【課題】細長くて均一かつ安定なプラズマを形成することができる、ＥＣＲプラズマ源の提供。
【解決手段】ＥＣＲプラズマ源は、細長い長方形状の誘電体窓(18)およびプラズマ引き出し用の開口(12a)を有し、誘電体窓(18)に平行な断面形状が長方形状であるプラズマ生成室(12)と、ＥＣＲ条件を満足するとともに開口(12a)からプラズマを引き出すための磁場を、プラズマ生成室(12)内に形成する磁気コイル(14)と、マイクロ波導入口からマイクロ波導出口にかけて幅寸法が大きくなるようなテーパ形状を有し、マイクロ波をほぼ等しい２つのマイクロ波に分岐するとともに、マイクロ波導出口を定在波の管内波長の長さ相当間隔で仕切る仕切り板(161a〜161c)を有するテーパ導波管(16)と、を備える。 （もっと読む）

【課題】金属を含む部材からの汚染が防止され、且つ、メンテナンス時における副生成物の除去が容易なシリコンウェーハの処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２０と、チャンバー２０に取り付けられ金属を含む材料からなる複数の部材とを備える。前記複数の部材のうち、副生成物の付着が相対的に多い排気配管４１及びイグゾーストキャップ４２にはＤＬＣコーティングが施され、副生成物の付着が相対的に少ない他の部材には石英コーティングが施されている。本発明によれば、副生成物の付着のしやすさに応じてコーティング材料を選択していることから、金属汚染を防止しつつ、メンテナンス時において副生成物を容易に除去することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】カバレッジ性能、及び、表面ラフネスの良好なアモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、複数枚の半導体ウエハＷが収容された反応管２内を８００℃〜９５０℃に加熱する。次に、制御部１００は、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内にパージガス供給管１８から窒素ガスを供給することにより、反応管２内をパージして半導体ウエハＷからの水を除去する。そして、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、反応管２内を所定の温度に加熱し、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内に処理ガス導入管１７からエチレンを供給することにより、半導体ウエハＷにアモルファスカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な初期なじみ性および耐摩耗性を有するなじみ層を提供し、これにより、摺動時におけるなじみ性を向上させることができる摺動部材を提供すること。
【解決手段】アウタークラッチプレート３５の表面（基材２Ａの表面）は、ＤＬＣ膜１５によって被覆されている。ＤＬＣ膜１５上には、直流パルスプラズマＣＶＤ法によるＤＬＣの堆積層であるなじみ層１６が形成されている。なじみ層１６は、Ｎ（窒素）、Ｈ（水素）およびＳｉ（シリコン）を含有している。 （もっと読む）

絶縁層上にアモルファスカーボン層を形成する方法は、プラズマ反応プロセスを用いることによってアモルファスカーボン層を形成する工程を有する。前記アモルファスカーボン層は、プラズマ励起ガス、一連のC_xH_yガス、シリコン含有ガス、及び酸素含有ガスを含む雰囲気中で形成される。
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本発明は、排気することができ、かつ基板を受容するために設けられる少なくとも１つの受容器と、少なくとも１つのガス前駆体を受容器内に導入することができる少なくとも１つのガス供給デバイスと、その端部が支持要素上の固定点に固定される少なくとも１つの加熱可能な活性化要素を含む少なくとも１つの活性化デバイスとを含むコーティング装置に関する。ガス前駆体の影響から少なくとも部分的に少なくとも固定点を保護することができる遮蔽要素が設けられる。前記遮蔽要素は第１の側および第２の側を有する長手方向の延長部を有し、前記第１の側は支持要素上に配置され、閉止要素は遮蔽要素の第２の側に配置され、前記閉止要素は少なくとも１つの出口を有する。本発明は、少なくとも１つの分離壁が遮蔽要素の内部に配置されることを特徴とし、前記壁は遮蔽要素の内部容積を第１の部分容積と第２の部分容積とに分離する。
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本発明は、真空化が可能で、基板を収容するようになされた少なくとも１つの受容器と、少なくとも１つの気体前駆体を受容器の中に導入するために使用される少なくとも１つの気体供給装置と、画定可能な長さ方向の範囲を有し、受容器に関して事実上移動不能となるように少なくとも１つの関連する機械的固定装置によって固定される少なくとも１つの加熱可能な活性化要素と、を備える成膜設備に関する。少なくとも２つの接触要素を介して電流を活性化要素に供給することができ、接触要素の少なくとも１つは、交互の接触地点で活性化要素と接触するように設計される。本発明はさらに、これに対応する成膜方法にも関する。
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本発明は、真空排気が可能でありかつ基板（３０）を受け入れるように構成される少なくとも１つの受け入れ容器と、その受け入れ容器の中に少なくとも１種の気体状前駆物質を導入するのに用いられる少なくとも１つのガス供給装置と、所定の長さ方向の範囲を有すると共に少なくとも１つの関連する機械的固定装置によって固定される少なくとも１つの加熱可能な活性化要素とを含むコーティング装置に関する。活性化要素には、少なくとも２つの接点要素を介して電流を供給することが可能であり、その接点要素は、受け入れ容器に対して事実上不動であるように固定される。活性化要素は、受け入れ容器に対して可動に配置される。本発明は、さらに、対応するコーティング方法にも関する。
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【課題】内部応力及び反りを低減させる。
【解決手段】まず、室温において、基板２の裏面上に、基板２よりも熱膨張率が低い第１の膜３を成膜する（ａ）。次に、高温まで加熱した後に（ｂ）、基板２の表面２ａ上に、基板２よりも熱膨張率が高いバッファ層４及び第２の膜５を成膜する（ｃ）。しかる後、半導体積層構造体１の温度が室温まで低下すると、半導体積層構造体１は基板２及びすべての膜３、４、５がほぼ反りのない平坦なものとなる（ｄ）。 （もっと読む）

【課題】均一で結晶性の高い単結晶ダイヤモンドを再現性良く、低コストで製造することができる単結晶ダイヤモンド層成長用基板及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド層を成長させるための基板１２は、材質が単結晶ダイヤモンドである基材１０と、基材１０の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１１とからなり、基材１０の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側の面の周端部が、曲率半径（ｒ）≧５０μｍで面取りされている。 （もっと読む）

【課題】過度に複雑な、成長後の加工処理(post growth processing)が最小限に抑えられ、第２のいっそう厚い層と比べて非常に異なる特性を有する薄いダイヤモンド層を有する構造体を合成することが可能となる方法を提供する。
【解決手段】互いに接触している少なくとも２つの層（２０，２２）であって、各々の層は広いバンドギャップの材料でできており、各々の層は少なくとも１つの性質が他の層と相違している前記少なくとも２つの層（２０，２２）を有する生成物を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】微粒子の表面に被覆した超微粒子又は薄膜からなるマイクロカプセル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るマイクロカプセルは、優れた生体適合性を有するＤＬＣからなる超微粒子又は薄膜により形成されたマイクロカプセルであって、生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チタンまたはチタン合金製の摺動部品の表面に設けられるＤＬＣ膜の密着性を向上させ、優れた耐衝撃性を実現する。
【解決手段】本発明による内燃機関用摺動部品は、チタンまたはチタン合金から形成された部品本体１ａと、部品本体１ａの表面に形成された表面硬化層１ｂと、表面硬化層１ｂ上に設けられたダイヤモンドライクカーボン膜３と、表面硬化層１ｂとダイヤモンドライクカーボン膜３との間に設けられたチタン層２とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面が平坦な単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板及びその表面上に平坦な堆積ダイヤモンド膜を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板を得ることを課題とする。
【解決手段】表面にステップテラス構造を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板あるいは基板表面上に、化学気相成長法による堆積ダイヤモンド膜を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板である。 （もっと読む）

【課題】安価に密着強度の高い炭素被膜を形成することができるチタン系材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チタン製の基材１１の表層に炭素元素を固溶させて炭素固溶層１２を形成する工程と、該炭素固溶層１２の表面に炭素被膜１３を成膜する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤモンド皮膜と多孔性基材表面との間にボイドがないか、極めて少なく、また、多孔性基材表面にダイヤモンドの連続的な皮膜が形成された、生産性良く製造できるダイヤモンド被覆構造体、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のダイヤモンド被覆構造体は、多孔性基材が、一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を核として成長したダイヤモンド皮膜によって被覆されている。本発明のダイヤモンド被覆構造体は、一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を主体とする分散溶液を多孔性基材に付着させた後、ナノダイヤモンド粒子を核として成長させて製造できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、特別な形状の外部電極を用いることなく、炭素粉等の異物の堆積を抑制し、ガスバリア性、膜の呈色性及び膜の密着性が良好な薄膜をコーティングしたプラスチック容器を製造することである。
【解決手段】本発明に係るガスバリア性薄膜コーティングプラスチック容器の製造方法は、成膜ユニットとなる外部電極にプラスチック容器を収容する工程と、前記プラスチック容器の内部に原料ガス供給管となる内部電極を配置する工程と、真空ポンプを作動させて前記外部電極の内部のガスを排気する工程と、前記プラスチック容器の内部に原料ガスを減圧下で吹き出させる工程と、前記外部電極に電力を供給するプラズマ発生用電源の電源周波数を５．５〜６．５ＭＨｚに設定し、前記原料ガスをプラズマ化して、前記プラスチック容器の内壁面にガスバリア性を有する薄膜を成膜する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電極への異物の付着に起因する不具合を抑制したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板の表面に膜を形成するプラズマ処理装置のリアクタは、原料ガスを噴射する噴射体を兼ねる噴射体電極と、基板を支持する支持体を兼ねる支持体電極とをチャンバの内部に収容した構造を有する。リアクタには、支持体電極と噴射体電極との対に直流パルス電圧を印加するパルス電源と、噴射体電極に処理ガスを供給する処理ガス供給回路とが接続される。噴射体電極の内部には、処理ガスの噴射孔が形成された対向面から支持面へ向かう方向（下方向）とは反対の方向（上方向）へ延在する側面に沿う冷媒の流路が形成される。冷媒の流路を形成することに代えて側面に冷却機構を取りつけてもよい。対向面を含まない本体と対向面を含む着脱体とに噴射体電極を分離可能とし、チャンバの外部で着脱体を洗浄してもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、摺動耐性や腐食耐性等の耐久性を向上させつつ、薄膜化を図ることのできる保護層を備える磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基体上１１０に少なくとも、磁気記録層１２２と、保護層１２６とを、この順に備える垂直磁気記録媒体１００において、保護層１２６は表層側に希ガスの原子を含有し、かつ、保護層のラマン分光法におけるＧピークの高さをＧｈとし、Ｄピークの高さをＤｈとし、Ｇピークの蛍光を含んだバックグラウンド強度をＢとし、Ｇピークの蛍光を除いたピーク強度をＡとした場合、保護層１２６のラマン分光法による測定結果は、Ｄｈ／Ｇｈが０．７８〜０．９６であり、Ｂ／Ａが１．３１〜１．３４であることにより、保護層を薄膜化可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素などの硬質材料を効率良く加工することができるとともに、寿命が長いダイヤモンド砥石及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材と、該基材の表面で成長したダイヤモンドと、を含み、基材上に、３μｍ以上、好ましくは４５μｍ以下の粒径を有するダイヤモンド粒子が、好ましくは１０％以上５０％以下の占有率で点在しているダイヤモンド砥石。表面粗さＲ（ａ）が０．０１μｍ以上１．０μｍ以下の平坦面を有する基材を用意し、好ましくはメタンを０．５％〜８％、水素を９１％〜９９％、及び酸素を０．１％〜１．８％含む原料ガスを用い、マイクロ波プラズマＣＶＤ法により基材の平坦面にダイヤモンド粒子を成長させる。 （もっと読む）