【課題】相手部材の材質によらずに、その相手部材の摩耗を抑制することができる摺動部材を提供すること。
【解決手段】摺動部材１００は、鋼材などを用いて形成された基材２００と、基材２００の表面を被覆するＦｅ−ＤＬＣ膜３００とを備えている。Ｆｅ−ＤＬＣ膜３００は、摺動部材１００の摺動面１０１の少なくとも一部を形成し、相手部材４００の表面と摺動する。Ｆｅ−ＤＬＣ膜３００は、Ｆｅが添加されたＤＬＣからなる堆積膜である。この実施形態では、Ｆｅ−ＤＬＣ膜３００におけるＦｅの濃度はたとえば約３ａｔ．％である。相手部材４００は、非鉄系の軟質材料（たとえばＣｕ材料など）を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】
使用に伴う傷などの外観品質低下の抑制に優れ、しかも装飾性に優れた黒色硬質膜を有する装飾品を提供すること。
【解決手段】
ステンレス、Ｔｉ、Ｔｉ合金または黄銅などの装飾品用軟質基材表面に、色調層を有する装飾品であって、色調層は多孔質アモルファスカーボン層から形成されている事を特徴とする。本発明によれば、前述の装飾品用基材からなる装飾品の表面に、装飾性の高い黒色の色調が得られ、しかも、硬質で傷等による外観品質の劣化が起きにくい黒色硬質皮膜を有する装飾品及びその製造方法を提供することが出来る。 （もっと読む）

【課題】従来のものよりもさらに耐磨耗性および低摩擦係数となるような表面加工を施した摺動部材を提供すること。
【解決手段】本発明により、基材上に形成されたＳｉ含有ダイヤモンドライクカーボン層と、前記Ｓｉ含有ダイヤモンドライクカーボン層上に共有結合で固定されたポリマーブラシ層とを摺動面に有する摺動部材が提供される。好ましくは、ポリマーブラシ層を構成するポリマーは、親油性を有する基を含むモノマーと、架橋構造を形成しうる基を含むモノマーとをランダム共重合させることにより製造されたものである。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド半導体の不純物の新しい混入状態を実現する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体は、ダイヤモンド１０とダイヤモンド１０内にドーピングされる不純物で構成される。不純物のドーピングにより、ダイヤモンド１０内に複数の高濃度ドープ領域２０が形成される。各高濃度ドープ領域２０は、ダイヤモンド１０内において空間的に局在化されており、そして、ダイヤモンド１０内において複数の高濃度ドープ領域２０が分散的に配置されている。不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域２０の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性と耐食性を兼ね備えた炭素系被膜を形成する技術を提供し、摺動性と耐食性に優れた耐食性摺動部材の提供を課題とする。
【解決手段】
摺動部材表面から炭素系被膜の表面に向かってシリコン添加量を減少させる一方、前記摺動部材表面から炭素系被膜表面に向かってフッ素添加量を増大させた傾斜機能皮膜を形成する、又は／及びシリコン元素の添加量が１０原子％から３０原子％、フッ素の添加量が１０原子％以下の第１の炭素系被膜層と、シリコン元素の添加量が５原子％から２０原子％、フッ素元素の添加量が１０原子％から３０原子％の第２の炭素系被膜層を積層する。 （もっと読む）

【課題】被成膜体の非成膜部位を除く部位に被膜を成膜するとともに、成膜部位における硬度の低下を抑制することが可能な被膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】真空蒸着室３０内に円柱状のプラズマ３ａを発生させると共に真空蒸着室３０内に材料ガスを供給し、被成膜体である第１シャフト１０にパルス電圧を印加して第１シャフト１０の表面にＤＬＣ膜１２１を形成する。第１シャフト１０のＤＬＣ膜１２１を形成しない非成膜部位であるヨーク１１には、ＤＬＣ膜１２１を形成すべき成膜部位であるスプライン嵌合部１２との間に、スプライン嵌合部１２におけるＤＬＣ膜１２１の硬度の低下を抑制するための隔離間隔をおいて、ヨーク１１を遮蔽する治具４１を装着する。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度を低減させることが可能なアモルファスカーボン膜及びこれを用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】Ｓｉ含有量が１ａｔ％以下である、アモルファスカーボン膜とし、該アモルファスカーボン膜を用いた太陽電池とする。 （もっと読む）

【課題】導電性の低い金属化合物を主成分としながら、別途導電材の混合を要しない、高い導電性を有する粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】低い導電性を有する、金属酸化物、金属カルコゲナイド化合物、金属燐酸化合物等の金属化合物粒子（５）の表面に、前記低導電性金属化合物粒子（５）よりも高い導電性を有する炭素材（７）を蒸着により付着させる。前記粒子表面に付着した炭素材の黒鉛化度は好ましくは０．３以上である。 （もっと読む）

【課題】 絶縁物、特に耐熱性の低い絶縁物に、短時間で効率的にプラズマ成膜、及び表面改質処理可能な方法及びそのための装置を提供する。
【解決手段】 真空排気された反応容器内にプラズマ生成源となる原料ガスを導入し、該反応容器内に設置されたカソード電極にマイナス電圧を印加して原料ガスを分解しプラズマを生成すると共に、上記反応容器内に設置された被処理基材上との間で反応を起こさせて、電圧印加による電界で生成されるプラズマイオン、ラジカルを前記被処理基材に照射または堆積させる、表面改質及び成膜方法において、カソード電極の少なくとも一部を、原料ガスが透過可能な電極とすると共に、被処理基材の改質や成膜など表面処理が必要な面と直接接触しないようカソード電極を配置し、且つ、カソード電極に−２ｋＶ〜−２０ｋＶのパルス状のＤＣ電圧を印加することを特徴とするプラズマ表面改質、成膜方法。 （もっと読む）

【課題】バッチ式の処理装置の構成要素を小型化することで製造コストを更に低減できる物品の処理方法を提供する。
【解決手段】第１成膜ユニットで第３群のペットボトルＰＢにＤＬＣを成膜処理している間に、第２成膜ユニットにおいてＤＬＣが成膜された第２群のペットボトルＰＢを搬送路に排出し、かつ、後続の第４群のペットボトルＰＢを第２成膜ユニットに供給する第１処理ステップと、第２成膜ユニットにおいて第４群のペットボトルＰＢにＤＬＣを成膜処理している間に、第１成膜ユニットにおいてＤＬＣが成膜された第３群のペットボトルＰＢを搬送路に排出し、かつ、後続の第５群のペットボトルＰＢを第１成膜ユニットに供給する第２処理ステップと、を交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】バッチ式の処理装置の構成要素を小型化することで製造コストを更に低減できる物品の処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物であるペットボトルＰＢが搬送機構４０で搬送が開始される位置を位置Ｓ、第１反転移載装置７０で移載される位置を位置Ｅ、位置Ｓから第１成膜ユニット５１に対応する位置Ｐ１までペットボトルＰＢが搬送される距離をＬ１１、位置Ｓから第２成膜ユニット５２に対応する位置Ｐ２までペットボトルＰＢが搬送される距離をＬ２１、位置Ｐ１から位置ＥまでペットボトルＰＢが搬送される距離をＬ１２、位置Ｐ２から位置ＥまでペットボトルＰＢが搬送される距離をＬ２２、とすると、Ｌ１１＝Ｌ２２及びＬ１２＝Ｌ２１を満足する。そして、第１成膜ユニット５１においてＤＬＣ成膜処理を行う第１処理ステップと、第２成膜ユニット５２においてＤＬＣ成膜処理を行う第２処理ステップと、を交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】粒界を避けた素子配置を容易に形成させることにより、実質的に単結晶基板上と同等に高性能の素子を効率的に製造でき、更に粒界に沿って分割することで容易に素子を製造できる、大型の多角形ダイヤモンド結晶粒が配列した高配向ダイヤモンド膜を提供する。
【解決手段】異種材料の結晶基板上に、その結晶方位の情報を引き継いで成長を開始した高配向ダイヤモンド膜であって、表面において、多角形ダイヤモンド結晶粒が、重心間距離が２０μｍ以上の二次元繰り返しパターンで配列していることを特徴とする配列化ダイヤモンド膜。 （もっと読む）

【課題】生産コストを低くできるプラズマ処理装置及び基材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、チャンバー１と、チャンバー１内に配置され、基材２を保持する基材ホルダー３と、チャンバー１に繋げられ、チャンバー１内にエッチング用の処理ガスを導入するガス導入経路と、チャンバー１内に５０〜５００ｋＨｚの高周波出力を供給する高周波電源４と、を具備し、高周波電源４から供給された高周波出力によりチャンバー１内に前記エッチング用の処理ガスのプラズマを発生させて基材２の表面層を除去する。 （もっと読む）

【課題】薄膜と被成膜基材との密着性を十分に確保できる被成膜基材への薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、プラスチック又はプラスチックにＳｉＯ_２及びＡｌ_２Ｏ_３の少なくとも一方を分散させた材料からなる被成膜基材２の表面に酸素プラズマ処理、オゾン処理及び紫外線照射処理のいずれかの処理を施した後に、前記被成膜基材２の表面上に、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法及び蒸着法のいずれかの方法により薄膜を成膜することを特徴とする被成膜基材への薄膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプローブの先端部に抵抗率が１０^−２Ω・ｍ以下、硬度が６００Ｈｖ以上のＤＬＣ膜を被覆する技術及びプラズマ処理装置を提供し、この導電性ＤＬＣを被覆したコンタクトプローブ及びこのプローブを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】コンタクトプローブ基材の先端部に加わる高電界を緩和する構造の支持手段にコンタクトプローブ基材を挟止し、プラズマ処理装置内で前記プローブ基材表面をクリーニングする工程と、前記基材表面に窒素イオンと炭素イオンを照射して基材金属の窒化物と炭化物の混合被膜を形成する工程と、炭化水素ガス放電プラズマを発生させ、コンタクトプローブの先端部に導電性ＤＬＣ被膜を形成する工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】パターンマスクの除去効率を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して基板１１をレジストパターン１３の除去反応温度域にまで昇温させ、イオン注入後はその基板温度を利用してレジストパターン１３のアッシング処理を実施する。これにより、レジストパターンの除去効率を損なうことなく、レジストパターン除去のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】保護膜の膜質を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して使用されるレジストパターン１３のアッシング工程において、基板１１を保護膜１４の成膜に適した温度にまで昇温させ、上記アッシング工程後はその基板温度を利用して保護膜１４の成膜処理を実施する。これにより、保護膜１４の膜質および成膜効率を損なうことなく、保護膜１４の成膜のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素ウエハの表面の全体に渡って荒れの発生のない炭化珪素半導体デバイスの製造方法を提供とする。
【解決手段】本炭化珪素半導体デバイスの製造方法は、炭化珪素ウエハ１０に不純物３０ｉをイオン注入する工程と、不純物３０ｉがイオン注入された炭化珪素ウエハ１０上にダイヤモンド層４０を形成する工程と、ダイヤモンド層４０が形成された炭化珪素ウエ１０を熱処理することにより、炭化珪素ウエハ１０内に不純物３０ｉが活性化した不純物領域３０を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】潤滑油環境下での摺動において、従来以上に摩擦係数が低減された摺動部材を提供することができるＤＬＣ皮膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】摺動部材の摺動側表面にコーティングされたＤＬＣ皮膜であって、表面エネルギーが５２〜７４ｍＪ／ｍ^２またはエチレングリコールの接触角が２７〜５１度であるＤＬＣ皮膜。前記ＤＬＣ皮膜は、Ｘ線散乱スペクトルにおいてグラファイト結晶ピークを有する。予め作製されたＤＬＣ皮膜にプラズマ処理を施して、表面エネルギーを制御することによりＤＬＣ皮膜を製造するＤＬＣ皮膜の製造方法。前記プラズマ処理は、照射イオン量を調整してＤＬＣ皮膜にプラズマ照射する処理であり、照射イオン量は１．３０×１０^１６〜１．８５×１０^１７イオン／ｃｍ^２であり、バイアス（イオン加速）電圧は８０〜１４０Ｖである。 （もっと読む）

【課題】 均一成膜及び成膜面積の大面積化を可能とし、基材表面の全面への同時成膜を可能とする成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 本発明の成膜方法は、成膜炉１と、送り出しリール２１と巻取りリール２２とからなる一対の回転電極リール２と、プラズマ電源３と、原料ガス供給手段４と、排気手段５と、を備える成膜装置を用いたプラズマＣＶＤ法による成膜方法であって、リール間基材部６３の全面が原料ガスに接するように導電性基材６を該送り出しリール２１から送り出し該巻取りリール２２で巻取りながら、該プラズマ電源３から該回転電極リール２に負電圧を印加して該リール間基材部６３の該基材表面に沿ってプラズマシースＰを形成するとともに、該原料ガスを該プラズマシースＰで活性化して該基材表面に接触させることにより該基材表面に該膜を形成する。 （もっと読む）