【課題】融着トナー又はインクの支持体への移動が良好であるフューザ部材を提供することである。
【解決手段】フューザ部材は、基材と、前記基材に配置された機能層と、前記機能層上に配置された外側層であって、テクスチャーを有するシリコン、及び前記シリコン上に配置された疎油性コーティングを含む外側層とを備える。テクスチャー構造としては、ピラー構造、溝構造が例示できる。これらの構造は、極疎油性表面の形成に有効である。 （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた信号処理回路の提供を目的の一つとする。
【解決手段】インバータまたはクロックドインバータなどの、入力された信号の位相を反転させて出力する位相反転素子を用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子と、当該容量素子における電荷の蓄積及び放出を制御するスイッチング素子とを設ける。上記スイッチング素子には、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いる。そして、上記記憶素子を、信号処理回路が有する、レジスタやキャッシュメモリなどの記憶装置に用いる。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１のトランジスタ１６０と、第２のトランジスタ１６２と、を有し、第１のトランジスタ１６０は、半導体材料を含む基板に設けられ、第２のトランジスタ１６２は酸化物半導体層を含んで構成され、第１のトランジスタ１６０のゲート電極と、第２のトランジスタ１６２のソース・ドレイン電極とは、電気的に接続され、第１の配線と、第１のトランジスタ１６０のソース電極とは、電気的に接続され、第２の配線と、第１のトランジスタ１６０のドレイン電極とは、電気的に接続され、第３の配線と、第２のトランジスタ１６２のソース・ドレイン電極の他方とは、電気的に接続され、第４の配線と、第２のトランジスタ１６２のゲート電極とは、電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で、かつ接合リーク電流の少ないＣｏシリサイド層を形成することのできるサリサイドプロセスを提供する。
【解決手段】Ｃｏ純度が９９．９９％以上で、ＦｅおよびＮｉの含有量が１０ｐｐｍ以下、より好ましくはＣｏ純度が９９．９９９％の高純度Ｃｏターゲットを用いたスパッタリング法によってウエハの主面上に堆積したＣｏ膜をシリサイド化することにより、ＭＯＳＦＥＴのゲート電極（８ｎ、８ｐ）、ソース、ドレイン（ｐ^＋型半導体領域１３、ｎ^＋型半導体領域１４）の表面に低抵抗で接合リーク電流の少ないＣｏＳｉ_２層（１６ｂ）を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の変形および熱割れを防止することができる、薄膜形成システムおよび薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】処理室の一つであり、基板１６を加熱する加熱装置、および、基板１６と加熱装置とを相対的に移動させる駆動装置が配置された加熱室３と、処理室の一つであり、加熱された基板１６に薄膜を形成するスパッタ装置２６が配置されたＺｎＯスパッタ室４と、駆動装置を操作する制御装置２２とを備えている。駆動装置は、加熱室３からの基板１６の搬送が不能となった際に、加熱室３内の基板１６と加熱装置とを相対的に移動させ続けるように制御装置２２により操作される。 （もっと読む）

【課題】多孔質の有機シリカガラス膜を製造するための堆積方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバーに、有機シラン又は有機シロキサンの１つの前駆体と、該前駆体とは異なるポロゲンであって、本質的に芳香族であるポロゲンとを含むガス状試薬を導入する工程、前記チャンバー中の前記ガス状試薬にエネルギーを適用して該ガス状試薬の反応を引き起こしてポロゲンを含有する膜を堆積させる工程、並びにＵＶ放射によって有機材料の実質的にすべてを除去して気孔を有しかつ２．６未満の誘電率を有する多孔質の膜を提供する工程を含む多孔質の有機シリカガラス膜を製造するための堆積方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】加飾層として、絵柄部分と絵柄背景部分の間に明確な段差が形成されていない金属薄膜を有する加飾シートを提供すること、及びそのような加飾シートを簡便な操作によって製造する方法を提供する。
【解決手段】被加飾物に固定可能な加飾層２を基体シート１の表面に有してなる加飾シートであって、該加飾層２は金属薄膜４を有し、該金属薄膜４は絵柄背景又は絵柄５として透明化部分４１を有している、加飾シート。 （もっと読む）

【課題】透明導電体層がパターン化されており、かつ、見栄えの良好な透明導電性フィルムおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明なフィルム基材の片面または両面に、透明なフィルム基材から第一層目のアンダーコート層を有機物により形成する工程、前記アンダーコート層上に、スパッタリング法により透明導電体層を形成する工程、および前記透明導電体層を、エッチングしてパターン化する工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】工具基体表面に対し、すぐれた密着性を有し、ＣＦＲＰ、Ａｌ合金等の難削材の高速切削加工で、すぐれた耐剥離性、耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金からなる工具基体表面に、ＷＣ層からなる下地層とダイヤモンド層からなる上部層とを蒸着形成したダイヤモンド被覆超硬合金製切削工具において、電界放出型走査電子顕微鏡を用いて、下地層、上部層の各結晶粒の（１１１）面の法線が基体表面の法線に対してなす傾斜角を測定し、傾斜角度数分布グラフを作成した場合、ＷＣ層については、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、該角度範囲内に存在する度数の合計が、度数全体の７０％以上の割合を占め、また、ダイヤモンド層については、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、該角度範囲内に存在する度数の合計が、度数全体の８０％以上の割合を占める。 （もっと読む）

【課題】 リフトオフ加工を前提とするスパッタリング装置において、リフトオフ後にバリが残るという不具合を確実かつ安定的に解消する。
【解決手段】 本発明に係るスパッタリング装置１０の真空槽１２内は、差圧シールド２６内の空間２４と、それ以外の空間４０とに、隔離されている。そして、差圧シールド２６内の空間２４に、ターゲット１４が配置されており、それ以外の空間４０に、基板３４が配置されている。さらに、高いエネルギを持つプラズマ２２は、差圧シールド２６内の空間２４に閉じ込められる。これにより、基板３５上に付着した被膜粒子がプラズマ２２の影響を受けて当該基板３５上で移動するというスパッタリング法特有の性質が抑制される。この結果、基板３４上に形成された逆パターンのアンダーカット部への被膜粒子の回り込みが防止され、ひいてはリフトオフ後にバリが残るという不都合が解消される。 （もっと読む）

【課題】工程数の少ない手法でギャップ間距離が小さく、さらに様々な電極形状が調製可能であるナノギャップ電極の製造方法を得る。
【解決手段】先端が９０度又は鋭角である角を備えた電極材料を基板上に形成し、この電極材料にレーザー光を照射して、鋭角の角の一部を切り離して微小電極を形成すると共に該微小電極と残余の電極本体との間にナノスケールのギャップを形成するナノギャップ電極の製造方法。基板上に１０〜１００μｍのサイズのポリマー又はセラミックスビーズを均一に展開し、この上に電極材料をＰＶＤ法又はＣＶＤ法により被覆し、このビーズを除去することにより基板上に三角錐の電極材料を残存させ、この三角錐の電極材料にレーザー光を照射し、鋭角の角の一部を切り離して微小電極を形成し、該微小電極と残余の電極本体との間にナノスケールのギャップを形成するナノギャップ電極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】圧電特性のばらつきが少ないチタン酸ジルコン酸鉛薄膜を効率よく製造する圧電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】チタン酸ジルコン酸鉛のターゲット３を使用し、スパッタ法により基板５の上にチタン酸ジルコン酸鉛薄膜を製造する圧電体薄膜の製造方法において、基板を加熱する基板加熱工程と、基板加熱工程で加熱した基板の温度を維持し、スパッタ法により基板の上に成膜する成膜工程と、を有し、基板加熱工程では、基板が所定の温度分布となるように加熱され、成膜工程では、基板と前記ターゲットとで挟まれる空間の、ターゲット面に平行な面の面内で、所定の酸素濃度分布となるように酸素が導入され、基板及び平行な面それぞれへターゲットの面を垂直投影した場合、基板と平行な面との相互に対応する位置における所定の温度分布の増減方向と所定の酸素濃度分布の増減方向とは同じ方向である。 （もっと読む）

【課題】不純物を含まない良質な薄膜を成膜することができるスパッタリング装置、前記スパッタリング装置を用いた良質な薄膜の作製方法の提供する。
【解決手段】半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材を用いて半導体層の成膜を行う発光装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】耐食性および導電性に優れる耐食導電性皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電性皮膜は、ＰおよびＴｉからなるアモルファス相を少なくとも一部に有してなる。この耐食導電性皮膜が基材表面に形成された耐食導電材は、従来になく優れた耐食性または導電性を発現する。 （もっと読む）

【課題】 長期に亘って安定した分光特性をもちグラデーション濃度分布を有する薄膜型ＮＤフィルタを実現させる。
【解決手段】 基板上に誘電体層と光吸収層を複数層に積層する光減衰膜の形成において、その誘電体層はその原料物質の原子層レベルでの全面付着（ステップＳ１）とその酸化または窒化性雰囲気への曝露（ステップＳ２）を繰り返して所定の膜厚にする。続いて、その光吸収層はその原料物質のスパッタリングによるマスク開口を通した原子層レベルの付着と（ステップＳ４）とその酸化性／窒化性雰囲気への曝露（ステップＳ５）を繰り返して所定の膜厚にする。上記誘電体層は緻密性に優れ酸素を通し難い良質の膜となる。また、上記光吸収層は膜厚が傾斜変化し安定した組成の原料物質の酸化物あるいは窒化物を含む膜となる。 （もっと読む）

【課題】パターン形成用薄膜中のその周囲よりも多く酸素を含有する６０ｎｍ以上１５０ｎｍ未満の大きさの高酸化物欠陥数を低減させ、高いレベルの欠陥品質を要求されるマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板１上に金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなるパターン形成用薄膜２をスパッタ成膜装置を用いてスパッタリング法で形成することによりマスクブランク１０を製造する。ここで、透光性基板１が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いでパターン形成用薄膜２のスパッタリング法による成膜を開始する。 （もっと読む）

【課題】大面積で均一な薄膜トランジスタパネルの製造が可能なＩｎ−Ｇｎ−Ｚｎ系酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ（インジウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｇａ（ガリウム）及びＳｎ（錫）を含有し、Ｓｎ（錫）の原子比が下記式を満たす酸化物焼結体。
０．０１＜Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＜０．１０ （もっと読む）

【課題】Ｇａの含有量がＩｎの含有量に比べ低い領域において、単一の結晶構造を主成分として有するスパッタリングターゲットに使用できる焼結体を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを０．２８≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）≦０．３８、０．１８≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）≦０．２８の原子比で含む酸化物であって、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）で表されるホモロガス結晶構造を有する化合物を主成分とする酸化物からなる焼結体。 （もっと読む）

【課題】オフ特性およびキャリア移動度に優れた、高品質の、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物半導体からなる活性層とを備えてなる。そして、活性層とソース電極の間および活性層とドレイン電極の間には、炭素製のバッファ層が設けられてなる。 （もっと読む）

【課題】長期に渡る成膜を行った際に、得られる薄膜の特性の安定性に優れたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｚｎ、及びＧａを含み、表面と内部の化合物の結晶型が実質的に同一である酸化物焼結体からなり、下記（ａ）〜（ｅ）の工程で製作されたスパッタリングターゲット。（ａ）原料化合物粉末を混合し、調製（ｂ）混合物６．０ｍｍ以上に成形（ｃ）３℃／分以下で昇温（ｄ）１２８０〜１５２０℃で２〜９６時間（ｅ）表面を０．２５ｍｍ以上研削 （もっと読む）