【課題】酸素バリア性および水蒸気バリア性に優れた、透明なガスバリア性積層フィルムを提供すること。
【解決手段】透明なプラスチックフィルムからなる基材層１の少なくとも一方の面上に、ガスバリア層２と被膜層３を順次積層してなり、ガスバリア層２は酸化アルミニウムからなり、かつ、膜厚（厚さＸ）が０．００５μｍ以上０．１５μｍ以下であり、被膜層３は、フラッシュ蒸着法を用いて重合可能なアクリル系のモノマーまたはモノマーとオリゴマーとの混合物を成膜し、紫外線または電子線を照射して硬化させてなり、かつ、膜厚（厚さＹ）が０．１μｍ以上２０μｍ以下であり、ガスバリア層２の厚さＸと被膜層３の厚さＹとの関係が、下記式を満たすガスバリア性積層フィルム。０．００２≦ＸＹ≦０．５ （もっと読む）

【課題】 両面積層基板の生産効率を低下させることなく、第１の金属膜の表面と第２の金属膜の表面とがくっつく不具合や、しわが生じる不具合等を防ぐことができる成膜方法を提案する。
【解決手段】 減圧雰囲気下においてロール・ツー・ロールで搬送される有機樹脂フィルムＦの両面に金属膜を成膜する両面積層基板の成膜方法であって、有機樹脂フィルムＦの一方の面に乾式めっき法である成膜手段１３ａ、１３ｂにより第１の金属膜を成膜し、この第１の金属膜の表面に乾式表面処理手段１１により酸化膜を形成した後、有機樹脂フィルムＦの他方の面に乾式めっき法である成膜手段１３ａ、１３ｂにより第２の金属膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】セパレータと電極間で発生する接触抵抗が低く、耐食性に優れており、かつ低コストの燃料電池セパレータを提供する。
【解決手段】ステンレス鋼からなる基材の表面を窒化処理することにより得られる燃料電池セパレータであって、基材の表面から深さ方向に連続して存在する窒化層を備え、窒化層は、最表面に外部方向に突出する粒状の析出物と、窒化層内に高沸点金属部を有する。 （もっと読む）

【課題】透明な基板上に光学特性に応じた膜層を形成する際に、膜厚さが漸減するグラデーション領域層を安定してバラツキなく同時に反射特性に優れた減光フィルタの提供する。
【解決手段】基板と、前記基板に異なる物質をスパッタリングして積層状に形成された金属膜層と誘電体膜層から構成されるグラデーション層を形成して成り、前記金属膜層と前記誘電体膜層は共に前記基板に対し勾配角を有し、しかも前記誘電体膜層の勾配角は前記金属膜層の前記基板との勾配角に対し小さく、且つ前記金属膜層形成領域内でほぼ均一な膜厚さを形成する。 （もっと読む）

【課題】電解コンデンサの薄型化を可能にする強度に優れたＴａ多孔質膜や、基板密着性に優れたＴａ多孔質電極箔の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、ＴａまたはＴａ合金からなる原料金属と、該原料金属と相溶しない異相成分とを混合成膜し、得られた混合膜を熱処理することにより、前記原料金属および異相成分をそれぞれ粒成長させた後、前記異相成分を選択的に溶解することにより、Ｔａ多孔質膜を製造する方法において、前記混合成膜に際して、成膜条件を調整することにより、前記Ｔａを前記異相成分中に強制的に固溶させる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、且つ動作安定性に優れた酸化物半導体を用いた薄膜電界効果型トランジスタの製造方法を提供することにある
【解決手段】ゲート電極２を形成する工程、ゲート絶縁膜３を形成する工程、酸化物半導体よりなる活性層を形成する工程、該活性層に接して該活性層より電気伝導度の低い酸化物半導体よりなる抵抗層６を形成する工程、該抵抗層の一部を低抵抗化処理することにより所定の間隔を離して少なくとも２つの低抵抗領域を形成する低抵抗化処理工程であって、該２つの低抵抗領域に挟まれた低抵抗化処理が施されなかった領域（未低抵抗化領域）が、平面上、前記ゲート電極の内側に形成され、及び前記２つの低抵抗領域のそれぞれと接してソース電極及びドレイン電極を形成する工程を有する薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】バルク抵抗が低く、高密度の酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット、及び金属薄膜に対し選択的エッチング可能な透明非晶質酸化物半導体膜を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛と酸化ガリウムと酸化スズからなり、ＺｎＧａ_２Ｏ_４で表されるスピネル化合物の格子定数とＺｎ_２ＳｎＯ_４で表されるスピネル化合物の格子定数との中間の格子定数を有するＡＢ_２Ｏ_４型化合物で表されるスピネル化合物を含有する酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】単結晶ダイヤモンド基板の表面損傷を除去するために有効な新規な方法および表面損傷が除去された単結晶タイヤモンドを基板としたCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドにイオン注入を行って表面近傍に非ダイヤモンド層を形成し、該非ダイヤモンド層をグラファイト化させた後、エッチングして表面層を除去する。この様にして得られた単結晶ダイヤモンドは、表面粗さを増加させることなく、切断、研磨などによって生じた表面損傷部がほぼ完全に除去され、また、表面と交差する転位もほとんど存在しないものとなるので、処理された単結晶ダイヤモンドを基板として、CVD法によってダイヤモンドを成長させることによって、転位の伝播や新たな転位の発生を著しく抑制することができ、形成される単結晶ダイヤモンドの結晶性を著しく改善することができる。 （もっと読む）

【課題】耐溶損性に優れた中間層の表面に耐焼付き性に優れた機能性被膜を形成することで、耐焼付き性、及び、耐溶損性を向上させるダイカスト用金型等を提供すること。
【解決手段】ダイカスト用金型１は、金型基材ＫＫと、金型基材ＫＫの表面に形成される中間層ＣＳであって、Ｃｒ，Ｔｉ及びＡｌから選ばれる少なくとも１種の金属、又は、Ｃｒ，Ｔｉ及びＡｌから選ばれる少なくとも１種の元素を含む化合物の単層又は複層からなる中間層ＣＳと、中間層ＣＳの上に形成される機能性被膜ＫＨであって、Ｆｅを２０質量％以上含有し、かつ、Ｆｅ酸化物が形成された機能性被膜ＫＨとを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜とＣｕを含む配線との間に介在する下地膜であって、特に酸素のバリア性が高い下地膜を含む電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、凹部の形成された絶縁膜と、凹部内に形成され、Ｃｕを含む配線層と、絶縁膜と前記配線層との間に形成され、Ｔａ及びＭｎを含む下地膜とを有する。 （もっと読む）

基材上に無機又はハイブリッド有機／無機バリア層を形成するための方法。この方法は、蒸発させた金属アルコキシドを基材上に凝縮させて基材の上に層を形成する工程と、この凝縮した金属アルコキシド層を水と接触させてこの層を硬化させる工程とを含む。
（もっと読む）

【課題】基材の表面に被覆膜を被覆した被覆部材に関し、基材と被覆膜との密着性を向上させるための新規の手法を用いた被覆部材の製造方法およびその製造方法により得られる被覆部材を提供する。
【解決手段】本発明の被覆部材は、基材の表面の少なくとも一部に被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、基材の表層部および被覆膜のうち引張り残留応力が発生したいずれか一方を塑性変形させて該被覆膜にかかる残留応力を緩和させる応力緩和工程と、を経て製造される。被覆膜にかかる残留応力が緩和されることで、基材と被覆膜との密着性が向上する。被覆膜の表面に適切な条件の下でショットピーニングなどを施すことで、基材の表層部および被覆膜のいずれか一方のみを簡便に塑性変形させることができる。 （もっと読む）

【課題】気相潤滑方法用の装置を提供すること。
【解決手段】チャンバー、配列した開口部を有するディフューザープレート、ディフューザープレートの開口部とほぼ同じパターンの開口部を有するシャッタープレート、チャンバー内で被気相コーティング目的物を保持するホルダー、及びシャッタープレートを動かしてシャッタープレートの配列した開口部をディフューザープレートの配列した開口部に合わせるか、またはシャッタープレートでディフューザープレートの配列した開口部を少なくとも部分的に塞ぐアクチュエータを含む気相潤滑用装置。 （もっと読む）

【課題】発光強度が、粒径によらず、ほぼ均一で高い発光が得られる半導体ナノ粒子含有膜及び半導体ナノ粒子を提供する。また、当該半導体ナノ粒子を用いた生体物質標識剤を提供する。
【解決手段】スパッタ法により形成された半導体ナノ粒子含有膜であって、膜厚が０．５〜１０μｍであり、当該膜内に、結晶化した半導体ナノ粒子が、５．０×１０^６〜１．０×１０^８個／μｍ^３含有されていることを特徴とする半導体ナノ粒子含有膜及びそれから分取り出された半導体ナノ粒子。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＯ等のファインピッチ化に好適なエッチング性に優れ、特にエッチング残渣が残らない金属被覆ポリイミドフィルム基板を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムの表面に、スパッタリング法又は蒸着法により形成したＮｉ−Ｃｒ合金からなる第１金属層と、スパッタリング法又は蒸着法により形成した銅からなる第２金属層と、電気めっき法及び／又は無電解めっき法により形成した銅めっき被膜とを、この順に積層した構造を有する金属被覆ポリイミドフィルム基板であって、銅からなる第２金属層の結晶子径が４２０〜５５０Åに制御してある。 （もっと読む）

【課題】特性の向上した多孔性シリカガラスフィルムを提供する化学気相蒸着方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバーに、オルガノシランおよびオルガノシロキサンからなる群から選択される少なくとも１つの前駆体、および前駆体とは区別されるポロゲンを含めたガス状試薬を導入すること（ここに、ポロゲンは非−分岐構造、および２と等しい、またはそれ未満の不飽和の度合いを有するＣ₄〜Ｃ₁₄環状炭化水素化合物である）；エネルギーを真空チャンバー中のガス状試薬に適用してガス状試薬の反応を誘導し、基材上に予備的フィルムを蒸着させること（ここに、予備的フィルムはポロゲンを含有する）；および不安定有機物質の実質的に全てを予備的フィルムから除去して細孔および２．６未満の誘電定数を有する多孔性フィルムを供することを含む、多孔性有機シリカガラスフィルムを製造するための化学気相蒸着方法。 （もっと読む）

【課題】ＬａＢ₆薄膜をスパッタリングで成膜するに際し、得られるＬａＢ₆薄膜の広域ドメイン方向の単結晶性を改善する。
【解決手段】ターゲット１１には、高周波電源１９３からの低周波成分をカットした高周波成分電力及び直流電力を印加し、基板ホルダー１３には、該高周波成分電力及び直流電力の印加中に、他の直流電源２２１からの直流電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】蒸発物の回収部と回収物の収納場所とを切り離して別個のものとすることにより処理効率を向上させ、また、収納容器を十分に大きなものとすることを可能にしてその交換頻度を激減させてその交換の手間を省くことができ、以て、有価金属の加熱蒸発回収作業の簡素化と高効率化を実現し得る、真空蒸発回収方法及び装置を提供する。
【解決手段】有価金属を含む処理品を、還元ガスを用い又は用いることなく真空炉１内において減圧下で加熱蒸発処理して前記有価金属を回収するための装置であって、前記真空炉１に付設され、前記処理により発生する蒸発金属を付着堆積させて前記有価金属を回収する回収筒２と、回収部２において回収され、加熱されてそこから剥落される回収金属を収納する収納容器４とが分離されて設置される。回収筒２は、真空炉１の下面に下向きに設けられる、ヒータ層５、６を備え、収納容器４は回収筒２の下方に搬入される。 （もっと読む）

【課題】 基板ホルダーが移動しても、整合状態が大きく変化することなく、インピーダンスの整合状態が維持されることを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、本願に係わる基板処理装置は、処理チャンバー、前記処理チャンバー内に位置し、基板を保持するための基板ホルダー、前記基板ホルダーに高周波電力を供給するための高周波電源、前記基板ホルダーと前記高周波電源との電気的に間に位置する整合器及び前記基板ホルダーと前記整合器を一体に移動させる移動機構を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング膜の成膜レートを低下させずに、ターゲットのスパッタリング時に生じるターゲット材料の凝集を適切かつ容易に抑制できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１００は、基板３４Ｂおよびターゲット３５Ｂを格納する真空成膜室３０と、カソードユニット４１を有して、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電により、真空成膜室３０内にプラズマ２７を形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０に電力を供給するプラズマガン電源５０と、ターゲット３５Ｂにバイアス電圧を印加するバイアス電源５２と、を備え、プラズマ２７中の荷電粒子によりスパッタリングされたターゲット３５Ｂの材料が基板３４Ｂにおいて凝集を起こさないよう、プラズマの放電電流ＩＤがプラズマガン電源５０を用いて調整され、かつ、バイアス電圧ＶＢがバイアス電源５２を用いて調整されている。 （もっと読む）