【課題】本発明の目的は、上述した問題を解決し、成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAl_xGa_1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたZrまたはHfからなる単一金属層とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバなどの高真空下の環境を形成するための大掛かりな装置を必要とせず、低コストで透明導電膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】透明基板３上に透明導電膜となる金属膜４を不活性気体雰囲気中でスパッタ法により形成する工程と、前記金属膜４を酸化させる工程とを含み、前記金属膜４を形成する工程において不活性気体雰囲気に微量の酸素を添加し、金属膜４を僅かに酸化させることを特徴とする透明導電膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高い結晶性をもった物を製造することが可能なドライプロセス装置を提供する。
【解決手段】基板保持部１０ａに保持された基板１４の温度を所望の温度に保つ温度調整器と、前記基板保持部１０ａとターゲット保持部１０ｂとにそれぞれ配置された高周波電極１１ａ、１１ｂと、両電極の陰陽を切り替える陰陽切替器と、前記チャンバー内の気体を外部の排出するあたりその排気速度を調整する排気調整器と、前記チャンバー内へ供給する気体の供給速度を調整する給気調整器と、この給気調整器を介して前記チャンバーに供給する気体の種類を変更する気体切替器とからなり、前記基板保持部１０ａに保持された基板１４に対しスパッタリング法、イオン注入法、ＣＶＤ法等の異なった複数のドライプロセスを選択して連続実行する。 （もっと読む）

エッジシーリングされ、かつカプセル化された環境感応性素子の生成方法が提供される。一つの方法は、基板上で接触部と共に環境感応性素子を提供する段階；印刷工程を用いて、不連続領域を有し、環境感応性素子をカバーしつつ、接触部をカバーしないデカップリング層を、環境感応性素子に隣接して蒸着する段階；デカップリング層の不連続領域より広い第１領域を有し、デカップリング層をカバーし、接触部をカバーする第２領域を有する第１バリア層を、デカップリング層に隣接して蒸着する段階であって、前記デカップリング層は、第１バリア層と、基板またはオプションとしての第２バリア層の端部との間でシーリングされる段階；接触部から第１バリア層の第２領域を除去する段階；を含む。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバなどの高真空下の環境を形成するための大掛かりな装置を必要とせず、低コストで透明導電膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】透明基板1上に透明導電膜となる金属膜2を不活性気体雰囲気中で形成する工程と、前記金属膜に酸化雰囲気中でレーザビームを照射し、該金属膜を酸化させる工程とを含む透明導電膜8の製造方法である。前記金属膜の酸化工程において、酸化雰囲気中に水を供給し、レーザビームの照射で基板上の金属膜を加熱すると同時に水を分解させ、生じた酸素分子を基板上の金属膜に供給することで金属膜の酸化を促進させることが好ましい。前記基板は可撓性を有した絶縁性の連続シートまたは連続フィルムであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット物質の歩留りを向上させ、無駄なく簡単に薄膜を形成するためのターゲット物質含有液体の製造方法、ターゲット物質を含有する薄膜の形成方法、ターゲット物質含有液体を提供する。
【解決手段】 ターゲットを用いたプラズマスパッタリング法を用い、前記ターゲットが配置された処理室と同一の処理室内に配置された液体材料に向けてターゲット物質をスパッタリングすることにより、前記ターゲット物質を前記液体材料中に分散させることを特徴とするターゲット物質含有液体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】エレクトロマイグレーションの抑制が図られた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子の形成された半導体基板と、半導体基板の上方に、水分を含み、凹部が形成された層間絶縁膜と、凹部の内面上に形成され、非晶質及び多結晶の一方の結晶性を有する第１のバリアメタル層と、第１のバリアメタル層上に形成され、非晶質及び多結晶の他方の結晶性を有する第２のバリアメタル層と、第２のバリアメタル層上に形成された銅配線と、銅配線を覆って前記層間絶縁膜上に形成された銅拡散防止絶縁膜と、銅配線と銅拡散防止絶縁膜との界面に形成された金属酸化物層とを有する。 （もっと読む）

【課題】健全で均一な厚さを有すると共に、表面に微細な凹凸形状を備え、大幅な摩擦低減が可能なＤＬＣ膜と、このようなＤＬＣ膜を備えたＤＬＣコーティング部材、さらにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】望ましくはＨｖ１００〜８００の硬さを有し、中心線平均粗さＲａが０．０１μｍ未満の平滑面を備えた基材の表面上にＤＬＣ膜をコーティングしたのち、このＤＬＣ膜の表面に、好ましくはセラミックス材料から成る粒径１００μｍ以下の微細粒子を高速投射して衝突させ、その表面に中心線平均粗さＲａが０．０１〜０．２μｍの微細凹凸を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐環境性、特に耐腐食性を高めることを可能とした磁気記録媒体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】インライン式成膜装置を用いて、少なくとも非磁性基板の面上に形成された記録磁性層に磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造する際に、少なくとも記録磁性層８３と磁気記録パターン８３ａに対応したマスク層とがこの順で積層された非磁性基板８０をキャリアに取り付ける工程と、記録磁性層８３のマスク層で覆われていない箇所を反応性プラズマ処理又はイオン照射処理することにより、磁気記録パターン８３ａを形成する工程と、記録磁性層８３上からマスク層を除去する工程と、キャリアから非磁性基板８０を取り外す工程とを含み、キャリアが各チャンバの間を通過する間に、各チャンバ内を減圧雰囲気とし、大気と遮断された状態で各工程を連続して行う。 （もっと読む）

【課題】膜厚が均一で付着強度の高いアナターゼ型酸化チタン薄膜を提供する。
【解決手段】成膜対象物１１表面にスパッタリングによりルチル型酸化チタン薄膜１２’を形成し、この表面にレーザー光線８８を照射すると、ルチル型酸化チタン薄膜１２’はルチル型からアナターゼ型に変換されるので、光触媒活性の高い、アナターゼ型酸化チタン薄膜１３を得ることができる。また、反射手段８５と配置手段５２を移動させ、ルチル型酸化チタン薄膜１２’表面のレーザー光線８８の照射位置を移動させると、ルチル型酸化チタン薄膜１２’全体をアナターゼ型に変換することができる。 （もっと読む）

本発明は、反転して増大する有機感光性光電子デバイスに関する。本発明の反転型有機感光性光電子デバイスは、反射電極、前記反射電極の上の有機ドナー−アクセプターヘテロ接合、および前記ドナー−アクセプターヘテロ接合上の透明電極を含む。 （もっと読む）

【課題】圧電性能と耐久性とがいずれも良好なＰＺＴ系の圧電体膜を提供する。
【解決手段】圧電体膜の製造方法は、式（Ｐ）で表されるペロブスカイト酸化物からなる圧電体膜の製造方法において、ａ／ｂ≧１．０７の条件で成膜を行う工程（Ａ）と、ａ／ｂ＜１．０７の条件で成膜を行う工程（Ｂ）とを順次実施して、パイロクロア相を含まないペロブスカイト単相構造であり、ａ／ｂ≦１．０６である圧電体膜を製造する。Ｐｂ_ａ（Ｚｒ_ｘ，Ｔｉ_ｙ，Ｍ_{ｂ−ｘ−ｙ}）_ｂＯ_ｃ・・・（Ｐ）（式中、Ｍは１種又は２種以上のＢサイト元素を示す。０＜ｘ＜ｂ、０＜ｙ＜ｂ、０≦ｂ−ｘ−ｙ。ａ：ｂ：ｃ＝１：１：３が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】アンダーバンプメタルのＣｕの膜質のバラツキを抑制してサイドエッチ量のバラツキを低減する半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、半導体ウエハに形成された半導体チップにアンダーバンプメタルを蒸着するスパッタ装置内の温度を判定する判定ステップと、前記スパッタ装置内の温度がアンダーバンプメタルの蒸着に適した所定温度以上でないと判定したときに、前記スパッタ装置にダミーウエハを投入するダミーウエハ投入ステップと、前記スパッタ装置にダミーウエハを投入して前記スパッタ装置内の温度が前記所定温度以上となったと判定したときに、前記半導体ウエハを前記スパッタ装置に投入する半導体ウエハ投入ステップと、を有する半導体装置の製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】 実用に耐えうる耐摩耗性を備えた撥油性膜を持つ撥油性基材を製造することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、基板１０１の表面にエネルギーを持つ粒子を照射する第１の照射工程と、前記第１の照射工程後の基板１０１の表面に乾式法を用いて第１の膜１０３を成膜する第１の成膜工程と、第１の膜１０３の表面に撥油性を有する第２の膜１０５を成膜する第２の成膜工程とを、有する。
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本発明のシリコーン薄膜の製造方法は、基板を提供する段階と；前記基板上にシリコーンソースを供給する段階と；前記シリコーンソースを供給してシリコーン薄膜を形成するとともに、電子ビームとイオンビームを照射したり、シリコーンソースを供給してシリコーン薄膜を形成した後後処理として前記基板上に電子ビームとイオンビームを照射する段階とを含む。本発明によって、前記供給されたシリコーンソースによって前記基板上にシリコーン薄膜が蒸着されながら前記照射された電子ビームが前記蒸着中のシリコーン薄膜にエネルギーを供給してこのシリコーン薄膜を蒸着工程中に（ｉｎ−ｓｉｔｕ）結晶化させたり、非晶質シリコーン薄膜が形成された後後処理として電子ビームとイオンビームを照射することによって結晶化させることができる。また、電子ビームを照射するとともに、イオンビームをともに照射することによって、基板表面に蓄積される電子ビームの電荷がイオンビームの電荷によって中和されるようにして、電子ビームの電荷が基板表面に蓄積されて不必要な表面電流を形成することを防止し、效率的に非晶質シリコーン薄膜を結晶化させることができる。
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【課題】本発明は、ナノメーターサイズの三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜を有する積層体を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基材と、上記基材上に形成され、平均細孔径５００ｎｍ以下の三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜と、を有することを特徴とする積層体を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】充放電容量が大きいと共に、電池性能においても充分に満足できる非水電解質電池用正極の製造方法と非水電解質電池用正極および非水電解質電池を提供する。
【解決手段】基材上にリチウム複合酸化物を主体とする薄膜を気相成長法により形成し、形成した薄膜を熱処理した後、水洗する非水電解質電池用正極の製造方法。リチウム複合酸化物の原料粉末を主体とする成形体を焼結して焼結体を作製し、作製した焼結体を水洗する非水電解質電池用正極の製造方法。前記製造方法により製造された非水電解質電池用正極および前記非水電解質電池用正極を用いた非水電解質電池。 （もっと読む）

【課題】周辺表面を汚染もしくは乱さずに、スパッタリングした銅シード層を堆積させて、所望の形状に刻設する方法を提供する。
【解決手段】底部５１６と、側壁５１４と、上側開口５２６とを有する複数の凹状のデバイス特徴を含む基板上に銅シード層を堆積させる方法であって、ａ）基板表面からのスパッタリングを引き起こす態様において前記凹状のデバイス特徴の基板表面に衝突することなく前記銅シード層の第１の部分を前記基板上にスパッタ堆積するステップと、ｂ）前記銅シード層の第２の部分を前記基板上にスパッタ堆積すると同時に、銅シード層の前記第１の部分の少なくとも一部を、前記複数の凹状のデバイス特徴のそれぞれの底部から対応する側壁へと再配分するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】加工が容易であって、任意デザインの金属光沢による高級感のある装飾模様を形成することができ、要に臨んで、立体的な装飾模様を形成することも可能な物品の表面装飾構造を提供する。
【解決手段】基材１の表面において、少なくとも金属光沢を有する金属材料が層着した金属被膜層２を形成する一方、この金属被膜層２の少なくとも一部には剥離部２１を設け、この剥離部２１において基材１の表面が露出して、当該基材１の外観と残存した金属被膜層２の金属光沢との相異により装飾模様を形成し、基材１および金属被膜層２がそれぞれ表出した状態で、これらの表面が透光性を有する合成樹脂材料からなるクリアコーティング層３によって被覆して、金属光沢による装飾模様の表面を保護する。 （もっと読む）

【課題】溝の側面に対する合金膜の付着性（サイドカバレッジ）を向上させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】合金膜１８は、バイアススパッタ法により形成される。そして、そのバイアススパッタ法による合金膜１８の形成時には、第２溝１１およびビアホール１２の内面に向けて飛散するスパッタ粒子のエネルギーにより、第２溝１１およびビアホール１２の底面に付着しているスパッタ粒子が弾き飛ばされ、その弾き飛ばされたスパッタ粒子が第２溝１１およびビアホール１２の側面に再付着（リスパッタ）するように、スパッタ粒子を加速するためのＲＦバイアスが設定される。 （もっと読む）