【課題】長期の使用に亘ってすぐれた耐欠損性と耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面に、粗粒結晶層と非晶質層の交互積層からなる膜厚１．５〜３０μｍの下部ダイヤモンド皮膜と、細粒結晶層と非晶質層の交互積層からなる膜厚１．５〜１０μｍの上部ダイヤモンド皮膜が被覆されたダイヤモンド被覆工具であって、下部ダイヤモンド皮膜上方側の粗粒結晶層の膜厚は、下部ダイヤモンド皮膜下方側の粗粒結晶層の膜厚より薄膜として形成され、また、上部ダイヤモンド皮膜表面側の細粒結晶層の膜厚は、上部ダイヤモンド皮膜下方側の細粒結晶層の膜厚より薄膜として形成されてなるダイヤモンド被覆工具。 （もっと読む）

【課題】耐熱性及び耐摩耗性に優れた金型を実現できるようにする。
【解決手段】金型は、金型本体と、金型本体を覆い且つ硅素を含むダイヤモンド様薄膜とを備えている。耐熱性のダイヤモンド様薄膜は、基材の表面に形成され、硅素を含み、基材との界面における硅素濃度が、表面における硅素濃度よりも高く、基材との界面と表面との間における硅素濃度の変化が連続的である。 （もっと読む）

【課題】低摩擦摺動材料用の潤滑油として用いた際に極めて低い摩擦係数を示す潤滑油組成物を提供すること、及び該潤滑油組成物を用いて、特定の低摩擦摺動材料の皮膜を摺動面に有する摺動部材とを組み合わせることにより、低摩擦性に優れた摺動機構を提供すること。
【解決手段】特定のリン−亜鉛含有化合物、および特定の硫黄含有化合物から選ばれる添加剤を配合してなる低摩擦摺動材料に用いられる潤滑油組成物、及び相互に摺動する２つの摺動部材の摺動面に、前記潤滑油組成物を介在させた摺動機構であって、２つの摺動部材のうち少なくとも一方の摺動面が、水素を５〜５０ａｔｏｍ％含有するＤＬＣ皮膜が形成されている摺動機構である。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面の一部を占める被処理領域を選択的に窒化するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、被処理物の表面の一部を占める被処理領域を選択的に窒化する。接地電極には接地電位が与えられ、接地電極と対向電極との間には接地電極の電位より対向電極の電位が高くなる直流パルス電圧が繰り返し印加される。被処理領域には、面積が１０ｃｍ²以下であって導電体が露出する対向電極の対向面が対向させられる。チャンバの内部の空間には、窒素ガスを含有する処理ガスが供給され、当該空間の雰囲気は、圧力が５０Ｔｏｒｒ以上常圧以下となり窒素ガスの分圧が全圧の５０％以下となる状態に調整される。 （もっと読む）

【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０であって、単結晶シリコン基板１３と、単結晶シリコン基板１３の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたＭｇＯ膜１１と、ＭｇＯ膜１１上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２とからなる。 （もっと読む）

【課題】ピンホールによる流体の浸入が少ない耐久性に優れたダイヤモンド被覆電極を提供する。
【解決手段】１層のダイヤモンド層２４ａ・・の膜厚Ｔｃが３０〜４０ｎｍの超微結晶であるため、ピンホールそのものが小さくなるとともに表面の撥水効果が高くなって電解液等の流体の浸入が抑制される。また、核付け処理を繰り返して超微結晶ダイヤモンド多層コーティング処理を実施し、所定膜厚Ｔｄのダイヤモンド多層膜２２ａ・・を所定の積層数Ｎ（≧３）だけ形成するため、ダイヤモンド多層膜２２ａ・・の密着性が向上し、単に種結晶生成処理および結晶成長処理を繰り返すだけで目的とする総膜厚Ｔｔとする場合に比較して被膜強度が高くなり、ピンホールによる流体の浸入が抑制されることと相まって剥離に対して優れた耐久性が得られるようになる。ダイヤモンド多層膜２２ａ・・の間にグラファイト層を設けることも、剥離に対する耐久性向上に有効である。 （もっと読む）

キャリア体上に材料を蒸着するための製造装置、および当該製造装置と共に使用される電極。製造装置はチャンバを画定するハウジングを備える。ハウジングは、気体をチャンバ内に導入するための入口、および気体をチャンバから排出するための出口を画定する。少なくとも１つの電極がハウジングを貫通して配設され、該電極は少なくとも部分的にハウジング内に配設される。電極は外面を有する。電極の外面上には、室温下で少なくとも７×１０^６ジーメンス／メートルの導電率を有する第１の外部コーティングが配設される。第１の外部コーティング上には、第１の外部コーティングと異なる第２の外部コーティングが配設される。電極には電源装置が結合される。
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本発明は、シリコン含有ダイヤモンド状炭素薄膜、その製造方法、及びその用途に関し、シリコン含有ダイヤモンド状炭素薄膜は、内部及び表面にシリコンを含有するダイヤモンド状炭素薄膜の表面に、その薄膜の表面に存在する炭素及びシリコン原子とその薄膜の表面に親水性を付与する原子（Ａ）間の化学結合を有することを特徴とする。
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キャリア体上に材料を蒸着するための製造装置、および当該製造装置と共に使用される電極。製造装置はチャンバを画定するハウジングを備える。ハウジングは、気体をチャンバ内に導入するための入口、および気体をチャンバから排出するための出口も画定する。少なくとも１つの電極がハウジングを貫通して配設され、該電極は少なくとも部分的にハウジング内に配設される。電極は、第１の端部および第２の端部を有するシャフトと、シャフトの端部のうちの一方に配設されるヘッドとを有する。電極のヘッドは、コンタクトを有する外面を有する。外部コーティングは、コンタクト領域の外側に位置する電極の外面上に配設される。外部コーティングは、ニッケルより高い耐摩耗性（測定単位：ｍｍ^３／Ｎ・ｍ）を有する。
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構成要素間の接着が良好な抵抗変化型メモリデバイスを形成するための方法および装置が提示される。第１の導電層が基板上に形成され、この第１の導電層の表面が処理されて、表面に接着促進材料が添加される。接着促進材料は、表面の上に層を形成してもよく、表面中に組み入れられてもよく、または第１の導電層の表面を単に安定化処理してもよい。可変抵抗層が処理済表面の上に形成され、第２の導電層が可変抵抗層の上に形成される。さらに、接着促進材料は、可変抵抗層と第２の導電層との間の界面に含まれてもよい。
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【課題】本発明は、ダイヤモンド薄膜の生長装置に関する。
【解決手段】本発明のダイヤモンド薄膜の生長装置は、入気口及び排気口を有する反応室と、前記排気口によって前記反応室に連接された真空装置と、前記入気口と対向して間隔を置いて前記反応室の中に設置された支持体と、前記入気口と前記支持体との間に設置されたホットフィラメントと、を含む。前記ホットフィラメントが少なくとも一つのカーボンナノチューブワイヤからなり、該カーボンナノチューブワイヤが複数のカーボンナノチューブからなる。 （もっと読む）

【課題】溶液及び有毒ガスを使用することなく、また煩雑な操作を施すことなく、安全、かつ簡便にカーボン系膜表面上にフッ素官能基を導入する方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される気体のペルフルオロアゾアルカンの存在下で、カーボン系膜に紫外光を照射して、カーボン系膜の表面にペルフルオロアルキル基を化学結合させることにより、カーボン系膜の機能に、さらにフッ素原子及びフッ素原子含有官能基特有の特異な性質を保有させることを可能とする。
Ｒ_ＦＮ＝ＮＲ_Ｆ （１）
（式中、Ｒ_Ｆはペルフルオロアルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】半導体加工処理容器部材は、ハロゲンガスを含む環境でプラズマエッチング加工されると、早期に腐食損傷を受けるとともに、微小な環境汚染パーティクルを発生して、半導体の加工生産能力を甚しく低下させる問題がある。
【解決手段】
反応容器内に被処理基材を保持し、その容器内に導入した有機金属化合物のガスから炭化水素系ガスプラズマを発生させることにより、１５〜４０ａｔ％の水素を含有するアモルファス状炭素・水素固形物の微粒子を気相析出させると同時に金属の超微粒子を共析させて、金属粒子含有アモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜を形成し、その後、この膜を酸化処理して金属酸化物部粒子を生成させることを特徴とする半導体加工装置用部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 真空設備を用いずにＤＬＣ膜の成膜処理を行うものであって、製造装置の構成の簡略化、安全管理の容易さ及びＤＬＣ皮膜容器に係る生産効率の向上を実現するＤＬＣ皮膜容器の製造装置、ＤＬＣ皮膜容器及びＤＬＣ皮膜容器の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＤＬＣ皮膜容器の製造装置は、プラスチック容器Ｂを収容し、そのプラスチック容器Ｂ表面にＤＬＣ膜を成膜するチャンバ１０と、そのチャンバ１０内に設けられた電極に電圧を印加する電源部２０と、上記チャンバ１０内に窒素ガスを給気してガス置換を行った後に、ＤＬＣ膜の原料となる原料ガスを供給するガス供給排出部３０とを有して構成される。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの作動面にコーティングを有している、ピストンリングのような摺動要素に関し、このコーティングは接着層（１０）と、金属を含有する、好ましくはタングステンを含有するＤＬＣ層（１２）と、金属を含まないＤＬＣ層（１４）と、を内側から外側へ備え、金属を含まないＤＬＣ層の厚さの、金属を含有するＤＬＣ層の厚さに対する比が０．７〜１．５の範囲であり、及び／又は、コーティングの厚さ全体に対する比が０．４〜０．６の範囲であることを特徴とする。
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【課題】電極対の間の放電が安定するダイアモンドライクカーボン膜形成装置を提供する。
【解決手段】ＤＬＣ膜が表面に形成されたＤＬＣ膜形成体の製造に用いるプラズマ処理装置において、誘導性素子に磁界として蓄積されたエネルギーを直流パルス電圧として放出する誘導エネルギー蓄積型のパルス電源を用い、誘導性素子のインダクタンスＬ（μＨ）、チャンバの内部の圧力Ｐ（Ｔｏｒｒ）及びパルス電圧による投入電力を電極対の対向面積で除した単位面積あたりの投入電力Ｗ（Ｗ／ｃｍ²）が、条件式：−１．３×Ｗ×Ｌｎ（Ｐ）＋４．２５×１０²×Ｌｎ（Ｐ）＋４．７×Ｗ−１．４×１０³≧Ｌ≧０．８×Ｐ
を満たすようにする。 （もっと読む）

本発明は、摩耗および腐食からの保護が改善された、基板上のコーティングシステムに関する。本発明に従い、基板をダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）層でコーティングする。このＤＬＣ層を、ＤＬＣコーティング材料と異なる材料を用いたさらなる層でコーティングすることにより、ＤＬＣ層のピンホールを閉じる。
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【課題】結晶化しようとする強誘電体膜の配向を変換して任意に制御した強誘電体膜を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る強誘電体膜は、基板上に形成された（１１１）配向したPt膜４と、前記Pt膜上に形成されたPZT膜６と、を具備し、前記PZT膜は、（１１１）＋（００１）、（００１）、（００１）＋（１１０）及び（１１０）のいずれかに配向されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基材とＤＬＣ被膜との密着力および耐食性が高い摺動部材、および当該摺動部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】摺動部材１は、プラズマ窒化処理により表層に窒化層２０が形成されたステンレス鋼製の基材３と、直流プラズマＣＶＤ法により基材３の表面に形成されたＤＬＣ被膜２１と、ＤＬＣ被膜２１により形成された摺動面２２とを含む。プラズマ窒化処理は、基材３の温度が４５０℃以下、処理室内の圧力が６００Ｐａ以上、処理室内に導入する窒素ガスおよび水素ガスを含む処理ガス中の窒素ガス濃度が８０vol％以上１００vol％未満の条件下で、処理室内にプラズマを発生させることにより行われる。また、ＤＬＣ被膜２１の成膜処理は、基材３の温度が４５０℃以下の条件下で行われる。 （もっと読む）

【課題】細長くて均一かつ安定なプラズマを形成することができる、ＥＣＲプラズマ源の提供。
【解決手段】ＥＣＲプラズマ源は、細長い長方形状の誘電体窓(18)およびプラズマ引き出し用の開口(12a)を有し、誘電体窓(18)に平行な断面形状が長方形状であるプラズマ生成室(12)と、ＥＣＲ条件を満足するとともに開口(12a)からプラズマを引き出すための磁場を、プラズマ生成室(12)内に形成する磁気コイル(14)と、マイクロ波導入口からマイクロ波導出口にかけて幅寸法が大きくなるようなテーパ形状を有し、マイクロ波をほぼ等しい２つのマイクロ波に分岐するとともに、マイクロ波導出口を定在波の管内波長の長さ相当間隔で仕切る仕切り板(161a〜161c)を有するテーパ導波管(16)と、を備える。 （もっと読む）