放射線用シンチレータプレートの製造方法であって、基板の面上に蛍光体層を形成した後、基板の裏面側をエッチングして、基板の厚さを０．５ｍｍ以下の厚さに作製する放射線用シンチレータプレートの製造方法。 （もっと読む）

【課題】通常の湿度環境下で長期間保管しても潤滑特性が低下しない転動要素を得る。
【解決手段】本発明の転動要素は、鉄基合金の表面に真空技術を適用した膜形成法で作製された銀または金及びそれらの合金からなる固体潤滑膜が被覆された転動要素であり、前記転動要素に前記固体潤滑膜を被覆後、大気中に取り出す前に真空室内を乾燥した気体で置換することで作製されたものである。 （もっと読む）

【課題】光学特性の変化を抑制可能な位相差フィルムを製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、基板の表面に無機材料の粒子を供給して、基板の表面に位相差フィルムを形成する動作と、形成された位相差フィルムにシランカップリング剤を供給する動作と、を含む。 （もっと読む）

【課題】母材を傷めることなく安価かつ容易に硬質皮膜コーティングを除去して硬質皮膜コーティング金属部材の再生を行うことができる硬質皮膜コーティング金属部材の再生方法を提供する。
【解決手段】ＰＶＤやＣＶＤによる硬質皮膜コーティングが施された金属部材を、ハロゲン系ガスが存在する雰囲気中において加熱保持し、表面の硬質皮膜コーティングをハロゲン化物とすることにより除去する工程を備えたことにより、従来の薬液処理に比べて大幅に短い時間で硬質皮膜コーティングを除去し、金属部品の再生を行うことができる。また、従来のようにプラズマ雰囲気ではなく、加熱雰囲気を利用するため、高価な設備が不要で極めて安価に再生処理を行うことができる。さらに、母材が超硬合金であっても従来の薬液処理のようにＣｏ溶出による母材の損傷や粗れが生じないため、再生後の金属部品の耐磨耗性等に悪影響を及ぼさない。 （もっと読む）

【課題】 酸素ガスあるいは水蒸気等に対するハイバリア性を有し、かつ、透明性に優れ、更に、印刷加工適性、ラミネ−ト加工適性、製袋加工適性等の後処理加工適性に優れ、例えば、飲食品、医薬品、化粧品、化学品、電子部品、その他等の種々の物品を充填包装するに有用な透明ガスバリア性フィルムの製造法を提供することである。
【解決手段】 プラスチックフィルムの上に酸化アルミニウムの蒸着膜を設け、更に、該酸化アルミニウムの蒸着膜面に、インラインで酸素ガスを供給し、該酸素ガスによる処理面を設けたことを特徴とする酸化アルミニウム蒸着フィルムの製造法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】 非磁性基板の少なくとも一方の表面に、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体において、従来の物理的な磁気層加工型と比較しその磁性層除去工程を排除することにより格段に製造工程を簡略化し、かつ汚染リスクがすくない製造方法と、ヘッド浮上特性に優れた有用なディスクリートトラック型磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 磁気記録媒体の製造方法を、非磁性基板に磁性層を形成する工程、磁性層の上にマスク層を形成する工程、マスク層の上にレジスト層を形成する工程、レジスト層に前記磁気記録パターンのネガパターンを、スタンプを用いて転写する工程、マスク層で磁気記録パターンのネガパターンに対応する部分を除去する工程、レジスト層側表面から磁性層にイオンを注入し、磁性層を部分的に非磁性化する工程、レジスト層およびマスク層を除去する工程をこの順で有するようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光や電子線に対する感度が高く、より少ない露光で、明瞭かつ微細なパターンを形成可能なレジスト材料を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】上記目的を達成するために、本発明は、金属化合物を有するレジスト材料であって、上記金属化合物を構成する金属元素が、第１４族または第１５族の金属元素であり、かつ、上記金属化合物が化学量論的に不完全な化合物であることを特徴とするレジスト材料を提供する。 （もっと読む）

【課題】光検出器パネル（支持体）と蛍光体層との界面に局所的な剥離さえも生じることなく、光検出器パネル表面に蛍光体層を高精度に形成することを可能にし、これにより、蛍光体層で変換された光を光電変換素子によって高精度に受光／測定することができ、しかも、発行量が高い蛍光体層を得ることができる平面放射線画像検出器の製造方法を提供することにある。
【解決手段】放射線の入射によって蛍光体層が発光する光を光電変換素子で検出することにより放射線画像を撮影する平面放射線画像検出器を製造するに際し、０．１Ｐａ〜１０Ｐａの真空度で前記支持体に真空蒸着によって蛍光体層を形成した後、０．４５℃／ｍｉｎ〜６．０℃／ｍｉｎの平均冷却速度で前記蛍光体層の冷却を行い、前記蛍光体層の温度が１２０℃以下となった後に、前記蛍光体層の冷却系内から前記支持体を取り出すことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の絶縁耐圧の向上を図ることのできる絶縁膜の製造方法、反応装置、発電装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】反応物の反応を起こすマイクロリアクタ１は、金属基板である上板２及び底板３等から構成されてなり、底板３とその表面に設けられる薄膜ヒータ３２との間に絶縁膜３１として、希土類元素Ｒの結晶構造を有するＲ₂Ｏ₃膜（Ｙ₂Ｏ₃膜）が形成されている。Ｒ₂Ｏ₃膜は、底板３の表面にＲ膜を成膜した後、水素化してＲＨ₂膜を形成し、さらに酸化することによって形成される。 （もっと読む）

【課題】界面破壊現象が発生しない炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを利用した半導体素子配線の形成方法が開示されている。
【解決手段】基板上に酸化金属膜を形成した後、前記酸化金属膜上に前記酸化金属膜の表面を露出させる開口を含む絶縁膜パターンを形成する。前記開口に露出された前記酸化金属膜を炭素ナノチューブの成長が可能な触媒金属膜パターンに形成する。前記触媒金属膜パターンから炭素ナノチューブを成長させて炭素ナノチューブ配線を形成する。前述した炭素ナノチューブ配線の形成方法は、前記絶縁膜パターンと触媒金属膜パターンとの間で炭素ナノチューブが成長する現象を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】金属堆積のために基板表面を設計するためのプロセスおよび統合システム
【解決手段】実施形態は、銅配線について、エレクトロマイグレーション耐性を向上させるため、より低い金属抵抗率を提供するため、そして金属−金属またはシリコン−金属の界面接着を改善するために、金属−金属界面またはシリコン−金属界面を形成するプロセスおよび統合システムを提供する。統合システム内において、銅表面上にコバルト合金材料の薄い層を選択的に堆積させて、銅配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させるために、基板表面を調整する代表的方法が提供される。方法は、統合システム内において、基板表面から汚染物および金属酸化物を除去することと、汚染物および金属酸化物を除去した後に、統合システム内において、還元環境を使用して基板表面を再調整することとを含む。方法は、また、基板表面を再調整した後に、統合システム内において、銅配線の銅表面上にコバルト合金材料の薄い層を選択的に堆積させることも含む。また、上述された代表的方法を実施するためのシステムも、提供される。 （もっと読む）

【課題】
プラスチックフィルムの表面に金属膜を成膜する際に、金属膜上の付着異物を低減した金属化プラスチックフィルム基材の製造方法と、そのための真空成膜装置を提供する。後の加工において、凹凸などの表面欠点が極力少ない長尺製品の製造に適している。
【解決手段】
真空容器内に、プラスチックフィルムの巻出し手段、前処理装置および隔壁で隔てられた成膜室および隔壁で隔てられた巻取り手段を有する真空成膜装置を用いてプラスチックフィルムに金属を成膜加工して金属化プラスチックフィルム基材を製造する方法において、プラスチックフィルムへの金属の成膜加工後、前記プラスチックフィルムの金属成膜加工面の反対面に付着した異物を除去してから、金属化プラスチックフィルム基材を巻取ることを特徴とする金属化プラスチックフィルム基材の製造方法。
（もっと読む）

【課題】 プロセスマージンが広く、特性に優れ、且つ信頼性の高い酸化物薄膜トランジスタを作成する。
【解決手段】 アモルファス酸化物半導体膜からなる活性層を備えた薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記活性層を形成する工程は、
導入酸素分圧が１×１０^−３Ｐａ以下の雰囲気中で前記酸化膜を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後、酸化雰囲気中で熱処理を行う第２の工程と、
を含む。 （もっと読む）

【課題】包装材料としての通常の加工を施してもガスバリア性が劣化しない透明なガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】透明なプラスチックフィルムからなる基材層（１）と、前記基材層（１）上に形成された厚さ５〜３００ｎｍの酸化アルミニウム蒸着薄膜層（２）と、前記酸化アルミニウム蒸着薄膜層（２）上に形成され、その表面が酸素プラズマ処理された厚さ１〜５ｎｍのアルミニウム蒸着薄膜層（３）と、前記アルミニウム蒸着薄膜層（３）上に形成された、重合可能なアクリル系のモノマーまたはモノマーとオリゴマーとの混合物を硬化させてなる厚さ０．０２〜２０μｍのガスバリア性被膜層（４）とを有し、前記酸化アルミニウム蒸着薄膜層（２）と前記アルミニウム蒸着薄膜層（３）との二層における波長３６６ｎｍの光線透過度が６５〜９０％であることを特徴とするガスバリア性積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】発光デバイス、光デバイス、マイクロデバイスなどの機能材料として、利用可能な酸化物多孔質体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を用意する工程、該基板上に分散して配置されている柱状構造体と、該柱状構造体を取り囲む領域とを含み構成される膜を非平衡プロセスにより形成する工程、及び前記膜から前記柱状構造体をウェットエッチングにより除去しながら同時に前記領域を酸化処理して酸化物多孔質体を形成する工程を有し、且つ前記柱状構造体は多結晶アルミニウムであり、前記領域はＳｉ、Ｇｅ、あるいはＳｉ_xＧｅ_1-x（０＜ｘ＜１）の非晶質材料で構成され、且つ前記膜には、前記非晶質材料が３０ａｔｏｍｉｃ％以上６０ａｔｏｍｉｃ％以下の割合で含まれるように該膜が形成されている酸化物多孔質体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】十分に結晶配向度の高い金属酸化物膜を、簡易、低コスト、かつ、基材及び金属酸化物膜に損傷を殆ど与えずに得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法、積層体、及び電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】基材１０上に（１１１）結晶面を有する金属膜１４を形成する工程と、金属膜１４の（１１１）結晶面に金属酸化物膜２０を形成する工程と、金属膜１４の（１１１）結晶面に形成された金属酸化物膜２０の温度を２５〜６００℃に維持し、金属酸化物膜２０に対して紫外線を照射する工程と、を備える。 （もっと読む）