【課題】 水溶性溶剤との親水性に富み、耐摩擦性に優れ、塗料が短時間でロール表面に馴染じみ易く、塗りむらができにくく、塗り厚を均一にし易い親水性ＤＬＣ膜の成膜方法と親水性ＤＬＣ成膜基材を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー内に基材をセットし、真空チャンバー内を常温かつ真空状態にし、基材の周辺にプラズマを発生させて、基材に負の高電圧パルスを印加することで基材表面をスパッタリングし、その後、ＤＬＣの原料ガスとＯ_２を真空チャンバー内に供給して基材に親水性ＤＬＣ膜を形成する。親水性ＤＬＣ膜の形成前にＯ_２含有層を形成したり、ＤＬＣ膜を形成したりしてもよい。ＤＬＣ膜の形成前にミキシング層を形成してもよい。基材の表面に親水性ＤＬＣ膜を設けた。基材と親水性ＤＬＣ膜との間に、Ｏ_２含有層やＤＬＣ膜を設けてもよい。基材とＤＬＣ膜の間にミキシング層を設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】長時間に亘って使用しても清掃などの手間をかけることなく安定した成膜条件を維持しつつ一度に多数の成膜を行う、簡単な構造のプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバ２内を真空排気する真空排気手段３と、成膜対象である基材を自転状態で保持する複数の自転保持部４と、複数の自転保持部４を自転保持部４の回転軸と軸心平行な公転軸Ｑ回りに公転させる公転機構と、真空チャンバ２内に原料ガスを供給するガス供給部９と、真空チャンバ２内にプラズマを発生させるプラズマ発生電源１０とを備える。公転テーブル５は、プラズマ発生電源１０の一方極に接続された公転テーブル５Ａと、プラズマ発生電源１０の他方極に接続される公転テーブル５Ｂとであって、互いに異なる極性とされた公転テーブル５Ａ上の基材と、公転テーブル５Ｂ上の基材との間にプラズマが発生可能とされている。 （もっと読む）

【課題】クラック等の欠陥がなく表面の平坦性に優れ、成長速度が速く低コスト化が可能な単結晶ダイヤモンド基板の製造方法及びそれにより得られる厚膜ダイヤモンド基板の提供を目的とする。
【解決手段】２°以上のオフ角を有する結晶構造｛１１１｝の母ダイヤモンド基板の上に化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いてラテラル成長が発現する条件下でダイヤモンドを成長させて得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドが本来有する物性の高いダイヤモンド膜、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】熱抵抗が１．０×１０^−８（ｍ^２・Ｋ/Ｗ）以下のダイヤモンド膜であって、その製造方法は、（１）一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を準備する工程、（２）前記ナノダイヤモンド粒子を基材に付着させる工程、（３）前記ナノダイヤモンド粒子付着基材を熱処理又はプラズマ処理する工程、及び（４）前記処理したナノダイヤモンド粒子付着基材のナノダイヤモンド粒子をＣＶＤ法により成長させ、ダイヤモンド膜を形成する工程、とを含む。 （もっと読む）

【課題】熱フィラメントＣＶＤ法によって、有効成膜面積を大面積化することのできる熱フィラメントＣＶＤ装置及びその装置を用いた薄膜の形成方法を得る。
【解決手段】薄膜を形成するための熱フィラメントＣＶＤ装置であって、フィラメントを固定するための少なくとも一対のフィラメント固定部と、フィラメント固定部の間の距離を変えるためのフィラメント固定部移動機構と、フィラメントの伸縮状態の変化を検出するためのフィラメントの伸縮状態検出手段と、を含み、フィラメントの伸縮状態検出手段が、少なくとも一対のフィラメント固定部の間の略中央の検出位置において、フィラメントからの少なくとも一つの波長の電磁波の強度変化を測定するための、又はフィラメントからの電磁波の波長、強度若しくはそれらの組み合せを測定するための、電磁波測定機構を含む、熱フィラメントＣＶＤ装置である。 （もっと読む）

【課題】多数の基材に対して一度に成膜を行う、絶縁膜の堆積に伴う動作の不安定をきたさず、長時間に亘って使用しても安定した成膜を行うプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバ２内を真空排気する真空排気手段３と、成膜対象である基材を自転状態で保持する複数の自転保持部４と、複数の自転保持部４を自転保持部４の回転軸と軸心平行な公転軸Ｑ回りに公転させる公転機構と、真空チャンバ２内に原料ガスを供給するガス供給部９と、真空チャンバ２内にプラズマを発生させるプラズマ発生電源１０とを備え、複数の自転保持部４の各々は、プラズマ発生電源１０の一方極に接続された第１の群１８と、プラズマ発生電源１０の他方極に接続される第２の群１９とに分けられ、互いに異なる極性とされた第１の群１８の基材と、第２の群１９の基材との間にプラズマが発生可能とされている。 （もっと読む）

【課題】摺動面に潤滑油を確実に供給し、潤滑性能を高めた摺動部材及び圧縮機を提供すること。
【解決手段】クランクシャフト３またはベーン４６は、基材上にダイヤモンドライクカーボン皮膜層５４を備え、このダイヤモンドライクカーボン皮膜層５４と相手方の部材との間にオイルが供給された状態で摺動する構成とし、ダイヤモンドライクカーボン皮膜層５４の摺動面５４Ａに、孔径の異なる第１の空孔６１及び第２の空孔６２を形成し、孔径の大きな第１の空孔６１と孔径の小さな第２の空孔６２とが、摺動方向Ｘに沿って、交互に配列されている。 （もっと読む）

【課題】摺動面に潤滑油を確実に供給し、潤滑性能を高めた摺動部材及び圧縮機を提供すること。
【解決手段】ベーン４６は、ベーン溝から突出する方向Ｘ１及び当該ベーン溝４７に収納される方向Ｘ２に往復移動する基材上にダイヤモンドライクカーボン皮膜層５４を備え、このダイヤモンドライクカーボン皮膜層５４とベーン溝４７との間にオイルが供給された状態で摺動する構成とし、ダイヤモンドライクカーボン皮膜層５４の摺動面５４Ａに、方向Ｘ１側に中心軸Ｓ１を傾斜させた複数の第１空孔６１と、方向Ｘ２側に中心軸Ｓ２を傾斜させた複数の第２空孔６２とを配列した。 （もっと読む）

【課題】原料ガスから結晶への固体変換効率を高めたダイヤモンド結晶成長方法及びダイヤモンド結晶成長装置を提供する。
【解決手段】反応槽１１内で、化学気相法により原料ガスから基板７１上にダイヤモンド結晶を成長させるダイヤモンド結晶成長方法であって、次式（１）を満たす原料ガス供給流量Ｇ_０で反応漕１１内に原料ガスを供給し、次式（２）を満たす排気流量Ｇ_２で反応漕１１内から排気するダイヤモンド結晶成長方法を用いることにより、原料ガス濃度を最適化して、結晶化効率を向上させるとともに、未反応の原料ガスの排気を抑制して、原料の回収効率を高めることができ、原料ガスからダイヤモンド結晶への固体変換効率を高めることができる。Ｇ_０≦１０×Ｓ×ｈ…（１）Ｇ_２≦０．９０×Ｇ_０…（２）ここで、Ｓは基板面積であり、ｈは結晶成長速度である。 （もっと読む）

【課題】本発明では、成膜処理のスループットの向上を図ることができ、同時に複数種類の処理が可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置１は、被処理材Ｓをキャリア３に保持した状態で搬送路Ｒに沿って搬送し、搬送路Ｒに沿って配置された複数のプロセスチャンバで所定の真空処理を行う装置であり、搬送路Ｒの角の部分にそれぞれ配置されている複数の方向転換チャンバ内でキャリア３に保持される被処理材Ｓの交換が行われる。 （もっと読む）

【課題】カバレッジ性能、及び、表面ラフネスの良好なアモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、複数枚の半導体ウエハＷが収容された反応管２内を８００℃〜９５０℃に加熱する。次に、制御部１００は、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内にアンモニアガスを供給する。続いて、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、反応管２内を所定の温度に加熱し、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内に処理ガス導入管１７からエチレンを供給する。これにより、半導体ウエハＷにアモルファスカーボン膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】被処理体以外の部位への成膜を抑制した大気圧プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、誘電体内にアンテナとアースが形成された面放電型の誘電体バリア放電方式のプラズマ源において、被処理体を前記プラズマ源に略接触させ、被処理体に対してプラズマ源を設置した面とは反対の面にプラズマを生成するようにした。 （もっと読む）

【課題】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いて低真空下での良好な非晶質炭素膜の成膜を可能とする成膜方法、および、該成膜方法で得られる非晶質炭素膜を提供する。
【解決手段】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いた低真空下（１０００〜３００００Ｐａ程度）での非晶質炭素膜の成膜方法であって、チャンバー１内に、ＰＢＩＩ装置用電源６に接続される電源側電極３と、電極３と対向するアース側電極４とを設け、電源側電極３およびアース側電極４のいずれか一方に基材２を配置し、基材２と、基材２を配置しない電極との間において、希ガスと炭化水素系ガスのプラズマを発生させて、基材２の表面に非晶質炭素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】耐欠損性を向上させることで破壊強度と耐摩耗性に優れ、かつ放電加工等の電気加工を主体とした研磨加工が可能な多結晶・単結晶の高強度ダイヤモンド膜工具やコーティング工具を提供することにある。
【解決手段】多結晶ダイヤモンド膜をコーティングした工具、もしくはおよび単結晶ダイヤモンド工具において、気相法による膜状ダイヤモンドにボロンをドーピングすることで破壊強度を向上させたことにある。 （もっと読む）

【課題】耐プラズマ性が高く、低温成膜が可能なアモルファスカーボン膜の成膜方法、およびそのようなアモルファスカーボン膜の成膜方法を適用した、半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に基板Ｗを配置し、処理容器内に炭素と水素と酸素とを含む処理ガスを供給し、処理容器内の基板を加熱して処理ガスを分解して、基板上にアモルファスカーボン膜を堆積する。この方法を半導体製造装置のエッチングマスクの形成に適用して半導体装置を得る。 （もっと読む）

【課題】低透過性の高いガスバリアフィルムを成膜することが可能な成膜装置、成膜方法を提供すること、および低透過性の高いガスバリアフィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】成膜装置１は、基材８１の成膜面８１０にガスバリアフィルム８２を成膜する。成膜装置１は、基材８１が配置されるプラズマ生成室２０と、プラズマ生成室２０に露出する誘電体２１と、を有する減圧容器２と、プラズマ生成室２０に原料ガスを供給する原料ガス供給部５０と、プラズマ生成室２０にキャリアガスを供給するキャリアガス供給部５１と、マイクロ波ＭＷをプラズマ生成室２０に導入するスロットアンテナ３と、誘電体２１と基材８１との間に配置され負のバイアス電圧が周期的に印加される加速部材４と、ガスバリアフィルム８２を成膜する際に基材８１を冷却する冷却部材４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ドライコート法による成膜処理において、成膜対象である基板のセッティング性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、基板２５を保持する保持器具５０と、成膜室１１０において、保持器具５０を、取り付けられた基板２５が立った状態となるように固定する基台１１２とを備える。保持器具５０は、枠部５１と、枠部５１の互いに対向する長辺に沿って設けられた第１と第２の側辺支持部５２，５３と、枠部５１の底辺に沿って設けられた底辺支持部５４とを備える。第１と第２の側辺支持部５２，５３は、基板２５の長辺の一部を収容するスリットＳを有する。第１と第２の側辺支持部５２，５３は、基板２５が水平方向へと傾くことを抑制するとともに、基板２５が枠部５１から離間することを抑制する。底辺支持部５４は、基板２５が重力方向へ脱落することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】 自己放電型の表面処理装置および表面処理方法において、自己バイアス電圧の変化に関係なく安定した表面処理を実現し、ひいては安定した表面処理結果を得る。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、真空槽１０と被処理物としての各基板１８，１８，…とを一対の電極として、これらに放電用電力としての正弦波電力Ｗｐが供給される。このとき、各基板１８，１８，…の表面に負の直流電圧である自己バイアス電圧が現れる。併せて、真空槽１０を陽極とし、各基板１８，１８，…を陰極として、これらに直流電力Ｗａが供給される。これによって、各基板１８，１８，…には、自己バイアス電圧を含む直流電圧Ｖａが印加された状態となる。ゆえに、自己バイアス電圧が変化したとしても、この自己バイアス電圧を含む直流電圧Ｖａは一定であるので、安定した表面処理が実現され、ひいては安定した表面処理結果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】水分の透過を防止する絶縁性を有する配管の外周面のＤＬＣ膜（ダイヤモンドライクカーボン膜）に関して、配管にＰＳＩＩ法（プラズマソースイオン注入法）を用いてＤＬＣ膜をコーティングする配管のＤＬＣ膜コーティング方法、及びＤＬＣ膜コーティング方法を用いてコーティングした配管、並びに、ＤＬＣ膜コーティング方法を実行するＤＬＣ膜コーティング装置を提供する。
【解決手段】絶縁性を有する配管２の中空部に電極６を挿入した状態で真空容器３の内部に設置し、前記真空容器の内部に減圧状態で炭化水素ガスを充填し、プラズマを発生させるための負の低電圧のプラズマ発生電圧を前記電極に印加した後に、前記プラズマ中のイオンを加速させるための負の高電圧のイオン加速電圧を前記電極に印加して、絶縁性を有する配管の外周面にＤＬＣ膜をコーティングする。 （もっと読む）

【課題】小径で長尺な筒状の基材であっても、基材の内面を均一厚みのＤＬＣ膜で被覆することができる被覆部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、直流パルスプラズマＣＶＤ法により被覆部材を製造するためのものである。被覆部材の製造時には、円筒状の基材２００は、処理室３内で宙吊りにされる。宙吊り状態の基材２００は、その軸線Ｃが水平方向に延びるような姿勢にされている。プラズマ電源８をオンすることにより、隔壁２と基台５との間に直流パルス電圧を印加してプラズマを発生させる。このプラズマの発生により、処理室３内において原料ガスがプラズマ化し、基材２００の内周面および外周面にＤＬＣ膜が堆積される。 （もっと読む）