【課題】 基板が収容された処理室内に光を照射して複数枚の基板を連続的に処理する際に、基板間における基板処理の均一性を向上させる。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、処理室内に設けられ、基板を載置する載置面を備える基板載置部と、処理室内に処理ガスを供給するガス供給系と、基板載置部の載置面に対向する位置に設けられ、処理室内に向けて光を照射する光源を備える光源格納室と、処理室と光源格納室とを気密に隔離する光透過性窓と、光透過性窓の温度を調整する窓温度調整部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板をエッチングまたはコーティングする
【解決手段】誘電体基板（１００）は第１の真空蒸着ステーション（１０２）で、１０^−５Ωｃｍ≦ρ≦１０^−１Ωｃｍが抵抗率（ρ）について成り立つ材料の層でコーティングされ、しかも、結果として生じる面積抵抗率Ｒ_Ｓが０≦Ｒ_Ｓ≦１０−４Ω_δの範囲内におさまるようにコーティングされる。次いで、コーティングされた誘電体基板（１０４）にステーション（１０５）で反応性高周波プラズマ処理工程が施される。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置の電極面積が大きくなると、表面定在波の影響が顕著に現れ
るようになり、ガラス基板に形成される薄膜の膜質や厚さの面内均一性が損なわれるとい
ったことが問題となる。
【解決手段】反応室内にグロー放電プラズマを生成する電極に周波数の異なる二以上の高
周波電力を供給する。周波数の異なる高周波電力を供給してグロー放電プラズマを生成し
、半導体若しくは絶縁体の薄膜を形成する。好ましくは周波数の異なる高周波電力を供給
する場合と、一の周波数の高周波電力を供給する場合とを自在に切替える。周波数の異な
る（波長が異なる）高周波電力をプラズマＣＶＤ装置の電極に重畳印加することで、プラ
ズマの高密度化と、プラズマの表面定在波効果が生じないように均一化を図る。 （もっと読む）

【課題】ロールから引き出す連続した基板に半導体の結晶膜を成長させるには、高気密の大気遮断機構が必要である。結晶を成長させるために、それを７００℃以上の高温で可能にさせる第１の課題がある。また半導体ｐｎ接合を切断すると切断面にそれが現れてリークパスとなる。切断してもｐｎ接合端面が切断面に現れない製造方法が第２の課題である。第１、第２の課題を同時に解決する必要がある
【解決手段】シリコン基板を使わないで金属基板の上に半導体膜を積層して、安価で堅牢な太陽電池を製作する。そのために、鉄板をリング状の突起で押さえて機密なＣＶＤ反応室を作り半導体シリコン膜を成長させる第１の発明をした。鉄板を切断するとき接合の端が外部に露出しないように接合を絶縁膜で分離して膜を積層する第２の発明をした。高温で塗布材料を印刷する本発明によれば、鉄板の上の結晶半導体の太陽電池の連続製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布や膜質に優れた薄膜を、成膜速度を維持しつつ堆積することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に基板を搬入し、真空容器内に回転可能に設けられた回転テーブルに基板を載置するステップと、回転テーブルを回転するステップと、第１の反応ガス供給部から基板に対して第１の反応ガスを供給し、第１の反応ガスを基板に吸着させる吸着ステップと、第２の反応ガス供給部から基板に対して、第１の反応ガスと反応する第２の反応ガスを供給し、基板に吸着される第１の反応ガスと第２の反応ガスを反応させて、基板に反応生成物を形成する形成ステップと、第１及び第２の反応ガス供給部からから回転テーブルの周方向に離間して設けられるプラズマ発生部に対して水素含有ガスを供給し、回転テーブルの上方にプラズマを生成するステップとを含む成膜方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】対向拡散ＣＶＤにより形成されるシリカ膜を備えたガス分離材の製造方法において、欠陥が存在する多孔質基材を用いても、良好な性能を有するシリカ膜を安定して形成することができるガス分離材の製造方法を提供すること。
【解決手段】多孔質基材１２とシリカ膜とを備えるガス分離材を製造する方法が提供される。該方法は、多孔質基材１２を用意する工程と、前記基材１２の一方の面側１２ａにシリカ源含有ガス２として不活性ガスと共に供給される気化したシリカ源と、該基材１２の他方の面側１２ｂに供給される酸素含有ガス３とを反応させる化学蒸着法によって、該基材１２にシリカ膜２１を形成する工程と、前記シリカ膜２１を形成する工程において排出されるガス組成をガスクロマトグラフィーにてモニタリングすることによって、前記シリカ膜２１の形成の終了点を決定する工程を包含する。 （もっと読む）

【課題】ガスノズルのガス噴出口の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室内に配設された複数本のガスノズル２３１ａ，２３１ｂと、複数本のガスノズルにそれぞれ開設されたガス噴出口と、複数本のガスノズルを介して処理室内に処理ガス及び不活性ガスを供給するガス供給系と、処理室内を排気する排気系と、を備え、ガスノズルの少なくとも１本は、内管及び外管から成る２重管構造であり、内管のガス噴出口が、外管のガス噴出口の内側で重なるように開設され、内管のガス噴出口の先端が、外管のガス噴出口の先端と同じ位置まで突出し、内管から処理ガスが供給され、外管から不活性ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】反応管が石英で構成されたホットウォール型の基板処理装置においても、基板上にタングステン含有膜を生産性よく形成することのできる基板処理技術を提供する。
【解決手段】石英で構成された反応管内に基板が搬入されてない状態で、前記反応管内を加熱するとともに、前記反応管内にチタン含有ガスと窒素含有ガスとを供給して前記反応管の内壁に窒化チタン膜をプリコートする工程と、前記プリコート後の前記反応管内に基板を搬入する工程と、前記反応管内に基板が搬入された状態で、前記反応管内を加熱するとともに、前記反応管内にタングステン含有ガスを供給して前記基板上にタングステン含有膜を形成する工程と、前記タングステン含有膜を形成した基板を、前記反応管内から搬出する工程と、を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】カバレッジ性能、及び、表面ラフネスの良好なアモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、複数枚の半導体ウエハＷが収容された反応管２内を８００℃〜９５０℃に加熱する。次に、制御部１００は、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内にアンモニアガスを供給する。続いて、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、反応管２内を所定の温度に加熱し、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内に処理ガス導入管１７からエチレンを供給する。これにより、半導体ウエハＷにアモルファスカーボン膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高温高湿条件下に長時間曝露した後でも、オリゴマーの析出による白濁を生じず、且つ、良好な導電性及び可撓性を保持する透明導電性フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】 透明基材フィルムの両面にオリゴマー析出ブロック層を積層し、次いで、そのいずれか一方の面に導電性薄膜層を積層してなる透明導電性フィルムであって、該オリゴマー析出ブロック層は、プラズマＣＶＤ法によって蒸着された炭素含有酸化珪素蒸着膜からなる層であることを特徴とする透明導電性フィルムを提供する。 （もっと読む）

【課題】減圧下の処理室内で比較的高温となる処理が行われるような場合でも伝熱の影響を受けずに、処理室内に配置される部品を精度よく移動でき、構成部品組付の作業性が良い移動装置を提供する。
【解決手段】移動装置ＳＭは、Ｚ軸方向に所定間隔を存して配置された固定プレート５と可動枠６とを備える。固定プレートの開口５１に嵌着された真空フランジ５２を介して、処理室１１を画成する外壁面に固定プレートが着脱自在に装着される。可動枠にアクチュエータ７_１〜７_４が設けられ、各アクチュエータのＺ軸方向にのびる連結ロッド７７で固定プレートと可動枠とが連結され、各アクチュエータの作動によりＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向の少なくとも一方向に、固定プレートに対して可動枠が相対移動自在である。可動プレートに立設された複数本の保持ロッド８が、上記外壁面の透孔１５に設けたシール部品１６を介して処理室内に突出してマスクＭを保持する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ケイ素含有膜の堆積に用いることができる有機アミノシラン前駆体を提供する。
【解決手段】ケイ素を含むケイ素含有膜の堆積に用いることができる有機アミノシラン前駆体及びこれらの前駆体の製造方法を開示する。また、ここに記載した有機アミノシラン前駆体を用いてケイ素含有膜を製造するための堆積方法も開示する。例えば、ケイ素含有膜を堆積させるために前駆体を反応器に供給するのに用いることができる、上記有機アミノシラン前駆体又はその組成物を含む容器も開示する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの表面に膜を成長させる技術であって、半導体装置を効率よく製造することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、チャンバ内に配置された半導体ウエハの表面に膜を成長させる動作と、チャンバ内に配置された半導体ウエハと前記膜とをエッチング可能なエッチングガスをチャンバ内に導入する動作とを実行可能な半導体製造装置のチャンバ内に半導体ウエハを搬入する搬入工程と、チャンバ内に前記エッチングガスを導入する第１エッチング工程と、チャンバ内の半導体ウエハの表面に膜を成長させる第１成膜工程と、チャンバから半導体ウエハを搬出するとともに、チャンバに別の半導体ウエハを搬入する入れ換え工程と、チャンバ内に前記エッチングガスを導入する第２エッチング工程と、チャンバ内の半導体ウエハの表面に膜を成長させる第２成膜工程を有する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にて基板が載置されると共に回転する回転テーブルを備えた熱処理装置において、処理容器内の温度分布を推測する技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの一面側を径方向に沿って繰り返し走査し、複数のスポット領域の温度を測定する放射温度測定部と、回転テーブル上における放射温度測定部の走査領域に割り当てられたアドレスと放射温度測定部の温度測定値とを対応付けた温度データを記憶する記憶部と、回転テーブルを静止させて温度が安定した後、回転テーブルを回転させる間に放射温度測定部により繰り返し回転テーブルの一面側を走査し、回転テーブルの静止時における処理容器内の温度分布を推測するために、回転テーブルの一面側の温度分布をデータ処理部に表示させる制御部と、を備えるように装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の複雑化を防止し、炭化珪素基板の制約がなく、かつ基底面転位をより確実に貫通刃状転位に転換できる炭化珪素ウェハの製造方法及び前記炭化珪素ウェハを用いた炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気又は真空において、１７００℃〜２２００℃で炭化珪素基板１を加熱処理することで、炭化珪素基板１の基底面転位２０の先端部を貫通刃状転位３０に転換し、当該炭化珪素基板１上に、炭化珪素のエピタキシャル成長を行うことで、基底面転位２０が低減したエピタキシャル膜２を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、新規水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの新規化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。
【解決手段】これらの化合物は、式：（ＳｉＨｎ１）ｘ（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｘは２，３または４であり；ｙは１，２または３であり；ｘ＋ｙは３，４または５であり；ｎ１は、化合物中の各Ｓｉ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；但し、ｙが１のとき、ｎ２は０ではなく；さらに、ｘが３、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は２または３であり；さらに、ｘが２、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は３である。 （もっと読む）

【課題】膜上に付着し又は膜中に埋没したＳｉＣパーティクル等が低減されたＳｉＣエピタキシャル膜を作製することができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＶＤ装置は、ウェハを水平に載置するウェハ載置部材と、該ウェハ載置部材に対向してその上方に配置する加熱部材と、該加熱部材の材料よりも膜材料の付着性が高い材料からなり、前記加熱部材と前記ウェハ載置部材との間に前記加熱部材に近接して配置して気相中から前記加熱部材へのガスの堆積を遮る遮蔽部材と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にて基板が載置されると共に回転する回転テーブルを備えた熱処理装置において、回転中の回転テーブルにおける基板の温度分布を測定すること。
【解決手段】
処理容器内に設けられた回転テーブルの回転時に当該回転テーブルの一面側を、径方向に沿って繰り返し走査して複数のスポット領域の温度を測定する放射温度測定部と、前記回転テーブル上における放射温度測定部の走査領域に割り当てられたアドレスと放射温度測定部の温度測定値とを対応付けた温度データを記憶するための記憶部と、走査の周期及び回転テーブルの回転数に基づいて特定された各スポット領域のアドレスに温度測定値を書き込むためのデータ作成部と、前記記憶部に書き込まれた温度データに基づいて、基板の温度分布を含む回転テーブルの一面側の温度分布を表示する処理を行うデータ処理部と、を備えるように温度測定装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】アウトヒータのヒータエレメントの円周方向への変形に、ヒータ電極部が追従し、ヒータエレメントやヒータ電極部の破損、周辺部材への接触を防ぐことが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ支持部材15を所定の温度に加熱するための、一か所に間隙を有する環状のヒータエレメント19aと、このヒータエレメント19aの各端部に設けられる第１のヒータ電極部と第２のヒータ電極部とを有するヒータ18、19と、第１のヒータ電極部と第２のヒータ電極部とそれぞれ接続される第１の電極部品と第２の電極部品と、第１の電極部品が固定される第１の溝と、第２の電極部品が配置され、ヒータエレメント19aの円周方向において、第１の電極部品と第１の溝との第１の遊びより、第２の電極部品との第２の遊びが大きくなるように設けられる第２の溝とを有するベース28と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基体ホルダー外周面に残留したダストが円筒状補助基体と円筒状基体の端面間の隙間から飛散することを防ぐことができる真空処理方法を提供し、画像欠陥の原因となる電子写真感光体の球状突起を低減することにある。
【解決手段】真空処理方法であって、チャッキング部材の一部と円筒状補助基体の円筒状基体とは反対側の端面とが接触することによりチャッキング部材が円筒状補助基体を加圧し、円筒状補助基体が円筒状基体を押圧して両者の端面同士を密着させる工程と、円筒状基体と円筒状補助基体の端面同士が密着した状態で、搬送容器内を真空排気する排気工程とを有する。 （もっと読む）