【課題】型材や切削工具等の鉄鋼製部材に耐酸化、耐摩耗表面処理を行う場合に、基板材の硬さも高いことが必要であるため、工具鋼であるSKH-51のような高合金鋼や超硬合金を使用しており、材料コストが大きくなるという課題がある。
【解決手段】基板材として炭素鋼や可鍛鋳鉄のような低合金を用い、この基板材の焼き入れ温度以上の高温での耐酸化性、耐熱性を有するTi-Al-N系又はAl-Cr-N系又はAl-Cr-Si-N系の皮膜を最外層とする皮膜をアーク式イオンプレーティングで形成した後、火炎焼き入れ等の局部的熱処理により耐摩耗性必要部位の焼入れを行うことにより、低コストの低合金を基板材とした鉄鋼製部材の耐摩耗性、耐酸化性を付与する製造方法、及び低合金を用いて上記表面処理後に基板材の硬化熱処理を行うための、耐熱、耐酸化表面処理サービス。 （もっと読む）

【課題】αアルミナ皮膜を形成した場合であっても、工具では工具寿命を延ばし、摺動部材や金型などでは、摩擦抵抗を低下させることのできる皮膜形成技術を提供すること。
【解決手段】基材表面にαアルミナ層が形成された部材を製造する方法であって、（１）基材の少なくとも一部の面に、α型結晶構造のアルミナ層を形成する工程、（２）得られたアルミナ層の表面にイオンボンバード処理を施す工程、を含む。この製法を採用することで、工具に適用した場合は工具寿命を延長し、摺動部材や金型に適用した場合は摩擦抵抗を効果的に低減できる。 （もっと読む）

【課題】低密度の結晶欠陥と高品質の結晶性を有する窒化ガリウム系半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に伴う窒化ガリウム系半導体の製造方法は、ガリウム酸化物基板を準備する段階と;上記ガリウム酸化物基板表面に対する物理的化学的前処理により上記ガリウム酸化物基板表面を窒化物に改質させＧａ-Ｎ結合を有する表面窒化物層を形成する段階と;上記表面窒化物層上に窒化ガリウム系半導体層を形成する段階を含む。 （もっと読む）

真空蒸気蒸着チャンバ（１０）において、多孔性基材（１２）がプラズマ場（２０）で前処理され、機能化モノマーを直ちにフラッシュ蒸発させ（２２）、多孔性基材上で蒸着且つ硬化される（２４）。得られるポリマー被覆が、材料の細孔を横断しない非常に薄い層（概ね０．０２乃至３．０μｍ）で個別繊維の表面に付着するよう本工程を慎重に調節することで、繊維及び最終製品が所望の機能性を獲得する一方、多孔性基材（１０）の多孔度は実質的に影響を受けない。又、得られるポリマー層を使って、金属及びセラミック被覆の付着性及び耐久性を向上させる。
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【課題】蛍光体パネルの製造において、表面研磨によって蛍光体層の微少突起部を好適に除去することができ、これに起因する欠陥等の画質劣化の無い蛍光体パネルを製造することができ、さらに、非常に良好な効率で確実に微少突起部を除去でき、あるいは、表面研磨に起因する画質劣化も防止できる蛍光体パネルの製造方法を提供することにある。
【解決手段】第１の態様においては、蛍光体層の膜厚分布を知見し、蛍光体層の膜厚分布の小さい方向と押圧部材の延在方向とを一致させて、押圧部材で研磨部材を押圧しつつ、研磨方向に蛍光体層と研磨部材とを相対的に移動することにより、また、第２の態様においては、蛍光体層と研磨部材との相対移動距離を５０μｍ〜４００μｍ、好ましくは１００μｍ〜３００μｍとした研磨を、蛍光体層の研磨位置を変更しつつ繰り返し行うことにより、蛍光体層の表面を研磨することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】アルコールを無機酸化物膜の表面のみならず、細孔の内面にも確実に化学結合させ得る無機酸化物膜の処理方法、例えば液晶分子等の配向性が経時的に低下し難い電子デバイス用基板、かかる電子デバイス用基板を製造し得る電子デバイス用基板の製造方法、信頼性の高い液晶パネルおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の電子デバイス用基板の製造方法は、基板９の一方の面側に斜方蒸着法により複数の細孔３０を有する無機酸化物膜３１を形成する工程と、無機酸化物膜３１が形成された基板９を少なくとも第１のアルコールとこのアルコールより分子量の小さい第２のアルコールとを含有する処理液中に浸漬する工程と、処理液が設置された空間を減圧することにより前記細孔３０内に処理液を浸透させる工程と、無機酸化物膜３１の表面および細孔３０の内面に処理液中のアルコールを化学結合させて配向膜３Ａを得る工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】柱状結晶からなる蛍光体層の柱状構造を損傷することなく、蛍光体層の厚みの均一性およびその表面の平坦度を向上させた放射線像変換パネル用蛍光体層の製造方法、およびこの蛍光体層を有する放射線像変換パネルを提供すること。
【解決手段】気相堆積法により柱状結晶からなる蛍光体層を基板上に形成する成膜工程と、形成された前記蛍光体層の表面を研磨する研磨工程とを有する放射線像変換パネルの蛍光体層の製造方法であって、前記研磨工程は、研磨材料を所定の基準面との間に所定の間隔を以って配設した状態で、前記研磨材料と前記基板とを相対的に移動させることにより、前記蛍光体層の表面を所定の厚みだけ研磨する工程であり、かつ、この研磨工程を複数回に分けて行うことにより、当該蛍光体層の表面における平面度を所望の値にすることを特徴とする蛍光体層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
基材のカールおよび変形防止、透明導電膜の剥離防止および低抵抗化を可能にした透明導電膜積層体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】
基材の少なくとも片面に透明導電膜が形成されており、透明導電膜は少なくとも１層以上の積層構成であり、透明導電膜は１層ごとに紫外線照射によるアニール処理がなされており、透明導電膜は、膜内部のどの部分においてもアモルファスの混在しない結晶に起因するＸ線回折ピークが観察される透明導電膜積層体とする。 （もっと読む）

【課題】 集電体上にシリコンを含む薄膜を形成したリチウム二次電池用負極において、シリコン薄膜が形成された集電体の表面に突起が形成された場合に、このリチウム二次電池用負極を改善し、リチウム二次電池において短絡が生じるのを防止する。
【解決手段】 正極２と負極１との間にセパレータ３を挟み込んだリチウム二次電池に使用する負極を製造するにあたり、集電体１ａ上にシリコンを含む薄膜１ｂを形成した後、この薄膜が形成された集電体上存在する突起１ｃを除去するように貫通穴１ｄを設けた。 （もっと読む）

【課題】 金属表面に形成された高分子薄膜の架橋膜形成を容易に行ない、かつ薄膜表面の機能性を維持しつつ薄膜を長時間の使用に耐えるようにする。
【解決手段】 分子内に少なくとも１つのアリル基を含有する、トリアジンジチオール誘導体を、金属表面に形成するものであり、トリアジンジチオール誘導体を金属表面に真空蒸着によって付着する蒸着工程（１）と、蒸着工程後に、大気中で紫外線を照射する大気中照射工程（２）と、大気中照射工程後に、真空中で紫外線照射あるいは電子線照射を行なう真空中照射工程（３）とを備えている。蒸着工程（１）では、トリアジンジチオール誘導体に光重合プレポリマーを混合して金属表面に真空蒸着によって付着することを行なう。あるいはまた、トリアジンジチオール誘導体と光重合プレポリマーとを積層して付着することを行なう。 （もっと読む）

【課題】屈折率差の大きな異質相を精度良く所望形状に形成することができ、光学素子の小型化を図ることのできる複合酸化物薄膜及びその製造方法及び光学素子を提供する。
【解決手段】複合酸化物薄膜は、酸化状態での安定性が比較的低いとされている標準電極電位の高い材料（例えば、Ｂｉ）と、酸化状態での安定性が比較的高いとされている標準電極電位の低い材料（例えば、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂ）との化合物である複合酸化物膜（酸化化合物膜）１の内部に、集光レンズ７により集光した短パルスレーザー５の誘起により短パルスレーザーの非照射部と屈折率の異なる異質相３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】主としてプラスチック材料で構成された基材を備え、電磁波の透過性に優れるとともに、美的外観および耐久性に優れた装飾品を提供すること、当該装飾品を製造することができる装飾品の製造方法を提供すること、また、前記装飾品を備えた時計を提供すること。
【解決手段】本発明の装飾品１の製造方法は、主としてプラスチック材料で構成された基材２上に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｒの化合物およびＴｉの化合物よりなる群から選択される少なくとも１種を含む材料で構成された第１の被膜３を形成する工程と、第１の被膜３上に、ｇおよびＡｌよりなる群から選択される少なくとも１種を含む材料で構成された第２の被膜４を形成する工程と、基材２の第２の被膜４が設けられている側の面とは反対の面側からレーザー光を照射し、第２の被膜４の一部を除去することにより、開口部６を形成する工程と、第２の被膜４上にコート層５を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕの耐拡散性を持ち、かつ電気特性、熱特性、機械特性および物理特性の全てに優れ、特に誘電率が極めて低く、高耐熱性を有し密着性に優れた絶縁膜およびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 ジアミノフェノール化合物および／またはビスアミノフェノール化合物と、ジカルボン酸化合物とより構成されるポリベンゾオキサゾール樹脂膜の製造方法であって、前記ジアミノフェノール化合物および／またはビスアミノフェノール化合物と、ジカルボン酸化合物は、真空中で気化させて基板上に堆積させることにより製膜することを特徴とするポリベンゾオキサゾール樹脂膜の製造方法。前記基板上に堆積させたジアミノフェノール化合物および／またはビスアミノフェノール化合物とジカルボン酸化合物とを、反応させる第（１）項に記載のポリベンゾオキサゾール樹脂膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 磁性材料薄膜の表面を粗雑にすることなく、垂直磁気異方性を増加させることができる磁性材料薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 磁性材料薄膜の製造方法は、磁性材料薄膜を成膜した後、それを試料３として、垂直磁気異方性定数の値がイオンビーム２の照射によって正となるような数値範囲の電流密度でイオンビーム２を試料３に照射する。イオンビーム２の電流密度は、６５μＡ／ｃｍ²以下であることが好ましく、磁性材料薄膜を成膜中にイオンビームを照射してもよい。 （もっと読む）

【課題】
熱や曲げなどの機械的負荷が加わっても、導電性を維持できるフレキシビリティ性を有する透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】
可とう性の透明基板へ透明導電膜を形成した後に、該透明導電膜の表面へ、好ましくはレーザーが連続発振タイプであり、レーザー光の波長が４００〜１２００ｎｍである可視域から赤外域の波長を有するレーザー光を照射して表面処理を施し、１６０℃のオーブンで１時間保持した後に常温に戻す操作を３回繰返す熱サイクル試験においても、透明導電膜にクラックが発生しないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、樹脂製基板等の表面処理を行う方法であって、処理される基板の選択性が広く、また効率面やコスト面でも好ましい表面処理方法、およびその表面処理に用いられる表面処理装置を提供することを主目的としている。
【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明は、基体、および前記基体上に形成され、少なくとも光触媒を含有する光触媒含有層を有する光触媒含有層側基板の前記光触媒含有層と、紫外光照射に伴う光触媒の作用により表面が処理される被表面処理面を有する処理用基板の前記被表面処理面とを対向させて配置し、所定の方向からＵＶ−ＬＥＤを用いて紫外光を照射することにより、被表面処理面の処理を行うことを特徴とする表面処理方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基材とハードコート層との屈折率の差に起因する干渉ムラの発生がし難くなっていると共に、積層される薄膜層の密着が良好な光学積層部材とこの光学積層部材を低コストで量産できるようにした光学積層部材の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】蒸着釜内に金属および／または金属酸化物の蒸着薄膜形成部分と有機化合物の薄膜形成部分とを適宜の間隔で設定すると共に、これらの各薄膜形成部分を経由してシート状のプラスチック基材を同一の減圧環境下で同一の減圧環境下の順次搬送させ、その少なくとも一方の表面に金属および／または金属酸化物と有機化合物の成分比率を厚さ方向に漸次変化させながら有機−無機成分傾斜構造薄膜層を設けた後、その上にプラスチックからなるハードコート層を設ける。 （もっと読む）

【課題】特性が異なる２つの領域が膜の表面に露出した有用性の高い炭素系薄膜を提供する。
【解決手段】粒径が２ｎｍを超えるグラファイトクラスターを含む第１領域１１と、粒径が２ｎｍを超えるグラファイトクラスターを含まない第２領域１２とを有し、これら領域１１，１２が表面に露出し、第１領域１１がａ）および／またはｂ）を満たす炭素系薄膜を提供する。ａ）金属元素を含む。ｂ）プレート状グラファイト構造および／またはオニオン状グラファイト構造を含む。好ましい金属元素は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕである。この薄膜は、例えば、炭素系非晶質薄膜への上記元素のイオンの選択的注入と、上記薄膜への電子線照射により得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 成膜プロセス領域内の局所的な成膜レートの違いにより基板間で生じる膜厚の差を、膜厚分布に関する情報として取得することが可能な薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 薄膜形成装置１は、基板Ｓとターゲット２２ａ、２２ｂとの間において、ターゲット面上の異なる複数の位置に対応して配設され、成膜プロセス領域内での発光を夫々受光する複数の光ファイバ３１−１〜３１−５を備えている。光ファイバ３１−１〜３１−５で受光した光から成膜プロセス領域２０から発光する光を夫々受光して、光学測定装置３３で所定の波長における発光強度を測定することにより膜厚分布に関する情報を取得する。更に、取得した膜厚分布に関する情報に基づいて、スパッタガスの流量調整や補正小片を駆動制御することで、成膜レートを局所的に調整して基板間で均一な膜厚となるようにする。 （もっと読む）

感光性層を持つ光応答性装置を製造する方法が提案されている。この方法は、ａ）真空蒸着室の内部にきれいな基板を設けるステップ、ｂ）第１のるつぼから酸化鉛（ＰｂＯ）を蒸着させ、前記基板の表面上にシード層を形成するステップ、ｃ）正方晶の酸化鉛だけが前記シード層を形成する及び／又はシード層を形成する最初に成長した斜方晶の酸化鉛が正方晶の酸化鉛に変形されるように、前記シード層に影響を及ぼすステップ、及びｄ）感光性層の最終的な厚さが前記基板上に堆積するまで酸化鉛の蒸着をし続けるステップを有する。結果として、前記方法は、酸化鉛からなる感光性層を有する光応答性装置を生じさせ、この感光性層は全て正方晶の酸化鉛から構成される。
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