【課題】簡易な構成で、有機金属原料の液化や固化によって加圧効率の低下を招くことなく、有機金属ガスを安定的に加圧して反応室に供給する。
【解決手段】加圧ガス供給システム２００は、原料ガスＸを生成するバブリングユニット２１２と、原料ガスが導入されるとともに、加圧ガスＰが導入されることにより、反応室１１２よりも高圧の混合ガスＭを生成する加圧タンク２１４と、加圧タンクと反応室との差圧によって混合ガスを反応室に供給する混合ガス供給部２１６と、加圧タンクで生成された混合ガスが導入されるとともに、混合ガスに含まれる原料ガスを凝縮させて液体の原料Ｌに戻すガス回収部２２０と、ガス回収部において凝縮された液体の原料をバブリングユニットに導入する原料導入部２２２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 大きな直径を有する複数枚の基板（４インチ基板、６インチ基板）の表面に、１０００℃以上の温度で窒化ガリウムの気相成長を行なっても、基板が割れず高品質の結晶成長が可能な気相成長方法を提供する。
【解決手段】 前記のような基板を保持するためのサセプタ、該サセプタの対面、該基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有する気相成長装置を用いた窒化ガリウムの気相成長方法であって、基板表面の温度、基板表面と該基板の対面表面との温度差を適切な範囲内に設定し、かつ基板の位置における原料ガスの線速を適切な範囲内となるように原料ガスの供給を調整して基板表面に窒化ガリウム層の形成を行なう気相成長方法とする。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法・構成で、固体材料ガスを安定した濃度で供給することができるとともに、かさ密度の高い固体材料によって内容積あたりの充填量を多くし、不純物が少ない高純度の固体材料からなる固体材料ガスを供給すること。
【解決手段】 キャリアガスＣにより所定量の蒸発または昇華・供給が可能な固体材料を、大気圧下または減圧下の融点以上沸点以下の温度条件において加熱し、溶融した状態で冷却・固化させて固体試料Ｓを作製する固体試料作製手段を有し、キャリアガスＣが供給される供給部１と、供給されたキャリアガスＣを分散させる分散部２と、固体試料Ｓが設置される試料設置部３と、該試料設置部３において作製された固体材料ガスＧが供出される供出部４と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】複数の基板ホルダーをサセプタにより保持するフェイスダウン型の気相成長装置であっても、１０００℃を超える気相成長温度を必要とする3族窒化物半導体のフェイスダウン型の気相成長装置であっても、前記サセプタの重力あるいは加熱による変形を抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板１を保持する基板ホルダー２、及び該基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタ３が備えられた気相成長装置であって、中心部が上向きに凸となるように撓ませたサセプタを、基板ホルダーに回転駆動力を伝達するための回転駆動軸１０を介して、上から中心部を押圧して配置した気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】金属酸化膜の表面に形成される導電膜の基板面内における厚さばらつきを低減して、半導体装置の歩留まりを向上させることが可能であり、かつ導電膜の成長速度を向上させて、半導体装置の生産性を向上させることの可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に、金属酸化膜を含む誘電体膜５を形成する工程と、誘電体膜５において、表面５ａに非晶質の金属酸化膜が露出した状態で、誘電体膜５の表面５ａに導電膜６を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高周波数動作が可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、成長炉内に配置した基板１０上に、ＧａＮ電子走行層１６を成長する工程と、成長炉に導入する混合ガス中の窒素原料ガスの分圧比を０．１５以上０．３５以下として、ＧａＮ電子走行層１６上に、ＩｎＡｌＮ電子供給層１８を成長する工程と、ＩｎＡｌＮ電子供給層１８上に、ゲート電極２６と、ゲート電極２６を挟むソース電極２８およびドレイン電極３０と、を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】第１の金属元素および第２の金属元素を含む金属酸化膜を形成する際に、金属酸化膜中の第１の金属元素及び第２の金属元素の組成比の制御性を向上させる。
【解決手段】基板を収容した処理室内に、第１の金属元素を含む第１原料と酸化剤とを供給することで、基板上に第１の金属元素を含む第１の金属酸化膜を形成する工程と、処理室内に、第１原料と第２の金属元素を含む第２原料とを混合した混合原料と酸化剤とを供給することで、基板上に第１の金属元素および第２の金属元素を含む第２の金属酸化膜を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に、第１の金属酸化膜と第２の金属酸化膜とを交互に積層して、第１の金属元素および第２の金属元素を含む第３の金属酸化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】互いに異なる流動ガスを交互に注入して工程温度を変化させる化学気相蒸着方法を使用した発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の化学気相蒸着方法を使用した発光素子の製造方法は、第１工程温度で、サテライトディスクに載置された基板上に量子ウェル層を形成する段階と、第２工程温度で、量子ウェル層上に量子障壁層を形成する段階と、を有し、量子ウェル層と量子障壁層とを形成する段階を少なくとも一回遂行する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて緻密な金属酸化膜を形成することができる、プラズマを用いた原子層成長方法及び原子層成長装置を提供する。
【解決手段】 有機金属のガスを原料ガスとして用いて基板に金属酸化膜を形成するとき、成膜空間内に配置された基板の上方に有機金属のガスを原料ガスとして流すことにより、基板に前記有機金属を吸着させ、前記有機金属に対して化学反応しない第１ガスを用いて前記成膜空間でプラズマを発生させ、前記第１ガスを排気した後、酸化ガスを第２ガスとして前記成膜空間に導入して酸化ガスを用いて前記成膜空間でプラズマを発生させることで、前記基板に前記有機金属の金属成分が酸化し金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 シャワープレートの熱膨張による反りと温度上昇を防止し、シャワープレート上での生成物の成長を抑制して、被処理基板上に品質の安定した化合物半導体結晶を成膜できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 シャワーヘッドを保護するためのシャワープレートであって、シャワープレートは、複数のプレート孔を有する複数の短冊形プレートからなり、短冊形プレートが、シャワーヘッドに対してスライド可能に保持される。 （もっと読む）

【課題】複数種の原料ガスを、複数の隔絶空間に同等のガス供給量で導入できて、同等のガス流量で基板に供給できるようにした簡単な構成の真空処理装置用のガス供給装置を提供する。
【解決手段】反応室１ａ内を臨むガス導入部４を備え、このガス導入部は複数の隔絶空間４ａ、４ｂを有し、各隔絶空間に、原料ガスを供給する、流量制御手段５１を介設したガス供給管５_１、５_２が夫々接続されると共に、各隔絶空間から夫々反応室に通じるガス導入口４２ａ、４２ｂが設けられている。また、各ガス供給管に、他の流量制御手段７１を介設した１本のガス管７を分岐した分岐管が７_１、７_２夫々接続され、このガス管を流れるガスの流量を、ガス供給管を流れる原料ガスの流量差より多くなるように制御する。 （もっと読む）

【課題】デバイス化の工程で割れが発生することを抑制することが可能なIII族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のIII族窒化物エピタキシャル基板１０は、Ｓｉ基板１１と、該Ｓｉ基板１１と接する初期層１４と、該初期層１４上に形成され、Ａｌ組成比が０．５超え１以下のＡｌＧａＮからなる第１層１５Ａ１（１５Ｂ１）およびＡｌ組成比が０超え０．５以下のＡｌＧａＮからなる第２層１５Ａ２（１５Ｂ２）を順次有する積層体を複数組有する超格子積層体１５と、を有し、前記第２層のＡｌ組成比が、前記基板から離れるほど漸減することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反応ガスを供給するノズルが詰まる現象を緩和して工程効率及び生産性を向上させた半導体エピ薄膜の成長方法及びこれを用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体エピ薄膜の成長方法は、ウェハーホルダーに積載された複数のウェハーを反応チャンバの内部に配置する段階と、ウェハーの積載方向に沿って延長されて備えられたガス供給部を通じて塩素系有機金属化合物を含む反応ガスをウェハーに噴射し、各ウェハーの表面に半導体エピ薄膜を成長させる段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ｐコンタクト層をｐ型化し、かつ電極とのコンタクト抵抗を低減すること。
【解決手段】ｐクラッド層１４上に、ＭＯＣＶＤ法によって、ＭｇがドープされたＧａＮである第１のｐコンタクト層１５１を形成する（図２（ｂ））。次に、次工程で形成する第２のｐコンタクト層１５２の成長温度である７００℃まで降温した後、アンモニアの供給を停止し、キャリアガスを水素から窒素へと切り換えて置換する。これにより、第１のｐコンタクト層１５１のＭｇは活性化され、第１のｐコンタクト層１５１はｐ型化する。次に、前工程の温度である７００℃を維持し、キャリアガスには窒素を用いてＭＯＣＶＤ法によって、第１のｐコンタクト層１５１上に、ＭｇがドープされたＩｎＧａＮである第２のｐコンタクト層１５２を形成する（図２（ｃ））。 （もっと読む）

【課題】概ね１２５０℃未満が成長温度の限界である一般に市販されているＭＯＣＶＤ装置を用いて、低コストで品質の高い優れたＡｌＮ層を製造する。
【解決手段】ＡｌＮ層の製造方法において、ｃ面Ａｌ_２Ｏ_３基板をＡｌＮ成長に先んじてＡｌＮ成長を行う１０００℃以上１２００℃以下の成長温度にまで昇温する第１ステップと、第１ステップにより１０００℃以上１２００℃以下で加熱されているｃ面Ａｌ_２Ｏ_３基板上に、１０００℃以上１２００℃以下の成長温度でＡｌＮ層を成長する第２ステップと、第２ステップで形成したＡｌＮ層を、Ｈ_２またはＮ_２またはそれらが混入されたキャリアガス中、または該キャリアガスにＮＨ_３が混入されたプロセスガス中で１０００℃以上１２５０℃未満の温度でアニールする第３ステップと、第３ステップでアニールされたＡｌＮ層上に１０００℃以上１２５０℃未満の成長温度でＡｌＮ層を成長する第４ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜の形成に際し、半導体基板を支持するサセプタへの、原料ガスに起因する膜の付着を低減し、サセプタのエッチング処理の時間の低減する気相成長方法を提供する。
【解決手段】半導体基板であるシリコンウェハ１０１を支持するサセプタ１０２の表面の少なくとも一部をＳｉＯ_２やＳｉ_３Ｎ_４などの金属の酸化膜や窒化膜で被覆する。そして、サセプタ１０２上でシリコンウェハ１０１を加熱しながら、シリコンウェハ１０１上に原料ガスを供給し、サセプタ１０２上への原料ガスに起因する膜の付着を抑制して、シリコンウェハ１０１上にエピタキシャル膜を成長させるようにする。 （もっと読む）

【課題】低転位であり、特に、窒化物半導体基板に内在する応力を抑制させて、反りの少ない窒化物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】サファイア基板の（０００１）面上に、第１の窒化物半導体パターンを形成し、該第１の窒化物半導体パターンを成長核として第２の窒化物半導体層を成長させ、少なくとも前記サファイア基板を除去することを含む窒化物半導体基板の製造方法であって、第１の窒化物半導体パターンは、平面形状が三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを、隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成される窒化物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板を保持する基板ホルダー、該基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタ、及び該サセプタを回転自在に保持するサセプタ保持機構が備えられた気相成長装置であって、基板の入れ替え及びサセプタの脱着が容易な気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタを、該基板ホルダーを保持する円盤状部材、及び円盤状部材から分離できるリング状部材からなる構成とし、サセプタを回転自在に保持する保持機構の一部を該リング状部材に設ける。 （もっと読む）

【課題】４００℃以上の温度で原子層蒸着法により蒸着が可能な前駆体を用いて高密度を有する非晶質の高誘電絶縁膜形成を通じてキャパシタンス等価厚及び漏洩電流特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上にＺｒ［Ｃ_５Ｈ_４（ＣＨ_３）］_２（ＣＨ_３）_２、Ｚｒ［Ｃ_５Ｈ_４（ＣＨ_３）］_２（ＯＣＨ_３）ＣＨ_３及びＺｒ［Ｃ_５Ｈ_４（ＣＨ_２ＣＨ_３）］［Ｎ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）］_３の何れか一つの前駆体を用いて４００℃〜５００℃の温度で形成されたジルコニウム酸化膜（ＺｒＯ_２）１４０を含む高誘電絶縁膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】原料コストを抑制しつつ、磁場中の臨界電流特性をさらに向上する。
【解決手段】１層あたりの熱容量が０．４Ｊ／ｈ以上２．０Ｊ／ｈ以下となるように、長尺状の基材１１を加熱する加熱工程と、ＣＶＤ法を用いて加熱状態の基材１１上に酸化物超電導体を成膜する成膜工程と、基材１１を冷却する冷却工程とを順に繰り返して、多層膜の超電導層１３を形成する。 （もっと読む）