【課題】 高品質なシリコン膜を高速で結晶成長させる技術を提供する。
【解決手段】 １２００℃〜１４００℃に加熱されているとともに１５００ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍで回転している基板６に向けて、基板の表面に直交する方向から、塩化シランガス１８を供給する。このときの塩化シランガス１８の供給量を、基板６の表面１ｃｍ^２当たり２００μｍｏｌ／分以上とする。 （もっと読む）

【課題】急峻なヘテロ界面が形成され、高い移動度を有する窒化物半導体からなる半導体装置を得る。
【解決手段】まず、第１成長工程においては、電子走行層（ＧａＮ層）を成長させるため、ＭＯＣＶＤ装置のチャンバ内に、ＮＨ_３とＴＭＧがオン（供給）され、ＴＭＡはオフ（停止）とされる。次に、バリア層を成長させる前に、ＴＭＧ、ＴＭＡを共にオフとする成長中断工程を行う。次に、ＴＭＡのみをオンとし、ＴＭＧをオフのままとしたプリフロー工程を行う。プリフロー工程において、ＴＭＡの流量は、第２の流量ｆ_２に設定される。ｆ_２は、電子走行層１２とバリア層１３との間に急峻な界面が形成されるように設定される。次に、ＴＭＧと共にＴＭＡをオンとし、バリア層（ＡｌＧａＮ層）を成長させる第２成長工程を行う。 （もっと読む）

【課題】均一な膜厚、膜質の膜を形成できるプラズマ処理装置、及び均一な膜厚、膜質を有する光起電力素子を提供する。
【解決手段】基板を保持することが可能な第１電極３と、第１電極と対向するように設置され、第１電極と対向する部分に複数のガス供給口４ａが形成されるとともに高周波電力が印加される第２電極４とを備え、第２電極は、複数のガス供給口が同心円に沿って設けられると共に、隣接する同心円間の距離が内周側と外周側とで異なるプラズマ処理装置１を用いて、透明導電膜上に非晶質シリコン半導体または微結晶シリコン半導体を含む光電変換層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いて、微細な段差を有する基板をルテニウム薄膜で被覆するには、低温で薄膜を形成させることが必要であり、低温で成膜可能なルテニウム化合物が望まれていた。
【解決手段】ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム、及びビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムに対して０．１〜１００重量％の熱分解温度１００℃〜３００℃のルテニウム錯体を含有するルテニウム錯体混合物を原料として用い、ＣＶＤ法等によりルテニウム含有膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】結晶性半導体の核生成を均一にする。
【解決手段】ガス管から導入された成膜ガスを拡散する第２のガス拡散室と、前記第２のガス拡散室と分散板を隔てて設けられ、該分散板のガス孔から成膜ガスが導入される第１のガス拡散室と、を介して、前記第１のガス拡散室とシャワー板を隔てて設けられた処理室内に該シャワー板のガス孔から成膜ガスを供給し、前記成膜ガスを導入することによって前記処理室内の圧力を２０００Ｐａ以上１０００００Ｐａ以下とし、前記処理室内に電界を生じさせる一対の電極のうち、一方の電極面から電界強度が均一な高周波電力を供給することでグロー放電プラズマを生成させ、前記対向する電極の他方に配された基板上に結晶核を生じさせ、その後、該結晶核を成長させて結晶性半導体膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】凹部のない大面積で高品質なＣＶＤダイヤモンド単結晶及びこれを実現する製造方法の提供。
【解決手段】主面が｛１００｝であるダイヤモンド単結晶基板の｛１００｝側面同士を近接させて４枚以上配置し、該配置した単結晶基板の主面にダイヤモンドを気相合成により成長させた後、該単結晶基板を除去して１枚の大面積ＣＶＤダイヤモンド単結晶を製造する方法であって、前記ダイヤモンド単結晶基板の配置が、近接する任意の４枚の単結晶基板の、隣接する２枚の単結晶基板Ａ１とＡ２とからなる単位Ａと、他の２枚の単結晶基板Ｂ１とＢ２とからなる単位Ｂとにおいて、Ａ及びＢが対向する側の面がそれぞれ同一平面上にあり、かつＡ１とＡ２が対向する側面間の間隔の真中の面と、Ｂ１とＢ２が対向する側面間の間隔の真中の面とが、単位Ａと単位Ｂが対向する面の方向にずれている配置であることを特徴とする大面積ＣＶＤダイヤモンド単結晶を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】電界強度を均一にし、且つ導入したガスの分布を均一にすることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】上部電極１１０と下部電極１１２が対向し、チャンバー壁１１４により覆われた処理室１０２と、処理室とは上部電極と絶縁物により隔てられ、チャンバー壁により覆われたライン室１０４とを有する。処理室は、シャワー板１１８、第１のガス拡散室１０６、分散板１１６、第２のガス拡散室１０８、上部電極内の第１のガス管１２０、第２のガス管１２２に接続され、第２のガス管は処理用ガス供給源１２４に接続されている。分散板は、上部電極の電極面に接続された上部電極内の第１のガス管のガス導入口と対向し、ガス孔が設けられていない分散板中央部１３０と、複数のガス孔が設けられている分散板周辺部１３２とを有する。 （もっと読む）

【課題】電力における包絡線の波形のパルス周波数を高くし、かつ高いパワーにて低周波電力をプロセスチャンバーの電極に伝達させ、異常放電を抑制して従来と同様の速度により成膜するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ発生装置は、それぞれ異なった基本周波数の電力を出力する複数の交流電源と、前記交流電源各々の出力に設けられた複数の整合回路と、２つの電極が対向して設けられたプラズマ反応器の対向電極と、該対向電極のいずれか一方の電極と、前記整合回路各々との間に設けられ、それぞれ対応する前記交流電源の前記基本周波数を通過帯域の中心周波数とする複数のバンドパスフィルタとを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生装置を用いた成膜装置で基板に成膜を行う場合に、プラズマ発生開始時またはプラズマ発生停止時に発生するパーティクルの基板への付着を低減する手段を提供する。
【解決手段】真空容器１内において基板９に薄膜を成膜するプラズマを用いた成膜装置であって、真空容器内にプラズマを用いて基板に成膜を行う成膜領域と成膜を行わない待機領域とを持ち、真空容器内に、基板を戴置した基板トレイ１０が成膜領域と待機領域との間で移動可能とする基板トレイ移動手段１１と、プラズマの発生開始後に、基板トレイの待機領域から成膜領域への移動を可能とし、基板トレイの成膜領域から待機領域への移動後にプラズマの生成停止を可能とするインターロック手段とを更に備える。 （もっと読む）

【課題】ＶＨＦ帯の高周波電力の供給を行って大面積の被処理基板を処理した場合でも均一なプラズマを得ること。
【解決手段】プラズマ成膜装置において、第１の電極における第２の主面は複数の第１の給電点と複数の第２の給電点と少なくとも１つの第３の給電点と少なくとも１つの第４の給電点とを有し、前記複数の第１の給電点と前記複数の第２の給電点とは、対称点に関して対称な位置であって対称軸に関して対称な位置に配されるとともに、給電される高周波電力の位相差が互いに１８０度であり、前記少なくとも１つの第３の給電点と前記少なくとも１つの第４の給電点とは、それぞれ、前記対称点から等距離であり前記対称軸上となる位置に配される、あるいは前記対称点から等距離であり前記対称軸に関して対称な位置に配された１組の給電点を含む。 （もっと読む）

【課題】 基板を巻き掛けて搬送しつつ成膜を行なう電極ローラ対を用い、誘電体バリア放電による大気圧プラズマＣＶＤで成膜を行なう成膜装置であって、長時間に渡って安定したプラズマを生成することができ、これにより、長時間に渡って高品質な成膜を安定して行なうことを可能にする成膜装置を提供する。
【解決手段】 基板を巻き掛けて搬送しつつ成膜を行なう電極ローラ対を用いると共に、この電極ローラ対にプラズマ励起電力を供給する電源装置として、キャパシタンスおよびインダクタンスが可変であるＬＣ共振回路を用いることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】蒸着均一度及び蒸着率を向上させることができる基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は処理室内に位置されたサセプタに基板が置かれ、シャワーヘッドが基板へガスを供給する。高周波電源は高周波ラインを通じてシャワーヘッドの第１側面に連結され、可変キャパシターは電気ラインを通じてシャワーヘッドの第１側面とは反対側を向く第２側面に連結される。電気ラインには高周波電源が提供されない。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置において、真空チャンバの内部、特にガス供給部にプラズマが当たってフレークが発生することを抑制し、フレークの混入がなく品質に優れたＣＶＤ皮膜の成膜を可能とする。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバ４と、真空チャンバ４内を真空排気する真空排気手段５と、真空チャンバ４内に配備されると共に成膜対象である基材Ｗが巻き掛けられた成膜ロール２と、真空チャンバ４内に原料ガスを供給するガス供給部７と、成膜ロール２の表面近傍にプラズマ発生領域１６を形成し、成膜ロール２に巻き掛けられた基材Ｗに成膜を行うプラズマ電源６と、を備えたプラズマＣＶＤ装置１であって、ガス供給部７が、プラズマ発生領域１６に対して成膜ロール２を挟んだ反対側に位置するプラズマ非発生領域１５に設けられていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】帯状可撓性基板の下垂や皺の発生を抑制でき、高品質の処理が可能であると共に、可撓性基板の逆方向への搬送にも対応可能な可撓性基板の位置制御装置を提供する。
【解決手段】帯状の可撓性基板１を、搬送ロール２，２で張力付与しながら縦姿勢で横方向に搬送する搬送経路において、幅方向に展張するための展張装置１０Ａ，１０Ｂは、可撓性基板１の縁部１ａ，１ｂを搬送基準面にて転支すべく搬送方向に並設された２つの基準ローラ（２，１２）と、前記２つの基準ローラの間で可撓性基板１の縁部を反対側から転支する押込ローラ１１とを備え、前記可撓性基板の縁部が、前記２つの基準ローラに対する前記押込ローラの押込量ｄに応じた屈曲状態に案内され、縁部１ａ，１ｂの搬送方向の張力が、可撓性基板１の幅方向中間部分よりも高められている。 （もっと読む）

【課題】耐久性の高い導電性被膜を適所に備えているメタル製のセパレータと、このセパレータを効率的に製造することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】燃料電池セルの発電部に対応する発電領域と、発電部の周囲の非発電部に対応する非発電領域を有し、発電領域に第１の非晶質炭素被膜８Ａが形成され、非発電領域においてセルモニタ端子が取り付けられる端子取り付け部に第２の非晶質炭素被膜８Ｂが形成されており、第１、第２の非晶質炭素被膜８Ａ，８Ｂが同じ素材からなり、かつ同じ厚みを有している燃料電池用でメタル製のセパレータ（メタルプレート７１を有するセパレータ）である。この非晶質炭素被膜に端子取り付け部が形成されることにより、従来の金メッキ処理層に比して格段に薄い導電性被膜を備える。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を有し耐屈曲性を有するガスバリア性積層フィルムを製造可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基材を収容する真空チャンバーと、真空チャンバー内に、有機金属化合物と該有機金属化合物と反応する反応ガスと、を含む成膜ガスを供給するガス供給装置と、上記真空チャンバー内に配置される一対の電極と、この一対の電極に交流電力を印加し、成膜ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生用電源と、上記ガス供給装置または上記プラズマ発生用電源とのいずれか一方または両方を制御し、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた金属元素または半金属元素を含み且つ炭素を含まない化合物を生じる第１の反応条件と、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた炭素と金属元素または半金属元素とを含む含炭素化合物を生じる第２の反応条件と、を切り替える制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フィルムを屈曲させた場合でもガスバリア性の低下を十分に抑制可能な積層フィルムが提供される。
【解決手段】この積層フィルムは、基材と、前記基材の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層は珪素、酸素及び炭素を含有する層であって、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、該層の珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線が、下記条件（i）〜（iii）を全て満たす層を含む：(i)前記炭素分布曲線が実質的に連続であること、(ii)前記炭素分布曲線において、炭素の原子比が、該層の膜厚の全領域において１ａｔ％以上であること、及び (iii) 前記炭素分布曲線は、炭素の原子比が増加の傾斜領域と炭素の原子比の減少の傾斜領域とを有すること。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムの短縮を図ることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１のチャンバには、基板Ｓを第１の方向で移動可能に支持する第１の支持部材が、所定間隔で上下二段に設けられていると共に、第２のチャンバには、基板Ｓを第１の方向とは直交する第２の方向で移動可能に支持する第２の支持部材が、第１の支持部材とは異なる高さに所定間隔で上下二段に設けられ、搬送室には、基板Ｓを第１の方向で搬送する第１の搬送手段３０と、基板Ｓを第２の方向で搬送する第２の搬送手段３１とのそれぞれが、所定間隔で上下二段に設けられており、第１の搬送手段３０と第２の搬送手段３１とは、相対的に昇降可能に設けられ、これらを相対的に昇降させることによって上段同士又は下段同士の第１の搬送手段３０と第２の搬送手段３１との間で基板Ｓを移動可能に構成されているようにする。 （もっと読む）

【課題】 所定処理に必要となる原料ガス供給用のガス系統が増加しても、少ない部品点数で確実に原料ガスを安定して供給できる低コストのガス供給システムを提供する。
【解決手段】 第１のガスライン１ａと第２のガスライン１ｂとを有する。また、原料が夫々収納される複数の容器２０と、各容器にプッシングガスを供給するプッシングガスライン３から分岐された、流量制御を行う流量制御手段を有するプッシングガス分岐ラインと、プッシングガスの容器内への導入により容器内からの原料ガスを導く原料ガスラインと、第１のガスラインと第２のガスラインとの間で原料ガスの導入を切換える切換手段８０とを備える。各原料ガスラインを２本に分岐し、分岐した原料ガス分岐ラインに前記切換手段を夫々介設し、各切換手段の二次側を集合ガスラインに合流させて、集合ガスラインと第１及び第２の両ガスラインとの間に、一次圧を制御し得るレギュレータを夫々介設する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させた発光素子用エピタキシャルウェハ、及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型基板１上に、少なくともＰ（燐）系結晶のｎ型クラッド層３、Ａｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ、又はＧａＡｓなどのＡｓ（砒素）系結晶で形成した量子井戸構造を有する発光層５、及びｐ型クラッド層７が順次積層された化合物半導体と、ｎ型クラッド層３と発光層５との間に、発光層５を構成するＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層とは異なるＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層４とを有している。 （もっと読む）