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Fターム[4K030BA28]の内容

CVD (106,390) | 皮膜材質 (16,728) | 非金属成分を含む皮膜 (2,873) |  (1,040) | ダイヤモンド状C (580)

Fターム[4K030BA28]に分類される特許

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【課題】膜内の残留応力が緩和され、かつ、すぐれた耐剥離性、耐摩耗性を発揮するCFRP等の難削材の切削加工に好適なダイヤモンド被覆エンドミルを提供する。
【解決手段】エンドミルの軸方向に沿って、ダイヤモンド皮膜表面のラマン分光分析を行い、1333cm−1付近のピークの半価幅を測定した場合、ピークの半価幅が15cm−1以下の結晶相1領域とピークの半価幅が60〜90cm−1の応力緩和相2領域を、少なくとも上記皮膜表面の上記軸方向に交互に形成し、結晶相1領域と応力緩和相2領域の間のピークの半価幅が15cm−1を越え60cm−1未満の遷移相6領域が0.1〜1.0mmであり、好ましくは、上記軸方向に垂直な皮膜断面で、ピークの半価幅が15cm−1以下の結晶相1からなる断面領域とピークの半価幅が60〜90cm−1の応力緩和相2からなる断面領域を、皮膜の膜厚方向に0.1〜2.0μmの平均膜厚で交互に形成する。 (もっと読む)


【課題】極めて電気抵抗の低いホウ素ドープ導電性ダイヤモンドライクカーボン薄膜の製造方法及び金属基板上に薄膜を一体構成した電極材料を提供する。
【解決手段】炭素源として炭化水素を、ホウ素源として有機ホウ素化合物を用い、反応調整ガスとしてアルゴンガスを混在させ、高周波プラズマCVDにより基板上にホウ素ドープダイヤモンドライクカーボンを形成させる。 (もっと読む)


【課題】セグメント形態の保護膜のさらに高速な形成が容易であり、保護膜の品質管理をさらに向上させ、さらに自由度の高い(複雑な)セグメント形態を可能とし、二次元形状のみならず三次元形状にも適用可能な、DLC膜などの保護膜、およびそれを成膜する方法を提供すること。
【解決手段】セグメントに分割して形成されるように膜を堆積してなるセグメント形態の保護膜を基材上に形成させる際に、所定の形態のセグメントを得られるようにレーザーを用いて基材に溝加工をした後に、保護膜を堆積してセグメント間の間隔を形成することを特徴とする保護膜およびその製造方法。 (もっと読む)


【課題】凸凹が大きい立体的形状を含むような基材も含め、大気圧状態でも短時間で均一に被膜を形成することができる被膜形成装置及び被膜形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る被膜形成装置1及び被膜形成方法は、希釈ガス供給管2の内部に設けられた導電体の細棒部材が希釈ガス供給管2の内部を優れた共振系とするため、リング状共振器6からスリット61を介して360°方向から照射されたマイクロ波により希釈ガス供給管2の内部に表面波プラズマを形成し、プラズマ化された希釈ガスが混合器7に導入され、原料ガスと混合されることにより、大気圧状態であっても原料ガスのプラズマ化が効率よく行われる。そして、プラズマ化された原料ガスを基材Sに噴射することにより、基材Sを均一に処理することができ、被膜形成が効率よくかつ安定して行われることになる。 (もっと読む)


【課題】非晶質炭素膜の強度を高めることができるとともに、小型化を図ることができるようにする。
【解決手段】本発明は、連続して搬送される被成膜基材Pに非晶質炭素膜を形成する非晶質炭素膜形成部Eを有するロールコーター装置において、その非晶質炭素膜形成部Eに至る上記搬送経路αの上流側に、上記被成膜基材Pを加熱するための加熱機能部C,D,E,G,Hを配設したものである。 (もっと読む)


【課題】小さい膜厚においても高い耐久性および高い耐食性を両立することができるDLC膜の製造方法および製造装置の提供。
【解決手段】炭化水素系原料ガスの熱分解により発生させたラジカル粒子により被成膜基板上に第1層を形成する工程と、該炭化水素系原料ガスのプラズマ中で発生させたイオン粒子により第2層を形成する工程とを含むことを特徴とする第1層および第2層から構成されるDLC膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】膜厚の均一な炭素膜を、3次元形状の処理物に成膜する成膜装置,炭素膜の成膜方法及び炭素膜を提供すること。
【解決手段】本発明の炭素膜の成膜装置1は、プラズマCVD法によってワークWの表面に炭素膜を形成する炭素膜の成膜装置1であって、真空槽10と、ワークを保持する第一の電極2と、第一の電極2と間隔を隔てた位置にもうけられ、かつ第一の電極2の外周に立設してもうけられた立設部31を備えた原料ガスをイオン化する第二の電極3と、第一の電極2,第二の電極3のそれぞれに独立して電力を供給する電源装置25,35と、原料ガスを供給するノズル42と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】耐絶縁性を向上させながらも、低電圧で安定的にプラズマ放電を行うためのプラズマ電極を提供する。
【解決手段】複数の貫通孔を有する金属基板2枚が平行に配設されたプラズマ電極10であって、該金属基板13,14の対向する面には、ブラスト加工、エッチング、プレス、電鋳加工などの表面加工により1〜500μmの凹凸が形成され、その上にコーティング層16が形成されており、前記2枚の金属基板に形成された貫通孔11,12は、その表面にダイヤモンドライクカーボン(DLC)、Si0などの絶縁膜17が形成されている。コーティング層16は、金属基板13,14の上にBaTiOなどの強誘電体薄膜が形成されたものであることが望ましい。 (もっと読む)


【課題】CFRP材の切削加工において、刃先の耐衝撃性と潤滑性、切屑排出性にすぐれ、長期の使用にわたってすぐれた耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体表面に、結晶性ダイヤモンド層を被覆したダイヤモンド被覆切削工具において、切れ刃の上記結晶性ダイヤモンド層の表面には、平均粒径1〜50nmのナノダイヤモンド層を被覆形成し、切れ刃の最先端から上記結晶性ダイヤモンド層までの最短距離を3〜15μmとし、さらに、切れ刃の上記ナノダイヤモンド層のすくい面側表層(さらに、ナノダイヤモンド層の逃げ面側表層)には、表面粗さRaが0.1μm以下で膜厚が10〜200nmの非晶質カーボン膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】合成ダイヤモンド並びに合成単結晶ダイヤモンドを調製及び使用する方法を提供する。
【解決手段】化学気相成長によって形成される1つ又は複数の単結晶ダイヤモンド層を有する、合成単結晶ダイヤモンド組成物であって、該層が、不純物のない他の層又は同様の層と比べて、(ホウ素及び/又は炭素同位体などの)1つ又は複数の不純物の濃度が増加した1つ又は複数の層を含む。このような組成物は、色、強度、音速、電気伝導率、及び欠陥の抑制を含めて、特性の改善された組み合せを提供する。さらに、このような組成物を調製する関連した方法、並びにこのような方法を実施するのに使用するシステム、及びこのような組成物を取り入れた製品が記載される。 (もっと読む)


【課題】大気圧状態でも被膜の形成等のプラスチックボトル内面の処理を短時間で均一に実施することができるプラスチックボトル内面の処理方法及びプラスチックボトル内面の処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプラスチックボトル内面の処理装置1及び処理方法は、ガス供給間2を構成する、誘電体からなる供給管本体の内部に設けられた導電体の細棒部材が、プラスチックボトルBの内部を優れた共振系として、リング状共振器6からスリット61を介して360°方向から照射されたマイクロ波により表面波プラズマを形成する。よって、マイクロ波閉じ込め室Mには、極めて均一なプラズマ(表面波プラズマ)が生成され、大気圧状態でもボトルBの内部にプラズマを維持しやすくなり、供給された原料ガスを効率よくプラズマ化してボトル内面BIを均一に処理し、成膜等が効率よくかつ安定して行われることになる。 (もっと読む)


【課題】透明樹脂基材へ確実に非晶質炭素膜等を成膜できる成膜方法を提供する。
【解決手段】互いに対向配置された保持電極1と印加電極2との間に、炭化水素系ガスを含む原料ガスGoを供給し、大気圧雰囲気下において、必要に応じて保持電極1と印加電極2との間に直流バイアス電圧を発生させながら印加電極2に交流電圧を印加して、保持電極1に保持された基材Wと印加電極2との間でグロー放電プラズマを発生させることで、基材Wの表面に非晶質炭素膜等を成膜する成膜方法であって、基材Wが透明樹脂であり、該基材Wの熱変形温度未満の温度範囲で成膜することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】CFRP材、高Si含有アルミニウム合金、グラファイト等の難削材の切削加工において、すぐれた耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体表面に、結晶性ダイヤモンド層を被覆し、その上に0.2〜2.0μmの積層間隔で平均粒径1〜50nmのナノダイヤモンド膜と平均粒径0.1〜2μmの結晶性ダイヤモンド膜とが交互に積層された交互積層膜を被覆し、ついで、すくい面(あるいはさらに逃げ面)を紫外線レーザで照射することにより、すくい面(あるいはさらに逃げ面)の交互積層膜を除去するとともに、切れ刃を構成する交互積層膜のすくい面側表層(あるいはさらに逃げ面側表層)に、表面粗さRaが0.1μm以下で膜厚が10〜200nmの非晶質カーボン膜を形成したダイヤモンド被覆切削工具。 (もっと読む)


【課題】非晶質炭素被膜が形成された摺動部材において、これまでに比べてより低い摩擦係数を確保することができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の摺動面に、珪素及び窒素を含有した非晶質炭素被膜が形成された摺動部材である。摺動部材の非晶質炭素被膜は、珪素原子の含有量/炭素原子の含有量の原子比が、0.1以上であり、窒素原子の含有量/炭素原子の含有量の原子比(N/C比)が、0.1〜0.25の範囲にある。 (もっと読む)


【課題】メンテナンス作業の手間を低減させ、プラズマCVD装置の稼動率を向上させながらも、被処理体の膜厚のばらつきを抑制できるノズルを提供する。
【解決手段】被処理体1の表面に成膜処理を施すプラズマCVD装置に取り付けられ、被処理体1が配置された放電空間に放電ガスおよび成膜ガスを供給し、放電ガスを供給する放電ガス流路14と成膜ガスを供給する成膜ガス流路16とを各別に設け、放電ガス流路14の下流側の端部に、放電ガスを吐出する放電ガス吐出口15を設けるとともに、成膜ガス流路16の下流側の端部に、放電ガス吐出口15から吐出される放電ガスを挟み込み又は包囲する領域に成膜ガスを吐出する成膜ガス吐出口17を設けてある。 (もっと読む)


【課題】潤滑油環境下での摺動において、従来以上に摩擦係数が低減された摺動部材を提供することができるDLC被膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】摺動部材の摺動側表面にコーティングされた、少なくとも1種類の金属が含有されたDLC被膜であって、炭素同士の結合の割合および金属と炭素の結合の割合の合計に対して、金属と炭素の結合の割合が20%以下であるDLC被膜。プラズマCVD装置を用いて、DLC被膜を製造するDLC被膜の製造方法であって、炭化水素と不活性ガスの導入雰囲気中で、金属ターゲットをスパッタリングしつつ炭化水素を解離させて、基材上に、前記金属を含有するDLC被膜を成膜するDLC被膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成でしかも安価に製造可能であり、耐摩耗性を損なわずに導電性、除電性の高い非晶質炭素膜積層部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性基材上に導電性炭素微粒子が分散固定されてなる非連続な微小領域20と、導電性基板上の該領域以外に堆積された非晶質炭素膜からなる連続した領域30とを有し、前記の導電性炭素粒子からなる微小領域20の表面と、前記の非晶質炭素膜からなる連続した領域30の表面とが、同一平面をなしていることを特徴とする非晶質炭素膜積層部材。 (もっと読む)


【課題】 化合物層および炭素膜の厚みを増すことなく窒化層のみを選択的に厚くし、金型表面に形成される炭素膜の耐久性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】 本願は、第1工程と第2工程と第3工程をこの順序で行う金型の表面処理方法を開示する。第1工程は、金型材料の窒化層が形成される条件下で有機ガスとともに金型を熱処理することによって、カーボンナノコイル、カーボンナノチューブおよびカーボンナノフィラメントからなる群から選ばれる少なくとも1種のナノカーボン類を含むナノカーボン炭素膜を形成するナノカーボン炭素膜形成工程と、ナノカーボン炭素膜の表面にフラーレン類を塗布するフラーレン類塗布工程と、炭素膜が形成された金型を400℃以上に加熱する焼成工程とをこの順序で行う工程である。第2工程は、第1工程によって形成された炭素膜の表面にショットブラスト処理を行う工程である。第3工程は、第2工程後の金型を、ナノカーボン炭素膜形成工程と、フラーレン類塗布工程と、焼成工程とをこの順序で行う工程である。 (もっと読む)


【課題】電圧印加手段から電圧が印加される給電部材の弾性の劣化やヘタリを評価することができる。
【解決手段】基板処理装置は、搬入口と搬出口を有するチャンバ85と、チャンバ内にガスを供給するガス供給手段12と、ガスをプラズマにするためのプラズマ発生手段と、基板を保持する基板ホルダ20と、搬入口から搬入され、搬出口へと基板ホルダを保持しながら搬送するキャリア2と、基板ホルダ20に電圧を印加するための電圧印加手段16と、給電部材13を可動して、該給電部材を基板ホルダ20に接触又は非接触させることにより、電圧印加手段16からの電圧を供給するための駆動手段18と、給電部材13に流れる電流を測定する電流測定手段17と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス用基板として有用な大面積でかつ歪が少ない高品質単結晶ダイヤモンドを安定して得ることを目的とする。
【解決手段】1主面から2つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した2つの互いに直交する直線偏光の位相差が、試料全体にわたり、試料厚さ100μmあたり最大50nm以下であることを特徴とする気相合成法により成長された単結晶ダイヤモンドである。 (もっと読む)


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