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Fターム[4K029JA10]の内容

物理蒸着 (93,067) | 基体支持 (2,291) | 長尺体支持ローラ (505)

Fターム[4K029JA10]に分類される特許

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【課題】長尺のシート状基材Sを、真空処理室1を通して搬送し、この真空処理室に設けた処理ユニット3によりシート状基材に所定の処理を施す真空処理装置の小型化が図れて生産性のよい低コストの真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室で処理ユニットを跨ぐように配置され、シート状基材の片面が処理ユニットに対向する姿勢で当該シート状基材を周回走行させる上流側ローラユニット4と、上流側ローラユニットからのシート状基材の表裏を反転させる反転手段6と、シート状基材が処理ユニットを跨ぐ方向に直交する方向で上流側ローラユニットに隣接配置され、反転手段にて反転されたシート状基材の他面が処理ユニットに対向する姿勢で当該シート状基材を周回走行させる下流側ローラユニット5とを備える。 (もっと読む)


【課題】真空中で成膜用フィルム上に形成された薄膜に対してダメージを与えることなく、成膜用フィルムを搬送して巻き取ることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、成膜用フィルムロール40から繰り出された成膜用フィルム4上に真空中で成膜を行い、かつ、成膜された成膜用フィルム4をロール状に巻き取る巻取式成膜装置1である。成膜用フィルム4をフィルム支持ローラ7に巻き付けた状態で成膜用フィルム4上に成膜を行う第1〜第4の成膜領域31〜34と、成膜された成膜用フィルム4の成膜されていない面4bを支持して搬送するフィルム搬送機構とを有する。 (もっと読む)


【課題】高い生産性で多段蒸着フィルムを製造する方法を提供する。さらに、多段蒸着フィルムの厚みの増加を小さい範囲に抑えつつ、水蒸気バリア性を大幅に高める技術を提供する。
【解決手段】アノード電極を有するプラズマガンを備えた真空成膜装置を用いて、該真空成膜装置内の蒸着材料収納容器に保持された蒸着材料を蒸発させ、基材の被成膜面に薄膜を形成する第一薄膜形成工程と、第一薄膜形成工程と同様にして、上記薄膜上にさらに薄膜を形成する第二薄膜形成工程と、を備える多段蒸着フィルムの製造方法を採用し、薄膜の形成を、蒸着材料収納容器を上記蒸着材料が蒸発する温度以上に加熱するとともに、蒸着材料収納容器に正電位を印加してプラズマガンから放出される電子を蒸着材料に照射しながら行なう。 (もっと読む)


【課題】高いガスバリア性を有し、かつ、ガスバリア層と積層する薄膜層との密着性に優れた透明ガスバリアフィルム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高分子基材フィルム上に、少なくとも珪素酸化物からなる薄膜層が積層された透明ガスバリアフィルムであって、該珪素酸化物からなる薄膜層の表面がアルゴン(Ar)と窒素(N2)の混合ガスを原料とするイオン照射処理されてなるものであることを特徴とする透明ガスバリアフィルム。 (もっと読む)


【課題】長時間連続して基材上に蒸着材料を蒸着させることができるとともに、品質の高い薄膜を基材上に形成することが可能な真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置が、真空容器10と、真空容器内に、被成膜面を下向きにして配設される基材11と、真空容器内の基材の下方に配置され、上記被成膜面に略対向する位置に設けられる蒸着材料収納容器開口部172を上面に有する蒸着材料収納容器18と、アノード電極31を有し、真空容器内にプラズマを照射するプラズマガン3と、蒸着材料収納容器を加熱し、蒸着材料を蒸発させる加熱部4と、蒸着材料収納容器に正電位を印加する、電位印加部5と、を備える。 (もっと読む)


【課題】誘電体フィルム上の金属蒸着電極中の各金属成分の比率を制御し、優れた特性を有する金属化フィルムを提供する。
【解決手段】真空蒸着装置は、上部が開口した蒸着室8と、蒸着室内に設けられ、金属材料を加熱して金属蒸気を発生させる複数の蒸発源16と、蒸着室内において、複数の蒸発源どうしを仕切る隔壁18を備え、隔壁は、水平方向に可動な板状の基部24と、基部の上部に設けられ、鉛直方向に可動な仕切り板25を有する構成とした。この構成により、各金属蒸気が放出される開口部の面積を自由に変更できるようになり、さらに夫々の蒸発源からの金属蒸気どうしが重なり合う量を制御することができる。この結果、金属蒸気の蒸着量やその状態の制御が可能となり、金属蒸着電極中の各金属成分の比率や分布状態を制御できる。そして、優れた特性を有する金属化フィルムを作製できる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、結晶配向性に優れたペロブスカイト構造の中間薄膜を備えた酸化物超電導導体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材と、該基材上に直接あるいは下地層を介し積層された中間薄膜と酸化物超電導層とを具備する酸化物超電導導体であって、前記中間薄膜が、粒子堆積により基材上にあるいは基材上に下地層を介し中間薄膜を形成する際、基材上方の成膜面に対し斜め方向からアシストイオンビームを照射しつつ成膜するイオンビームアシスト成膜法により形成されたペロブスカイト型酸化物の中間薄膜であって、該中間薄膜を構成する複数の結晶の結晶軸のうち2軸が配向され、これら結晶の配向度を示す正極点図において4回対称性を示す中間薄膜であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】搬送中の長尺基材表面に薄膜を生成する反応性スパッタリング装置において、ターゲット汚れを抑制し、成膜速度や膜質の均一性を長時間保てる反応性スパッタリング装置および方法を提供する。
【解決手段】メインロール6とマグネトロン電極8間の成膜空間を挟んで長尺基材5の搬送方向の上流側および下流側に、長尺基材の幅方向に延在する少なくとも1枚ずつの側壁9a,9bを設け、いずれか一方の側壁にガス排気口11を備え、他方の側壁には長尺基材の幅方向に一列に並んだ複数のガス供給孔が形成するガス供給孔列10a,10bを2列以上備え、ガス供給孔列のうちターゲット表面に最も近い一列は、ターゲット表面近傍に非反応性ガスを供給し、その他のガス供給孔列からは反応性ガスを供給する。 (もっと読む)


【課題】 ガスバリア性に優れた透明ガスバリア層を、高温に加熱せずとも、層形成時の窒化および酸化を精密に制御することで効率よく製造することが可能な、透明ガスバリア層の製造方法を提供する。
【解決手段】 スパッタリング法により透明ガスバリア層を製造する透明ガスバリア層の製造方法であって、炭化金属および炭化半金属から選択される少なくとも1種の炭化物を含むターゲット17を用い、反応性ガスとして窒素ガスを用い、前記反応性ガスがさらに酸素ガスおよび水素ガスを含み、前記反応性ガスにおいて、前記窒素ガスに対する前記酸素ガスの混合比率が1〜10体積%であり、前記窒素ガスに対する前記水素ガスの混合比率が0.1〜30体積%であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】PMMAフィルムの接着強度を向上させる。
【解決手段】アクリル酸を含む第1反応ガスをPMMAフィルムに接触させる(第1接触工程)。次に、アルゴンプラズマをPMMAフィルムに照射する(第1照射工程)。次に、アクリル酸を含む第2反応ガスをPMMAフィルムに接触させる(第2接触工程)。次に、アルゴンプラズマをPMMAフィルムに照射する(第2照射工程)。 (もっと読む)


【課題】 樹脂基板からの脱ガスによるガスバリア性の劣化を抑制し、高いガスバリア性を有する透明ガスバリアフィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 樹脂基板上にガスバリア性を有する透明ガスバリア層が形成された透明ガスバリアフィルムであって、前記透明ガスバリア層が、亜酸化物無機層と無機層とを含む積層体であり、前記樹脂基板上に、前記亜酸化物無機層と前記無機層とがこの順に積層されており、前記亜酸化物無機層が、スパッタリング法により形成される層であり、前記無
機層が、蒸着法により形成され、かつ、金属および半金属の少なくとも一方と、酸素、窒素および炭素から選ばれる少なくとも1種とを含む層であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】寸法安定性に優れたディスプレイ用フィルム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】バリア層を設ける前の段階において、プラスチックフィルムに張力を加えることなくガラス転移温度より低い温度であって、前記ディスプレイ用フィルム基板上にカラーフィルタまたは駆動素子等のディスプレイ部材を形成する工程の温度以上の所定の温度で加熱処理して、歪みを解消し、その後の工程での寸法安定性を維持可能とした。そして、プラスチックフィルムの両面にバリア層を設けるようにして、さらに寸法安定性を増すとともに、ガス透過の防止をした。 (もっと読む)


【課題】 積層数が少なくてもガスバリア性に優れ、かつ、高い透明性を有する透明ガスバリアフィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 樹脂基板上にガスバリア性を有する透明ガスバリア層が形成された透明ガスバリアフィルムであって、前記透明ガスバリア層が、亜酸化物無機層と炭素含有無機層とを含む積層体であり、前記樹脂基板上に、前記亜酸化物無機層と前記炭素含有無機層とがこの順に積層されており、前記炭素含有無機層が、炭化金属および炭化半金属から選択される少なくとも1種の炭化物を含むターゲットを用いたスパッタリング法により形成され、かつ、金属および半金属の少なくとも一方と、炭素と、窒素とを含む層であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】被処理基板を加熱してトレンチやホールの間口部のオーバーハングを抑制しつつ金属膜を成膜するとともに、成膜後に速やかに被処理基板の温度を低下させることができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】載置台を低温に保持して、載置台上に被処理基板を吸着させずに載置する工程と、プラズマ生成ガスのプラズマを生成し、載置台に高周波バイアスを印加した状態で、被処理基板にプラズマ生成ガスのイオンを引きこんで被処理基板を予備加熱する工程と、ターゲットに電圧を印加して金属粒子を放出させ、プラズマ生成ガスのイオンとともにイオン化した金属イオンを被処理基板に引きこんで金属膜を形成する工程と、被処理基板を低温に保持された載置台に吸着させ、載置台と被処理基板との間に伝熱ガスを供給して被処理基板を冷却する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】スパッタ粒子の無駄を抑え、有効に使用できるイオンビームスパッタ用ターゲット、該ターゲットを用いた酸化物超電導導体用基材の製造方法および酸化物超電導線材の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のイオンビームスパッタ用ターゲットは、イオンビームをターゲットに照射し、該ターゲットから叩き出されたスパッタ粒子を基材上に堆積させて、該基材上に成膜するイオンビームスパッタ法に用いられるターゲットであって、中央板部3と、この中央板部3に隣接して配置された側板部1、2を備え、側板部1、2は、中央板部3のイオンビームが照射される面3Aの内側向きに傾斜されてなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】透明フィルム基材上に結晶質のインジウム系複合酸化物膜が形成された長尺状の透明導電性フィルムを製造する。
【解決手段】本発明の製造方法は、インジウムと4価金属とを含有するインジウム系複合酸化物の非晶質膜が、スパッタ法により前記長尺状透明フィルム基材上に形成される非晶質積層体形成工程、および前記非晶質膜が形成された長尺状透明フィルム基材が、加熱炉内に連続的に搬送され、前記非晶質膜が結晶化される結晶化工程、を有する。前記結晶化工程における加熱炉内の温度は170℃〜220℃であることが好ましい。また、前記結晶化工程におけるフィルム長さの変化率は+2.5%以下であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】真空中における薄膜堆積中に、チャンバー内壁堆積物の内部まで確実かつ効率的に酸化処理し、大気解放後の反応を抑制すること。
【解決手段】チャンバー1、真空ポンプ2、巻き出しロール3、搬送ロール4、巻き取りロール5、蒸着ロール6、蒸発源7、電子銃8、シャッター9(閉じた状態)、マスク10、紫外光源ユニット11、ガス供給配管12、基板フィルム13を含む真空蒸着装置100において、シャッター9を開いて基板フィルム13を、巻出しロール3と巻き取りロール5の間を往復させて繰り返し蒸着する途中において、シャッター9を閉じ、ガス供給配管12から酸素あるいはオゾンガスを供給し、紫外光源ユニット11から紫外線をマスク10に照射することによって、マスク10に付着した堆積物を酸化処理することができる。 (もっと読む)


【課題】一定の組成及び膜厚を有する蒸着重合膜が膜状基材上に積層形成された積層構造体を安定的に製造することができる装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ24内に設置された回転ドラム35の外周面上に膜状基材15を供給する膜状基材供給手段46を設ける一方、真空チャンバ24内で回転ドラム35の外周面に向かって開口する吹出口66を有すると共に、成膜室を内部に備えた複数の吹出口部材64を、真空チャンバ24内の回転ドラム35の周囲に、その周方向に並べて配置し、更に、それら複数の吹出口部材64の成膜室内に、複数種類のモノマー蒸気を供給して、それら複数種類のモノマー蒸気を各吹出口部材64の吹出口66から吹き出させるモノマー蒸気供給手段84a,84bを少なくとも一つ設けて、構成した。 (もっと読む)


【課題】ターゲット表面における磁力線の傾きを、垂直となるように又はカソード表面の外周から中心側(内側)に向かう方向となるように制御されたアーク式蒸発源を提供する。
【解決手段】本発明のアーク式蒸発源1は、ターゲット2の外周を取り囲んでいて磁化方向がターゲット2の前面と平行となる方向に沿うように配置されたリング状の外周磁石3と、磁化方向がターゲット2の前面と直交する方向に沿うようにターゲットの背面側に配置された背面磁石4と、を備え、リング状の外周磁石3の径内側の磁極と背面磁石4のターゲット2側の磁極とが互いに同じ極性であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】非晶質炭素膜の強度を高めることができるとともに、小型化を図ることができるようにする。
【解決手段】本発明は、連続して搬送される被成膜基材Pに非晶質炭素膜を形成する非晶質炭素膜形成部Eを有するロールコーター装置において、その非晶質炭素膜形成部Eに至る上記搬送経路αの上流側に、上記被成膜基材Pを加熱するための加熱機能部C,D,E,G,Hを配設したものである。 (もっと読む)


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