【課題】量子ドット等に利用しうる微細なエピタキシャル層を成長させるのに適した基板表面を実現できるＺｎＴｅ系化合物半導体基板の表面処理方法、および該基板を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＴｅ系化合物半導体の表面処理において、ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に、少なくとも、Ｚｎ分子線、および１×１０^−６Ｔｏｒｒ以上１×１０^−４Ｔｏｒｒ以下の原子状水素を照射しながら１５０℃から３００℃の温度範囲でアニールする第１の表面処理工程（工程Ｂ）を少なくとも有するようにした。さらに、前記第１の表面処理工程の前に、前記ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に１×１０^−６Ｔｏｒｒ以上１×１０^−４Ｔｏｒｒ以下の原子状水素を照射しながら８０℃から１５０℃の温度範囲でアニールする第２の表面処理工程（工程Ａ）を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】ピンホールの発生を抑止し、膜厚が薄く、水素透過性が良好である水素透過膜の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング法で基板上に第１のＰｄ層またはＰｄ合金層を形成する工程（Ｓ２）と、該第１のＰｄ層またはＰｄ合金層を洗浄する工程（Ｓ３）と、該洗浄した第１のＰｄ層またはＰｄ合金層の上に、スパッタリング法で第２のＰｄ層またはＰｄ合金層を積層する工程（Ｓ４）と、前記第１のＰｄ層またはＰｄ合金層と前記第２のＰｄ層またはＰｄ合金層とを有する一体構造膜を前記基板から剥離する工程（Ｓ６）と、前記一体構造膜を４００〜１２００℃の温度にて、真空中または不活性雰囲気中で熱処理する工程（Ｓ７）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 真空チャンバ内のターゲット近傍に設けられた構造物に付着した発生した物質が剥離して微粉塵となることを抑えることを目的とする。
【解決手段】 真空チャンバ内に、その周面に処理対象となる基材を保持するとともに回転可能に構成された円筒ドラムと、前記円筒ドラムの周面と対向する位置に、該円筒ドラムの軸方向を揃えて細長片形状のターゲットを配置できるように構成された成膜装置であって、前記ターゲットと前記基材とが最も接近する位置において、前記ターゲットと前記基材との間に、前記ターゲットの長手方向の中心線を中心軸とし、前記ターゲットの短手方向の長さをＴとして、半径１．５Ｔの半円筒形状の無構造物空間を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の裏面端部や側面に付着した膜（汚染物質）を除去することを可能にする汚染物質除去方法等を提供する。
【解決手段】本発明の汚染物質除去方法は、表面に薄膜が形成された被処理基板７の裏面縁部及び側面に対して、真空中において、指向性を有するビームを照射することを含む。 （もっと読む）

【課題】材料の表面平坦化並びに内部構造の均一化により、物理的あるいは化学的に高品質の材料を形成できる処理法の確立を課題とする。
【解決手段】ビーカー５内にトルエン４を入れ、カバー６で封じる。このカバー６の裏面には、材料としてＳｉ基体２上に形成したポリシラン薄膜１が設置されている。そして、このポリシラン薄膜１は、ビーカー５内において溶解雰囲気であるトルエン蒸気３に暴露されることで、ポリシラン薄膜１の表面平坦化並びに内部構造均一化が化学的に誘起される。 （もっと読む）

【課題】 バリアメタル膜とＣｕ膜との密着性を向上させた薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 被処理物表面にＰＶＤ法によりバリアメタル膜を形成する工程と、このバリアメタル膜表面にＣＶＤ法によりＣｕ膜を形成する工程と、前記バリア膜及びＣｕ膜を積層したものを所定温度で熱処理する工程とを実施する。前記バリアメタル膜としてＴｉ及びＲｕを含むものを用い、当該バリアメタル膜中のＴｉの組成比を５〜２５原子％の範囲とする （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性が必要とされる場合に好適に用いることができる透明なガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】基材層１両面上に、ガスバリア層２と被膜層３を順次積層してなり、前記ガスバリア層２は酸化珪素からなり、かつ、各々の膜厚（厚さＸａおよびＸｂ）が０．００５μｍ以上０．２μｍ以下であり、前記被膜層３は、フラッシュ蒸着法を用いて重合可能なアクリル系のモノマーまたはモノマーとオリゴマーとの混合物を成膜し、紫外線または電子線を照射して硬化させてなり、かつ、各々の膜厚（厚さＹａおよびＹｂ）が０．１μｍ以上２０μｍ以下であり、下記３つの式を満たすことを特徴とするガスバリア性積層フィルム。０．００２≦ＸａＹａ、０．００２≦ＸｂＹｂ、（Ｘａ＋Ｘｂ）（Ｙａ＋Ｙｂ）≦０．５。 （もっと読む）

光電荷による誘導加熱を利用してガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような非晶質または多結晶基板の上に形成される結晶性半導体薄膜の製造方法に関して開示する。この結晶性半導体薄膜の製造方法は、ガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような安価な非晶質または多結晶基板の上に低濃度半導体層を形成する工程と、光電荷を用いた誘導加熱で低濃度半導体層を結晶化する工程とを含む。これにより、一般的な非晶質半導体薄膜や多結晶半導体薄膜より優秀な特性を有する低濃度の結晶性半導体薄膜を、簡単な工程と少ない費用で得ることができる。 （もっと読む）

本発明の課題は、窒化ガリウムに基づいた層をエピタキシャル成長させるための基板として使用できる基板であり、その基板は、その面の少なくとも一方を、少なくとも一つの酸化亜鉛ベース層(13、24)を含む少なくとも一つの多層スタックでコートされた保持体(11、21)を含んでいる。その基板は、III -NタイプまたはII-VIタイプの半導体構造物でコートされており、そして保持体(11、21)と前記少なくとも一つの酸化亜鉛ベース層(13、24)の間に、スズ(Sn)、亜鉛(Zn)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)およびアンチモン(Sb)から選択される少なくとも2種の元素の酸化物を含む少なくとも一つの中間層(12、23)が配置されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】基板上に配向特性の良好な中間層が設けられ、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体が備えられてなり、優れた発光特性及び生産性を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２が積層され、該中間層１２上に、下地層１４ａを備えるｎ型半導体層１４、発光層１５及びｐ型半導体層１６が順次積層されてなるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であり、中間層１２の結晶組織中には、中間層１２のＸ線ロッキングカーブをピーク分離手法によって、半価幅が７２０ａｒｃｓｅｃ以上となるブロード成分と、ナロー成分とに分離した場合の、ブロード成分に対応する無配向成分が含まれ、中間層１２の結晶組織における無配向成分の割合が、中間層１２の面積比で３０％以下とされている。 （もっと読む）

【課題】基板上に光学特性に応じた膜層を形成する際に、グラデーション層を安定してバラツキなく同時に複数の基板に成膜することの可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ内でターゲットを動作ガスでスパッタリングして基板上に光学特性の異なる少なくとも第１第２の物質から成る複数のターゲットを動作ガスでスパッタリングして誘電体膜層層と金属膜層を積層状に形成する減光フィルタの成膜方法であって、上記誘電体膜層は、誘電性物質若しくは金属物質からなるターゲットを動作ガスでスパッタリングして上記基板上にスパッタ粒子で膜形成した後、形成された膜にプラズマを照射して生成された化合物で膜形成する。また上記金属膜層は、金属物質からなるターゲットを動作ガスでスパッタリングして上記基板上にスパッタ粒子で膜形成され、または形成された膜にプラズマを照射して生成された化合物で膜形成する。 （もっと読む）

【課題】高耐摩耗性を損なうことなくＤＬＣ皮膜に導電性を付与する。
【解決手段】銀やＳＵＳ３０４ステンレス鋼等の基体１を用意する。プラズマＣＶＤ法，スパッタリング法，ＰＢＩＩ法等の皮膜形成方法により基体１表面に絶縁性のＤＬＣ皮膜２を形成する。ＤＬＣ皮膜２表面に適当なエネルギー密度のレーザ光を部分的に照射することにより、レーザ光の照射領域にあるＤＬＣ皮膜を変質させて導電性を有するグラファイト領域３を形成する。 （もっと読む）

【課題】バルクレベルで超伝導状態となる新規な材料系を提供する。
【解決手段】超伝導薄膜１０１は、アモルファス状態の炭素よりなる基質１１１と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ²混成軌道による結合（ｓｐ²結合）の部分からなる微細な複数のナノグラファイト（超伝導領域）１１２と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ³混成軌道による結合（ｓｐ³結合）の部分からなる微細な複数のナノダイアモンド１１３とを備える。隣り合うナノグラファイト１１２は、超伝導近接効果を示す距離離間して形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物イオンの表面交換速度及び拡散率を向上させ且つ低コスト化した固体酸化物形燃料電池を提供する。
【解決手段】本発明の燃料電池は、第１の多孔質電極及び第２の多孔質電極を含み、前記多孔質電極は、電子伝導性の多孔質非貴金属からなる層を有する。前記多孔質非貴金属層は、ガス拡散層である。前記多孔質電極は、前記非貴金属層上に堆積された少なくとも１つの触媒金属原子層を更に含み、前記第１の多孔質電極と前記第２の多孔質電極との間に電解質層が配置されている。前記電解質層は、第１の高密度イオン伝導性ドープ酸化膜層と、前記第１のドープ酸化膜層上に堆積された第２の高密度イオン伝導性ドープ酸化膜層とを含む。前記電子伝導性の多孔質非金属層上の前記触媒金属層は、酸化物イオンの表面交換速度及び拡散率を向上させ且つ燃料電池の材料コストを低減した。 （もっと読む）

【課題】高周波放電によってプラズマを励起させ、活性種を生成させる放電室３と、放電室３で生成された活性種による処理対象である基板１０を収容する基板処理室４と、プラズマを放電室３に閉じ込めると共に、貫通孔５を介して活性種を放電室３から基板処理室４へと移動させることができる仕切り板２とを備えた真空処理装置において、放電室３内に生ずる活性種の数を増大させることで、基板処理室４へ移動する活性種の数を増大させて、もって処理効率を向上させる。
【解決手段】放電室３において高周波放電を生じさせる電極間の間隔を１５〜２５ｍｍとし、高電力の高周波でプラズマを形成する。 （もっと読む）

【課題】滑り感等の蒸着膜の表面性を高い信頼性をもって評価するための方法を提供すること。
【解決手段】基材上に蒸着膜を有する光学部材の該蒸着膜表面上で、原子間力顕微鏡の探針を振動させながら走査して位相変化を測定し、測定された位相変化に基づいて前記蒸着膜を評価する蒸着膜評価方法。 （もっと読む）

【課題】フッ素系ガス、フッ素プラズマ、フッ素ラジカルや酸素ガス、プラズマ、ラジカルなどの腐食性ガスや反応性ガスに対する耐食蝕性に優れ、かつ、十分な機械的強度を有する複合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の複合体は、基体と、該基体上に形成されたアルミニウム薄膜と、該アルミニウム薄膜上に形成されたバリア型陽極酸化被膜とを備えてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化型メモリ素子の抵抗変化の安定性と抵抗変化比を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１を酸化物チャンバＦ３に搬入し、チタンを主成分とする第一ターゲットを酸素雰囲気の下でスパッタさせてチタン酸化物からなる酸化物層を形成し、酸化物層を有する基板１１を照射チャンバＦ４に搬入し、酸化物層の表面にさらに酸素ラジカルを照射して可変抵抗体を形成した。 （もっと読む）

【課題】 基板を大気圧プラズマ技術により被覆する方法を提供する。
【解決手段】 前記方法は、基板（１）を準備し、ガスの存在下に大気圧プラズマ放電を作り、基板を前記大気圧プラズマ放電に少なくとも部分的に露出し、被膜形成物質の液体エーロゾル（６）を前記大気圧プラズマ放電中に導入し、それにより基板上に被膜を形成し、基板を紫外光に露出することにより基板及び被膜を硬化することを含む。 （もっと読む）

【課題】炭素系材料の表面の微細形状の変化を抑制しつつ、表面改質を行う方法を提供することである。
【解決手段】炭素原子３０atm ％以上含有する炭素系材料を改質する。チャンバー内に設置された電極に対して直流パルス電圧を印加することによって電子ビームを発生させ、この電子ビームを炭素系材料の表面に照射することで改質を行う。直流パルス電圧の１パルス当りのパルス継続時間のデューティー比が０．０５〜５．０％、投入エネルギーが０．０１Ｊ／ｃｍ^２以下、パルス半値幅が１０〜９００ｎｓｅｃである。 （もっと読む）